JPS5969928A - Ｘ線露光用マスク - Google Patents
Ｘ線露光用マスクInfo
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- JPS5969928A JPS5969928A JP57179852A JP17985282A JPS5969928A JP S5969928 A JPS5969928 A JP S5969928A JP 57179852 A JP57179852 A JP 57179852A JP 17985282 A JP17985282 A JP 17985282A JP S5969928 A JPS5969928 A JP S5969928A
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- nitride film
- film
- membrane
- stress
- boron nitride
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- Pending
Links
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- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はＸ線露光用マスクに関し、詳しくは、Ｘ線透過
性、□および可視光透過性が高く機械的強度の優れたＸ
線露光用マスクに関する。
性、□および可視光透過性が高く機械的強度の優れたＸ
線露光用マスクに関する。
Ｘ線マスク用メンブレンとして、窒化シリコンやホウ素
化合物が、Ｘ線透過性、可視光透過性が良いことから、
着目されていた（たとえば、特開昭５３−１４３１７１
）。しかし、これらの材料を用いたメンプランを基板
上に形成した場合、膜の内部応力が高いために、下地基
板を除去する工程で、膜が割れてしまい、薄膜形成が困
難であった。また、膜形成条件を変えて、応力を低下さ
せることは可能であるが、この場合、応力を大巾に小さ
くすると、膜の性質が変わシ、膜の硬度や、耐薬品性の
劣化を招くこととなるという問題があった。
化合物が、Ｘ線透過性、可視光透過性が良いことから、
着目されていた（たとえば、特開昭５３−１４３１７１
）。しかし、これらの材料を用いたメンプランを基板
上に形成した場合、膜の内部応力が高いために、下地基
板を除去する工程で、膜が割れてしまい、薄膜形成が困
難であった。また、膜形成条件を変えて、応力を低下さ
せることは可能であるが、この場合、応力を大巾に小さ
くすると、膜の性質が変わシ、膜の硬度や、耐薬品性の
劣化を招くこととなるという問題があった。
また、機械的に安定なＸ線露光用マスクとしてＢＥ薄膜
に引張膜応力を付与するのが有効であることは例えば特
開昭５３−８５１７０で公知である。
に引張膜応力を付与するのが有効であることは例えば特
開昭５３−８５１７０で公知である。
しかし、引張り応力を制御でき、かつマスクとウェーハ
の位置合せのために光を用いる方式において必要な光透
過性に対する配慮が欠けておシ、実用性が限定されてい
た。
の位置合せのために光を用いる方式において必要な光透
過性に対する配慮が欠けておシ、実用性が限定されてい
た。
本発明の目的は、上記従来の問題を解決し、膜応力が小
さく、安定なＸ線マスクを提供することである。
さく、安定なＸ線マスクを提供することである。
上記目的を達成するだめ、本発明は、窒化シリコン膜と
窒化ホウ素膜の積層膜をメンプラン＋ｔに用いることに
より、窒化シリコン膜の応力を緩和するもσノである。
窒化ホウ素膜の積層膜をメンプラン＋ｔに用いることに
より、窒化シリコン膜の応力を緩和するもσノである。
すなわち、Ｘ線露光用マスクのメンブレン（Ｘ線透過膜
）に要求される特性の中でメンブレンの機械的安定性に
大きく影響しているのは膜の内部応力であり、これによ
って、得られるメンブレン簾Ｉの可否は決まってくる。
）に要求される特性の中でメンブレンの機械的安定性に
大きく影響しているのは膜の内部応力であり、これによ
って、得られるメンブレン簾Ｉの可否は決まってくる。
そこで、各種ホウ素化合物のうち、窒化ホウ素が窒化シ
リコンの応力成分と反対の成分を有することを見い出し
、両者を積層して用いることにより、安定なメンブレン
を形成するものである。
リコンの応力成分と反対の成分を有することを見い出し
、両者を積層して用いることにより、安定なメンブレン
を形成するものである。
以下、本発明を実施例により詳しく説明する。
実施例（１）
まず第１図（ａ）に示すように、シリコンウェーハ１上
に周知のＣＶＤ法により窒化シリコン膜２を厚さ１００
０〜２０００ 人に被着する。ＣＶＤの条件は反応ガス
流量はＳ ｉ Ｈ４６ＣＣ、／ｍ＋＋、 Ｎ Ｈ３３０
０ＣＣ／紬とし、また、基板温度は８００．ｔｌ’。
に周知のＣＶＤ法により窒化シリコン膜２を厚さ１００
０〜２０００ 人に被着する。ＣＶＤの条件は反応ガス
流量はＳ ｉ Ｈ４６ＣＣ、／ｍ＋＋、 Ｎ Ｈ３３０
０ＣＣ／紬とし、また、基板温度は８００．ｔｌ’。
とした。上記条件により得られた窒化シリコン膜の引張
応力は５〜１０ Ｘ １０９ｄ’ｆｎ／Ｃｔｒｌであっ
た。
応力は５〜１０ Ｘ １０９ｄ’ｆｎ／Ｃｔｒｌであっ
た。
次に、第１図Φ）に示すように、上記窒化シリコン膜上
に、周知の高周波スパッタ法により、窒化ホウ素膜３を
形成した。スパッタ条件を基板温度３００ｔｌ？、高周
波パワー１００Ｗとした場合、スパッタガス（窒素）圧
力により、生成した窒化ホウ素膜の圧縮応力は、第２図
に示したように変化、する。第２図から明らかなように
、ガス圧が１×Ｎｏ−２Ｔｏｒｒ 以上の領域では、
膜応力は低下するが、膜表面が変質し、良好な膜を形成
できない。
に、周知の高周波スパッタ法により、窒化ホウ素膜３を
形成した。スパッタ条件を基板温度３００ｔｌ？、高周
波パワー１００Ｗとした場合、スパッタガス（窒素）圧
力により、生成した窒化ホウ素膜の圧縮応力は、第２図
に示したように変化、する。第２図から明らかなように
、ガス圧が１×Ｎｏ−２Ｔｏｒｒ 以上の領域では、
膜応力は低下するが、膜表面が変質し、良好な膜を形成
できない。
一方、窒化ホウ素膜の応力がほぼＩ Ｘ １０１０ｄｙ
ｎ／ｃｒＩ以上になると下地シリコン１をエツチング除
去する際に積層膜に割れが生じた。しだがって、良好な
複合膜のメンブレンを形成するために好ましいスパッタ
ガス圧はほぼ４〜１０ Ｘ Ｉ Ｑ−３Ｔｏｒｒの範囲
であシ、本実施例ではガス圧を５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ
とした。なお、上記窒化ホウ素膜厚は０．５〜１μｍと
するのが適当である。第１図（Ｃ）に示したように、上
記窒化ホウ素膜３上に電子線描画により、レジストの微
細パターンを形成し、さらに、Ａｌｌメッキ処理を行っ
て厚さ５０００人の吸収体パターン４を形成した。次に
、上記シリコ７ 基板１をエツチングし、第１図（ｄ）
に示すように周辺部のみを残として支持枠１′を形成し
た。エツチング液としては硝酸、フッ酸、氷酢酸の混合
液（１：４：１、容具比）を使用した。
ｎ／ｃｒＩ以上になると下地シリコン１をエツチング除
去する際に積層膜に割れが生じた。しだがって、良好な
複合膜のメンブレンを形成するために好ましいスパッタ
ガス圧はほぼ４〜１０ Ｘ Ｉ Ｑ−３Ｔｏｒｒの範囲
であシ、本実施例ではガス圧を５Ｘ１０−３Ｔｏｒｒ
とした。なお、上記窒化ホウ素膜厚は０．５〜１μｍと
するのが適当である。第１図（Ｃ）に示したように、上
記窒化ホウ素膜３上に電子線描画により、レジストの微
細パターンを形成し、さらに、Ａｌｌメッキ処理を行っ
て厚さ５０００人の吸収体パターン４を形成した。次に
、上記シリコ７ 基板１をエツチングし、第１図（ｄ）
に示すように周辺部のみを残として支持枠１′を形成し
た。エツチング液としては硝酸、フッ酸、氷酢酸の混合
液（１：４：１、容具比）を使用した。
実施例（２）
窒化シリコン膜と窒化ホウ素膜は、１層ずつではなぐ、
それ複数層ずつを用いることも可能であり、その例を本
実施例に示す。
それ複数層ずつを用いることも可能であり、その例を本
実施例に示す。
第３図（ａ）に示すように、実施例（１）と同様にシリ
コン１上にＣＶＤ窒化シリコン膜２１０００人、および
、スパッタ窒化ホウ素膜３？５０００人を形成する。次
に、ＣｖＤ窒化シリコン膜２’ｅ１０００人！同じ条件
で上記窒化ホウ素膜上に第３図（ｂ）に示すように形成
する。次に、第３図（Ｃ）に示すように窒化シリコン膜
７１０００人ｌ形成する。以上の積層膜形成後、実施例
α）と同様にして、第３図（Ｃ）に示すように所望の形
状を有するＡｕの吸収体パターン４を形成した。次に、
実施例（１）と同様に下地シリコン膜ｌの所望部分をエ
ツチング除去し、支持枠１′を形成すれば、第３図（ｅ
）に示した構造のＸ線無光用マスクが形成される。本実
施例によれば、総合膜厚１．３μｍｌ膜応力かｌＸ１０
’ｄＶｎ／ ｃｒｔｉ以下のメンブレンが形成できた。
コン１上にＣＶＤ窒化シリコン膜２１０００人、および
、スパッタ窒化ホウ素膜３？５０００人を形成する。次
に、ＣｖＤ窒化シリコン膜２’ｅ１０００人！同じ条件
で上記窒化ホウ素膜上に第３図（ｂ）に示すように形成
する。次に、第３図（Ｃ）に示すように窒化シリコン膜
７１０００人ｌ形成する。以上の積層膜形成後、実施例
α）と同様にして、第３図（Ｃ）に示すように所望の形
状を有するＡｕの吸収体パターン４を形成した。次に、
実施例（１）と同様に下地シリコン膜ｌの所望部分をエ
ツチング除去し、支持枠１′を形成すれば、第３図（ｅ
）に示した構造のＸ線無光用マスクが形成される。本実
施例によれば、総合膜厚１．３μｍｌ膜応力かｌＸ１０
’ｄＶｎ／ ｃｒｔｉ以下のメンブレンが形成できた。
第１表に示゛す如く、上記複合膜からなるメンブレンは
、従来のＳｉ薄膜等に比べて、Ｘ線透過率、及び、可視
光透過率が高く、また、窒化ホウ素の機械的強度が高い
こと、熱膨潤係数が小さいことから、ノくターン位置の
安定性にも優れている。
、従来のＳｉ薄膜等に比べて、Ｘ線透過率、及び、可視
光透過率が高く、また、窒化ホウ素の機械的強度が高い
こと、熱膨潤係数が小さいことから、ノくターン位置の
安定性にも優れている。
第１表
〔発明の効果〕
上記説明から明らかなように、本発明によれば、メンブ
レンの応力は著るしく減少するので、基板１をエッチし
て支持枠を形成する際に、メンブレンに割れの生ずる恐
れはほとんどない。
レンの応力は著るしく減少するので、基板１をエッチし
て支持枠を形成する際に、メンブレンに割れの生ずる恐
れはほとんどない。
また、従来の単層膜を用いた場合よりも、メンプランの
機械的安定性がすぐれ、Ｘ線や光の透過性も良好なので
、Ｘ線露光マスクとして極めてすぐれでいる。
機械的安定性がすぐれ、Ｘ線や光の透過性も良好なので
、Ｘ線露光マスクとして極めてすぐれでいる。
第１図および第３図はそれぞれ本発明の異なる実施例を
説明するだめの工程図、第２図は窒化ホウ素膜を形成す
る際のスパッタガス圧力と得られた膜の圧縮圧力との関
係を示す曲線図である。 １・・・シリコン基板、１′・・・支持枠、２．２’
。 ２“・・・窒化シリコン膜、３．３′・・・窒化ホウ素
膜、第 １ 図 （久） ”４ｚ 図
説明するだめの工程図、第２図は窒化ホウ素膜を形成す
る際のスパッタガス圧力と得られた膜の圧縮圧力との関
係を示す曲線図である。 １・・・シリコン基板、１′・・・支持枠、２．２’
。 ２“・・・窒化シリコン膜、３．３′・・・窒化ホウ素
膜、第 １ 図 （久） ”４ｚ 図
Claims (1)
- −支持枠上に保持されたＸ線透過膜と、該Ｘ線透過膜上
に形成された所望の形状を有するＸ線吸収体パターンを
そなえ、上記Ｘ線透過膜は、窒化シリコン膜と窒化ホウ
素膜の積層膜であることを特徴とするＸ線露光用マスク
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179852A JPS5969928A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | Ｘ線露光用マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57179852A JPS5969928A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | Ｘ線露光用マスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969928A true JPS5969928A (ja) | 1984-04-20 |
Family
ID=16073035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57179852A Pending JPS5969928A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | Ｘ線露光用マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969928A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0289249A2 (en) * | 1987-05-01 | 1988-11-02 | AT&T Corp. | Device fabrication by X-ray lithography utilizing stable boron nitride mask |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP57179852A patent/JPS5969928A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0289249A2 (en) * | 1987-05-01 | 1988-11-02 | AT&T Corp. | Device fabrication by X-ray lithography utilizing stable boron nitride mask |
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