JPS59887B2 - 磁気デイスク記憶装置 - Google Patents

磁気デイスク記憶装置

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JPS59887B2
JPS59887B2 JP716177A JP716177A JPS59887B2 JP S59887 B2 JPS59887 B2 JP S59887B2 JP 716177 A JP716177 A JP 716177A JP 716177 A JP716177 A JP 716177A JP S59887 B2 JPS59887 B2 JP S59887B2
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JP
Japan
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storage
magnetic
track
capacity
magnetic disk
Prior art date
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Expired
Application number
JP716177A
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English (en)
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JPS5392109A (en
Inventor
泰弘 越本
忠彦 亀山
浩 中西
忠 田中
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication of JPS5392109A publication Critical patent/JPS5392109A/ja
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、面記録密度の高い磁気ディスク装置の記憶す
る情報の配列に関するものである。
従来、ランダム・アクセス・ファイルとして使用される
磁気ディスク記憶装置では、ディスク面に多数個構成さ
れている情報トラックの記憶容量が一定となるよう設計
されていた。こうすることにより、1回のトラック・ア
クセス動作で扱える容量を同一とすることができるが、
反面、ディスク面の内周側にあるトラックでの基本情報
間隔(ビットセル)に比べ、外周側に行くに従いトラッ
ク半径の増加に比例してビットセルが大きくなる結果と
なり、外周側ではディスク媒体の可能な記録密度(単位
面積あたり)を使用しない欠点があつた。ディスク面を
より有効に利用するため、ディスク面を半径方向にいく
つかのゾーンに分け、外周側ほどトラックに入る容量を
大きくし゜C外周側での面あたりの記録密度を向上させ
ようとすると、それぞれのトラックでの記憶容量が異な
ることから、情報の記録・再生時にトラックの場所と、
容量を識別せねばならず、ランダム・アクセス・ファイ
ルとして使用する際に不便となる欠点があつた。
本発明は、これらの欠点を除去するため、デイスクの情
報記憶領域を半径方向に複数個のゾーンに分け、各々の
ゾーンで最適の面記録密度を達成し、かつ、各ゾーンに
1ケ以上のヘツドを連動して配置し、それぞれのヘツド
が対応するトラツクを切換使用して連続したトラツクと
して構成することにより、高面密度大容量化、ランダム
・アクセス・フアイル性を達成するものである。
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第1図は、本発明で、2つの記憶領域と2個のヘツドを
用いた場合の配置図である。1はデイスク媒体、2a,
2bは磁気ヘツド、3a,3bは記憶領域、4a,4b
は記録トラツク、5は周辺回路で、添字A,bはそれぞ
れ内周側、外周側を示す。
各記憶領域は、同一数の多数のトラツクよりなり、その
半径方向の長さは同じである。同一記憶領域内の各記録
トラツクの記憶容量は等しく、かつ3b内の記録トラツ
クの記憶容量は3a内のそれよりも大きい。ヘツド2a
,2bは一定の間隔をおいて1つのキヤリツジ6により
結合され、磁気デイスク1の半径方向に移動することが
できる。
1つのデイスク面にヘツドを2個用いることは公知であ
り、2個のヘツドを同時に移動させることにより、キヤ
リツジ6の移動距離を半減させるから、アクセス動作の
高速化が可能となる。
第2図に示すように、磁気デイスク面の内周側記憶領域
3a、外周側記憶領域3bにそれぞれN本(N≧1、整
数)のトラツク4a,4bを設け、キヤリツジ6がある
位置に停止しているとき、キヤリツジ6上に固定され、
かつそれぞれの領域に対応する磁気ヘツド2a,2bが
位置するトラツクに同一番号を付し、同一番号のトラツ
クの一方、例えば内周側のトラツク4aを第3図のイン
デツクス位置7より1周だけ記録(又は再生)した後、
続けて外周側のトラツク4bを記録(又は再生)に使用
すれば、第3図に示すように、内・外周の同一番号のト
ラツクが1対として1つの情報の記憶容量単位として使
用でき、内周側トラツク4aの容量に比べ、外周側トラ
゛ヅク4bの容量を大きくしても、キヤリツジを移動し
た場合に取扱える記憶容量単位は不変であるから、ヘツ
ド移動によつてトラツクの容量を識別する必要がなくな
る。
これにより、従来の磁気デイスク装置と同様に扱うこと
ができ、かつ外周側でのトラツク容量を増やして装置全
体の容量を増すことができる。第3図の説明で明らかな
ように、上述の説明は1つの記憶容量単位をデイスク1
の2回転で取扱つた場合であるが、この取扱う情報単位
をデイスクの1回転で行なう場合には第4図に示すよう
に、内周側トラツク4aの半回転分と、対となる外周側
トラツク4bの、残りの半回転分とを同一番地トラツク
(例えば、A番地トラツクATRK)として組合せ使用
すれば、回転待ち時間についても、従来の磁気デイスク
装置とまつたく同様に使用できる。このとき、内・外周
各トラツクの残りの半周分はやはり同一の別番地(例え
ば、B番地トラツクBTRK)として組合せて使用でき
ることはいうまでもない。逆に言えば第3図では720
0を単位として同一の記憶容量を構成するのに対し第4
図の例では360憶を単位として同一の記憶容量を構成
することになる。
以上の説明は、1つのデイスク面に2個のヘツドを用い
た場合であるが、よりヘツド数を増し、n個(n≧2)
となつた場合にも、データ面の半径方向に、外周方向ほ
どトラツク1周の容量が大きくなるようなn個の記憶領
域をもうけ、n個のヘツドに対応するトラツクを組合せ
て1つの転送単位として取扱うことによりランダム・ア
クセス・フアイルとして使用できるのは当然である。
ゾーン数をnの時、各ゾーンの物理トラツク容量を内周
よりAl,A2,・・・An(A1くA2く・・・くA
n)とすると1回転をn分割して、組合せて得る論理ト
ラツク容量(A,+A2+・・・+An)/n が従来の1回転で得られる物理トラツク容量と同様に取
扱える容量となる。
また、1回転を分割し、第5図に示すように、一定の回
転角ごとにm個の記憶領域を選択的に組合せて1つの記
憶容量単位を構成してやれば、回転持ち時間を増すこと
もなく、本発明による記憶容量の増加を達成できること
はいうまでもない。
なお第5図はθ二3607n(n=16)の例であり、
図中の矢印はATRKを使用する場合のヘツドの切換え
状態を示している。この場合、3600X2/mを単位
として一定の記憶容量が構成できる。1回転の中で本発
明の効果を利用するためにはm=(ヘツド数)×(自然
数)の関係が成立すればよいことも自明であり、第4図
の例はの例である。
また、本発明ではふれなかつたが、キヤリツジ6を駆動
するアクチユエータの移動が半径方向でなく、例えば円
弧上に動く磁気デイスク装置でも、複数個のヘツドが対
応して複数個の記憶領域内を移動できれば本発明の応用
は可能である。
本発明による磁気デイスク装置は、以上の説明から明ら
かなように、従来のデイスク装置と同様に取扱えるから
、たとえ可変長記録フオーマツトを使用しても何ら不都
合はない。
セクタ構成についても、同様といえる。本発明の動作で
は、1つの記憶単位の取扱いの途中で常にヘツド切り換
えの操作が入るが、記憶領域の切り換え部分を、情報の
流れを制御するフオーマツトの上でスキツプすべき場所
として指定して置けば、上位装置に対しては情報は連続
したものとして取扱えるから、このような状態を生じる
ような可変長記録形式で情報を記録再生しても、まつた
く問題はない。
このようなスキツプは、媒体上の既知の欠陥部に対して
行われているものであり、スキツプする上での問題はな
い。本発明では、各領域のトラツク1周の容量が異なつ
ているため、当然それぞれの記憶領域での情報の転送速
度が異なり、周辺回路部ではステツプ的に転送速度の変
化する情報を正確に変・復調する必要がある。
このためには、それぞれの転送速度に対応したクロツク
発生回路を受け、各々の記憶領域に対応したクロツクを
選択して変・復調に用いることが最も簡単であるが、こ
の場合は回路数を増加する必要がある。1つのクロツク
発生回路の中心周波数を電気的に切り換える方法も考え
られるが、この場合はCO(0LTAGEC0NT0R
0LLED0SCI一LATOR)を開放制御する結果
となり、温度安定性等の劣化を生ずる欠点があつた。
このため、各記憶領域の転送速度比を単純な整数関係比
とし、それぞれの最小公倍数で発振する1系統のクロツ
ク発生回路を用い、発生するクロツクをカウント・ダウ
ンして用いるようにすれば、カウンタの切り換えのみで
済むから、回路数はほとんど増加せず、また、デジタル
的にクロツクを切り換えるのであるから安定度の高いク
ロツクが得られる。
例えば、n二2において半径R。
二110mTn1半径R2=140mmのデイスク装置
でK+1の場合、内外周の転送速度差は1.1:1.4
であるが、これ.5を1:一と近似し内周記憶領域での
転送速度の20倍でクロツクを発生させ、この1/5に
カウント・ダウンしたクロツクを内側記憶領域に、1/
4にカウント・ダウンしたクロツクを外側記憶領域に適
用すればよい。
以上説明したように、本発明によれば、1つのデータ面
をいくつかの記憶領域に分け、各記憶領域に各々1個の
ヘツドを配し、各領域内のトラツク1周の容量を外周側
ほど大きくし、かつ1つの情報の取容容量として同一回
転角毎に複数のトラツクを選択組合せすることにより、
従来の磁気デイスク装置のもつランダム・アクセス性を
損なわずに、記憶容量を増大できる利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は2つの記憶領域を用いて本発明を実施した磁気
デイスク装置の説明図、第2図は本発明によるデイスク
・データ面のトラツク配置図、第3図は本発明による情
報の記録再生の時間順序を示す説明図、第4図及び第5
図は本発明によるデイスク・データ面上でのトラツク番
地構成図である。 1・・・・・・デイスク媒体、2a,2b・・・・・・
磁気ヘツド、3a,3b・・・・・・記憶領域、4a,
4b・・・・・・記録トラツク、5・・・・・・周辺回
路、6・・・・・・キヤリツジ、7・・・・・・インデ
ツクス位置(スタート)、8・・・・・・エンド位置、
a・・・・・・内周側、b・・・・・・外周側。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 1つの磁気記録面上に同心円で分割され、記録トラ
    ック1周の記憶容量が外周側ほど大きい複数個の記憶領
    域および該記憶領域相互に対応して連動し、各記憶領域
    内に1個以上割当てられた磁気ヘッドを配置し、該磁気
    ヘッドの各々に対応するトラックを磁気記録面の回転方
    向に一定回転角ごとに選択的に組合せ、組合せた結果決
    定される同一回転角を単位として同一の記憶容量単位を
    構成することを特徴とする磁気ディスク記憶装置。 2 1つの磁気記録面上に同心円で分割され、記録トラ
    ック1周の記憶容量が外周側ほど大きい複数個の記憶領
    域、および該記憶領域相互に対応して連動し、各記憶領
    域内に1個以上割当てられた磁気ヘッドを配置し、該磁
    気ヘッドの各々に対応するトラックを磁気記録面の回転
    方向に一定回転角ごとに選択的に組合せ、組合せた結果
    決定される同一回転角を単位として同一の記憶容量単位
    を構成する磁気ディスク記憶装置において、各記憶領域
    に対応する情報転送速度の比を単純な整数比とし、それ
    ぞれの転送速度の最小公倍数または最小公倍数の整数倍
    の周波数で発生するクロックをカウント・ダウンしたク
    ロックを用いて、記録情報の変復調を行うことを特徴と
    する磁気ディスク記憶装置。
JP716177A 1977-01-25 1977-01-25 磁気デイスク記憶装置 Expired JPS59887B2 (ja)

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JPS5392109A JPS5392109A (en) 1978-08-12
JPS59887B2 true JPS59887B2 (ja) 1984-01-09

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01179984U (ja) * 1988-06-02 1989-12-25
JP2014010846A (ja) * 2012-06-27 2014-01-20 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ディスクストレージ装置

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