JPS5984000A - モリブデン酸鉛単結晶光学素子 - Google Patents
モリブデン酸鉛単結晶光学素子Info
- Publication number
- JPS5984000A JPS5984000A JP57190024A JP19002482A JPS5984000A JP S5984000 A JPS5984000 A JP S5984000A JP 57190024 A JP57190024 A JP 57190024A JP 19002482 A JP19002482 A JP 19002482A JP S5984000 A JPS5984000 A JP S5984000A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- laser
- lead molybdate
- optical element
- light
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/32—Titanates; Germanates; Molybdates; Tungstates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
子に関するものである。
モリブデン酸鉛単結晶は超音波光変調媒体として,レー
ザーを利用した応用機器例えばレーザーノ0リンター等
に用いられている。
ザーを利用した応用機器例えばレーザーノ0リンター等
に用いられている。
効率が良く(3)超音波吸収が少なく(4)屈折率が太
きく(5)温度特性が良<(6)光学的に均一である等
かあげられる。
きく(5)温度特性が良<(6)光学的に均一である等
かあげられる。
まだ、モリブデン酸鉛単結晶は,このような超音波光変
調媒体として優れた特性を有するばかシでなく,光学的
に均質な大型結晶が得やすく,比較的安価である等の利
点を持つ優れた材料である。
調媒体として優れた特性を有するばかシでなく,光学的
に均質な大型結晶が得やすく,比較的安価である等の利
点を持つ優れた材料である。
モリブデン酸鉛単結晶を光変調媒体として超音波光変調
器に組込んで使用する場合,光変調器で用いられるレー
ザーとしては,現在はr He−Neレーザー(波長6
3 3 nm)が用いられているが,次第に波長の短
かいArレーザー(波長4 8 8 nm)He−Cd
レーザー(波長4 4 2 nm)が使用されるように
なって来ている。
器に組込んで使用する場合,光変調器で用いられるレー
ザーとしては,現在はr He−Neレーザー(波長6
3 3 nm)が用いられているが,次第に波長の短
かいArレーザー(波長4 8 8 nm)He−Cd
レーザー(波長4 4 2 nm)が使用されるように
なって来ている。
しかし従来より使用されているモリブデン酸鉛単結晶は
,一般に淡黄色であり,場合によっては黄色あるいは褐
色を呈する場合がある。従って。
,一般に淡黄色であり,場合によっては黄色あるいは褐
色を呈する場合がある。従って。
吸収端に近い4 4 2 nmに近い短波長側での光透
過効率は,非常に悪いためHe−Cdレーザー用光変調
媒体の材料としてモリブデン酸鉛単結晶を用いることは
無理であると考えられていた。
過効率は,非常に悪いためHe−Cdレーザー用光変調
媒体の材料としてモリブデン酸鉛単結晶を用いることは
無理であると考えられていた。
本発明の目的は,従来の欠点を除去し,レーヂ−九の光
吸収が小さく、特にArレーザーやHe −Cdレーザ
ー等の短波長側での光透過効率が優れたモリブデン酸鉛
単結晶光学素子を提供することにある。
吸収が小さく、特にArレーザーやHe −Cdレーザ
ー等の短波長側での光透過効率が優れたモリブデン酸鉛
単結晶光学素子を提供することにある。
本発明は、モリブデン酸鉛単結晶中のMo 05のモル
比が50.1 m01 %から51.1 mol %で
あることを特徴とするモリブデン酸鉛単結晶光学素子で
あり、これにより光学的に均質で、レーザー光の吸収が
小さく、特にArレーザー、 He−Cdレーザー等の
短波長側レーザー光の光透過率が優れた光学素子を提供
するものである。
比が50.1 m01 %から51.1 mol %で
あることを特徴とするモリブデン酸鉛単結晶光学素子で
あり、これにより光学的に均質で、レーザー光の吸収が
小さく、特にArレーザー、 He−Cdレーザー等の
短波長側レーザー光の光透過率が優れた光学素子を提供
するものである。
以下2本発明を実施例にもンづき詳細に説明する。モリ
ブデン酸鉛単結晶(PbMo04)の原料である一酸化
鉛(pbo)と三酸化モリブデン(Mo O3)を秤量
混合し、P bMo O4中のMo Osが50.1
mo1%から51、1 mol %の組成となるように
する。
ブデン酸鉛単結晶(PbMo04)の原料である一酸化
鉛(pbo)と三酸化モリブデン(Mo O3)を秤量
混合し、P bMo O4中のMo Osが50.1
mo1%から51、1 mol %の組成となるように
する。
た結果、測定誤差範囲内で秤量組成と一致してぃブデン
酸鉛単結晶に比べ2着色が薄く、白色に近い色を呈し、
透過効率を阻害する結晶内部の白もやの発生を防ぐこと
に効果がある。
酸鉛単結晶に比べ2着色が薄く、白色に近い色を呈し、
透過効率を阻害する結晶内部の白もやの発生を防ぐこと
に効果がある。
オ
わ
り成された本発明に係る単結晶を、X線回折法を用いて
、方位切断を行ない、 ]−0+nmX I Q脳×1
0mmのザイコロ状の単結晶ブロックに加工する。この
ザイコロ状単結晶ブロックのレーザー透過面を鏡面研磨
し2分光光度計を用いて光透過効率を測定した結果が、
第1図である。
、方位切断を行ない、 ]−0+nmX I Q脳×1
0mmのザイコロ状の単結晶ブロックに加工する。この
ザイコロ状単結晶ブロックのレーザー透過面を鏡面研磨
し2分光光度計を用いて光透過効率を測定した結果が、
第1図である。
第1図において2曲線aはMo 03が50.0mo1
%のモリブデン酸鉛単結晶について、透過させるレーザ
ー光の波長の違いによる。光透過効率の変化を示したも
のである。同様に、゛曲線す、c、dおよびeはMo
O3の組成比がそれぞれ50.1 、50.6゜5]、
、Oおよび51.4 mo1%であるものについて示し
たものである。レーザー光の波長が633 nmの場合
、光透過率は組成の違いにより大きな差は認められない
が、波長が4.88 nmおよび44211mの場合、
光透過率は633 nmに比べ下がってはものに比べ下
がり方が少なく、特に442 nmの波長に対して光透
過率が60%以上を維持している。
%のモリブデン酸鉛単結晶について、透過させるレーザ
ー光の波長の違いによる。光透過効率の変化を示したも
のである。同様に、゛曲線す、c、dおよびeはMo
O3の組成比がそれぞれ50.1 、50.6゜5]、
、Oおよび51.4 mo1%であるものについて示し
たものである。レーザー光の波長が633 nmの場合
、光透過率は組成の違いにより大きな差は認められない
が、波長が4.88 nmおよび44211mの場合、
光透過率は633 nmに比べ下がってはものに比べ下
がり方が少なく、特に442 nmの波長に対して光透
過率が60%以上を維持している。
第2図は第1図をもとにして、透過光の波長が44、2
nmの場合、即ちl4e−Cdレーザーを用いる場合
について、モリブデン酸鉛単結晶媒体の結晶組成と光透
過効率の関係を示したものである。
nmの場合、即ちl4e−Cdレーザーを用いる場合
について、モリブデン酸鉛単結晶媒体の結晶組成と光透
過効率の関係を示したものである。
この図から明らかなように+ MOO3が50.1から
51、1 mol %の組成のモリブデン酸鉛単結晶光
学素子は、波長の短いHe−Cdレーザーを用いる場合
。
51、1 mol %の組成のモリブデン酸鉛単結晶光
学素子は、波長の短いHe−Cdレーザーを用いる場合
。
光透過効率が60%以」二であ如、他の組成のものに比
べすぐれている。
べすぐれている。
尚、ここで示した光透過効率は、実際に、超音波光変調
器として使用する場合に比べ、低い値を示しているが、
これは精度の良い光学研磨を行ない適正な反射防止膜を
施した場合の光波長−光透過効率の関係とほぼ同じであ
シ、第1図および第2図の関係は光変調器に組込んだ場
合の特性と同様であると考えて良い。
器として使用する場合に比べ、低い値を示しているが、
これは精度の良い光学研磨を行ない適正な反射防止膜を
施した場合の光波長−光透過効率の関係とほぼ同じであ
シ、第1図および第2図の関係は光変調器に組込んだ場
合の特性と同様であると考えて良い。
第1図および第2図で明かなように8本発明によるMo
O3が501から51.、1 mol %の組成であ
ることを特徴とするモリブデン酸鉛単結晶光学素子の光
透過効率は、他の組成のものに比べてすぐれており、特
に波長の短いHe−Cdレーザーイ」近でその効果が顕
著である。
O3が501から51.、1 mol %の組成であ
ることを特徴とするモリブデン酸鉛単結晶光学素子の光
透過効率は、他の組成のものに比べてすぐれており、特
に波長の短いHe−Cdレーザーイ」近でその効果が顕
著である。
超音波変調器を、レーザーフ0リンター等に用いる場合
、短波長側レーザー光を用いる方が感光特性が良いため
、より短波長のレーザー光が用いられるようになってき
ており2本発明はこれらの要求をみたすものであり、
442 nmのHe−Cdレーザー用用度変調媒体して
モリブデン酸鉛単結晶を用いることを可能にしたもので
ある。
、短波長側レーザー光を用いる方が感光特性が良いため
、より短波長のレーザー光が用いられるようになってき
ており2本発明はこれらの要求をみたすものであり、
442 nmのHe−Cdレーザー用用度変調媒体して
モリブデン酸鉛単結晶を用いることを可能にしたもので
ある。
上述したように2本発明は、モリブデン酸鉛jiJ結晶
においてMo Osが50.1molから51−、1.
mol %の組成であることを特徴とし、従来のモリ
ブデン酸鉛単結晶よりも光吸収が小さく特にHe−Cd
レーザー等短波長側での光透過効率が優れ、光学r):
r(=均質なモリブデン酸鉛単結晶光学素子を提供する
ものである。
においてMo Osが50.1molから51−、1.
mol %の組成であることを特徴とし、従来のモリ
ブデン酸鉛単結晶よりも光吸収が小さく特にHe−Cd
レーザー等短波長側での光透過効率が優れ、光学r):
r(=均質なモリブデン酸鉛単結晶光学素子を提供する
ものである。
第1図はモリブデン酸鉛単結晶光変調媒体の透過光波長
の違いによる光透過効率の変化を示したものであ92曲
線のa、、’b、c、dおよびeはそれぞれPbMo
O4中のMoOsの組成が50.0 mol’% 。 50、1 mo1%、 50.6 mol % 、 5
1.0 mo1%および51.4. mo1%について
示した図である。 第2図はモリブデン酸鉛単結晶光変調媒体に波長442
nmの光を透過させたときの光透過効率と結晶組成の
関係を示した図である。
の違いによる光透過効率の変化を示したものであ92曲
線のa、、’b、c、dおよびeはそれぞれPbMo
O4中のMoOsの組成が50.0 mol’% 。 50、1 mo1%、 50.6 mol % 、 5
1.0 mo1%および51.4. mo1%について
示した図である。 第2図はモリブデン酸鉛単結晶光変調媒体に波長442
nmの光を透過させたときの光透過効率と結晶組成の
関係を示した図である。
Claims (1)
- ]、、 MoOが50.1mo1%から51.1 m
ol %の組成であることを特徴とするモリブデン酸鉛
単結晶光学素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57190024A JPS6042197B2 (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | モリブデン酸鉛単結晶光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57190024A JPS6042197B2 (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | モリブデン酸鉛単結晶光学素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5984000A true JPS5984000A (ja) | 1984-05-15 |
JPS6042197B2 JPS6042197B2 (ja) | 1985-09-20 |
Family
ID=16251097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57190024A Expired JPS6042197B2 (ja) | 1982-10-30 | 1982-10-30 | モリブデン酸鉛単結晶光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6042197B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61107257A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Mita Ind Co Ltd | 低電位像用二成分系磁性現像剤 |
JPS61130960A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-18 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真用二成分系現像剤 |
-
1982
- 1982-10-30 JP JP57190024A patent/JPS6042197B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61107257A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-26 | Mita Ind Co Ltd | 低電位像用二成分系磁性現像剤 |
JPS61130960A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-18 | Mita Ind Co Ltd | 電子写真用二成分系現像剤 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6042197B2 (ja) | 1985-09-20 |
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