JPS598041B2 - 避雷器の組立方法 - Google Patents

避雷器の組立方法

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JPS598041B2
JPS598041B2 JP54004237A JP423779A JPS598041B2 JP S598041 B2 JPS598041 B2 JP S598041B2 JP 54004237 A JP54004237 A JP 54004237A JP 423779 A JP423779 A JP 423779A JP S598041 B2 JPS598041 B2 JP S598041B2
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JP
Japan
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value
lightning arrester
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capacitance
tnr
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JP54004237A
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JPS5596585A (en
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宗次 小島
真一 中川
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、金属酸化物非直線抵抗体を利用した避雷器組
立方法に関するものである。
金属酸化物非直線抵抗体(以下、商標登録されているT
NRと書く)を用いた避雷器は、第1図aに示す如く、
TNR素子を直列に接続している。
ところで、TNR利用の避雷器のうち第1図aでは素子
1〜8の8枚を直列に接続した避雷器を例にとって示し
てある。
この避雷器の等価回路は第1図bに示す通りであり、こ
こにおいて各素子1〜8の持つ静電容量C1非直線抵抗
値Rは各素子によりあるばらつきを持っており、たとえ
ば静電容量Cは、特に500〜1 0 0 0 9F程
度のばらつきがあるとして以下検討を行なう。
このような避雷器に於では、各素子1〜8の常規対地電
圧において抵抗分漏れ電流が所定値以下の素子を使用す
るというようなV−I特性規準値を作り、これ以上の抵
抗分漏れ電流値を示す素子は不良素子とし、これら合格
したTNR素子をアトランダムに抽出し避雷器を構成し
ていた。
しかし各素子にかかる電位分担は素子の非直線抵抗値R
、静電容量Cによって決定されるため、このばらつきに
より1枚の素子にかかる電圧があまりに大きくなると、
その素子の漏れ電流が管理値を越えてしまい寿命特性が
劣化してしまうことが考えられた。
このため、漏れ電流管理値となる電圧規準値を上げると
使用できないTNR素子が多くなってしまい、避雷器の
コスト及び製造の無駄が増大してしまう。
従って、本発明は上記点に鑑みなされたもので、抵抗分
漏れ電流管理値以下となる電圧規準値を低くおさえ、か
つ各素子の非直線抵抗値並びに静電容量のばらつきを考
慮した上で、すべての素子の漏れ電流値を管理値以下に
することができるようにした避雷器の組立方法を提供す
ることを目的とする。
以下、本発明の一実施例を第2図a,bを参照しながら
説明する。
避雷器内の1〜8で示す各TNR素子にかかる電圧分担
は、前述したように各素子1〜8の夫々の静電容量C1
〜C8の値によりほぼ決定されるので、8枚の素子1〜
8にかかる電圧をなるべく均等にするため静電容量Cの
値により1/Cの等比級数となる値を境に素子を数ブロ
ックに分類し、同じブロックに属する素子の静電容量C
の値がなるべく近いものを接続することにより各素子1
〜8の分担電圧をなるべく均一に近づける。
この時の最も厳しい条件(つまり、1枚にかかる電圧が
最大となる様な場合)でこの素子の最大漏れ電流を計算
し、この場合使用できるV−I特性(非直線抵抗値)が
、どの様な管理値を満足しなければならないかを決定す
る。
尚R,〜R8は各素子1〜8の夫々の非直線抵抗値であ
る。
更に本発明による避雷器の作用を第2図を使って説明す
る。
第2図bに示す避雷器の等価回路において、素子の非直
線抵抗成分を夫々R,〜R8、又容量成分をC1〜C8
としたとき第1段目のTNR素子1のインピーダンスZ
,は次式で示される。
尚40は常規対地電圧で交流50Hzである。
同様に第2段目からのインピーダンスZ2〜Z8は ここで、1枚のTNR素子の分担電圧はその素子の非直
線抵抗値R1静電容量Cの値、特にC値によってほぼ決
定されてしまうので、この電位分担をなるべく均等にす
るため静電容量Cの値により素子を幾つかのブロックに
分割し、各々のブロック内の素子を8枚利用することに
より各々の素子1〜8の静電容量C値のばらつきを少な
くし、これによって分担電圧を均等化して避雷器を組立
てる。
前述の説明で素子の容量は5 0 0 pF〜1000
pF程度のばらつきがあるとしたので、これを以下の様
に2.3,4ブロックに均等に分割すると条件(i)
c : 1000pF〜750pF(2ブロッ
ク) 750pF〜500pF条件 (2)
C: 1000pF〜833pF(3ブロッ
ク) 833pF〜6 6 7 pF6 6
7 pF〜500pF 条件 (3) C : 1000pF〜87
5pF(4ブロック) 875pF〜750p
F750pF〜625pF 625pF〜500pF とすることができる。
しかし、この分割方法では、後述する表1の抵抗分漏れ
電流を見てもわかる様に、例えば3ブロックに分割した
場合1 0 0 0 pFのTNR7枚、7 5 0
pFのTNR1枚の接続と667pF7枚、500pF
1枚の接続とでは、分担電圧V,〜v8はほぼ■1:■
8=1/C,:1/C8で決定されるため後者の5 0
0 pFのTNRにかかる電圧が大きくなってしまう
従って、分割によらず各ブロックの最小の静電容量Cの
TNRKかかる電圧かほほ一定になる様に条件 (4) 1/1000 : 1/794=1/794:1/63
0二1/630:1/500=1:1.26条件 (5
) 1/1000:1/841=1/841 : 1/70
7二1/7 0 7 : 1/5 9 5=1/595
: 1/500=1:1.19 となるような1/Cの等比級数で分割値を定める。
つまり、 条件 (4) C : 1000pF〜79
4pF(3ブロック) 794pF〜630p
F630pF〜500pF 条件 (5) C: 1000pF〜841
pF(4ブロック) 841pF〜707pF
7 0 7 pF〜5 9 5 pF 595pF〜500pF とする。
以上の条件で同一ブロックから8枚選んだ時1枚にかか
る電圧の条件が最も厳しくなるのは各ブロックの最大の
静電容量CのTNR7枚に最小の静電容量CのTNR1
枚が接続された場合である。
今、TNR素子1〜1までに各ブロックの静電容量Cの
最犬のTNRとし、TNR素子8のみ最小の静電容量C
のTNRが接続されたとしてTNR素子8にかかる電圧
分担V8を求める。
ここで、である。
上式より計算した最大漏れ電流値を後述の表1に示す。
なお各TNR素子の非直線抵抗値R1〜R8の値は各静
電容量Cの値で、まずTNRにかかる電圧を近似し、第
3図に示したTNR素子のV−I特性曲線を折れ線近似
して、この電圧■の非直線抵抗値Rを求め、これを用い
て計算している。
尚、Aは抵抗分漏れ電流管理値を満たす素子の曲線であ
る。
以上より、TNR素子1〜8の抵抗分漏れ電流の最大値
は静電容量Cの値C,〜C8でほぼ決定されるので、各
々の素子の電位分担をなるべく均等にし、最大抵抗分漏
れ電流を小さくおさえるためには静電容量Cの値による
TNRの分割が有効な手段であることがわかる。
さきに分割した各ブロックごとの抵抗分漏れ電流の差を
なくし、V−I特性の管理をなるべく緩和するためには
1/Cの等比級数を用いて分割するのが最も有効である
ここである素子の漏れ電流管理値を25μAとすると、
例えば3ブロックに分割した場合、均等分割の条件(2
)では882v−25lIA以上の非直線抵抗の漏れ電
流の管理値を設けねばならないが、等比級数分割の場合
は、847−25μAの管理値でよい。
同様に4ブロックに分割した場合、管理値は条件(3)
均等分割の場合840V−25μA1更に条件(5)の
等比級数分割では、813V−25μA以上の抵抗分漏
れ電流の管理値を設ければよいことがわかる。
ここでは、TNR素子の非直線抵抗値Rと静電容量値C
の間には、相関関係がないと仮定している。
これは発明者の実験結果より、素子のR,C,RXC=
τのばらつきΔR,ΔC,ΔτはΔτ=ΔR+ΔC の関係を満足していることによる。
従って、前に求めた電位分布において、この素子の抵抗
分漏れ電流値は素子の第3図に示したV−I特性が管理
値ぎりぎりの特性を持つ場合である。
以上の方法により、組立て製造されたTNR素子の漏れ
電流管理値を緩和モき、廃棄する素子の割合を少なくす
ることができるため製造コストの面から大変有利となる
本発明はTNR素子8枚を使った金属酸化物非直線抵抗
体素子を用いた組立てた避雷器について説明したもので
あるが、素子の枚数形状にとらわれず素子の抵抗分漏れ
電流値が、各々の非直線抵抗値R及び静電容量Cから決
定される場合について有効である。
又、容量での分割方法も、ブロック分割数に関係なく何
分割においても、1/Cの等比級数を用いて分割する方
法が最も非直線抵抗の管理値を緩らげることができ、従
って不良となる素子数を少なくして避雷器を組立てるこ
とができる。
以上説明したように本発明によれば、金属酸化物非直線
抵抗体素子を直列に接続した避雷器の組立て方法に関し
て、抵抗分漏れ電流をある管理値以下におさえるために
、1/Cの等比級数によりまず素子を複数のブロックに
分割し、このブロックに属する素子を接続することによ
って各素子の電位分担のばらつきを小さくし、抵抗分漏
れ電流の管理値を低くすることができ、かつすべての素
子を管理値以下の漏れ電流におさえる事が可能となる避
雷器の組立てができる。
そして、管理値を低くおさえることにより、使用できな
い素子の数を少なくできるため、製造コスト、製造の無
駄の面からも大変有利となる。
そして、以上の手法をとった避雷器は全体として信頼性
が向上する事となる。
【図面の簡単な説明】
第1図a及びbは従来の非直線抵抗体素子を用いた避雷
器及びその等価回路図、第2図a及びbは本発明の非直
線抵抗体素子を用いた避雷器及びその等価回路図、第3
図はTNR素子のV一I特性曲線図である。 1〜8・・・・・・金属酸化物非直線抵抗体素子、R・
・・・・・素子の非直線抵抗成分、C・・・・・・素子
の容量成分、40・・・・・・常規対地電圧。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 複数個の金属酸化物非直線抵抗素子を用いた避雷器
    において、素子の容量の逆数の等比級数を用いて前記複
    数個の素子を分類して、容量値が近い素子を接続して、
    各々の素子の電位分担を均等化してなる避雷器の組立方
    法。
JP54004237A 1979-01-18 1979-01-18 避雷器の組立方法 Expired JPS598041B2 (ja)

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JP54004237A JPS598041B2 (ja) 1979-01-18 1979-01-18 避雷器の組立方法

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JP54004237A JPS598041B2 (ja) 1979-01-18 1979-01-18 避雷器の組立方法

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JPS5596585A JPS5596585A (en) 1980-07-22
JPS598041B2 true JPS598041B2 (ja) 1984-02-22

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS6187301A (ja) * 1984-10-05 1986-05-02 三菱電機株式会社 避雷装置

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JPS5596585A (en) 1980-07-22

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