JPS5948888A - 磁気バブル記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、非注入モチーフを備えた磁気バブル記憶装置
および磁気バブル複製方法に関するものである。

本発明は、とくに、バブルと呼はれる絶縁された磁区の
形で具体化される２進情報またはビットの記１．憾に応
用する。これらの！’７ｉｉ筒状の線区はこれらの（Ｂ
’を区が形成される胎をｔ＋’＋７成するる、ソ気栂旧
（ガーネット）の残部の磁化に対して逆の値化を翁する
。この記憶装置において、磁気バブルのｒＭ　Ｓｊ：↓
（ｄｕｐｌｉｃａｔｉｏｎ）はビット・パイ・ビット複
製によってかまたはビットブロック慎幻ニよって実施す
ることができる。

非磁性（ａｍａｇｍｅｔｉｃ）単結晶ガーネットによっ
て支持される、磁性カーネットフィルムのごとき、単結
晶磁性層において、磁気バブルまたはドメインは磁性層
の平面に対して垂直の通続磁界Ｈｐの印加によって安定
である。実１（ａにおいて、この磁性Ｊ・ルは永久磁石
によって作られ、がくして記憶装置内に含まれるｆ＋７
報の不揮発性を４＠実にする。

４ツノ気バブル記憶装置において、バブルの移動は磁性
層の表面に対して平行な方向に連続回転磁界ＨＴを印加
することにより引き起される。ノくプルは磁性１曽の上
方部において画成されるいわゆる伝播モチーフのまわり
に移動される。

これらのモチーフは円盤、菱形、三角形、Ｔ形等の形状
でありかつ鉄およびニッケルベースの材料から製造され
ることが、できるか、またはこれらのモチーフの形状を
画成せしめることができるマスクを横切って、磁性層の
上方部分にイオンを注入することによって得られること
ができる。イオン注入がモチーフのまわりにのみ生ずる
という事実に鑑みて、この場合においては、これらのモ
チーフが非注入または注入されないモチーフと呼ばれる
。それらの形状の結果として、２つの隣接するモチーフ
はそれらの間に２つの空所または中空部を画成する。

これらのモチーフに沿うバブルの移動は一般に平面磁界
ＨＴの回転周期の１／３に等しい時間だけ生じ、バブル
は周期の残部の間中２つの隣接するモチーフ間に画成さ
れた空所内で静止している。

この方法において、シフトレジスタがイ；Ｉられ、該シ
フトレジスタにおいては２　′：Ｊｆｌｊ　情報１かノ
（７”　）Ｉしく７）存在によってかつ２進情郭０がバ
ブルの小イｒ在によって表わされる。

加えて、これらの伝播モチーフに（ユバプル記“１，０
゜装置において書込み、情報記録、非破功読出し、レジ
スターレジスタ転送および消去作用を行うため電導体を
使用すること左要する。

公知の磁気バブル記憶装置の主たる型の１つは記憶装置
へのアクセスステーションを〕シ成スるηまたは２つの
いわゆるメジャーループまたはレジスタと連係すｚ・、
情報記憶に使用されるいわゆるマイナーループまたはレ
ジスタからなるシステムからなっている。マイナールー
プは長手方向に並置されかつメジャーループはマイナー
ループに対して垂直に方向付けされる。マイナーループ
中の磁気バブル゛はメジャーループにかつその逆に、一
方向または双方向トランスファゲートを介して、転送さ
れることができる。

メジャーループが１本のみ使用されるとき、１’＋’ｒ
報読出しおよび■）込みはこの１本のループによって生
ずる。第１の場合にはメジャー−マイナー機構を有する
記憶装置互を参照することができる。逆に、２本のメジ
ャーループが使用されるとき、情報の書込みはこれら２
つのループの一方を介してかつ情報の読出しは他方のル
ープを介して生ずる。

これらのメジャーループは一般にマイナーループの両側
に配置される。この２つのループの場合においては、直
列−並列’ｔｌ　Ｊ？’ンを有する記憶装置を一般に参
照することができる。

上記バブル記１．は装置において、情報の書込みに対応
するメジャーループ上のバブルの発生はメジャーループ
を（１４成する伝播モチーフを横切る略Ｕ形状の導体に
高電流を印加することにより引き起される。該形成（ｎ
ｕｃｌｅ、ａｔｉｏｎ）として一般に知られるこの作動
は、バブルが２つの隣接するモチーフ間に固成される空
所内にあるとき、行なわれる。

該形成に続いて、バブルは、該バブルをメジャーループ
からマイナーループへ転送するために、トランスファゲ
ートに向かうメジャーループ上Ｇこ、回転磁界ＨＴを印
加することにより伝ｉ！！：される。

ごれらのトランスファゲートはマイナーループを形成す
るモチーフを横切るＵ形状の導体によって一般に形成さ
れる。この６体への１：６流ノぐルスの印加は伝播モチ
ーフの頂部とメジャーループおよびマイナーループに対
応するそれらとの１ｉｉＪ　Ｉ＝こ各ノくプルを延長で
きるようにせしめかつ次いで電流の停止はマイナールー
プ上のバブルの収６．ｉを引き起す。

次いで転送が行なわれ、その結果１ｉｉ報はマイナール
ープ上に記憶される。

この情報の読出しは磁気バブルをマイナーループからメ
ジャーループへ転送することによって生じる。転送は前
述された方法にコ、５いて生ずる。

非破坊方法において情報を１１．じみ出すために、対応
バブルが複製されなければならない。バブル・パイ・バ
ブル該形成の場合において、＋３ｉＪ記個製は、前記バ
ブルの２分割が続く伝播路のｕｉｉｉ側上のバブルの伸
張に導く、電流パルスが印加されるメジャーループを貫
通する導体によって実力（ルされる。検出路に転送され
たこれらのバブルの１つは、一般に鉄およびニッケルに
基礎を）ｈいた磁気抵抗検出器によってＷｍ的に検出さ
れることができ、一方他のバブルは最初のバブルによっ
て占められる位置においてマイナーループに再注入され
る。

この原理で作動するバブル記憶装置は１９７９年１２月
６日に出願されかつ「リプリケート・ボートをｉＪｉ＆
えたイオン注入バブル記憶装置」と題するアメリカ的′
咋身４４，２５３，１５９号に６己載されている。この
特許においては、１導本のメジャーループと非注入伝播
モチーフが使用されている。

それらの伝播モチーフとして非注入モチーフをイ〕”し
かつＵσ述された型の＜ｌｊ’ｆＡＬおよび作動（上記
アメリカ符１１１；参照）を有する磁気バブル記憶装置
は単にビット・パイ・ビット復製に苅Ｊノロするバブル
の複製を’ｋＭせしめることができる。これらの記’ｊ
、ｍ　ｂ　誼はビットブロックまたはグループの複製を
実施せしめることができない。

本発明の目的はこの欠点を除去することを可能ならしめ
る非注入モチーフをモ１′「えた磁気バブル記憶装置に
ある。

詳言すれば、本’ｔ６明は、千■Ｊの容易な磁化１柘で
ある特性を有する少なくとも１つの結晶学的１１ｉ１ｉ
１　Ｍ、！を持つ単結晶磁気材料からなる第１層を治し
、それにより前記第１１けは′ｒ４′５１磁気ｊ・ｉｌ
の下に位１η１□５される第２磁気Ｊ・訓へのバブルの
伝Ｊｉｂを計容する第１モチーフと呼ばれる非注入で相
接しかつ整列されたモチーフ群を有し、前記第１モチー
フは２つの空所が２つの隣接する第１モチーフ向に画成
されるように形成され、第１モチーフの各群は該？ｊ１
．の第１モチーフが前記１ｌｊｌＩ線に対して対称的に
配置されるようなｌｌｌ１ｉｉ＆Ｉを有し、前記群はＩ
ｊｌＪ記第１１・、・ｆの材料の結晶学的軸線に対して
平行に配置ＩＪされ、そして前記各群と連係して、バブ
ルの再生をｉｆｆ’ｌ’容する第１導体と呼ばれる電導
体を含み、各′１：Ｌ、＃；体はＤｉｆ記第１層の材料
の結晶学的軸線に対してＪｋ直に配置ａされ、前記ｔ（
５１モチーフの対応する２ｊ１”が’６υ記′１１ＪＪ
導体によって横切られる磁気バブル記憶装置に閃する。

好しくは、第１モチーフは同一の）［５状および寸法を
有する。

１つの軸線にオ・１して対称的にかつこれらのモチーフ
を含んでいる材料屑の結晶学的軸線の１つに対して平行
に配置される非注入伝播モチーフの使用は、前記モチー
フの両側上にかつ厳密に同等である２つの伝播路を得る
ことを可能ならしめる。

とくに、これらの２つの伝播路は、バブルの伝播に関連
して、同一磁気特性および等電位トフ７を有する。

さらに、非注入モチーフと複製のために用いられる導体
との相対的位置は磁気バブルの容易な複製を許容する。

好しくけ、各第１電導体は対称軸線を有しかつ該対称軸
が関連の群の瞬接する２つの前記第１モチーフによって
画成された２つの空所を通りかつ該空所の最深領域と同
一高さであるように配置される。

本発明によるバブル記憶装置の好適な実施例によれば、
関連の第１電導体が配置される点に位置される同一群の
隣接する２つの第１モチーフが各場合に注入領域を有し
、前記領域はＥｑ゛ｓ　Ｉ　ＮＩ付の対称軸線に対して
対称にかつ前記λ１３１モチーフ１１１の軸線に対して
対称的に位置決めされる。

複製の１１）」中、このような注入領Ｊ戊の使用はバブ
ルの通過（モチーフ群の両側上の伸張、なら０・にＩＪ
ｂ　記バブルの２分：Ｉ：ｌＪ　）を容易にする。

約２μｍの直径を有する磁気バブルの伝（）（ｉおよび
Ｎ製を容易にするために、同一４１１．の２つの隣接す
るモチーフ向に画成される２つの空所の最ｊ、：＃領域
を分離する距１・」１は、好しくは２ないし２０μｍの
間である。

前述のごとき（イ・７造はメジャー−マイナー機構を有
するバブル記憶装置において好都合に使用されることが
できる。

本発明によれば、バブル記ｉＡｉ：　’Ｍｉ　’ｎは、
並１ａシて配ｔｉｌｔされかつ各々２つの端部を有する
バブル記’Ｉｒ、ｊに使用されるマイナーループ、該マ
イナーループに対して垂直に配置行された１ｊｉＩ記マ
イナーループ川アクセスループとして使用される少なく
とも１つのメジャーループ、および該メジャーループを
検出しかつ該メジャーループ上にバブルを発生ずる手段
からなり、前記マイナーループは第２モチーフと呼ばれ
る相接する非注入伝播モチーフによって形成され、前記
メジャーループは第６モチーフと呼ばれる相接する非注
入伝播モチーフによって形成され、前記各マイナールー
プはその一端において２つの別個の並置部分を画成する
ように屈曲されて第１部分はマイナーループへのバブル
の注入のため使用されかつ第２部分は前記マイナールー
プからバブルを抜き出すのに使用され、前記各マイナー
ループは対応マイナーループからメジャーループへのか
つその逆のバブルの転送のため使用される第１モチーフ
群と連係し、該第１モチーフＢｌ：はそれらの端部の一
端に２つの別個の支線を有し、俯１の支線は対応マイナ
ーループへのバブルの注入のために使用されかつ第２の
支線は前記対ＩＥｒマイナーループからのバブルの抜出
しのために使用され、第４モチーフと呼ばれる、相接し
て整列された非注入伝播モチーフによって形成される前
記支線は第１の支線の免（部が刻ＦＣζマイナーループ
の’Ｉｇ　Ｉ　Ｆ（（分の端部に向い合いかつ第２の支
線の端部が対沁マイナールーズの第２　ｒｔｒｔ、分の
端部と向い合うような方法で並ｔ６され、ｉｉｌ記第２
の支線の端部はマイナーループからＩ３：ｊｉ！１！の
モチーフ群へのバブルの転送を確実にするための一方向
トランスファゲートを備えている。

このバブル記憶装置の好適な実施例によれは、互いに向
い合う第１の支線の第４端モチーフおよびマイナールー
ズの第１部分の第２端モチーフは整列され、該整列は第
１磁気層の結晶学的軸線と約６０°の角度を形成する。

バブル記憶装置の他の好適な実施例によれば、第１モチ
ーフ群はそれらの他端においてメジャーループから前記
モチーフ群へのかつその逆のバブルの転送を確実にする
ための双方向トランスファゲートを有する。

直列−並列機構を有するバブル記憶装置の場合において
、バブル検出手段に向い合う第１のメジャーループおよ
びバブルを発生することをｐＪ能ならしめる手段に向い
合う第２のメジャーループの２つのメジャーループから
なりそして第１モチーフ群がそれらの他端と同じレベル
で第１メジヤーループに接合されるようになっており、
ｎ’Ｊ記第１メジャーループは前記第１モチーフ群から
前記メジャーループのバブルの転送を許容する、同一物
を形ｔする＠３の非注入モチーフに形成された開口を有
しそしてマイナーループの他端はこれらのマイナールー
プから第２のメジャーループへのかつその逆のバブルの
転送を許容するトランスファゲートを有する。

本発明はまたバブル記憶装置において磁気バブルを発生
することを回能ならしめる新規な手段に関する。これら
の手段は第５モチーフと呼ばれる相接する非注入伝播モ
チーフ群および第２電導体と呼ばれる電導体からなり、
前記第５モチーフは２つの空所が阿接する２つのモチー
フ間に画成されるような形状を有し、前記モチーフの一
部分は閉止ループを形成するように配置され、その他の
部分は発生されたバブル用の伝播路を構成し、そして前
記電導体は前記第１磁気層の結晶学的ｒｉｔＪｔ制ぎに
対して垂直に配置されたバブルのｒＪ製を、１１：容し
、前記第５モチーフ群は閉止ループの形で前記−１，（
；分と同じレベルで目ＩＪ記第２専体によって横切られ
る。好しくは、これらの第５モチーフ番Ｊ同一のＪｉｆ
状および寸法を有する。

これらの手段は該形成を基礎として作！萌するｊω常の
バブル発生器に代わることを好都合に回能ならしめる。

これらの手段の好適な実施例によれは、≦−′）１磁気
）’Ｄが６個の結晶学的軸線を持ち、閉止ループは前記
磁気層の対称常態６を有する。

これらの手段の他の好適な実施例によれは、第２電導体
は対称軸線を有しかつ該対称！’、ｊ：ｌ線が２つのｖ
４接する第５モチーフによって画成された２つの空所を
該空所の最深領域と１ｊ−ｊｌじレベルで↓゛〔逮Ｉす
るようにｌｌｉ己置装れる。

これらの手段の他の好適な実ｈ′Ｊｊ例によれは、第２
電導体の位置において位桁法めされたドｙ、接する第５
モチーフは各々の烏合に注入領域を有し、該注入領域は
前記第２導体の別称４’！Ｖ　ｆ’＋（に対して対称的
に配置される。

本発明はまた前述された型のバブル記憶装置を使用する
ｒ１８気バブルの複製方法に（カする。

本発明によれば、バブルの復製は各復製導体に７少なく
とも１つの電流パルスをざＣ生し、前記導体と連係する
モチーフィ＃ｉ’の両側上でバブルの伸張を引き起しか
つ次いでこれらのバブルを２つに分割することによって
得られる。

好しくは、むＪ製に使用される電尋体への電流供給は、
第２層の磁気倒斜に対して平行に印加される回転磁界が
１：、ｉｉ記導体と連係するモチーフ群の軸線に対して
平行であるとき、停止される。

本発明による方法は、復製に使用されるＩｆ導体に連続
電流パルスを供給することによって行なわれるビット・
パイ・ビットでのビット複製かまたはビットブロックに
よる復製を行なうのに好都合に使用されることができる
。留意されるべきことは、非注入伝撮モチーフを有する
磁気バブル記憶装置においてビットブロックによる復製
は従来のバブル記憶装置によっては実現されることがで
きない、ということである。

以下に本発明をそれに限定されない実施例に関してかつ
添付は１面をＢ　ＨＨ・：４　してＮ’ｌ’　１１１１
にｊｌ：’ｉ’＋　”）Ｊする。

第１しＪは、並置されかつ仏列される非注入伝ｆ；′ｆ
Ｉモチーフ２を有する、本発明によるバブル記１．ハ装
Ｕ）の一部を示す。これらの伝（’ｉｌｊモチーフ２１
↓ｉＩｔ結晶磁気利別層４内に、マスクを介してのイオ
ン注入によって得られる。例えば方向１１１にエピタキ
シャルされたガーネットからなるＨ別層４　ＧＪ：　％
第１図の頂部に示されるごと＜　、ｌ’ＩＴＪ　”４）
で宕易な６；１化の６個の結晶学的＋ｉｑｌ＋縁１１２
．１２１および２１イを有する。

伝播モチーフ２は、２つの空所６および８が菱形、三角
形、円形、楕円形、多角形等の形にすることができる２
つの隣接するモチーフ２間に画成されるような形状を有
している。第１図において、これらのモチーフは菱形状
に形成される。好しくは、これらの伝ｌ？クモチーフ？
；ｊ：　ｆＤＩ　−ｔＤ　Ｊし状および寸法を有する、 本発１すｊによれば、モチーフ２は’１ｕｌｌ小；ｎｏ
にｙ、、Ｊ　して対称的に配置される。さらに、伝播モ
チーフ群２は該モチーフが例えば結晶学的Ｉ！ｑｔ％！
；ｌ　Ｔ　ｉ　２のごとく形成される４Ｊ眉Ｊ：Ｊ　４
の結晶学的軸線の１つに対して平行に配置される。伝播
モチーフ２の配置はに密に同等のモチーフ群の両側に位
置される符号１２のごとき磁気バブルの２つの伝（１１
１路を得ることを可能ならしめる。これらの２つの通ｖ
′６はそれぞれ矢印Ｆ工およびＦ２によって表わされる
。

非注入モチーフ２を含んでいる材判り４の下に位置決め
される磁性材別層５（ガーネット）内に位置される磁気
バブル１２は材料層５に対して向けられた連続する回転
磁界ＨＴを１１Ｊ加することによって移動されることが
できる。第１図の部分Ａにおいて、磁界Ｈ０の作用下で
の磁気バブル１２の移動を見ることができる。図示のご
とく、ｖｉ磁気バブル磁界Ｈ７の目示周期の名に等しい
時間だけ移動される。

伝播モチーフ２に加えて、バブル記憶装置は伝播モチー
フ群を「わ゛（切る」電３５体１４を有している。実際
において、前記電尋体は伝Ｊ１６モチーフ２を含んでい
る材料層４の上方にかつ８？Ｓ　１１９ｆｆに示された
ごとく化１６次めされるｊ９１７に配置ｉｉｊ：される
３３例えば対称軸線１６を有するこの１１＋、　’ＣＪ
体１４４Ｊイｉ？Ｊ気拐倒斜４の結晶学的軸腕の１つ、
例えば結晶学的軸線１１１２に対して垂直に配置ｉ’Ｌ
される。

好しくけ、例えばＵ形状のこの導体１４はその対称ＤＩ
６０６が２つの隣接するモチーフ２ａ１２ｂによって画
成される２つの全所６’ａ、８ａをゴ巴ゼ、キ）し、こ
れらの空所が前記導体と同じレベルにかつ前記空所の最
深領域と同じレベルに位１ＩＩＪ：沃めされるような方
法で配ｆｊｔされる。

この１冠導体１４はｌｊ往気気バブル１２１１ｒｊ　ｈ
ｖをす１き起すのに使用される。この復製は一般的には
記ｔは装置に含ま゛れる１１ｑ報を読み出すことができ
るために実施される。磁気バブル１２の佇興はＩＦ　示
（７−１コとく少なくとも１つの電流パルスを導体１４
に供給することによって行なわれる。木兄＋９Ｊによれ
は、この電流パルスはイδ気バブルを台んでいるイΔ旧
ｊ・１１５に印加される明証に定６：、ｍされたイ；・
χ昇ＨＴのイ）’を相にドして印加されねはならない。

第２図に示されるごとく、この最適位相は復製されるべ
き磁気バブルか導体１４と同じレベルに位置決めされる
２つの隣接するモチーフ２８．．２ｂｍｊに画成される
空所６ａまたは８ａの１つに配置されるとき生ずる。こ
れらの条件下で、導体１４への電流パルスの印加は、々
１２図に示されるごとく、モチーフ群２の両側でＷＨさ
れるべきバブルの伸張を導き、これに前記バブルの２分
割が続く。

同様に、電力供給の停止は磁界ＨＴが伝播モチーフ群２
の軸線１０に対して平行であるとき生ずる。

複製によって得られたバブル１２ａの１つは、検出され
るために、伝播路Ｆ１に沿って通過しかつ複製によって
得られた他のバブル１２ｂは記憶装置の記憶レジスタへ
の伝播路Ｆ２に沿って通過させられる。

複製に必要な電流パルスは単一振幅レベル（第１図）か
、または同一サインの幾つかの振幅レベル（第６図）か
、または反対サインの幾つかの振幅レベル（第４図）を
有することができる。

約２ミクロンの直径を有する磁気バブルの伝播および複
製を実施することが望まれるとき、２つの隣接するモチ
ーフ２　ａ％　２　ｂｌｉ’４Ｊに画成された、例えば
２つの空所６ａおよび８ａの最深領域を分ＰＭする距離
！（第２図）は２ないし２０ミクロン間の大きさを持つ
ことができる。

磁気バブル１２の複製を容易にするために、７ａ導体１
４によって横切られる２つのモチーフ２ａ１２ｂは各々
の場合において注入（打込み）領域１８をｆ’ｉｔえる
ことができる。これらの注入領域１８は電導体１４の対
称軸線１６に対してスｆ称的にかつ伝播モチーフ群２の
軸６１０に対して対称的に位ｉｊｉ決めされる。これら
の注入領域の獲イυは、適当なマスクを介してイオン注
入を行なうことにより、伝播モチーフ２の獲得と同時に
引き起される。

前述した溝造はメジャー−マイナー機描を有する磁気バ
ブル記憶装置において好都合に使用されることができる
。簡単化するために、記憶表ｆｉ４ｊを借成する槙々の
要素、ならびにバブルは同一平面内に示される。

このバブル記憶装置は並置方法において配置される、磁
気バブル１２の記憶のため使用される幾つかのマイナー
ループを有している。これらのマイナーループ２０は、
各場合において、例えば同一の形状および大きさを有す
る、相接する非注入の伝播モチーフ２２によって形成さ
れる。これらのマイナーループ２０と該マイナーループ
２０へのアクセスループとして使用する１本のメジャー
ループ２４が連係する。該メジャーループ２４は情報の
書込みおよび読出しの両方に使用される。

例えば同一の形状および大きさを有する、相接する非注
入の伝播モチーフ２６によって形成されるメジャールー
プ２４は、マイナーループ２０に対して垂直に配置され
る。マイナーループ２０およびメジャーループ２４の伝
播モチーフは２つの空所が２つの瞬接するモチーフ間に
画成されるような形状、例えば菱形形状を有する。

本発明によれば、メジャーループ２４からマイナールー
プ２０への磁気バブル１２の転送および往復転送は中間
ライン２８によって確実にされる。

中間ライン２８は各マイナーループ２０に対応する。

本発明によれば、イｕＪＩｆ：する非注入の伝ＪＶ’ｒ
’ｊモチーフ３０＆、、３０ｂによって形成される中１
１）Ｊラインは、２つの空所が２つの１匁接するモチー
フ間にｉｉ！＋７成されかつメジャーループ２４に向い
合うそれらの端部６１において、メジャーループ２４か
ら中間ライン２８へのＣ’ｉ’；ｔｈ出し）かつその逆
の（書込み）磁気バブルの転送を確実にする双方向トラ
ンスファゲート６２を備えるような形状を有している。

これらの双方向トランスファゲート６２は各場合におい
てメジャーループ２４の伝し＋；モチーフ２６を横切る
電導体、例えばＵ形状導体によって形成されることがで
き、該Ｕ形状ベースは対応中間ライン２８の前記端部６
１に向い合って位１１ｊ決めされる。

双方向ゲート６２によってのＩｊ磁気バブル転送は、従
来技術におけるように、これらのゲートを形成する導電
体に電流パルスを印加することにより生じる。この電流
パルスは対応ライン２８の伝播モチーフ３１ａの頂部と
メジャーループ２４の伝播モチーフ２６の頂部との間で
、導体６２に向い合っているバブルを延長することを可
能ならしめる。この電流パルスの停止はメジャーループ
２４上のバブルの収縮に導く。

留意されるべきことはすべての導体６２が′ｔａ気的に
相互に接続されかつバブルの転送が、前記導体６２と同
一レベルで、メジャーループにまたは中間ラインに同時
に生じることができるということである。

中間ライン２８の伝播モチーフ３０ａは、第１図および
第２図のモチーフ２のように、それらが形成される磁性
材ｌ料層６８の容易な磁化の結晶学的軸線の１つにヌＪ
して平行に位置決めされる軸線２９に対して対称的に益
列されかつ配置され、前記軸線は、第６図に示されるご
と＜、ｆ！／１えば１ｊ２である。さらに、モチーフ３
０ｂは同一の形状および大きさを有する、さらに中間ラ
イン２８のモチーフ３０ａは、材料層３８の結晶学的軸
線の１つ、例えば結晶学的ｌ１ｑｊ線１１２に対して垂
直に配置される、例えば対称軸線４２を有する電導体４
０によって横切られる。柚々の６体４２は導体４１によ
って電気的に相互に接続される。

第１図および第２図の導体１４と１株に、これらの導体
４０は、記憶装置のマイナーループ内に含まれる情報を
読み出すために、（磁気バブル１２の複製を行なうこと
を回能ならしめる。この複製はずべての導体４０におい
て同時に行なわれる。

該導体４０は、前のように、中間ラインの２つの隣接す
るモチーフ３Ｑａ間に画成された空所に関連して配置さ
れる。これらの電導体４０による磁気バブルの復製は７
１す界の明確に定義された位相において１ａ流パルスを
ｈｏ加することにより生ずる。

Ｔ　サ−／＜　フルと呼ばれるバブルのＩ：ｌＪ加のＩ
ｆＩＪ　中、４られた２つのバブルの１つは双方向ゲー
トに向ってかつ次いで検出のためメジャーループ２４に
向けられる一方、他のバブルはマイナーループ２０に再
注入され、該マイナーループ２０からマザー磁気バブル
または複製されるべきバブルが抜き出されかつ複製され
るべきバブルの位ｆａｔを取る。

前のように、導体４０による磁気バブルの復製は対応導
体４０の＠線４２に対してかつ前記モチーフの軸線に対
して対称的に配置された注入領域（第１図）を有する対
応中間ライン２８のモチーフ３０＆を使用することによ
って容易にされることができる。

本発明によれば、対応マイナーループ２０に向い合って
いる中間ライン２８の端部６６は、相接する非注入のモ
チーフ３０ｂによって形成される２つの別個の支線４６
および４４を有する。これら２つの別個の支ｉｆＭ４６
．４４はそれぞれ対応マイナーループ２０への磁気バブ
ル１２の注入のためかつ該マイナーループからの前記バ
ブルの抜出しのため使用される。

本発明によれば、マイナーループ２０は、それらが、対
応中間ライン２８に向い合っている端部４８と同じレベ
ルで、それぞれマイナーループに関連する磁気バブルの
注入および抜出しのために使用される２つの別個の部分
５２．５０を画成するような方法において屈曲される。

マーイナーループは、それらが該ループの１つの１１１
１１Ｉ線に対して平行な方向に動くとき、考え得る４個
の位置が前記ループ上を動く磁気バブルのため遭遇され
るような方法において形成されるため、屈曲されるので
ある。さらに、前記マイナーループ上に尋人されるバブ
ルは該バブルに印加される磁界Ｈ１，の作用により無制
限に動くことができる。

マイナーループ２０内への磁気バブルの注入を許容する
ために、対応マイナーループ２０の部分５２の端部５２
＆は対応中間ライン２８の支？Ｉｎ１ｔ　４６の４６ａ
に向い合って位置決めされねばならない。

好しくは、２つの向い合う伝Ｊ１１！モチーフ、すなわ
ち、対応マイナーループ２０の支線５２の端部モチーフ
２２および支線４６の端ｈｌｌモチーフろＱｂは、その
整列がモチーフ３０ｂおよび２２が形成される磁気層６
８の結晶学的ｌｌｌ１ｌＩｆ＃の１つ、例えば結晶学的
軸線１１２に関連してはは６」の角反日を形成するよう
な方法において整列される。

中間ライン２８の支線４６およびマイナーループ２０の
部分５２のそれぞれの２つの端Ｊ’ｒｌｉモヂーフ３０
ｂおよび２２は接合イ鵡ｈｉチを榴成する。すなわち、
複製（情報読出し）のための核形成（情報入力）の間中
中間ライン２８を介してメジャーループ２４からの磁気
バブル１２（ｊマイナーループ２０に入り、一方前記マ
イナーループ上のバブル（情報記憶）はそこに留まる。

同一方法において、マイナーループ２０からの磁気バブ
ルの抜出しを許容するために、対ｐＢｓマイナーループ
２０の部分５０の端部５０ａは中ＩｔＪライン２８の支
線４４の端部４４ａに向い合って配置されねばならない
。マイナーループの部分５０と中間ループの支線４４と
の間の磁気バブルの転送は、例えばＵ形状の電導体によ
って借成される一方向ゲート５４によって雌実にされる
。磁気バブルは電流パルスを導体５４に印加することに
より転送される。留意されるべきことは、すべての導体
５４が電気的に相互に接糺されかつバブルの転送がこれ
らすべての導体と同じレベルで中間ライン２８に同時に
生じることができるということである。

マイナール−プ２０と同じレベルで、？ｃ？ｆｆ気バブ
ル１２の注入および抜出し間のすべての混乱を防止する
ために、一方で中間ラインの支、Ｉ’Ｊ＜　４４とマイ
ナーループのｔ届分５０、および他力で中間ラインの支
線４６とマイナーループのｔ４＋１ｓ分５２は、互いか
ら十分に１ＪＩＧ　Ｉ！’Ａされかつ相対的に正しく方
向付けされる。これは熟練した専門化によって容易に実
施されることができる。

さらに、マイナーループ２０のｉり１３分５０と５２の
長さ、ならびに磁気バブルの複製のために使用される対
応導体４０の位置は正Ｔｊｒ、′、に定められねばなら
ない。とくに、マイナーループのｔｉｔ分５ｏおよび５
２の長さは、磁気バブルの抜駆（情報晶、出し）の間中
、マイナーループ２０に（ｆ＃＋ｉｌする複製によって
イＵられた磁気バブルはそれがマイナーループ上に留っ
たならば横切ったであろう１（ｌｊ（ｉｉに等しい通路
を横切らねばならないようにしなけれはならない。すな
わち、前記バブルは複（搏されるべ＠　ハフ’　ルＬ　
Ｊ：つて占められた位置にマイナー／ｌｚ　−プ上で復
帰しなければならない。

第４図は２つのメジャーループ５＜５．５８を備えた機
構を有するバブル記憶装置■を示す。これは直列−並列
機行＋７と呼ばれる。前述のように、記憶装置をＷ成す
るすべての要素ならびに磁気ノくプルは図面をｔ’ｒｌ
Ｊ単化するために同一平面において示されている。メジ
ャーループ５６はマイナーループ上に磁気バブルを”ｊ
ｓＣ人（情報入力）するために使用され、一方メジャー
ループ５８は磁気ノくプルの検出（情報読出し）のため
使用される。

図においては、それらの卯４　ｉｌｓ　４８においてマ
イナーループに関連して磁気バブルの抜出しおよび壮大
のためにそれぞれ使用される２つのｉ”ｉｔ＜分５０．
５２をイアするマイナーループ２０．２つの支線４４．
４６を有する対応マイナーループ２０の部分５０゜５２
にそれぞれ向い合っている中間ライン２Ｂ、ならびに各
々中間ライン２８の１つと連係する対称軸線４２ａを有
する複製導体４０ａを見ることができる。マイナールー
プ２０、中間ライン２８および導体４０ａは前述された
ｑ′♂性と同一特性を有する。

この図面において、メジャーループ５６はマイナールー
プ２０の端ｆ１．’ｌ＋　６０に向い合い、一方メジャ
ーループ５８はモチーフチェーンの他九・シに、す２ｊ
ワチ中１ｆｉライン２８（７）端ｆ：Ｉ！　６２　ノ延
長）’ｉｌｆにｌ′ｌＬ！１１′Ｌされる。

このｄ己１愈装置１ヱにおし）で、メジャール−プ５６
からマイナーループ２０への磁気バブル１２の％＜　ｙ
入は一方向または双方向であることができるトランスフ
ァゲート６４によってイｆｌｉ：　Ｘにされる。これら
のトランスファゲート６４はメジャーループ５６の伝１
１１１モチーフ６６を横切るＵＬ状の導体によって（イ
η成され、Ｕ形状の基ｖ、ｂは対応マイナーループ２０
の端部６０に向い合って位１五決めされる。′屯沁体６
４４１すべて′電気的に相互に接た；、される。

加えて、中間ライン２Ｂからメジャーループ５８への＝
Ｇ気バブル１２の転送はｊ）（合（、ｊと能によって（
ｌｊ実にされる。すなわち、中面ライン２８の’ｌ＋ｒ
４　ｊ↑１；６２と同じレベルで、伝播モチーフ３０ａ
はメジャーループ５８の端部に接合される。？ＩＧ気バ
ブルの中・、送を確実にするために、メジャーループ５
８の伝播モチーフ６５は、第４図の拡大ｉＩ’ｔ：分［
、〈１で示されるように　１ｉｔＪ口６６を備えている
。メジャーループ５８の伝１ｍ７モチーフ６５に沿って
動く磁気ノぐプル１２は、例えは直径２ミクロンの磁気
バブルの大きさとほは同じ大きさを有する開口６６によ
って妨害されない。

＠４図は核形成原理で作用する磁気バブル６８を示す。

このバブルづ６生１ｉＪ６８は、公知の方法において、
バブルの形成に至る高電流が目１加され、ることかでき
るメジャーループ５６の伝播モチーフ６６を横切る電導
体７０によってｉ、７ｊ、成される。ざらに、第４図は
メジャーループ５８と連６′１′Ｎする磁気バブル検出
器７２を示し、徐γ９へ偽造を論する検出器７２はメジ
ャーループ５８の伝播モチーフ６５を横切る電３ｊ７体
７４および一般的に鉄および−シケルベースの磁気抵抗
材料から作られる棒形状素子７６によって４ｒ’を戒さ
れる。磁気バブルのイ火／１−）は、導体７４の有効空
間７７内で約１００ミクロンの長さにバブルを長くする
ことを可能ならしめる電流パルスを７ｊＪ体７４に印加
することにより生ずる。

検出されたバブルはその場合に＠重器７２か他のバブル
を検出することかできるよう乙「方７ノ＜に４ｊいて破
壊される。磁気バブルのイ１１・ｉ壊はその１１元気信
号への変換に対応する。

本ヒ・自明によるｍ気バブル１１己１．嶽装航はメジャ
ー−マイナーまたは直列−並列４勺’ｊｌ’）をイＪし
そして１１［来のＭＬ　憶装↑Ｅｃと同様にバブル・パ
イ・バブルミソ製、すなわちビット・パイ・ビットを行
なうのに使用されることができる。さらに、これらのバ
ブル記憶装置１）：は、それらを形成する要素の相対的
配置ｌ」、ならびにそれらの各要素の構造かつとくに中
間ライン２８が形成される材料ハシのご１層’ｉｊ＋学
的ｉｉ！、１１ボ１．（に関連する中１１）ｊライン２
８の配列、これらのラインの（’８；　Ｍおよび前記ｆ
１・１１１線に関連するわＪ製尋体４０，４０ａの配列
に錨みて、バブルのグループ丁たはブロック、すなわち
ブロックヒ゛ットの承８ｇ、グをそ了なうことを可能な
らしめる。これは非注入モチーフを使用する従来のバブ
ル記１．Ｏ装耽によって不可ｆ、ｉ３であった。

本発明によれば、例えば第４図の兄生ｙ：１ｙ　６８の
ごとき核形成原〕ｌｉで作動する磁気バブル丸干４Ｆｉ
ｉは磁気バブルの複製の原理で作動する発生器によって
代え・られることかできる。このような発生器は第５図
に示される。前と同様に、図面をｆｉＵ単化するために
、この発生器をＵ々成する要素、ならびにバブルは同一
平面内で示される。

この発′生器７８は、２つの空所８０．８２が２つの隣
接するモチーフ７９間に画成されるような形状を有する
、相接する非注入伝播モチーフ群７９によって（′１“
ぴ成される。前述と同様に得られたこれらのモチーフ７
９は、図示のごとく、好しくけ円の形であるか、または
三角形または六角形のごとく、多角形の形状である。さ
らに、これらのモチーフ７９は同一の形状および大きさ
を有する。一方で、モチーフ７９はＩＩＰＩ止ループル
ープ８４するように配置１互されるが、残りのモチーフ
７９は伝播路８６に沿って配置６される。

図示のごとく、伝播路８６はモチーフ７９が形成される
磁気材料層８７（磁性ガーネット）の結晶学的軸線の１
つ、例えば結晶学的軸線Ｉ　Ｅ　２に対して平行に配置
される。ループ部８４および整列部８６の双方に関して
モチーフ７９に沿う磁気バブルの移動は、前述と同様に
、バブルを含んでいる磁気材料層に対して平行に印加さ
れる回転（Ｂ界ＨＴによって生ずる〇 ループ８４のモチーフ７９に沿って動く磁気バブルの複
製を得るために、再び磁気材料ＪＷ　８７の結晶学的軸
線の１つ、例えば結晶学的軸＋Ｗ１１２に対して垂直に
配置される、例えば対称軸線９０を有する電導体８８が
使用される。

前述（第１図および第２図）のごとく、この７１ｆ。

導体の対称軸線９０は、前記導体と同じレベルにかつ空
所３Ｑａ、８２ａの最深領」！もと同じレベルに位置決
めされる、２つのＵ６接するモチーフ７９ａ１７９ｂに
よって画成される前記空ｒｊｒ８０　ａ、　８２　ａを
通過する。該空所８０ａ、８２ａの一方に配置される磁
気バブル１２の複製は、図示のごとく、電流パルスを電
導体８２に印加することによって生スる。このパルスは
バブル、すなわち記憶装置内の記録情報を発生すること
が望まれるときのみ印加される。このパルスは同一また
は反対のサインの１またはそれ以上の振幅レベルを有す
ることができる。複製によって得られたバブルの１つは
ラインの形のモチーフ８６の部分を介して記憶装置のア
クセスまたはメジャーループに通され、他の複製バブル
はループ８４に再注入される。

さらに、磁気バブルの複製を容易にするために、電導体
８８と同じレベルに位置決めされる非注入モチーフ７９
ａ、７９ｂに形成された注入領域９２は第５図の拡大部
分において示される方法で設けられることができる。こ
れらの領域は心棒８８の対称軸線９０に関連して対称的
に位置決めされる。

モチーフ７９のループ８４への磁気バブルの導入は記憶
装置の初期設定の間中、適宜な振幅の電流パルスを供給
することによって行なわれることができる。これは磁気
バブルによるループ８４の完全な充填まで行なわれるこ
とができる。ループ８４がバブルで充填されるとき、導
体８８によってループ８４に含まれるバブルを複製する
ことによって、情報要素１、すなわちバブルを発生する
ことができる。

閉止ループ８４内に含まれる磁気バブルの良好な安定性
を４１°１１：実にするために、前記ループに関し”’
Ｃ木兄ｔＪ）Ｊによれば好しくけ、伝播モチーフ９７が
形成される磁気材料層８７の三成分対称（６４向の結晶
学的軸線）を有する。留、Ｑ：されるべきことはこの磁
気層８７が記憶装置ａの゛メジャーおよびマイナールー
プを含んでいる磁気に；と同一であるということである
。

直径約２ミクロンを有する磁気バブルの伝播および複製
を行なうために、２つのｔｉｉｉ接するモチーフ７９ａ
、７９ｂ間に画成された２つの空所、例えば８０ａ、８
２ａの最深領域をＩ＊、５てる距ｆ’ｉｉＮ　ｄは２な
いし２０ミク四ン（第５図の拡大ｉ７Ｂ　）にすること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、複製導体に関連して記憶装置の非注入モチー
フのそれぞれの配置を示す、本発明によるバブル記憶装
置の一部の斜視図、 第２図は環体が伝播モチーフを４１’Ａ切る点において
示す拡大平面図、 第６図は単一メジャーループと連係する幾−？かのマイ
ナーループを有する本発明によるバブル記憶装置を示す
略図、 第４図は直列−並列機描を有する本発明によるバブル記
憶装置を示す略図、 第５図は本発明による記憶装置においてバブルを発生す
ることを可能ならしめる手段を示す略図である。 図中、符号２１２２，２６，３０ａ、３０ｂ。 ６３．６５．７９は伝播モチーフ、４，５は磁気材料層
、６，８は空所、１２は磁気バブル、１４゜４１．６４
．８８は電導体、１８は注入領域、２０はマイナールー
プ、２２，２４，５６．！５８はメジャーループ、５０
．５２はマイナールーズの部分、３２，５４．６４はト
ランスフナゲー）、４４゜４６は支線、６８はバブル発
生器、７２は磁気バブル検出器である。 手続ネＦｎ正書　（方式） 昭和５８年１０月４日 特許庁長官　若杉和夫　殿 １、　事件の表示 昭和５８年特許願第１１６２４１号 ２、　発明の名称 磁気バブル記憶装置および磁気バブ）Ｖ複製方法名称　
　コミッサレ・ア・レナジイ・アトミック６、　補正の
対象 明細書のタイプ印書による浄書（内容に変更なし）７、
　補正の内容 ５６１−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）平面の容易な磁化軸である特性を有する少なくと
   も１つの結晶学的軸線を持つ単結晶？１μ気材料からな
   る第１Ｊ￥１を有し、それにより前記第１層は該第１磁
   気層の下に位置される第２磁気層へのバブルの伝播を許
   容する第１モチーフと呼ばれる非注入で相接しかつ整列
   されたモチーフ群を有し、前記第１モチーフは２つの空
   所が２つのＶｐ　ａする第１モチーフ間に画成されるよ
   うに形成され、第１モチーフの各群は該群の第１モチー
   フがＡｊｊ記軸線に対して対称的に配置されるような軸
   線を有し、前記群は前記第１１・Ｊの材料の結晶学的軸
   線に対して平行に配置され、そして前記各群と連係して
   、バブルの再生を許容する第１導体と呼ばれる電導体を
   含み、各電導体は前記第１層の材料の結晶学的軸線に対
   して垂直に配置され、０１Ｊ記第１モチーフの対応する
   群は前記電導体によって横切られることを特徴とする磁
   気バブル記１．；１装置。 （２）各第１電導体は対称軸線を有しかつｉ’３＜対称
   軸線が関連の群のしｉｉ接する２つの前記第１モチーフ
   によって画成された２つの空所を通りかつ該空所の最深
   領域と同一高さであるように配ｔｉｌｔされることを特
   徴とする特許請求の範囲第１ＪＪ４に記載の磁気バブル
   記憶装置。 （３）前記関連の第１　ｆｉ＝ｕ導体が配置される点に
   位置される同一群のド接する２つの第１モチーフは各場
   合に注入領域を有し、前記領域は前記第１導体の対称軸
   線に対して対称にかつ前記第１モチーフ群（Ｄ　ｄｉｓ
   ｈ　ＩＷ　ニ対して対称的に位置決めされることを特徴
   とする特許請求の範囲第２項に記載の磁気バブル記憶装
   置直。 （４）前記知数の第１モチーフは同一形状および大きさ
   を有することを特徴とする持’　＋’ｆｊ’　１＋青求
   の範囲第１項に記載の磁気バブル記憶装置。 （５）同一群の隣接する２つの第１モチーフ間に画成さ
   れる２つの空所の最深領域を分１″ＪＩＦする距離は約
   ２μｍのバブルに関して２および２導μｍのｌｆｌであ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気
   バブル記憶装置。 （６）並置して配置されかつ各々２つの端部を有するバ
   ブル記憶として使用されるマイナーループ、該マイナー
   ループに対して垂直に配置された前記マイナーループ用
   アクセスループとして使用される少なくとも１つのメジ
   ャーループ、および該メジャーループを検出しかつ該メ
   ジャーループ上にバブルを発生する手段からなり、前記
   マイナーループは第２モチーフと呼ばれる相接する非注
   入伝播モチーフによって形成され、前記メジャーループ
   は第６モチーフと呼ばれる相接する非注入伝播モチーフ
   によって形成され前記各マイナーループはその一端にお
   いて２つの別個の並置部分を画成するように屈曲されて
   第１部分はマイナーループへのバブルの注入のため使用
   されかつ第２部分は前記マイナーループからバブルを抜
   き出すのに使用され、前記各マイナーループは対応マイ
   ナーループからメジャーループへのかつその逆のバブル
   の転送のため使用される第１モチーフ群と連係し、該第
   １モチーフ群はそれらの端部の一端に２つの別ｆ１ふ１
   の支線を有し、第１の支、ｉ３二は対応マイナーループ
   へのバブルの注入のために使用されかつ第２ノ支線は前
   記対応マイナーループからのバブルの抜き出しのために
   使用され、第４モチーフと呼ばれる、相接して整列され
   た非注入伝描モチーフによって形成される前記支線は第
   １の支線の端部が対応マイナーループの第１部分のｙｌ
   ｌｊ　Ｍｌ’＋に向い合いかつ第２の支線の端部が対応
   マイナーループの第２８１Ｓ分の端部と向い合うような
   方法で並Ｗｉされ、前記第２の支線の端部はマイナール
   ープから関連のモチーフ群へのバブルの転送をイ面実に
   するための一方向トランスファゲートを倫えていること
   を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のイＬｑ気バ
   ブル記憶装置。 （７）互いに向い合っている前記第１の支線の第４端モ
   チーフおよび前Ｈ己マイナール−プの第１ｆｉ＜分の第
   ２端モチーフは整列され、該整列は沁１磁気層の結晶学
   的軸線と約６０）の角度をル成することを特徴とする特
   許ｍｔＪ求の範囲第６項に記載のイＬダ気バブル記憶装
   置。 （８）前記一方向トランスファゲートはＵ形状の電導体
   によって形成されることを特徴とする特ｇ′ｌ’　Ｎ＃
   求の範囲第６項に記載の磁気バブル記憶装置シｔ。 （９）…Ｊ記ママイナーループ前記２つの部分は、マザ
   ーバブルの翰製によって得られたバブルがマイナールー
   プ上にマザーバブルによって占められる位置において復
   帰するような長さを翁することを特徴とする特許請求の
   範囲第６項に記載の磁気ノくプル記憶装置。 Ｏｃ［Ｉ記第１モチーフ群は他端において前記メジャー
   ループから前記モチーフ群へのかつその逆のバブルの転
   送を確実にするだめの双方向トランスファゲートを有す
   ることを特徴とする！１′Ｍ旧請求の範囲第６項に記載
   の磁気バブル記憶装話。 Ｕ前記記憶装置はバブル検出圧殺に向い合う第１のメジ
   ャーループおよびバブルを発生せしめることができる手
   段に向い合う第２のメジャーループの２つのメジャール
   ープからなりそして第１モチーフ群がそれらの他端と同
   じレベルで第１メジヤーループに接合されるようになっ
   ており、前記第１メジヤーループは前記第１モチーフ群
   から前ｄ己メジャール−プへのバブルの１１ヘハを許容
   する、同一物を形成する第６の非注入モチーフにル成さ
   れた開口を有しそしてマイナーループの他、、ｉｉ、１
   はこれらのマイナーループから第２のメジャーループへ
   のかつその逆のバブルの転送を、ｉ）・容するトランス
   ファゲートを有することを特徴とする！１．！ｊ’　＃
   ’Ｆ　１ｔＦ７求の範囲ｉ４’、　６項に記載の磁気バ
   ブル記′億製胎゛。 （ロ）前記バブル発生手段は第５モチーフとけばれる相
   接する非注入伝播モチーフ君）および第２　’）ＩＬ電
   導体呼ばれる電導体からなり、ｌｊＪ記ε（き５モチー
   フは２つの空所が隣接する２つのモチーフ間に画Ｊあさ
   れるような形状を有し、ＴＪｔＩ記モチーフの−ｉ’ｌ
   ｂ分は閉止ループを形成するように配置１：Ｗされ、そ
   の他部分は発生されたバブル用の伝」１７回路を＜、Ｈ
   ，；成し、そして＋ｊｌ記電導電導体３１記距１イし゛
   ｊ気層のに：′１品宇的’Ｎ：ｌ餅１ｊ１に対して垂直
   に配置されたバブルの個装を許容し、前記第５モチーフ
   群は閉止ループの形でｒｒｉＪ記一部分と同じレベルで
   前記第２感体によって横切られることを特徴とする特許
   請求の範囲第６項に記載の磁気バブル記憶装置。 に）前記第１磁気層が６個の結晶学的軸線を持つとき、
   前記ｊ防止ループは＋’ｔＵ記磁気層の対称常態６を有
   することを特徴とする特ｉｔ’ｌ・請求の範囲第１２項
   に記載の磁気バブル記憶装置６゜ Ｏ→０７７記第２電導体は対称ｉ：’ｌｌｉ線をイＪし
   かつ該対称軸線が２つの隣接する第５モチーフによって
   画成された２つの空所を該空所の最深領域と同じレベル
   で貫通するように配置されることを特徴とする特許Ｈ々
   求の範囲第１２項に記載の磁気バブル記憶装置。 （５）前記第５モチーフは同一形状および大きさを有す
   ることを特徴とする粕ｉｉ’ｌ’請求の範囲第１２項に
   記載の磁気バブル記憶装置１゛１゜ Ｑ−６）前記第５モチーフはＨ１三角形または六角形の
   形状であることを特徴とする特ｄ〕：請求の範囲第１２
   項に記載の磁気バブル記゛ＩＵ↓ＶｆＥｌ’。 σ７）前記第２電導体の位置において位置決めされた隣
   接する第５モチーフは各々の」妨合に注入領域を有し、
   該注入領域は前記第２導体の対称Ｉ！ｌ！ｌＩ線に対し
   て対称的に配置されることを特徴とする特ｉ１ｒ請求の
   範囲耐１２項に記載のイ゛ム気バブル記憶装置ｉ１ｔ。 に）２つの隣接する第５モチーフｉｌｊに画成された２
   つの至所のノυ深領域を分量計する比論は約２μｍのバ
   ブルに１しりシて２および２０μｍの１１）１であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１２項にｊ記載の磁気
   バブル記憶装置。 α９）イ〃気バブル記１怠装置においてモチーフに７′
   ｔ）うバブルの伝播が第２材判層に対して平行に、一定
   回転周期を有する連続回転磁界を印加することによって
   確実になされ、そして？ＭｈＡに使用される各導体が該
   導体と連係するモチーフ群の両側上へのバブルの伸張お
   よび前記バブルを２分割せしめる少なくとも１つの１４
   Ｌ流パルスをイＳ（給することを特徴とする磁気バブル
   蝮製方法。 に）複製に使用される導体への電力（４目ｉ７は、Ｉ）
   ＩＪ記磁界が前記導体と連係するモチーフＩ汗の１１１
   １線に対して平行であるとき、停止されることを特徴と
   する特ｔ・１：請求の範囲第１９項に記載の磁気バブル
   イＭ製方法。 ｅ、神前起電流パルスは単一振幅レベルを有することを
   特徴とする特許Ｈ７ｊ求の範囲第１９項に記載の侯製方
   法。 （へ）前記ｍ原パルスは同一サインの幾つかの異なる振
   幅レベルを有することを特徴とする特許ｎｌｌ求の範囲
   第１９項に記載の磁気バブル複製方法。 （ハ）前記電流パルスは反対サインの幾つかの振Ｉｆｑ
   １１レベルを有することを？特徴とする（侍６′１：請
   求のｉ田囲自）１９項に記載の磁気バブル複製方法。 に）ビット・パイ・ビット複製に利用され、該復製が連
   続血流パルスを役製に使用される電導体に供給すること
   により行われることを特徴とする特許ＢＷ求の範囲第１
   ９項に記載の磁気バブル復製方法。 に）ビットブロック復製に利用されることを特徴とする
   特許Ｗｒｌ求の範囲第１９項に記載の磁気バブル複製方
   法。