JPS5952702A - 誘電体膜厚センサ− - Google Patents
誘電体膜厚センサ−Info
- Publication number
- JPS5952702A JPS5952702A JP16371882A JP16371882A JPS5952702A JP S5952702 A JPS5952702 A JP S5952702A JP 16371882 A JP16371882 A JP 16371882A JP 16371882 A JP16371882 A JP 16371882A JP S5952702 A JPS5952702 A JP S5952702A
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- JP
- Japan
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- dielectric film
- capacitor
- film thickness
- film
- capacitance
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- Pending
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体素子製造法の１つである薄膜形成法
によって誘電体膜を形成する際に、その膜厚を同時測定
する誘電体膜厚センサーに関するものである。
によって誘電体膜を形成する際に、その膜厚を同時測定
する誘電体膜厚センサーに関するものである。
従来、真空蒸着によって膜を形成する際には。
水晶振動子を用いて、誘電体膜の厚さを膜形成時に同時
測定することが可能であったが、高温下で使用するプラ
ズマＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏ−ｓｉｔｊｏｎ）装置を用いて膜を形成する際には
適尚なセンサーがなかった。そのためこのような場合に
は、予め第１図に示すような時間と膜厚との相関関係を
求めておき、この関係より希望の膜厚形成に必要な時間
で膜形成を停止した後、微小段差測定器等によって膜厚
を測定するようにしていた。
測定することが可能であったが、高温下で使用するプラ
ズマＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅ
ｐｏ−ｓｉｔｊｏｎ）装置を用いて膜を形成する際には
適尚なセンサーがなかった。そのためこのような場合に
は、予め第１図に示すような時間と膜厚との相関関係を
求めておき、この関係より希望の膜厚形成に必要な時間
で膜形成を停止した後、微小段差測定器等によって膜厚
を測定するようにしていた。
ＪｌｊｌＪち従来は、時間によって膜形成を制御する時
間制御により、要求値に近い膜厚を形成するようにして
いた。
間制御により、要求値に近い膜厚を形成するようにして
いた。
しかしながらこのような従来の方法では、ガス流量、ガ
ス圧力あるいは温度等の変化によって上記時間と膜厚と
の関係が変化するため、要求値に近い膜厚が必らず得ら
れる保証がなく、歩留りが悪く、再現性が低いという欠
点があった。
ス圧力あるいは温度等の変化によって上記時間と膜厚と
の関係が変化するため、要求値に近い膜厚が必らず得ら
れる保証がなく、歩留りが悪く、再現性が低いという欠
点があった。
この発明は以上のような従来の欠点を除去するためにな
されたもので、相対向する電極を有するキャパシタを絶
縁性基板上ｆこ設け、この基板を薄膜形成装置内に配設
して、上記キャパシタ上に堆積する誘電体薄膜の膜厚を
上記キャパシタの容量から求めることにより、高温下で
誘電体膜を形成するような場合にもその膜厚を同時測定
できるようにした誘電体膜厚センサーを提供することを
目的としている。
されたもので、相対向する電極を有するキャパシタを絶
縁性基板上ｆこ設け、この基板を薄膜形成装置内に配設
して、上記キャパシタ上に堆積する誘電体薄膜の膜厚を
上記キャパシタの容量から求めることにより、高温下で
誘電体膜を形成するような場合にもその膜厚を同時測定
できるようにした誘電体膜厚センサーを提供することを
目的としている。
以下この発明の一実施例を図について説明する。
第３図は本発明の一実施例による誘電体膜厚センサーを
示し、図において、（１）は薄膜形成装置でアロ ＣＶ
Ｄｉｉｉｌ、（２１ハＣＶ Ｄ 装ｆｌ ｆｌｌ 内
ニ配設すｈ、その上に誘電体膜が形成されるウェー・（
絶縁性基板） 、 ＋３１はウェー・（２）上の誘電体
膜の膜厚を測定するための容量測定器である。
示し、図において、（１）は薄膜形成装置でアロ ＣＶ
Ｄｉｉｉｌ、（２１ハＣＶ Ｄ 装ｆｌ ｆｌｌ 内
ニ配設すｈ、その上に誘電体膜が形成されるウェー・（
絶縁性基板） 、 ＋３１はウェー・（２）上の誘電体
膜の膜厚を測定するための容量測定器である。
また第４図及び第５図は上記ウェー・（２）の誘一体膜
形成部分の詳細図であり１図において、＋４１ ＋５１
はウェー・（２）上に相対向しかつ相互に入り組んで設
けられたくし形の配線パターンを有する電極、（６）は
上記型％ ＋４１ ［５１からなるインターディジタル
形キャパシタ、 ＋７１＋８１は上記容量測定器（３）
のリード線（３ａ）（３ｂ）の端子が接続される箇所、
（９）は上記キャパシタ（６）上に堆積形成された誘電
体膜である。
形成部分の詳細図であり１図において、＋４１ ＋５１
はウェー・（２）上に相対向しかつ相互に入り組んで設
けられたくし形の配線パターンを有する電極、（６）は
上記型％ ＋４１ ［５１からなるインターディジタル
形キャパシタ、 ＋７１＋８１は上記容量測定器（３）
のリード線（３ａ）（３ｂ）の端子が接続される箇所、
（９）は上記キャパシタ（６）上に堆積形成された誘電
体膜である。
次に本センサーの使用方法について説明する。
所望膜厚の誘電体膜を形成する場合、まず予め第２図に
示すような膜厚と容量との相関関係を求めておく。また
膜形成前には、ウェハ（２）上にインターディジタル形
キャパシタ（６）の配線パターン１４）（５）を形成し
、該パターン＋４１ （５１上の所定の箇所＋７１ ＋
８１に容量測定器（３）のリード線（３ａ） （３ｂ）
の端子を接続するとともに、上記ウェハ（２）をＣＶＤ
装置（１）内に配置する。そしてＣＶＤ装置（１）が作
動すると、上記ウェハ（２）及びキャパシタ（６）上に
は誘電体膜（９）が堆積して形成されるが、その際誘電
体膜（９）の膜厚を検出するため、容量測定器（３）に
よってキャパシタ（６）の容量変化をモニターする。こ
のキャパシタ（６）の容量値が上記膜厚と容量との関係
によって決まる所望の膜厚に対応する容量値に達したと
き、ＣＶＤ装置（１）の作動を停止して、膜の形成を終
了させる。
示すような膜厚と容量との相関関係を求めておく。また
膜形成前には、ウェハ（２）上にインターディジタル形
キャパシタ（６）の配線パターン１４）（５）を形成し
、該パターン＋４１ （５１上の所定の箇所＋７１ ＋
８１に容量測定器（３）のリード線（３ａ） （３ｂ）
の端子を接続するとともに、上記ウェハ（２）をＣＶＤ
装置（１）内に配置する。そしてＣＶＤ装置（１）が作
動すると、上記ウェハ（２）及びキャパシタ（６）上に
は誘電体膜（９）が堆積して形成されるが、その際誘電
体膜（９）の膜厚を検出するため、容量測定器（３）に
よってキャパシタ（６）の容量変化をモニターする。こ
のキャパシタ（６）の容量値が上記膜厚と容量との関係
によって決まる所望の膜厚に対応する容量値に達したと
き、ＣＶＤ装置（１）の作動を停止して、膜の形成を終
了させる。
以上のような本実施例のセンサーでは、キャノ（シタを
用い、その容量変化から誘電体膜の膜厚を求めるように
しているので、ＣＶＤ装置によって高温下で膜を形成す
る場合であってもその膜厚を同時測定することができる
。また本センサーでは、容量によって膜形成を制御する
容量制御を行でようことができ、この容量制御はガス流
量、ガス圧力あるいは温度等の変化による影響をほとん
ど受けないことから、従来の時間制御に比してより一層
要求値に近い膜厚が得られ、歩留りが向上し、再現性が
良好となる。
用い、その容量変化から誘電体膜の膜厚を求めるように
しているので、ＣＶＤ装置によって高温下で膜を形成す
る場合であってもその膜厚を同時測定することができる
。また本センサーでは、容量によって膜形成を制御する
容量制御を行でようことができ、この容量制御はガス流
量、ガス圧力あるいは温度等の変化による影響をほとん
ど受けないことから、従来の時間制御に比してより一層
要求値に近い膜厚が得られ、歩留りが向上し、再現性が
良好となる。
なお上記実施例では膜厚を検出するためのキャパシタと
してインターディジタル形キャパシタを用いたが、この
キャパシタはインターディジタル形以外のものであって
もよい。また本発明のセンサーはＣＶＤ法以外の誘電体
膜形成法、例えば真空蒸着法あるいはスパッタ法等にも
適用できる。
してインターディジタル形キャパシタを用いたが、この
キャパシタはインターディジタル形以外のものであって
もよい。また本発明のセンサーはＣＶＤ法以外の誘電体
膜形成法、例えば真空蒸着法あるいはスパッタ法等にも
適用できる。
以上のように１本発明に係る誘電体膜厚センサーによれ
ば、相対向する電極を有するキャパシタを半導体基板上
に設け、この基板を薄膜形成装置内に配設して、上記キ
ャパシタ上に堆積形成される誘電体膜の膜厚を上記キャ
ノくシタの容量から求めるようにしたので、高温下で誘
電体膜を形成するような場合にもその膜厚を同時測定す
るこ、とができ、しかも測定精度が高く、膜形成の歩留
り及び再現性を向上できる効果がある。
ば、相対向する電極を有するキャパシタを半導体基板上
に設け、この基板を薄膜形成装置内に配設して、上記キ
ャパシタ上に堆積形成される誘電体膜の膜厚を上記キャ
ノくシタの容量から求めるようにしたので、高温下で誘
電体膜を形成するような場合にもその膜厚を同時測定す
るこ、とができ、しかも測定精度が高く、膜形成の歩留
り及び再現性を向上できる効果がある。
第１図は従来の時間制御方法による膜形成に用いる時間
と膜厚との相関関係を示す図、第２図は本発明の一実施
例による誘電体膜厚センサーを用いた膜形成における膜
厚と容量との相関関係を示す図、第３図は上記センサー
の概略構成図、第４図は上記センサーの、要部平面図、
第５図は第４図のＡ−Ａ線断面図である。 （９）・・・誘電体膜。 なお図中、同一符号は同−又は相肖部分を示す。 代 理 人 葛 野 信 −第１図
第２図 第３図 第４図 第５図 ７−
と膜厚との相関関係を示す図、第２図は本発明の一実施
例による誘電体膜厚センサーを用いた膜形成における膜
厚と容量との相関関係を示す図、第３図は上記センサー
の概略構成図、第４図は上記センサーの、要部平面図、
第５図は第４図のＡ−Ａ線断面図である。 （９）・・・誘電体膜。 なお図中、同一符号は同−又は相肖部分を示す。 代 理 人 葛 野 信 −第１図
第２図 第３図 第４図 第５図 ７−
Claims (3)
- （１）薄膜形成装置内に配設される絶縁性基板と、該基
板上に設けられ相対向する電極を有するキャパシタと、
該キャパシタの容量を測定する容量測定器とを備え、上
記キャパシタ上に堆積する誘電体膜の膜厚を上記容量測
定器の出力から求めるようにしたことを特徴とする誘電
体膜厚センサー。 - （２） 上記薄膜形成装置が、グラズマＣＶＤ装置で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の誘電
体膜厚センサー。 - （３） 上記キャパシタが、インターディジタル形キ
ャパシタであることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の誘電体膜厚センサー。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16371882A JPS5952702A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | 誘電体膜厚センサ− |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16371882A JPS5952702A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | 誘電体膜厚センサ− |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952702A true JPS5952702A (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=15779324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16371882A Pending JPS5952702A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | 誘電体膜厚センサ− |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952702A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110660955A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 负极极片、其制备方法及电化学装置 |
| CN111254419A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-09 | 北京北方华创真空技术有限公司 | 用于沉积法镀膜的设备及控制镀膜厚度的系统和方法 |
-
1982
- 1982-09-18 JP JP16371882A patent/JPS5952702A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110660955A (zh) * | 2018-06-29 | 2020-01-07 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 负极极片、其制备方法及电化学装置 |
| CN110660955B (zh) * | 2018-06-29 | 2021-11-23 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 负极极片、其制备方法及电化学装置 |
| US11522194B2 (en) | 2018-06-29 | 2022-12-06 | Contemporary Amperex Technology Co., Limited | Negative electrode plate, preparation method thereof and electrochemical device |
| US11901560B2 (en) | 2018-06-29 | 2024-02-13 | Contemporary Amperex Technology Co., Limited | Negative electrode plate, preparation method thereof and electrochemical device |
| CN111254419A (zh) * | 2020-01-17 | 2020-06-09 | 北京北方华创真空技术有限公司 | 用于沉积法镀膜的设备及控制镀膜厚度的系统和方法 |
| CN111254419B (zh) * | 2020-01-17 | 2021-12-28 | 北京北方华创真空技术有限公司 | 用于沉积法镀膜的设备及控制镀膜厚度的系统和方法 |
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