JPS60155506A - 光導電性セレン化カドミウムの製造方法 - Google Patents
光導電性セレン化カドミウムの製造方法Info
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- JPS60155506A JPS60155506A JP859984A JP859984A JPS60155506A JP S60155506 A JPS60155506 A JP S60155506A JP 859984 A JP859984 A JP 859984A JP 859984 A JP859984 A JP 859984A JP S60155506 A JPS60155506 A JP S60155506A
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- selenium
- cdse
- reducing agent
- photoconductive
- cadmium selenide
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光導電性セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）の製
造方法に関し、更に詳しく云えば、光導電性材料特にイ
メージングデノ（イス用として高出力および高ＳＮ比の
光導電性ＣｄＳｅの提供を目的とする。
造方法に関し、更に詳しく云えば、光導電性材料特にイ
メージングデノ（イス用として高出力および高ＳＮ比の
光導電性ＣｄＳｅの提供を目的とする。
従来、イメージングデバイス用の光導電性材料としてＣ
ｄＳ 、 Ｓｅ、アモルファスＳｉ等が開発されている
が、特にイメージングデバイス用として使用するために
は応答速度が速く、また読み取りを確実にするために高
出力および高ＳＮ比の光導電性材料が要求されている。
ｄＳ 、 Ｓｅ、アモルファスＳｉ等が開発されている
が、特にイメージングデバイス用として使用するために
は応答速度が速く、また読み取りを確実にするために高
出力および高ＳＮ比の光導電性材料が要求されている。
現在これらの用途にＣｄＳ 、アモルフアスＳｉあるい
はＣｄＳｅ等の光導電性材料が提案されているが、例え
ばＣｄＳは応答速度が極端に遅く、アモルファスＳｉ
ｉｌ：ＳＮ比が十分にとれないという欠点がある。Ｃｄ
Ｓｅは有望な側斜であるが、高性能の材料を製造する方
法が極めて煩雑である。すなわち従来の光導電性ＣｄＳ
ｅの原料であるＣｄ５ｅＯ生粉（以下、不純物をド？プ
してない未焼成ＣｄＳｅを生粉という）は気相法で合成
されているため非常に結晶性が高く、粉体の表面積が小
であるためドーパントを均一容易にドーピングすること
が極めて困難であり、また無理に十分なドーピングを行
うと、暗電流が極端に流れるようになり十分なＳＮ比が
とれないものとなる欠点が生じる。
はＣｄＳｅ等の光導電性材料が提案されているが、例え
ばＣｄＳは応答速度が極端に遅く、アモルファスＳｉ
ｉｌ：ＳＮ比が十分にとれないという欠点がある。Ｃｄ
Ｓｅは有望な側斜であるが、高性能の材料を製造する方
法が極めて煩雑である。すなわち従来の光導電性ＣｄＳ
ｅの原料であるＣｄ５ｅＯ生粉（以下、不純物をド？プ
してない未焼成ＣｄＳｅを生粉という）は気相法で合成
されているため非常に結晶性が高く、粉体の表面積が小
であるためドーパントを均一容易にドーピングすること
が極めて困難であり、また無理に十分なドーピングを行
うと、暗電流が極端に流れるようになり十分なＳＮ比が
とれないものとなる欠点が生じる。
本発明者は上述の如き従来技術の欠点を解決すべく鋭意
研究の結果、光導電性ＣｄＳｅを製造するに際してその
原料として特定のＣｄＳｅ生粉を使用することによって
上述の従来技術の欠点が十分に解決され、非常に容易に
高性能の光導電性ＣｄＳｅが得られることを知見して本
発明を完成した。
研究の結果、光導電性ＣｄＳｅを製造するに際してその
原料として特定のＣｄＳｅ生粉を使用することによって
上述の従来技術の欠点が十分に解決され、非常に容易に
高性能の光導電性ＣｄＳｅが得られることを知見して本
発明を完成した。
すなわち、本発明は水性媒体中でセレンを還元剤により
還元してセレンアニオンを含む溶液を調製し、該溶液に
水溶性カドミウム塩を加えてＣｄＳｅを沈澱させ、次い
で得られたＣｄＳｅにドーパントをドーピングすること
を特徴とする光導電性ＣｄＳｅの製造方法である。
還元してセレンアニオンを含む溶液を調製し、該溶液に
水溶性カドミウム塩を加えてＣｄＳｅを沈澱させ、次い
で得られたＣｄＳｅにドーパントをドーピングすること
を特徴とする光導電性ＣｄＳｅの製造方法である。
本発明方法を詳細に説明すると、本発明の第一の特徴は
光導電性ＣｄＳｅの原料であるＣｄＳｅ生粉を湿式法で
調製する点である。このような湿式法による生粉はその
製造時に高温にさらされていないため殆ど無定形に近い
微細な粉末であり、粉末の表面積が著しく犬であり、そ
の結果として次の付活工程におけるドーピングが非常に
容易に且つ均一に行われる。
光導電性ＣｄＳｅの原料であるＣｄＳｅ生粉を湿式法で
調製する点である。このような湿式法による生粉はその
製造時に高温にさらされていないため殆ど無定形に近い
微細な粉末であり、粉末の表面積が著しく犬であり、そ
の結果として次の付活工程におけるドーピングが非常に
容易に且つ均一に行われる。
本発明において使用するＳｅはいがなる形状のセレンで
もよいが好ましいものは純度が約９９．９１以上のもの
である。このよりなＳｅ粉末は水中においてアルカリ性
の状態で還元するのが好ましく、還元剤としてはＳｅを
還元できるものであれば、Ｓｎ弘” ｘＨｔｏ、ＮａＢ
Ｈ４、ＬｉＡｔＨ＋ 、 ＮｌＨ４ｅ ｘＨｔｏ 、液
体アンモニア等いずれの還元剤でもよいが、特に好まし
いものはＮｕ Ｈｓ・ＸＨＩ Ｏの如く金属を含有しな
い還元剤である。このような好ましいＮＩＨＩ・ｘＨ＋
ｏ（ｘ＝１）還元剤はセレン１モル（約７９ｆ）あたり
約３５０〜１．５０Ｏｆの割合で使用するのが好ましい
。この使用範囲の下限以下ではセレンの還元が不十分と
なり、その結果最終製品の光導電特性が著しく悪化する
ことになる。一方、上記範囲以上の量を使用しても良好
な製品が得られるが、経済的な面で好ましくない。この
ような還元剤によるセレンの還元は水性媒体、好ましく
は純水中でアルカリ性の条件下で遂行する必要があり、
周期律表のＩＡ族元素の水酸化物または炭酸塩、例えば
ＮａＯＨ％ ＬｔＯＨ％ＫＯＨｓ Ｎａ＊ＣＯｓ等がア
ルリ性化に使用できるが、好ましいものはＮａＯＨであ
り、このようなＮａＯＨはセレン２０重量部あたシ約５
〜３０重量部の割合で使用するのが好適である。使用す
る媒体、例えば純水（イオン交換水）はセレン１００重
量部あたり約４００〜４，０００重量部の割合で使用す
るのが好ましい。還元反応の温度は常温でもよいが通常
は約り０℃〜水の沸点で行うのが良く、９０〜１００℃
の場合は約５分〜２゛時間の反応時間が好ましい。この
ような条件下でセレンの還元は円滑に進行するが、生成
したセレンアニオンは空気中で不安定で酸化を受け易い
ため、反応写囲気は歯気流等の如く不活性ガス雰囲気と
するのが望ましい。
もよいが好ましいものは純度が約９９．９１以上のもの
である。このよりなＳｅ粉末は水中においてアルカリ性
の状態で還元するのが好ましく、還元剤としてはＳｅを
還元できるものであれば、Ｓｎ弘” ｘＨｔｏ、ＮａＢ
Ｈ４、ＬｉＡｔＨ＋ 、 ＮｌＨ４ｅ ｘＨｔｏ 、液
体アンモニア等いずれの還元剤でもよいが、特に好まし
いものはＮｕ Ｈｓ・ＸＨＩ Ｏの如く金属を含有しな
い還元剤である。このような好ましいＮＩＨＩ・ｘＨ＋
ｏ（ｘ＝１）還元剤はセレン１モル（約７９ｆ）あたり
約３５０〜１．５０Ｏｆの割合で使用するのが好ましい
。この使用範囲の下限以下ではセレンの還元が不十分と
なり、その結果最終製品の光導電特性が著しく悪化する
ことになる。一方、上記範囲以上の量を使用しても良好
な製品が得られるが、経済的な面で好ましくない。この
ような還元剤によるセレンの還元は水性媒体、好ましく
は純水中でアルカリ性の条件下で遂行する必要があり、
周期律表のＩＡ族元素の水酸化物または炭酸塩、例えば
ＮａＯＨ％ ＬｔＯＨ％ＫＯＨｓ Ｎａ＊ＣＯｓ等がア
ルリ性化に使用できるが、好ましいものはＮａＯＨであ
り、このようなＮａＯＨはセレン２０重量部あたシ約５
〜３０重量部の割合で使用するのが好適である。使用す
る媒体、例えば純水（イオン交換水）はセレン１００重
量部あたり約４００〜４，０００重量部の割合で使用す
るのが好ましい。還元反応の温度は常温でもよいが通常
は約り０℃〜水の沸点で行うのが良く、９０〜１００℃
の場合は約５分〜２゛時間の反応時間が好ましい。この
ような条件下でセレンの還元は円滑に進行するが、生成
したセレンアニオンは空気中で不安定で酸化を受け易い
ため、反応写囲気は歯気流等の如く不活性ガス雰囲気と
するのが望ましい。
以上の如き還元は予めカドミウムの水溶性塩の存在下に
行りて、研元と同時にＣｄＳｅを生成させ沈澱させるこ
とも可能であるが、好ましい方法はセレンの還元が完了
後にカドミウムの水溶性塩を添加する方法である。使用
するカドミウム塩としてはＣｄ５０＋ １ＣｄＣ１＊、
ＣｄＮＯｓ ’％ （Ｄ 如＜ 水溶性Ｏ力）’ミウム
塩がいずれも使用することができる。これらのカドミウ
ム塩は、セレン１モルに対し、約０．９〜１，２モルの
割合で使用するのが好適である。添加する方法としては
固体の塩として一度にあるいは除々に添加してもよいが
、生成するＣｄＳｅの沈澱を均一微細にするために好ま
しくＦｉ神水中の約１０〜５０重景チ程度の水溶液とし
て約９０〜１００℃の反応温度で約３０分〜２時間を要
して上記で調製したセレンアニオン溶液に滴下するのが
好ましい。ＣｄＳｅは滴下と同時に生成するが、生成し
た懸濁液は約９０〜１００Ｃの温度で約３０分〜２時間
程度不活性雰囲気下で攪拌し熟成処理を行うのが好まし
い。
行りて、研元と同時にＣｄＳｅを生成させ沈澱させるこ
とも可能であるが、好ましい方法はセレンの還元が完了
後にカドミウムの水溶性塩を添加する方法である。使用
するカドミウム塩としてはＣｄ５０＋ １ＣｄＣ１＊、
ＣｄＮＯｓ ’％ （Ｄ 如＜ 水溶性Ｏ力）’ミウム
塩がいずれも使用することができる。これらのカドミウ
ム塩は、セレン１モルに対し、約０．９〜１，２モルの
割合で使用するのが好適である。添加する方法としては
固体の塩として一度にあるいは除々に添加してもよいが
、生成するＣｄＳｅの沈澱を均一微細にするために好ま
しくＦｉ神水中の約１０〜５０重景チ程度の水溶液とし
て約９０〜１００℃の反応温度で約３０分〜２時間を要
して上記で調製したセレンアニオン溶液に滴下するのが
好ましい。ＣｄＳｅは滴下と同時に生成するが、生成し
た懸濁液は約９０〜１００Ｃの温度で約３０分〜２時間
程度不活性雰囲気下で攪拌し熟成処理を行うのが好まし
い。
以上の如くして本発明を主として特りづけるＣｄＳｅの
生粉が得られるが、該ＣｄＳｅ生粉は均一微細で容易に
分散可能な粉末であり、そのＸ線回折図では殆ど鋭いピ
ークを示すことがないことから。
生粉が得られるが、該ＣｄＳｅ生粉は均一微細で容易に
分散可能な粉末であり、そのＸ線回折図では殆ど鋭いピ
ークを示すことがないことから。
ＣｄＳｅの結晶は殆ど成長しておらず、無定形に近い状
態であることが判る。これに対し従来の気相法でｉｉｌ
＃したＣｄＳｅ生粉は結晶性が非常圧高く、従って粉体
の表面積が非常に少さいことから１次のドーピング処理
が極めて困難となる。
態であることが判る。これに対し従来の気相法でｉｉｌ
＃したＣｄＳｅ生粉は結晶性が非常圧高く、従って粉体
の表面積が非常に少さいことから１次のドーピング処理
が極めて困難となる。
以上の如き本発明によるＣｄＳｅ生粉祉この状態では光
導電性が小さく、このＣｄＳｅ生粉に付活剤をドーピン
グすることにより本発明の光導電性ＣｄＳｅを得ること
ができる。このようなドーピング処理は従来公知の方法
、例えばＣｄＳｅ生粉に付活剤および融剤を混合し高温
処理して付活剤の拡散とＣｄＳｅの結晶化を行なう第一
次焼成工程および共刊活剤であるハロゲンを拡散させる
第二次焼成工程および必要に応じて行う第三次焼成工程
あるいはこれらの各種の修正方法を用いて行うことがで
きる。
導電性が小さく、このＣｄＳｅ生粉に付活剤をドーピン
グすることにより本発明の光導電性ＣｄＳｅを得ること
ができる。このようなドーピング処理は従来公知の方法
、例えばＣｄＳｅ生粉に付活剤および融剤を混合し高温
処理して付活剤の拡散とＣｄＳｅの結晶化を行なう第一
次焼成工程および共刊活剤であるハロゲンを拡散させる
第二次焼成工程および必要に応じて行う第三次焼成工程
あるいはこれらの各種の修正方法を用いて行うことがで
きる。
しかしながら、本発明者の詳細な研究によれば、第一次
焼成は前記のＣｄＳｅ生粉に適量（例えば約１００〜３
． ｏ ００ ＰＰｍ ）の塩化銅等の付活剤および適
−＃、（例えば生粉１００重量部あたり約０１〜１０重
量部）の塩化カドミウム等の融剤を適当な方法で混合後
、不活性雰囲気中で約５００〜８００℃の温度で約１５
分〜２時間行うが好ましく、このようにしてわずかに焼
結し容易にほぐれる一次焼成物が得られる。また二次焼
成は一次焼成物中のハロゲンを拡散させ光導電性の増加
を目的とするもので、−次焼成物１００重策部あたり約
０１〜１０重量部の塩化カドミウム等の融剤を混合し、
不活性雰囲気中で好ましくは硫黄等の６族元素の存在下
で約４００〜６００℃の温度で約１５分〜２時間行度熱
処理して行う。以上の如くして得られた本発明の光導電
性ＣｄＳｅは従来方法により得た光導電性ＣｄＳｅに比
して以下の実施例に示す迫り応答速度がある程度改善さ
れるとともにＬｉｇｈｔ出力が大巾に向上しそのＳＮ比
が著しく改善されている。
焼成は前記のＣｄＳｅ生粉に適量（例えば約１００〜３
． ｏ ００ ＰＰｍ ）の塩化銅等の付活剤および適
−＃、（例えば生粉１００重量部あたり約０１〜１０重
量部）の塩化カドミウム等の融剤を適当な方法で混合後
、不活性雰囲気中で約５００〜８００℃の温度で約１５
分〜２時間行うが好ましく、このようにしてわずかに焼
結し容易にほぐれる一次焼成物が得られる。また二次焼
成は一次焼成物中のハロゲンを拡散させ光導電性の増加
を目的とするもので、−次焼成物１００重策部あたり約
０１〜１０重量部の塩化カドミウム等の融剤を混合し、
不活性雰囲気中で好ましくは硫黄等の６族元素の存在下
で約４００〜６００℃の温度で約１５分〜２時間行度熱
処理して行う。以上の如くして得られた本発明の光導電
性ＣｄＳｅは従来方法により得た光導電性ＣｄＳｅに比
して以下の実施例に示す迫り応答速度がある程度改善さ
れるとともにＬｉｇｈｔ出力が大巾に向上しそのＳＮ比
が著しく改善されている。
従って本発明の光導電性ＣｄＳｅはイメ′−ジングデバ
イス用素子として極めて有用であり、これらを応用した
各種装置例えばファクシミリ、レーザープリンタ、コン
ピューター用入力装置等の感光性材料としても有用であ
る。
イス用素子として極めて有用であり、これらを応用した
各種装置例えばファクシミリ、レーザープリンタ、コン
ピューター用入力装置等の感光性材料としても有用であ
る。
次に実施例および比較例をあげて本発明を具体的に説明
する。なお文中部またはチとあるのは重量基準である。
する。なお文中部またはチとあるのは重量基準である。
実施例１
粉末セレン（純度９９．９チ）１００．２４部、歯Ｈ’
・Ｈ富０７４２部およびＮａＯＨ１０１，５部を２，
５００部の純水中に加え、雰囲気を十分にＮｔ置換した
後約１００℃で約０．５時間攪拌し、セレンアニオンを
含む溶液を得た。次いで予め用意しておいたＣｄＳＯ４
２６，４６部を純水１００部中に溶解した７５２部を約
１００℃の温度で攪拌している上記セレンアニオン溶液
中に約６０分を要して滴下する。反応終了後更に９０℃
で１，５時間攪拌してＣｄＳｅの熟成を行った。生成し
たＣｄＳｅ生粉をｒ過、水洗し、１２０℃で乾燥させた
。次に乾燥粉一度１００％、平均粒子径０．１μ）１５
０部に、ＣｄＣ１＊ １．３７４８部およびＣｕｃｔｔ
” ２Ｈ雪００．３６２４部を１５０部の純水に溶解
した溶液を加え十分に混合後１２０℃で乾燥する。得ら
れた乾燥粉１５０部を石英ルツボに入れＮ１雰囲気にし
約６００℃で３０分間第一次焼成を行う。わずかに焼結
した一次焼成物をゆるやかに粉砕し、５００メツシユの
フルイに通して粗大粒子を除去し、十分に水洗し乾燥す
る。該−次焼成物１５０部にＣｄＣ１ｘ １．３７４８
部を１５０部の純水に溶解した溶液を加え十分に混合し
１２０℃で乾燥する。該乾燥粉末を石英ルツボに入れ硫
黄０．１５部とともにＮ１雰囲気下で約４５０℃、で３
０分分間法焼成を行う。次いで水中にてホモミキサーで
十分に解コウし５００メツシユフルイを通し十分に水洗
し１２０℃で乾燥する。このようにして得られた本発明
の光導電性ＣｄＳｅは容易に分散しうる微細な粉末であ
るがＸ線回折によれば結晶度の高いものであった。この
光導電性Ｃｄ５ｅｌＯ部をスチレン系樹脂とトルエンの
５：１混合物３部と混合し、クシ型アルミ蒸着電極に厚
さ４５μで塗布し１２０℃で乾燥させた後、光量６０
Ｌｕｘ、波長６９５ ｎｍのパルス光を使用し応答速度
、明所出力、暗所出力およびＳＮ比をめたところ、後記
第１表の通りであった。
・Ｈ富０７４２部およびＮａＯＨ１０１，５部を２，
５００部の純水中に加え、雰囲気を十分にＮｔ置換した
後約１００℃で約０．５時間攪拌し、セレンアニオンを
含む溶液を得た。次いで予め用意しておいたＣｄＳＯ４
２６，４６部を純水１００部中に溶解した７５２部を約
１００℃の温度で攪拌している上記セレンアニオン溶液
中に約６０分を要して滴下する。反応終了後更に９０℃
で１，５時間攪拌してＣｄＳｅの熟成を行った。生成し
たＣｄＳｅ生粉をｒ過、水洗し、１２０℃で乾燥させた
。次に乾燥粉一度１００％、平均粒子径０．１μ）１５
０部に、ＣｄＣ１＊ １．３７４８部およびＣｕｃｔｔ
” ２Ｈ雪００．３６２４部を１５０部の純水に溶解
した溶液を加え十分に混合後１２０℃で乾燥する。得ら
れた乾燥粉１５０部を石英ルツボに入れＮ１雰囲気にし
約６００℃で３０分間第一次焼成を行う。わずかに焼結
した一次焼成物をゆるやかに粉砕し、５００メツシユの
フルイに通して粗大粒子を除去し、十分に水洗し乾燥す
る。該−次焼成物１５０部にＣｄＣ１ｘ １．３７４８
部を１５０部の純水に溶解した溶液を加え十分に混合し
１２０℃で乾燥する。該乾燥粉末を石英ルツボに入れ硫
黄０．１５部とともにＮ１雰囲気下で約４５０℃、で３
０分分間法焼成を行う。次いで水中にてホモミキサーで
十分に解コウし５００メツシユフルイを通し十分に水洗
し１２０℃で乾燥する。このようにして得られた本発明
の光導電性ＣｄＳｅは容易に分散しうる微細な粉末であ
るがＸ線回折によれば結晶度の高いものであった。この
光導電性Ｃｄ５ｅｌＯ部をスチレン系樹脂とトルエンの
５：１混合物３部と混合し、クシ型アルミ蒸着電極に厚
さ４５μで塗布し１２０℃で乾燥させた後、光量６０
Ｌｕｘ、波長６９５ ｎｍのパルス光を使用し応答速度
、明所出力、暗所出力およびＳＮ比をめたところ、後記
第１表の通りであった。
比較例１
実施例１のＣｄＳｅ生粉に代えて気相法で合成した粉末
状（ＣｄＳｅ純度９９．９％、平均粒子径約４μ）を使
用し他は実施例１と同様にして光導電性ＣｄＳｅを得、
また実施例１と同様にして特性をめたところ、第１表の
結果を得た。
状（ＣｄＳｅ純度９９．９％、平均粒子径約４μ）を使
用し他は実施例１と同様にして光導電性ＣｄＳｅを得、
また実施例１と同様にして特性をめたところ、第１表の
結果を得た。
第 １ 表
比較例１ ２０（１０） ４４０ ０．４ １，１００
実施例１ １７（６） １６，０００ ０．５ ３２，
０００なお上記第１表における応答速度は、光照射によ
り出力が最高値の９０％に達するまでの時間であり、０
内は光照射を中止した後最高値から９０チ出力が低下す
るまでの時間である。出力はＬｏａｄ抵抗１０ ＭΩに
かかる電圧を測定した値である。
実施例１ １７（６） １６，０００ ０．５ ３２，
０００なお上記第１表における応答速度は、光照射によ
り出力が最高値の９０％に達するまでの時間であり、０
内は光照射を中止した後最高値から９０チ出力が低下す
るまでの時間である。出力はＬｏａｄ抵抗１０ ＭΩに
かかる電圧を測定した値である。
上記第１表の結果から明らかな通り、温式法によるＣｄ
Ｓｅ生粉を使用した本発明による光導電性ＣｄＳｅは従
来のＣｄＳｅに比して応答速度が改良されるとともＫＬ
ｉｇｈｔ出力は極端に向上し、従って著しく犬なＳＮ比
を示すものである。
Ｓｅ生粉を使用した本発明による光導電性ＣｄＳｅは従
来のＣｄＳｅに比して応答速度が改良されるとともＫＬ
ｉｇｈｔ出力は極端に向上し、従って著しく犬なＳＮ比
を示すものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （す水性媒体中で還元剤によりセレンを還元してセレン
アニオンを含む溶液を調梨し、該溶液に水溶性カドミウ
ム塩を加えてセレン化カドミウムヲ沈澱させ、次いで得
られたセレン化カドミウムに付活剤をドーピングするこ
とを特徴とする光導電性セレン化カドミウムの製造方法
。 （２〕還元剤がヒドラジンである特許請求の範囲第（１
項に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP859984A JPS60155506A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 光導電性セレン化カドミウムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP859984A JPS60155506A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 光導電性セレン化カドミウムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60155506A true JPS60155506A (ja) | 1985-08-15 |
| JPH0139964B2 JPH0139964B2 (ja) | 1989-08-24 |
Family
ID=11697429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP859984A Granted JPS60155506A (ja) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | 光導電性セレン化カドミウムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60155506A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294370A (en) * | 1988-11-15 | 1994-03-15 | Hbt Holland Biotechnology B.V. | Selenium or tellurium elemental hydrosols and their preparation |
| US6379585B1 (en) * | 1997-06-07 | 2002-04-30 | Aron Vecht | Preparation of sulphides and selenides |
| US7033564B2 (en) * | 2002-08-02 | 2006-04-25 | Gifu University | Lithium aluminum hydride-based selenating reagent and preparation methods using same |
-
1984
- 1984-01-23 JP JP859984A patent/JPS60155506A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5294370A (en) * | 1988-11-15 | 1994-03-15 | Hbt Holland Biotechnology B.V. | Selenium or tellurium elemental hydrosols and their preparation |
| US6379585B1 (en) * | 1997-06-07 | 2002-04-30 | Aron Vecht | Preparation of sulphides and selenides |
| US7033564B2 (en) * | 2002-08-02 | 2006-04-25 | Gifu University | Lithium aluminum hydride-based selenating reagent and preparation methods using same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0139964B2 (ja) | 1989-08-24 |
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