JPS59501013A - Method for producing diamond particles with selected morphology - Google Patents

Method for producing diamond particles with selected morphology

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JPS59501013A
JPS59501013A JP50244083A JP50244083A JPS59501013A JP S59501013 A JPS59501013 A JP S59501013A JP 50244083 A JP50244083 A JP 50244083A JP 50244083 A JP50244083 A JP 50244083A JP S59501013 A JPS59501013 A JP S59501013A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明の分野は概して研削及び研摩等に有用な物質の製造、更に詳しくはこれら の用途に対するダイヤモンド粒子の製造方法の分野に関する。[Detailed description of the invention] The field of the invention is generally the production of materials useful in grinding and polishing, and more particularly The present invention relates to the field of methods for producing diamond particles for applications in the field of diamond particles.

背景技術 人造ダイヤモンド粒子は当業界に公知の数種の方法により製造される。例えば工 業縁ダイヤモンド粒子は130キロバール及び3000’Cにおいて製造されて 来た。もう一つの方法においては触媒としてニッケル又は鉄を使用し、27キロ バール及び14000Cにおいて上記粒子が製造されている。これら高温法の製 品は、ゼネラル エレクトリック社がそのような方法を使用しているのでゼネラ ル エレクトリック型夕ゞイヤモンドと呼はれろ。工業縁ダイヤモンド粒子のそ のイ也の製法としては約1oooから200000までにおいて05ろから1. 5メガバールの圧力を達成する条件下におけろダイヤモンド粒子の衝撃波合成を 包含する。これは一般的にE、1.デュポン社により使用されろ方法であり、そ れ故このような粒子をデュポン型夕ゞイヤモンドと呼ぶ。Background technology Synthetic diamond particles are manufactured by several methods known in the art. For example, Industrial diamond particles are manufactured at 130 kbar and 3000'C. It's here. Another method uses nickel or iron as a catalyst and uses 27 kg The particles are produced at Bar and 14000C. These high temperature methods Since General Electric uses such a method, Don't call it the electric type Yuyamond. Industrial Edge Diamond Particles The manufacturing method for Noiya is from about 1ooo to 200,000, and from 0.5 to 1. Shock wave synthesis of diamond particles under conditions achieving a pressure of 5 megabar include. This is generally E,1. This is the method used by DuPont and its Therefore, such particles are called DuPont diamonds.

工業縁ダイヤモンド粒子を製造する更にもう一つの方法は、1980年10月1 4日に発行された本発明者による特許第4.228.1’ 42号明細書に開示 されている方法である。この特許明細書は参考として本明細書に組み入れる。Yet another method of producing engineered edge diamond particles was introduced on October 1, 1980. Disclosed in Patent No. 4.228.1'42 by the present inventor issued on the 4th This is how it is done. This patent specification is incorporated herein by reference.

上記に確認された方法の生成物を走査電子顕微鏡を使用して観察した場合、該粒 子はむしろずんぐりした形状であり、かつ若干のものは単結晶の外観を示すこと がわかった。その他の粒子は多結晶質である。多結晶ダイヤモンド粒子は多積を 示し、したがって一般的に研摩及び研削用として好寸しいタイプであると思われ ろ。これらの方法によって生成される研摩範囲におけるダイヤモンド粒子は典型 的には0.5から約85ミクロン1ての範囲にあり、これらはミクロン粉末と呼 ばれろ。主として天然型及びG、E、型の、研削範囲のダイヤモンド粒子の粒度 範囲は典型的には85から850ミクロン寸でてあり、屡々ダイヤモンド グリ ッドと呼ばれろ。非常に均一な粒度部分が得られるように、種々の寸法別分離技 術を使用して粒子を分離する。比較的に小さい寸法の精密級(precisj、 on grad、e)粒子は仕上げ研削用、ラッピング用及び研摩用に使用され 、一方比校的に大きい寸法のもの附−研削用、のと引き又は穴あけ用に、屡々切 削工共に組み入れ又は連結して使用されろ。When the product of the method confirmed above is observed using a scanning electron microscope, the particles The seeds are rather stocky in shape, and some exhibit a single-crystalline appearance. I understand. Other particles are polycrystalline. Polycrystalline diamond particles are multilayered. and is therefore generally considered to be the preferred type for sanding and grinding. reactor. Diamond particles in the abrasive range produced by these methods are typical The average size ranges from 0.5 to about 85 microns, and these are called micron powders. Get found out. Particle size of diamond particles in the grinding range, mainly natural type and G, E, type The range is typically 85 to 850 microns in size and is often diamond-grid. Call me Dodo. Various dimensional separation techniques are used to obtain very uniform particle size fractions. Separate the particles using techniques. Precision grade with relatively small dimensions on grad, e) particles are used for finish grinding, lapping and polishing. , while those with relatively large dimensions - often cut for grinding, drawing or drilling. It can be used by incorporating or connecting with machining.

上記公知方法のすべてが、概してずんぐりした構造又は形態を有する粒子を生成 し、その故にそれら粒子の種々の用途において全く一様に作用する。しかしなが ら研削の用途に対する、多核を有する粒子の優れた性能の観点から、このような 構造を有する粒子を一様に得ろことが望ましいと思われる。All of the above known methods produce particles with a generally stocky structure or morphology. and therefore act quite uniformly in the various uses of these particles. But long In view of the superior performance of particles with multi-nuclei for grinding applications, such It would be desirable to uniformly obtain structured particles.

その池の特定の形状(形態)の粒子も1だ種々の用途に対して利点を有する。こ のような形状又は形態の一つけ強fヒ材として使用される繊維の形状又は形態で ある。実験的な繊条状ダイヤモンド結晶を成長させろ方法は公知である。このよ うな結晶は非常に大きな強度を有する。このような繊条結晶は恭賀としての種ダ イヤモンド単結晶上に成長する(例えばJ工万ブ クリスタル グロウス(J工 of 0rysl;al、 Growth ) 2.680ページ 1968年 参照)。各種晶は個々に担持され、繊条ダイヤモンド結晶は炭素含有ガス相にお いてエピタキノヤルに成長する。それ故、このようなダイヤモンド繊維の大規模 生産は、これらの方法によっては実際的でない。The particular shape (morphology) of particles in the pond also has advantages for a variety of applications. child In the shape or form of fibers used as reinforcement material be. Methods for growing experimental filamentous diamond crystals are known. This way Una crystals have very high strength. Such filament crystals are seeds of Kyoga. Grows on diamond single crystal (for example, J-manbu crystal growth (J-manbu crystal growth) of 0rysl;al, Growth) 2.680 pages 1968 reference). Each type of crystal is supported individually, and the filamentous diamond crystals are supported in the carbon-containing gas phase. It grows epitaxially. Therefore, a large scale of such diamond fibers Production is impractical by these methods.

したがって、予め定めた構造又は形態を有するダイヤモンド粒子の製造方法を提 供することが本発明の一つの目的である。Therefore, we propose a method for producing diamond particles having a predetermined structure or morphology. It is one object of the present invention to provide.

粒子の表面が極めて不規則であり、研削及び研摩などの用途に使用されろダイヤ モンド粒子を提供することが本発明のもう一つの目的である。The surface of the particles is extremely irregular, making them difficult to use for grinding and polishing purposes. It is another object of the present invention to provide Mondo particles.

繊維、ずんぐりした粒子、多孔性粒子から選択されろ所望の形状を有し、又は非 常に不規則な外形?有するダイヤモンド粒子を製造することが本発明の更にもう 一つの目的である。Selected from fibers, stubby particles, porous particles with desired shape or non-porous particles. Is it always an irregular shape? It is a further aspect of the present invention to produce diamond particles having It is one purpose.

本発明のその他の目的については下記の記載を考慮した際に明らかとなるであろ う。Other objects of the invention will become apparent upon consideration of the following description. cormorant.

発明の開示 本発明により、有機性であることもてきろ初期構造な、意図するダイヤモンド粒 子の形状を有するように選定又は組み立てろ。次いてこの構造を、実質的に所望 の構造な有するベータ炭fヒケイ素であるように転[ヒさせろ。次いで本発明者 による米国特許第4,228,142号明細書に開示されている方法又は等価の 低温、低圧法す使用して、この炭山ケイ素をダイヤモンドに転fヒさせろ。Disclosure of invention According to the present invention, the intended diamond grains are organic and have an initial structure. Select or assemble it so that it has the shape of a child. This structure is then substantially Let's transform it so that it is beta carbon f-arsenic, which has the structure of Next, the inventor No. 4,228,142 or an equivalent method disclosed in U.S. Pat. Use a low-temperature, low-pressure method to convert this coal mine silicon into diamond.

発明を実施ずろための最良の態様 米国特許第4,228,142号明細@に論じられているように、ダイヤモンド 粒子は過フッfヒ炭fヒ水素と炭化ケイ素との約800から1200’C4での 温度範囲におけろ反応により製造することができろ。ダイヤモンド粒子を最適に 生産するために好ましい温度は約1ooo°Cである。更に、炭化ケイ素がアル ファ相(六方晶系)であるよりはベータ相(最密立方晶系)である場合に反応が 一層容易に進行するように思われろ。促進剤としての鉄又はニッケルの存在も捷 だ有益である。1だ、ダイヤモンドは成る条件下においては1600°C1で安 定であるので、反応速変の増大を伴いつつ反応範囲な拡けろこ七がてきろl:  H、yB、、ダイ上/l/ (J)yer )の会報: ■nd、 Di、am ond QOnfo、111967年の「ダイヤモンドの物理的及び化学的性用 参照〕。Best mode for carrying out the invention As discussed in U.S. Pat. No. 4,228,142, diamond The particles are composed of perfluorocarbons and silicon carbide at about 800 to 1200'C4. It can be produced by reaction at any temperature range. Optimize diamond particles The preferred temperature for production is about 1ooo°C. Furthermore, silicon carbide is The reaction is more likely to occur in the beta phase (close-packed cubic system) than in the phase phase (hexagonal system). Seems to go more easily. The presence of iron or nickel as accelerators can also be avoided. It's beneficial. 1.Diamond is stable at 1600°C1 under the conditions. Therefore, it is possible to expand the reaction range while increasing the reaction speed change. Newsletter of H, yB,, dai/l/(J)yer): ■nd, Di, am ond QOnfo, 111967 “Physical and chemical properties of diamonds” reference〕.

炭化ケイ素は工業上、多くの供給源から入手することができる。炭化ケイ素は例 えば多くの高温におけろ応用に使用ずろことができる。またSiCの繊維はアル ミニウムの強化に使用される。炭化ケイ素の製造についての一つの慣用方法は、 もみがら(rice hqilS)の使用によるものである。もみがらは珍らL 7い農業廃生産物である。米粒はもみがらと共に、高炭素含量ならびに高ノリカ (5io2)含量を有する。これらのもみがらを約18200Cの温度において 加熱した場合、この炭素及びケイ素の@量の故に該もみがらは炭化ケイ素に転化 する。もみからから炭化ケイ素を生成する方法が米国特許第3,754.[]  76号及び第4,248,844号各明細書に記載されている。得られろ生成物 は針状、ずんぐりした小片状、粗面円筒状などな包含ずろ数種の形態を有する。Silicon carbide is commercially available from many sources. Silicon carbide is an example For example, it can be used in many high temperature applications. Also, SiC fibers are Used to strengthen minium. One conventional method for producing silicon carbide is This is due to the use of rice husk (rice hqilS). Rice husks are rare L 7 agricultural waste products. Rice grains, along with rice husks, have a high carbon content and high Norica content. (5io2) content. These rice husks are heated at a temperature of about 18,200C. When heated, the rice husks convert into silicon carbide due to the amount of carbon and silicon. do. A method for producing silicon carbide from rice grains is disclosed in US Pat. No. 3,754. [ ] No. 76 and No. 4,248,844. obtained product It has several shapes, including needle-like, stubby, cylindrical, and rough-surfaced cylindrical shapes.

針状物は浮選法により全炭化ケイ素から分離することかでき、次いてそれらか金 属の地(matriX )などを強化する用途に使用することかてきろ。針状物 製造からの炭化ケイ素の残りの形態は廃生成物と考えられるけれど、他の用途に 有用である。The needles can be separated from the total silicon carbide by flotation, and then they are separated from the gold. You can use it to strengthen your MatriX. needle-like object The remaining form of silicon carbide from manufacturing is considered a waste product but can be used for other uses. Useful.

捷た炭化ケイ素は、その他の原料成分を使用しても慣用的に製造される。該ケイ 素部分はケイ素金属、種種のケイ酸塩類、ンリカ、ケイ酸、シリコーン類のよう な物質ならびにケイソウ土、放散虫(radiolaria )などのような天 然産物質から誘導する。炭素源は代表的にはコークス、黒鉛、木炭、樹脂、カー ボンブラック、天然産炭素物質などである。反応条件によって種種の大きさ及び 形状のSiC粒子が得られ、しかしてこれらは主としてベータ型である。これら の、その他の方法の代表的なものが米国特許第4,136,689号及び第4, 162,167号各明細書に開示されている。米国特許第3,927,1.81 号明細書はSj、Cの中空球の製造について記載し、米国特許第3,726,7 67号明細書は「波型紙」SICの製造について記載している。Crushed silicon carbide is also conventionally produced using other raw material components. The Kei The elemental parts include silicon metal, various silicates, phosphoric acid, silicic acid, and silicones. substances such as diatomaceous earth, radiolaria, etc. Derived from naturally occurring substances. Carbon sources are typically coke, graphite, charcoal, resins, and carbon. These include bomb black and naturally occurring carbon materials. Depending on the reaction conditions, the size and SiC particles of the shape are obtained, which are mainly of the beta type. these Representative examples of other methods include US Pat. No. 4,136,689 and US Pat. No. 162,167. U.S. Patent No. 3,927,1.81 No. 3,726,7 describes the manufacture of hollow spheres of Sj,C. No. 67 describes the production of "corrugated paper" SIC.

ケイ素炭素の針状物又は繊維の製造についての、もみから法からの廃生成物は研 究の結果、米国特許第4,228,142号明細書の方法にしたがってフルオロ カーボンを使用する複分解を経由ずろダイヤモンド粒子の製造用の炭化ケイ素の 安価な供給源であることがわかった。該炭化ケイ素のχ線回折分析は、ベーク相 炭化ケイ素対アルファ相炭化ケイ素の比は約2=1であることを示した。更に、 分析により該物質は約25係の炭素、25%のアルファ相炭・化ケイ素及び7 50%のベータ相炭化ケイ素を有することを示した。The waste products from the milling process for the production of silicon carbon needles or fibers are As a result of our research, we found that fluorocarbons were of silicon carbide for the production of diamond particles via double decomposition using carbon It turned out to be a cheap source. Chi-ray diffraction analysis of the silicon carbide revealed that the baked phase The ratio of silicon carbide to alpha phase silicon carbide was shown to be approximately 2=1. Furthermore, Analysis revealed that the material contained approximately 25% carbon, 25% alpha phase carbon and 7% carbon. It was shown to have 50% beta phase silicon carbide.

この物質261gを5重量係の鉄粉と混合した。このものをステンレス鋼製のレ トルトにおいて、多孔質黒鉛製ディツユ−ず−を使用し、該レトルトを通して四 フッ化炭素を流しながら加熱した。実験を100000において18時間継続し た。生成物粉末の重量は173gであった。分光分析により、重量において、5 パーセントの鉄、1パーセントのフッ素瓦[100万部当り350部のケイ素が 示された。この得られた生成物を浸出及び比重選鉱に供して、生成物のダイヤモ ンド粉末な単離した。反応した粉末150gから56カラツト(1カラツトは0 .2gに等しいうの収量が測定された。該粉末中のベータ型炭化ケイ素の量を基 準とし、かつ遊離の炭素、鉄及びアルファ炭化ケイ素ならびに該粉末中の出発ベ ータ炭化ケイ素の量を考慮に入れて、この反応の収率は17.4%であると算定 された。該生成物のX線回折研究によりダイヤモンドと、形成中の該ダイヤモン ド粒子内に同伴されろことのある若干の黒鉛との存在が示された。これらのダイ ヤモンド粒子は、恐らくはこの黒鉛に起因して黒色である。261 g of this material was mixed with 5 parts by weight of iron powder. This item is made of stainless steel. In the retort, use a porous graphite device to pass the four through the retort. It was heated while flowing fluorocarbon. The experiment was continued for 18 hours at 100,000 Ta. The weight of the product powder was 173g. By spectroscopic analysis, by weight, 5 % iron, 1% fluorine tile [350 parts silicon per million parts] Shown. The obtained product is subjected to leaching and gravimetric beneficiation to make the product diamond. isolated as a powder. 56 carats from 150g of reacted powder (1 carat is 0 .. A carbo yield equal to 2 g was determined. Based on the amount of beta silicon carbide in the powder. free carbon, iron and alpha silicon carbide as well as the starting base in the powder. Taking into account the amount of silicon carbide, the yield of this reaction was calculated to be 17.4%. It was done. X-ray diffraction studies of the product reveal diamonds and the forming diamonds. The presence of some graphite, which may be entrained within the particles, was shown. These dies Yamond particles are black, probably due to this graphite.

ダイヤモンド粒子の予想外の形態が注目された。出発炭化ケイ素の形態と比較し た場合に、該ダイヤモンドの形態は実質的に該炭化ケイ素の形態であると思われ た。すなわちこれらダイヤモンド粒子は、出発5iO8特表昭59−50101 3 (4) 物質中に正確な対応を有したのである。このように、最初の出発物質中に少量の 炭化ケイ素の釧秋物が存在する場合には、ダイヤモンド粒子の一部も才だ針状形 状である。粗面円筒のような、他の形状の炭化ケイ素粒子は、得られるダイヤモ ンド粉末中において粗面の円筒状物となる。更にそのほか比較的に中空炭化ケイ 素粒子であると思われろものは、同様に中空ダイヤモンド粒子となる。したがっ て研究の結果、所望の形態のダイヤモンド粒子は出発物質の、すなわちこの場合 において炭化ケイ素の形態を選択することによって生成することができろという ことがわかった。個々のダイヤモンド結晶は直径75ミクロンまでの大きさを有 して製造され、かつ直径600ミクロン捷での多結晶ダイヤモンド集塊及び/又 は多孔形状物が生成された。The unexpected morphology of the diamond particles was noted. Compared to the starting silicon carbide morphology In such cases, the morphology of the diamond appears to be substantially that of the silicon carbide. Ta. In other words, these diamond particles are based on the starting 5iO8 Special Publication No. 59-50101. 3 (4) It had a precise correspondence in matter. In this way, a small amount of If silicon carbide grains are present, some of the diamond particles also have a needle-like shape. It is in a state of Other shapes of silicon carbide particles, such as roughened cylinders, can be It becomes a cylindrical object with a rough surface in the powder. In addition, relatively hollow silicon carbide What appears to be an elementary particle similarly becomes a hollow diamond particle. Therefore As a result of research, the desired morphology of diamond particles was obtained from the starting material, i.e. It is said that it can be produced by selecting the form of silicon carbide in I understand. Individual diamond crystals can have sizes up to 75 microns in diameter. Polycrystalline diamond agglomerates and/or A porous shape was generated.

そのほか直径70から700ミクロンまで、及び長さろOOから60Dミクロン 寸での棒状物、ならびに幅1ミクロン長さ30ミクロンのウィスカ及び幅10ミ クロン長さ750ミクロンの針状物が生成された。走査電子顕微鏡を使用して観 察されたこれらの寸法は例示として示したものであって本方法を限定するもので はない。In addition, the diameter is from 70 to 700 microns, and the length is from OO to 60D microns. rods with a width of 1 micron and a whisker of 30 microns in length and a whisker with a width of 10 microns. Needles with a length of 750 microns were produced. Viewed using a scanning electron microscope These estimated dimensions are given by way of example only and are not intended to limit the method. There isn't.

この研究は、もし種々の形状の炭化ケイ素を製造することが可能であるならば種 々の形状のダイヤモンド形状が可能であり、かつ恐らくは無制限であることを証 明した。すなわち、もみがらから得られるもののような炭化ケイ素の形状の混合 物ではなく、より一層均−な形状の場合は、もし出発炭化ケイ素の大部分が特有 の形態を有するならば該特有の形状のダイヤモンドを高濃度において生成するで あろう。This research shows that if it is possible to produce silicon carbide in various shapes, Proof that various shapes of diamond shapes are possible and perhaps unlimited. I made it clear. i.e. a mixture of silicon carbide shapes such as those obtained from rice husk If the starting silicon carbide is mostly unique, If the diamond has a specific shape, it is possible to produce diamonds with a high concentration Probably.

したがってダイヤモンド針状物は針状炭化ケイ素から製造することができ、この ものは従来炭化ケイ素が使用されていた態様と同様の態様において種々の組成物 の強化に使用することができる。更に、多孔質SiCから得ることのできる非常 に多孔性のダイヤモンド構造は研削砥石などのための任意の地に対して、より一 層完全に結合できろ。非常に粗面のダイヤモンド粒子は研削技術に使用すること ができ、非常に小さなダイヤモンド粒子は研摩用に使用することができろ。した がって、このことにより比較的に低温でしかも常圧において、種々の大きさ及び 形状のダイヤモンド粒子の形成が可能となるのである。Therefore, diamond needles can be made from acicular silicon carbide, and this Various compositions can be used in a manner similar to that in which silicon carbide has traditionally been used. It can be used to strengthen. Furthermore, the extremely high The porous diamond structure makes it more suitable for grinding wheels etc. The layers can be completely combined. Very rough diamond particles may be used in grinding techniques Very small diamond particles can be used for polishing. did Therefore, this allows the formation of various sizes and shapes at relatively low temperatures and normal pressures. This makes it possible to form shaped diamond particles.

殆んどすべての有機物質がアルゴンのような不活性雰囲気下に加熱1〜で炭素残 留物を生成することができる。該有機物質の形状がその11残ろ場合が多いので 該炭化粒子の形状な整形することができる。充実した、又は中空の出発物質を使 用することができる。この本体な炭化前又は炭化後にシリカケゞル、エテルソリ ケート、ケイ酸、メチルトリクロロシラン(MTS )液、ケイ酸す) IJウ ム、又はその他の7リカ含有物質もしくはケイ素含有物質に浸漬することができ 、次いで該本体を炭素本体と反応させて炭化ケイ素を生成することができろ。M TS液な使用する場合lLは該MTS液は空気中の水分と速やかに反応してケイ 素を含有する膜又は殻を形成する。Almost all organic materials can be heated to 1 to 50% carbon residue under an inert atmosphere such as argon. can produce distillates. Because the shape of the organic substance is often the same as that 11, The shape of the carbonized particles can be adjusted. Using solid or hollow starting materials can be used. Before or after carbonization, silica gel and ether sol silicic acid, methyltrichlorosilane (MTS) liquid, silicic acid) IJ u or other 7-liquid or silicon-containing substances. , the body could then be reacted with a carbon body to produce silicon carbide. M When using TS liquid, the MTS liquid quickly reacts with moisture in the air and creates silica. Forms a film or shell containing elements.

若干の天然産の花粉は非常にざらざらした外形を有する。これらの代表的なもの はプタクザ、ヒマワリ、タンポポ、キンセン力などの花粉である。これらの多数 のものか、ミノガン州、アンアーバー市、アンアーバー サイエンス(Ann  Arbor 5Cjence )出版社発行、「ず パーティクル アトラス( The Particle At1as)第2版(1980)に説明されている 。上記に引用したゴニ程により炭化ケイ素に転化させた場合には、得られた炭化 ケイ素を、同様にざらざらした外形を有するダイヤモンド粒子に転化させること ができろ。Some naturally occurring pollen has a very rough appearance. Typical of these is the pollen of plants such as daisy, sunflower, dandelion, and calendula. a large number of these Ann Arbor Science (Ann Arbor, Ann Arbor, Minnesota) Published by Arbor 5Cjence), “Z Particle Atlas ( The Particle At1as) 2nd edition (1980) . When converted to silicon carbide by the Goni process cited above, the resulting carbonized Converting silicon into diamond particles that also have a rough outline Be able to do it.

そのほか、炭化してSiOに転化させ、次いで出発物質に類似の形態を有する対 応するダイヤモンド粒子に転化させろことのできろその他の形状を有する天然産 の有機炭素質粒子がある。このような粒子の代表的なものは、地物質中において 結合作用をする、不ぞろいな表面を有するヤナギ、イボタノキなどの花粉である 。In addition, carbonization to convert to SiO, and then a compound having a similar morphology to the starting material. Naturally occurring diamond particles with other shapes that can be converted into corresponding diamond particles. There are organic carbonaceous particles. Typical of such particles are Pollen from willow, privet, etc., which has an uneven surface that acts as a binder. .

その他の、トウモロコシの穂の毛及びトウワタ繊維のようなものは極度に伸長、 すなわち針状にされる。同様に使用することのできろものとしてはオナモミ、ア メリカスズカケツキの実、クリの実などのような、より大きな寸法の目的物かあ る。Others, such as corn ear hair and milkweed fibers, are extremely elongated; That is, it is made into a needle shape. Things that can be used in the same way are Onamomi and Ama. Is it an object of larger size, such as suzukaketsuki nuts, chestnut nuts, etc.? Ru.

同様に、主成分としてケイ素又はシリカ(5i02)を含有する天然産の物質が ある。これらは成る種の形態の炭素と混合し、次いで少くとも部分的にSiCに 転化することができろ。このような物質の代表的なものは数種の形態におけるケ イソウ土、放散虫(ケイ素質ガイ骨)及び滴虫土(1nfusorial ea rth )である。例えばケイソウ土及び石油コークスからの炭化ケイ素の製造 について、ケミカル アブストラクト、第28948r、80、第120ページ 、1974年、に記載されている。Similarly, naturally occurring substances containing silicon or silica (5i02) as a main component be. These are mixed with carbon in the form of seeds and then at least partially converted into SiC. Be able to transform. Typical such substances are kegs in several forms. Infusorial soil, Radiolarian soil (siliceous skeleton) and Infusorial soil (1nfusorial earth) rth). Production of silicon carbide from e.g. diatomaceous earth and petroleum coke About, Chemical Abstracts, No. 28948r, 80, No. 120 , 1974.

アルファ相炭化ケイ素を生成することになる物質でさえも使用することができろ 。アルファ炭化ケイ素は約25DO’Cにおいて約3 Mpa (4ろ5 ps i )の窒素雰囲気下に加熱することによりベータ相に転化できろということが 知られている( communications of theAm、 Oer 、 sac、、c−177,1981年参照)。このベータ炭化ケイ素の製造工 程はダイヤモンド粒子の形成を促進する。なぜなら、上述したようにベータ炭化 ケイ素はより容易に反応してダイヤモンドな形成するからである。Even materials that would produce alpha-phase silicon carbide could be used. . Alpha silicon carbide has a pressure of about 3 Mpa (4 to 5 ps) at about 25 DO'C. i) that it can be converted to the beta phase by heating in a nitrogen atmosphere. known (communications of the Am, Oer , sac, c-177, 1981). This beta silicon carbide manufacturing process The process promotes the formation of diamond particles. Because, as mentioned above, beta carbonization This is because silicon reacts more easily to form diamond.

本発明は天然産物質から製造されろ炭化ケイ素の使用に限定されろものではない 。必要なSl及びC成分の押出し、プレス加工及び成形などにより特定の形状を 構成させることができる。次いで転化させて所望の形状を有するSi、Cを生成 させ、次いでこれを、同一形状を有するダイヤモンドに転化させろことができろ 。The invention is not limited to the use of silicon carbide made from naturally occurring materials. . A specific shape is created by extrusion, press processing, molding, etc. of the necessary Sl and C components. can be configured. Then, it is converted to produce Si and C with the desired shape. and then convert it into a diamond with the same shape. .

成る場合においては、炭素のダイヤモンド形態への転化前において全体を炭化ケ イ素に転化させろ必要のないことがある。メチルトリクロロシラン(MTS )  H1000’C以上においてベータ炭化ケイ素に分解するので、化学蒸着法に より、流動床中の殆んどすべての成形粒子(マンドレル〕上に少くともベータ炭 化ケイ素のコーティングな生成させることができろ。次いで例えば四フッ化炭素 反応な利用して、その形状のダイヤモンドを生成させることができる。この方法 は、完全な炭化ケイ素複分解反応法な使用してできることのある寸法よりも、よ り大きな寸法のダイヤモンド粒子の製造な可能にする。In some cases, the entire carbonized casing is There are times when it is not necessary to convert it into ion. Methyltrichlorosilane (MTS) It decomposes into beta silicon carbide at temperatures above H1000'C, so it is not suitable for chemical vapor deposition. As a result, almost all shaped particles (mandrels) in the fluidized bed have at least beta charcoal. It is possible to produce a coating of silicon oxide. Then e.g. carbon tetrafluoride A diamond of that shape can be produced using a reaction. this method The size is much better than that which can be achieved using a complete silicon carbide metathesis reaction method. This makes it possible to produce diamond particles with larger dimensions.

」二記方法を使用して2〜ろミクロンから数百ミクロン1での大きさのダイヤモ ンド粒子を製造することができろ。出発物質、すなわち炭化ケイ素が広範囲の粒 度及び形状を有する場合は、生成物はこれと同様な広範囲の粒度及び形状を有す るダイヤモンド粒子を含有する。特定の大きさ及び/又は形状のダイヤモンド粒 子が好捷しい場合には、ダイヤモンドの生成後に分粒及び形状選別の工程を加え て、これらの特定の大きさ及び/又は形状を分離して取り出すことができる。あ るいはその代りに分粒及び形状の選択を最初の炭化ケイ素に対して行うことがで きる。この方法においては、望ましい大きさ及び形状のもののみを存在させて転 化5用のガス店反応させる点において該方法をより一層効率的にする。′bずれ の場合にお゛いても、反応生成物のダイヤモンV部分のみを保持するために浸出 及び密度分離工程を必要とすることがある。” Using the method described above, diamonds ranging in size from 2 to 100 microns to 1 be able to produce powder particles. The starting material, i.e. silicon carbide, has a wide range of grains. product has a similar wide range of particle sizes and shapes. Contains diamond particles. Diamond grains of specific size and/or shape If the diamond is favorable, a process of sizing and shape selection is added after the diamond is formed. These specific sizes and/or shapes can be separated and extracted. a Alternatively, sizing and shape selection can be performed on the initial silicon carbide. Wear. In this method, only objects of desired size and shape are present and transferred. This makes the process even more efficient in terms of reacting gas stores. 'b shift In this case, leaching is performed to retain only the diamond V part of the reaction product. and density separation steps may be required.

上記に引用した特許第AJ228.142号明細書においては反応ガスとしてフ ルオロカーボンを、更に詳しくは四フッ化炭化水素を使用しているけれど、本発 明を実施するに当っては他のガスも有用であると思われろ。例えばフッ素原子の 少くとも一部を他の・・ロケ8ン原子により置換して炭化ケイ素のダイヤモンド への転化を行うことができろ場合がある。このように本発明に使用するのに数種 の/・ロカーボンが好適である場合がある。これらハロカーボンは炭素とフッ素 、塩素、臭素、ヨウ素及び/又は水素との多数の組合せを包含する。このような 気体の数種の組合せは四フッ化炭素よりも、より低い費用において、より一層容 易に入手することができろ。本方法に使用されろ/・ロカーボンはその分解が、 炭化ケイ素と反応してダイヤモンド形態を生ずるノ・ロカーボン相を生じない限 り、炭化ケイ素をダイヤモンドに転化するのに使用する温度1での温度において 分解すべきてない。有効な気体ノ・ロカーボ゛ンが反応温度において生ずる場合 には、例えはテフryンのような成る種の形態の固体ノ・ロカーボンもまた使用 することができろ。In the above-cited patent specification AJ228.142, fluorine is used as a reactive gas. Although fluorocarbons, more specifically tetrafluorocarbons, are used, Other gases may also be useful in carrying out the process. For example, the fluorine atom diamond of silicon carbide by replacing at least a portion with other atoms In some cases, it may be possible to convert to In this way, several types can be used in the present invention. /・rocarbons may be suitable. These halocarbons are carbon and fluorine , chlorine, bromine, iodine and/or hydrogen. like this Several combinations of gases offer greater capacity than carbon tetrafluoride at lower cost. be able to obtain it easily. The decomposition of the carbon used in this method is As long as it does not produce a carbon phase that reacts with silicon carbide to produce a diamond morphology. at the temperature 1 used to convert silicon carbide to diamond. It should not be disassembled. When effective gaseous carbon is produced at the reaction temperature For example, solid carbons in the form of seeds such as Tefrine are also used. Be able to do it.

上記から当業者は、広範囲の大きさ及び形状σつタゞイヤモンド粒子を生成させ る(ことができるということを理解するであろう。個りの形状は、ダイヤモンド への複分解転化に供される炭化ケイ素本体の形状によって支配されろ。したがっ て特定形状のダイヤモンド粒子は、その特定形状の炭化ケイ素粒子を意図して形 成することによって生成されろ。ダイヤモンl−″′は、炭化ケイ素粒子を約1 000°Cにおいてハロカーボン雰囲気に供することによって生成される。所望 により、適当な希釈ガス(ヘリウム、アルゴン、窒素、水素など)ならびに成る 形態の過剰炭素のような不活性充てん剤物質を使用することができろ。したがっ て、生成されろダイヤモンド粒子はそれらの大きさ及び形状ならびにこれらの形 状の外面によって有用である。それらダイヤモンド粒子は整形して、強化、研削 、研摩などの技術分野において望ましい成績を特に達成することができろ。From the above, one skilled in the art can produce diamond particles with a wide range of sizes and shapes. (You will understand that it is possible to is governed by the shape of the silicon carbide body subjected to the metathesis conversion to . Therefore Diamond particles with a specific shape are intentionally shaped to be silicon carbide particles with a specific shape. Be generated by becoming. Diamond l-″′ contains approximately 1 silicon carbide particle. It is produced by subjecting it to a halocarbon atmosphere at 000°C. desired A suitable diluent gas (helium, argon, nitrogen, hydrogen, etc.) and An inert filler material such as excess carbon in the form of carbon can be used. Therefore The diamond particles produced vary in their size and shape as well as in these shapes. Useful due to its shaped exterior. Those diamond particles are shaped, strengthened and ground , be able to achieve particularly desirable results in technical fields such as polishing.

本発明を実証するに当って採用された上述の条件が必ずしも最も効率的ではない ということもまた当業者により認識されろであろう。列えは転倒及びその他の混 合が生ずる回転炉におけろ転化は、ハロカーボンと炭化ケイ素との間の増大され た接触を生じさせる。このことにより、減少された反応時間疋おげろ高収率が得 られろ。寸た流動反応器を使用することもできろ。The above conditions employed in demonstrating the invention are not necessarily the most efficient. This will also be recognized by those skilled in the art. Lines are subject to falls and other confusion. In the rotary furnace, where the coalescence occurs, the conversion between halocarbon and silicon carbide is increased. causing contact. This results in reduced reaction times and higher yields. Let it go. A small flow reactor could also be used.

更(で、反応は発熱的であるので、被処理物質及0・/又は炉内におけろ激しい 温度、急上昇に対才ろ用心が望外しい場合がある。そのほか、一連の環境を通し て物質を移動させ、連続法において炭化ケイ素の転化と最終的なダイヤモンドの 生成とを遂行することができろということが認識されるであろう。このようにし て、選択された大きさ及び形状のダイヤモンド生成物の自動生産のための処理装 置に成分を供給することかてきる。Furthermore, since the reaction is exothermic, there may be a violent reaction in the material to be treated and/or in the furnace. There are times when it is undesirable to be cautious and cautious when the temperature rises rapidly. In addition, through a series of environments transfer the material, converting silicon carbide and forming the final diamond in a continuous process. It will be recognized that one should be able to carry out generation. Do it like this processing equipment for automatic production of diamond products of selected size and shape. It is also possible to supply the ingredients to the location.

本発明の好ましい実施態様な説明し記載したけれど、それらの種々の変形が当業 者に明らかとなることは勿論理解されろことである。したがって本発明の範囲は 添付の請求の範囲及びその等個物によってのみ限定されるべきである。Although the preferred embodiments of the invention have been illustrated and described, various modifications thereof will occur to those skilled in the art. Of course, what becomes clear to the person must be understood. Therefore, the scope of the present invention is You are to be limited only by the scope of the appended claims and their particular subject matter.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 選択された大きさ及び形状を有する炭化ケイ素粒子をハロカーボン がスの 存在下に約800°Gから約1600°C以下までの温度において複分解反応処 理することな特徴とする選択された大きさ及び形状を有する工業用ダイヤセフ2 粒子を製造する方法。 2 前記炭化ケイ素粒子が主としてベータ炭化ケイ素であり、しかも前記ハロカ ーざン ガスが四フッ化炭素である請求の範囲第1項記載の方法。 6、 前記炭化ケイ素がアルファ炭化ケイ素とベータ炭化ケイ素との混合物であ り、しかも前記複分解反応に先立って前記アルファ炭化ケイ素を約1から約ろM Paまでの窒素雰囲気下に約1800°Cから約2501]’Ctでの温度にお いて加熱することにより前記アルファ炭化ケイ素を一層多量のベータ炭化ケイ素 に転化させろことを特徴とする請求の範囲第1項記載の方法。 4 前記選択された大きさ及び形状な有する炭素化粒子を生成する条件下に有機 物質を加熱し、次いでケイ素含有物質の存在下に前記炭素化粒子の少くとも一部 を前記炭化ケイ素粒子に転化させろことにより前記炭化ケイ素粒子な生成させる 請求の範囲第1項記載の方法。 5 前記選択された大きさ及び形状を有するケイ素含有粒子を、炭素含有物質の 存在下において、前記炭化ケイ素粒子な生成するのに十分な条件下に加熱するこ とにより、前記炭化ケイ素粒子を生成させろ請求の範囲第1項記載の方法。 6 心金上に炭化ケイ素な蒸着させろことにより前7 前記複分解反応に先立っ て前記心金を取り除くことを特徴とする請求の範囲第6項記載の方法。 8 前記心金が炭素であり、しかも前記炭素を酸化することによって前記心金を 取り除く請求の範囲第7項記載の方法。 9 炭素質物質とケイ素含有物質とを混合し、前記選択された大きさと形状とな 有する粒子を°形成させ、次いで前記炭化ケイ素粒子を生成させるのに十分な条 件下に前記粒子中の前炭素質物質と、前記ケイ素含有物質とを反応させろことに より前記炭化ケイ素粒子を生成させる請求の範囲第1項記載の方法。 10 前記有機物質が、もみがらである請求の範囲第4項記載の方法。 11 前記炭化工程と前記転化工程とが同時である請求の範囲第10項記載の方 法。 12 前記転化工程に先立って前記炭化粒子を前記ケイ素含有物質により処理し て前記炭化ケイ素粒子を生成する請求の範囲第4項記載の方法。 1ろ 前記ハロカーボンが、前記複分解反応温度に相18 当する温度においてのみ分解する請求の範囲第1項記載の方法。 14 前記炭化ケイ素粒子が大きさ及び形状の範囲を有し、しかも前記ダイヤモ ンド粒子を生成する前記複分解反応に先立って前記範囲から前記選択された大き さ及び形状な分離して取り出す請求の範囲第1項記載の方法。 15 前記炭化ケイ素粒子が大きさ及び形状の範囲を有し、しかも前記炭化ケイ 素粒子の前記複分解反応の全生成物から前記ダイヤモンド粒子の前記選択された 大きさ及び形状な分離して取り出す請求の範囲第1項記載の方法。 16 前記複分解反応を約1ooo’cの温度において行う請求の範囲第2項記 載の方法。 17 前記ダイヤモンド粒子が細長くなっており、かつ約1から約10ミクロン までの直径と、約30から約750ミクロンまでの長さとを有する請求の範囲第 1項記載の方法。 18、前記ダイヤモンド粒子が約1から約600ミクロンまでの選択された大き さ及び形状を有し、かつ極めて粗い表面な有する請求の範囲第1項記載の方法。 19 前記選択されたダイヤモンド粒子が実質的に、約70から200ミクロン までの直径及び約ろOOから600ミクロンまでの長さを有する棒状物であり、 しかもこの場合前記棒状物が高度に多孔性である請求°°詩表昭59−5010 13 (2)の範囲第1項記載の方法。 20 前記諸工程を実質的に連続的に行う請求の範囲第1項、第4項又は第9項 記載の方法。 21 前記複分解反応を回転炉において行う請求の範囲第1項記載の方法。 22 前記ダイヤモンド粒子を約160.OoCを超えない温度に保つように、 前記炉を操作することを更に包含ずろ請求の範囲第21項記載の方法。 2ろ 約70から200ミクロン寸での直径及び約300から600ミクロンま での長さを実質的に有する炭化ケイ素棒状物を使用し、請求の範囲第1項記載の 方法により製造する、約70から200ミクロン1での直径及び約30口から6 00ミクロンまでの長さを有するダイヤモンド棒状物。 24 前記炭化ケイ素粒子が多孔性である請求の範囲第1項記載の方法により製 造する多孔性ダイヤモンド粒子。 25、請求の範囲第10項又は第11項記載の方法により製造するダイヤモンド 粒子。 26 前記炭化ケイ素が繊維である請求の範囲第1項記載の方法により製造する ダイヤモンド繊維。[Claims] 1 Silicon carbide particles with selected size and shape are coated with halocarbon. Metathesis reaction treatment at temperatures from about 800°G to below about 1600°C in the presence of Industrial Diameter 2 with selected size and shape features that make it easy to manage Method of manufacturing particles. 2 The silicon carbide particles are mainly beta silicon carbide, and the halocarbon particles are 2. The method according to claim 1, wherein the -zan gas is carbon tetrafluoride. 6. The silicon carbide is a mixture of alpha silicon carbide and beta silicon carbide. and prior to the metathesis reaction, the alpha silicon carbide is added to a concentration of about 1 to about M. Temperatures from about 1800°C to about 2501]’Ct under nitrogen atmosphere up to Pa By heating the alpha silicon carbide to a larger amount of beta silicon carbide. A method according to claim 1, characterized in that the method is converted into 4. Under conditions that produce carbonized particles having the selected size and shape, heating a substance and then adding at least a portion of said carbonized particles in the presence of a silicon-containing substance; to form the silicon carbide particles. The method according to claim 1. 5. The silicon-containing particles having the selected size and shape are added to a carbon-containing material. heating under conditions sufficient to form the silicon carbide particles in the presence of The method according to claim 1, wherein the silicon carbide particles are produced by: 6. By depositing silicon carbide on the mandrel, 7. Prior to the double decomposition reaction. 7. A method as claimed in claim 6, characterized in that said mandrel is removed by 8. The mandrel is carbon, and the mandrel is made of carbon by oxidizing the carbon. 8. The method of claim 7 for removing. 9. Mix the carbonaceous material and the silicon-containing material to form the selected size and shape. and then applying conditions sufficient to form the silicon carbide particles. Under the conditions, the pre-carbonaceous material in the particles is allowed to react with the silicon-containing material. 2. The method according to claim 1, wherein the silicon carbide particles are produced from the silicon carbide particles. 10. The method according to claim 4, wherein the organic substance is rice husk. 11. The method according to claim 10, wherein the carbonization step and the conversion step are performed at the same time. Law. 12. Prior to the conversion step, the carbonized particles are treated with the silicon-containing substance. 5. The method of claim 4, wherein the silicon carbide particles are produced by: 1) The halocarbon has a phase 18 at the double decomposition reaction temperature. 2. A method according to claim 1, wherein the method decomposes only at the relevant temperature. 14 The silicon carbide particles have a range of sizes and shapes, and the silicon carbide particles have a range of sizes and shapes, and said selected size from said range prior to said metathesis reaction to produce 2. The method according to claim 1, wherein the size and shape are separated and taken out. 15 The silicon carbide particles have a range of sizes and shapes, and said selected of said diamond particles from all products of said metathesis reaction of elementary particles. The method according to claim 1, wherein the method is separated in size and shape and taken out. 16. Claim 2, wherein the metathesis reaction is carried out at a temperature of about 1 ooo'c. How to put it on. 17. The diamond particles are elongated and have a diameter of about 1 to about 10 microns. a diameter of from about 30 to about 750 microns and a length from about 30 to about 750 microns. The method described in Section 1. 18. The diamond particles have a selected size from about 1 to about 600 microns. 2. A method according to claim 1, having a very rough surface. 19. The selected diamond particles are substantially between about 70 and 200 microns. a rod-shaped object having a diameter of up to and a length of about OO to 600 microns; Moreover, in this case, the rod-shaped object is highly porous. 13. The method described in item 1 of scope (2). 20 Claims 1, 4, or 9 in which the steps are performed substantially continuously Method described. 21. The method according to claim 1, wherein the double decomposition reaction is carried out in a rotary furnace. 22 The diamond particles are approximately 160. To keep the temperature below OoC, 22. The method of claim 21 further comprising operating said furnace. 2 diameters from about 70 to 200 microns and from about 300 to 600 microns using a silicon carbide rod having a length substantially of diameter of about 70 to 200 microns 1 and about 30 to 6 Diamond rods with lengths up to 0.00 microns. 24. Produced by the method according to claim 1, wherein the silicon carbide particles are porous. porous diamond particles. 25. Diamond produced by the method according to claim 10 or 11. particle. 26 Produced by the method according to claim 1, wherein the silicon carbide is a fiber. diamond fiber.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2709194A1 (en) * 1977-03-03 1978-09-07 Rolf Meyer Fixture for mounting squeegee in holder - determines width of squeegee due to projection from holder

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2709194A1 (en) * 1977-03-03 1978-09-07 Rolf Meyer Fixture for mounting squeegee in holder - determines width of squeegee due to projection from holder

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