JPS5965827A - エレクトロクロミツク表示素子の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示素子の製造方法Info
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- JPS5965827A JPS5965827A JP57175645A JP17564582A JPS5965827A JP S5965827 A JPS5965827 A JP S5965827A JP 57175645 A JP57175645 A JP 57175645A JP 17564582 A JP17564582 A JP 17564582A JP S5965827 A JPS5965827 A JP S5965827A
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- JP
- Japan
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- layer
- solid
- electrochromic
- state
- plasma
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/1514—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material
- G02F1/1523—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect characterised by the electrochromic material, e.g. by the electrodeposited material comprising inorganic material
- G02F1/1524—Transition metal compounds
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イフ 分野
不発I3Aは全同体型のエレクトロクロミック表示素子
(以下EC素子と称1)に係り、特に酸圧印加により着
色させた後、′I4L儲IIJを解放状態に変化ネぜた
時の着色状態保持時間を犬「1ノに増加させることの出
来るEC素子の製造方法に関する。
(以下EC素子と称1)に係り、特に酸圧印加により着
色させた後、′I4L儲IIJを解放状態に変化ネぜた
時の着色状態保持時間を犬「1ノに増加させることの出
来るEC素子の製造方法に関する。
(ロ)従来技術と背景
従来よシこうしたEC素子の・1比圧印加′llI!放
時の記憶時間を増加させるためエレクトロクコミック物
質(以下EC物賃と迫柄、ヅ)のノ曽しj40搾貴の層
の間に絶縁性の中間層を挿入プ゛る方法が提案されてい
る。しかしこの方法でQj、該中+i+層を介して1戎
気を1尽導させるのに中間層中をイオンを杉、動させね
ばならない。よってイオンの伝2h時間が応4を支配す
るため記憶時間も良くなるが応答時間の方も長くなジ、
あまシ応答の早い素子はつくれなかった0 09 目的と牛土徽 本発明の目的はこうした背1スにかんがみ中間層の形成
方法を工夫することにより応答が早く、かつ解放時の記
憶時間の長いEC素子を提供することでお9、この目的
を央塊するため一方あるいは両方が透明電極で構成され
る一対の′鯖m1UJに、固体エレクト四クロミック物
質層と固体電解質層を積層して形成される全固体エレク
ト日クロミック素子において、 上記1ん体エレクト圏クロミック物質層と固体電解質層
との間に中間層を形成するため、′1極上に形成した固
体エレクトロクロミック物質層の表面又は固体電解質層
の表面にプラズマ処理を施し、次いでその上に形成する
固体電解質層又は固体ニレly ) o りo ミック
物質層に対してイオングレーティング法に適用すること
を特徴とするものである。
時の記憶時間を増加させるためエレクトロクコミック物
質(以下EC物賃と迫柄、ヅ)のノ曽しj40搾貴の層
の間に絶縁性の中間層を挿入プ゛る方法が提案されてい
る。しかしこの方法でQj、該中+i+層を介して1戎
気を1尽導させるのに中間層中をイオンを杉、動させね
ばならない。よってイオンの伝2h時間が応4を支配す
るため記憶時間も良くなるが応答時間の方も長くなジ、
あまシ応答の早い素子はつくれなかった0 09 目的と牛土徽 本発明の目的はこうした背1スにかんがみ中間層の形成
方法を工夫することにより応答が早く、かつ解放時の記
憶時間の長いEC素子を提供することでお9、この目的
を央塊するため一方あるいは両方が透明電極で構成され
る一対の′鯖m1UJに、固体エレクト四クロミック物
質層と固体電解質層を積層して形成される全固体エレク
ト日クロミック素子において、 上記1ん体エレクト圏クロミック物質層と固体電解質層
との間に中間層を形成するため、′1極上に形成した固
体エレクトロクロミック物質層の表面又は固体電解質層
の表面にプラズマ処理を施し、次いでその上に形成する
固体電解質層又は固体ニレly ) o りo ミック
物質層に対してイオングレーティング法に適用すること
を特徴とするものである。
に)実施例
第1図は本発明に係るEC素子の構成の説明図、第2図
は別の構成の説明図、 図中1は基板、2は透明電極、3と3aはE、C物質、
4と4aは固体電解質、5はもう一方の電極、Pはプラ
ズマ処理された表面を示す。第1図と第2図は積層形成
の順序とプラズマ処理される対象物質の表面が入れかわ
っているだけでプラズマ処理された中間層が介在すると
言う意味では同一の素子でりる。第1図の素子UJル板
jの上に透明電極2を形成しそ9上にE C物質の層3
を形成し、このECC物質がの表面l;プラズマ処理を
施し、その上に固体’AM: I’l質の1・34をイ
オンブレーティングにより形成し、その土に電極5を形
成したもの、第2図の素子は透明電庵2の上に固体型)
φr質の層4aを先に形成し、この表a「1にプラズマ
処理を施しfCVl 、その上にE CII勿麹、のI
tJ3aをイオングレーティングにより形成しそり)上
に屯・;し5を形成したものである。そして衣1々1を
プラズマ処理し、その上J灼をイオングレーティングで
形成すると言う組合せ手順で製造ゴることにより目的の
、応答速Kが早く、月了放時記憶1時間の長い素子をt
’4るものであり、プラズマ処理のみ、あるいはイオン
グレーティングのみでは目的の効牙己が丙られなかった
。
は別の構成の説明図、 図中1は基板、2は透明電極、3と3aはE、C物質、
4と4aは固体電解質、5はもう一方の電極、Pはプラ
ズマ処理された表面を示す。第1図と第2図は積層形成
の順序とプラズマ処理される対象物質の表面が入れかわ
っているだけでプラズマ処理された中間層が介在すると
言う意味では同一の素子でりる。第1図の素子UJル板
jの上に透明電極2を形成しそ9上にE C物質の層3
を形成し、このECC物質がの表面l;プラズマ処理を
施し、その上に固体’AM: I’l質の1・34をイ
オンブレーティングにより形成し、その土に電極5を形
成したもの、第2図の素子は透明電庵2の上に固体型)
φr質の層4aを先に形成し、この表a「1にプラズマ
処理を施しfCVl 、その上にE CII勿麹、のI
tJ3aをイオングレーティングにより形成しそり)上
に屯・;し5を形成したものである。そして衣1々1を
プラズマ処理し、その上J灼をイオングレーティングで
形成すると言う組合せ手順で製造ゴることにより目的の
、応答速Kが早く、月了放時記憶1時間の長い素子をt
’4るものであり、プラズマ処理のみ、あるいはイオン
グレーティングのみでは目的の効牙己が丙られなかった
。
第3図と第4図は本発明の詳細な説明図で夫々第1図と
第2図の素子の′i11!!故法を説明するものでるい
ti第2図とのそれと対応ざぜである。
第2図の素子の′i11!!故法を説明するものでるい
ti第2図とのそれと対応ざぜである。
第3図に:はいて、まずガラス基板11の上に、成分I
n、Sn、Qよ構成る4箪性拐料(ITOと通称す)よ
シなる透りJ電極12を2000Xのルさで形成し六、
。次いでその上に酸化タングステン(WO,3)から成
る内体EC物質の層13を臭突蒸着法によ54oooX
の厚さで形成した。ぞしてこの層13の表面に対し、7
X l 0−3Torrの減圧下で投入電力30Wの
プラズマ処理を5力間イテい、きらにその上に酸化クロ
ノ、(Cr、 03 )から成る固体・+4解賀の層1
4を2oooX厚さ分イλングレーシーイング法で作成
した。ぞしてその上にITOよりなル透tJJ 電極1
5をこれもイオングレーティング法によす2000A力
成長させ積層して完成させた。
n、Sn、Qよ構成る4箪性拐料(ITOと通称す)よ
シなる透りJ電極12を2000Xのルさで形成し六、
。次いでその上に酸化タングステン(WO,3)から成
る内体EC物質の層13を臭突蒸着法によ54oooX
の厚さで形成した。ぞしてこの層13の表面に対し、7
X l 0−3Torrの減圧下で投入電力30Wの
プラズマ処理を5力間イテい、きらにその上に酸化クロ
ノ、(Cr、 03 )から成る固体・+4解賀の層1
4を2oooX厚さ分イλングレーシーイング法で作成
した。ぞしてその上にITOよりなル透tJJ 電極1
5をこれもイオングレーティング法によす2000A力
成長させ積層して完成させた。
ム↓4図の工程eまガラス基板11の上に透明電極12
として2000に形成し、その上にCr!Oaの層1.
48を200OA厚さ形成しこの層14aの表面を7×
10−3’forrの減圧下でペルジャーの容積3.5
×105 CTn3の装置でプラズマ形成電力30Wに
てプラズマ処理したあと、七の表面の上にWO3よ構成
るEC物@33aをイオングレーディング法によシ15
を2oooX形成して完成させた。
として2000に形成し、その上にCr!Oaの層1.
48を200OA厚さ形成しこの層14aの表面を7×
10−3’forrの減圧下でペルジャーの容積3.5
×105 CTn3の装置でプラズマ形成電力30Wに
てプラズマ処理したあと、七の表面の上にWO3よ構成
るEC物@33aをイオングレーディング法によシ15
を2oooX形成して完成させた。
第5図は本発明によ多形成された素子のIP!f性比較
図である。
図である。
図中の工は第3図の工程で製作されたもの、■はプラズ
マ処理もイオングレーティングによる形成も行なわない
ものm i−hwo、層の表面のプラズマ処理だけを行
ったもの■はC’20s層をイオンブレティングで成長
させることだけ行ったものとして夫々試作した各サンプ
ルIMIの特性の比較である。
マ処理もイオングレーティングによる形成も行なわない
ものm i−hwo、層の表面のプラズマ処理だけを行
ったもの■はC’20s層をイオンブレティングで成長
させることだけ行ったものとして夫々試作した各サンプ
ルIMIの特性の比較である。
プラズマ処」里だけ、あるいはイオングレーティング法
だけの場合の効来に比して併用した場合の効果がけんち
ょであることがわかる。なを試作したサンプルIの電圧
印加時の漸色の応答速度はムOD(光学的濃度)05で
測定して160m5で従来法によるサンダル■と同等で
あった。また逆電圧印加時の消色時間は△01)0.5
〜0〜05間で50mSと従来法によるサンプルHの1
00nlSに比して半分になった。なを省略するが第4
図の工程によって製作されたサンプルについてもほぼ同
様の特性がすなはら一般に薄膜の性質は、その下地に強
く依祥する。プラズマ処理を行ったwo3層の異面には
1糺q++な凹凸が多数形成されて上に成長するHの膜
面に対して垂直方向への配向を回通する。しかし、この
ような−軸配向性の成長を起す為には、一方で一定のエ
ネルギーを供給する必要がある、これを熱エネルギーの
形で与える為には、基板湿度を高める必装がめるから、
キ汗テE C])素子の場合、素子特性を劣化させてし
捷う。イλンへ/−ティングは蒸発粒子の一部をイオン
化することてよシ嬢当なエネルギーを供給でき、しかも
基板温度の一ヒ昇を伴わない有効な方法である。しかる
にいくら・rオンブレーティングを用いても下地に配向
を促進する過当な核がなければ一1111配向性の成長
は起らない。本発明は、プラズマ処理にょp1下地に配
向のイうの該を作り、さらに・1オングレーテイングに
よシ、配向の為の、a癌なエネルギーを供給することに
・より、上下の層の界面附近に配向性の良い層を形成し
、素、子にメモリp′&能を附与するものである。この
ように自己向性の良いへ宥はEC層内に注入されたイオ
ンの電解ケt (u、ilへの拡赦を防@着色を保1局
′3−ると罵゛えられる。
だけの場合の効来に比して併用した場合の効果がけんち
ょであることがわかる。なを試作したサンプルIの電圧
印加時の漸色の応答速度はムOD(光学的濃度)05で
測定して160m5で従来法によるサンダル■と同等で
あった。また逆電圧印加時の消色時間は△01)0.5
〜0〜05間で50mSと従来法によるサンプルHの1
00nlSに比して半分になった。なを省略するが第4
図の工程によって製作されたサンプルについてもほぼ同
様の特性がすなはら一般に薄膜の性質は、その下地に強
く依祥する。プラズマ処理を行ったwo3層の異面には
1糺q++な凹凸が多数形成されて上に成長するHの膜
面に対して垂直方向への配向を回通する。しかし、この
ような−軸配向性の成長を起す為には、一方で一定のエ
ネルギーを供給する必要がある、これを熱エネルギーの
形で与える為には、基板湿度を高める必装がめるから、
キ汗テE C])素子の場合、素子特性を劣化させてし
捷う。イλンへ/−ティングは蒸発粒子の一部をイオン
化することてよシ嬢当なエネルギーを供給でき、しかも
基板温度の一ヒ昇を伴わない有効な方法である。しかる
にいくら・rオンブレーティングを用いても下地に配向
を促進する過当な核がなければ一1111配向性の成長
は起らない。本発明は、プラズマ処理にょp1下地に配
向のイうの該を作り、さらに・1オングレーテイングに
よシ、配向の為の、a癌なエネルギーを供給することに
・より、上下の層の界面附近に配向性の良い層を形成し
、素、子にメモリp′&能を附与するものである。この
ように自己向性の良いへ宥はEC層内に注入されたイオ
ンの電解ケt (u、ilへの拡赦を防@着色を保1局
′3−ると罵゛えられる。
(力 効果
以上説明したように本発明によi′IJI下j音表面に
対するプラズマ処理とイオンブレーティングによる上層
形成を(71:用することにより、着色、消色の比、谷
速度にすぐれ、しかもシJ(放吟記憶時間の長いすぐれ
たEC素子を製造することが出来ると言う効果を生rる
ものである。
対するプラズマ処理とイオンブレーティングによる上層
形成を(71:用することにより、着色、消色の比、谷
速度にすぐれ、しかもシJ(放吟記憶時間の長いすぐれ
たEC素子を製造することが出来ると言う効果を生rる
ものである。
第1図と第2図は本発明に係るEC素子のイ1G成の説
明図、あ3図と第4図は夫々+、発明の一実施例の工程
の説1す」図、第5図は本発明により形成される素子の
特性比較図、 図中の1と11は基板、2と12は透明電極、5と15
は電極、3と13および3aは夫々EC物質の層4と1
4および4aと1・!aは夫々固体電解質の層、Pはプ
ラズマで表面を処理したことを示す。
明図、あ3図と第4図は夫々+、発明の一実施例の工程
の説1す」図、第5図は本発明により形成される素子の
特性比較図、 図中の1と11は基板、2と12は透明電極、5と15
は電極、3と13および3aは夫々EC物質の層4と1
4および4aと1・!aは夫々固体電解質の層、Pはプ
ラズマで表面を処理したことを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 一方あるいは両方が透明電極でFM成される一対の電極
間に、固体エレクトロクロミック物jJ!i層と1u体
4m負j脅を積層して形成される全固体エレクトロクロ
ミンク素子におい′C0゜ 上記固体エレクトロクロミック物質層と固体屯屏賀層と
の間に中間層を形成するため、′覗極上に形成した固体
エレクトロクロミック物質層の表面又は固体蹴解實層の
表rftiにグ2ズマ処理を施し、へいでその上に形成
する固体電解質I薪又は固体エレクトロクロミック物質
層に対してイオンブレーティング法を適用することを%
敵とするエレクトロクロミック機示素子の5A造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57175645A JPS5965827A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | エレクトロクロミツク表示素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57175645A JPS5965827A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | エレクトロクロミツク表示素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5965827A true JPS5965827A (ja) | 1984-04-14 |
Family
ID=15999707
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57175645A Pending JPS5965827A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | エレクトロクロミツク表示素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5965827A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5019420A (en) * | 1989-01-17 | 1991-05-28 | Eic Laboratories, Inc. | Process for forming a reduced electrochromic layer in contact with an ion conducting oxide |
-
1982
- 1982-10-06 JP JP57175645A patent/JPS5965827A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5019420A (en) * | 1989-01-17 | 1991-05-28 | Eic Laboratories, Inc. | Process for forming a reduced electrochromic layer in contact with an ion conducting oxide |
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