JPS5945962A - 高周波用誘電体磁器組成物 - Google Patents
高周波用誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS5945962A JPS5945962A JP57155655A JP15565582A JPS5945962A JP S5945962 A JPS5945962 A JP S5945962A JP 57155655 A JP57155655 A JP 57155655A JP 15565582 A JP15565582 A JP 15565582A JP S5945962 A JPS5945962 A JP S5945962A
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- JP
- Japan
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- high frequency
- porcelain
- dielectric ceramic
- ceramic composition
- temperature coefficient
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は高周波用の誘電体磁器組成物に関するもので
ある。
ある。
マイクロ波やミリ波などの高周波領域において、誘電体
磁器は誘電体共振器やＭＩＣ用誘電体基板などに広く利
用されＣいる。
磁器は誘電体共振器やＭＩＣ用誘電体基板などに広く利
用されＣいる。
従来、この曙の誘電体磁器とし°Ｃは、次のような各種
のものがある。
のものがある。
たとえば、ＺｒＯ２−８，ｎＯ，−Ｔ１０ｇ系材料系材
料。
料。
’ｒｔ、ｏ２．． （Ｂａ、 ５ｒ）（Ｚｒ、 Ｉ’ｉ
）Ｏ，系材料、Ｂａ（Ｚｎ、Ｔａ）０８系材料などがあ
る。
）Ｏ，系材料、Ｂａ（Ｚｎ、Ｔａ）０８系材料などがあ
る。
これらの各種材料はマイクロ波帯での祷を率（εｒ）が
２０〜４０．ＧＬが４０００〜８０ｔｌＱ、共振周波数
の温度係故（τ、）が０ｔ）ｐ・ａＺＣ付近の特性を有
するものであると報告され゛〔いる。
２０〜４０．ＧＬが４０００〜８０ｔｌＱ、共振周波数
の温度係故（τ、）が０ｔ）ｐ・ａＺＣ付近の特性を有
するものであると報告され゛〔いる。
このうり、Ｂａ（Ｚｎ、 Ｔｘ）０３素材料はこの発明
の好適な従来例である。このＢａ（Ｚｎ、ＴＪＯ，系材
料についＣは特開昭５３−５５４．’ｒ４号公報にその
詳細な説明がなされ′〔いる。その詳１圃な説明に日 よれば、１５６（Ｖｃ〜１４６０Ｃの温度範謂で２時間
空気中で焼成し°Ｃ誘成体磁器ｒ得、その大きさを直径
５Ｕ、厚み２１とし゛Ｃ１共振周波数（はぼ１１ｃ）Ｈ
ｇ ）と直径から誘電率（εｒ）、また帯域反射法によ
シ無負荷Ｑ１ざらに一５０Ｃ〜＋７０′ｃの温度範囲で
共振周波数の温度係故（τｆ）を測定したところ、εｒ
については２５〜６０．ＱについＣは６５２０〜５７５
０ 、τｆについＣは５〜２０の特性を示すとし′Ｃい
る。
の好適な従来例である。このＢａ（Ｚｎ、ＴＪＯ，系材
料についＣは特開昭５３−５５４．’ｒ４号公報にその
詳細な説明がなされ′〔いる。その詳１圃な説明に日 よれば、１５６（Ｖｃ〜１４６０Ｃの温度範謂で２時間
空気中で焼成し°Ｃ誘成体磁器ｒ得、その大きさを直径
５Ｕ、厚み２１とし゛Ｃ１共振周波数（はぼ１１ｃ）Ｈ
ｇ ）と直径から誘電率（εｒ）、また帯域反射法によ
シ無負荷Ｑ１ざらに一５０Ｃ〜＋７０′ｃの温度範囲で
共振周波数の温度係故（τｆ）を測定したところ、εｒ
については２５〜６０．ＱについＣは６５２０〜５７５
０ 、τｆについＣは５〜２０の特性を示すとし′Ｃい
る。
また、鏝近ではこのＢａ（Ｚｎ、 Ｔａ）Ｏａ系材料に
ついて、次のような報告がなされている。
ついて、次のような報告がなされている。
つまり、Ｂａ（Ｚｎ１．、、Ｔａ２Ａ）ｏ、につい′Ｃ
普通焼成法により誘電体磁器を焼成したものである７５
ζその焼成条件を最高温度１６５０′Ｃ１焼成時間を２
〜１２０時間の範囲としてその結果を検討しＣいる。
普通焼成法により誘電体磁器を焼成したものである７５
ζその焼成条件を最高温度１６５０′Ｃ１焼成時間を２
〜１２０時間の範囲としてその結果を検討しＣいる。
それによれば、１２０時間焼成した磁器では、導波管内
で測定したＱ値が１４０００の値を示し、また２時間焼
成した磁器を同様の方法で測定したところ（１２ＧＨ２
）１００００〜１１０００のＱ値を示すとし”Ｃいる。
で測定したＱ値が１４０００の値を示し、また２時間焼
成した磁器を同様の方法で測定したところ（１２ＧＨ２
）１００００〜１１０００のＱ値を示すとし”Ｃいる。
そして、この焼成時間によるＱ値の変化につい′Ｃは次
のようなことをその理由とし′Ｃいる。
のようなことをその理由とし′Ｃいる。
まず、Ｂ ａ （Ｚ ｎ ｌ／ｈ Ｎ ｂａ／ａ） ｏ
、は’０ｒｄｅｒＩＢ ｉｎ（つｏ＋ｎｐｏｕｎ、ｉｓ
ｏｆ ｔｎａ Ａ（Ｂ’ ａ、ｓａ Ｔａ０．、、、
）Ｏ，Ｔｙｐｅ”。
、は’０ｒｄｅｒＩＢ ｉｎ（つｏ＋ｎｐｏｕｎ、ｉｓ
ｏｆ ｔｎａ Ａ（Ｂ’ ａ、ｓａ Ｔａ０．、、、
）Ｏ，Ｔｙｐｅ”。
Ｆ、Ｇａ１ａｓｓｏ ａｎｄ Ｊ、Ｐｙｌａ、工ｎＬ）
ｒ９ｉｎｉＱ Ｃ＋’ｌｆ３ｍｉ−ｓｔｒｙ、 ｖｏｌ
、２． Ｎｏ、５． ｐ、４８２−４８４ に紹介され
Ｃいるように、ＡＢＬ）□からなる立方晶（Ｃｕｏｉｃ
）の複合ペロブスカイト構造を有しＣおシ、その結晶構
造はＺｎとＴａが規則配列することによシ六方晶（Ｈａ
ｘａＬＩＩＯｎａｌ）の超洛子を形成しＣいる。
ｒ９ｉｎｉＱ Ｃ＋’ｌｆ３ｍｉ−ｓｔｒｙ、 ｖｏｌ
、２． Ｎｏ、５． ｐ、４８２−４８４ に紹介され
Ｃいるように、ＡＢＬ）□からなる立方晶（Ｃｕｏｉｃ
）の複合ペロブスカイト構造を有しＣおシ、その結晶構
造はＺｎとＴａが規則配列することによシ六方晶（Ｈａ
ｘａＬＩＩＯｎａｌ）の超洛子を形成しＣいる。
第１図はコノＢ念（ｚｉ１□／、ｌＴ上２／３）０３ノ
結晶構１ｆｉｔ示しだものであり、Ｂ位置のＺｎとＴａ
が１：２で秩序配列しＣいる。図中、０はバリウム（Ｂ
ＡＲＩ［ＪＭ）Ｏは酸素（ＱＸＹＧＫｔＯｌｏは岨鉛（
ＺＨＪす、ＯＱ’９’７ｐル（ＩＡＮ ｒｌ＋ＵＭ）
テある。
結晶構１ｆｉｔ示しだものであり、Ｂ位置のＺｎとＴａ
が１：２で秩序配列しＣいる。図中、０はバリウム（Ｂ
ＡＲＩ［ＪＭ）Ｏは酸素（ＱＸＹＧＫｔＯｌｏは岨鉛（
ＺＨＪす、ＯＱ’９’７ｐル（ＩＡＮ ｒｌ＋ＵＭ）
テある。
ところが、この秩序構造は焼成条件によつＣ大きく変化
するものであると［７ている。すなわら、第２図に示す
ように、焼成温度を１３５０ｔ：とじ、磁器のＸ線回折
において（４２２）、（２２６）反射図形の焼成時間の
依存性を検討したところ、２時間程度の焼成時間ではＺ
ｎとＴλの咲序配列の形成が不十分であり、一方１２０
時凹の焼成時間ではＺｎとＴＢＬがト分に秩序配列しＣ
於り、これがＱ値の向上に、晴びりくものであると説明
しＣいる。
するものであると［７ている。すなわら、第２図に示す
ように、焼成温度を１３５０ｔ：とじ、磁器のＸ線回折
において（４２２）、（２２６）反射図形の焼成時間の
依存性を検討したところ、２時間程度の焼成時間ではＺ
ｎとＴλの咲序配列の形成が不十分であり、一方１２０
時凹の焼成時間ではＺｎとＴＢＬがト分に秩序配列しＣ
於り、これがＱ値の向上に、晴びりくものであると説明
しＣいる。
しかしながら、Ｑ値の高い磁器を得るために、焼成時間
を１２０時間も維持することは生産Ｉ生と向上させる上
で大きなＩｎであシ、コストアップにつながる。また焼
成炉を高温で１２０時間もの長時間稼動させることは焼
成炉の寿命と短く°することになつＣしまい、これもま
た製品のコストアップにつながることになる。
を１２０時間も維持することは生産Ｉ生と向上させる上
で大きなＩｎであシ、コストアップにつながる。また焼
成炉を高温で１２０時間もの長時間稼動させることは焼
成炉の寿命と短く°することになつＣしまい、これもま
た製品のコストアップにつながることになる。
発明者等は鋭意研究した結果、長時間に及ぶ焼成時間を
要ｒることなく、ＱｒＫの高い高周波用誘電体磁器組成
物が得られることを見い出したのである。
要ｒることなく、ＱｒＫの高い高周波用誘電体磁器組成
物が得られることを見い出したのである。
その磁器組成物はＢ ＬＯ，Ｚｒｔ）２． ＺｎＪ、、
Ｔａ、＋）。
Ｔａ、＋）。
からなシ、これを一般式Ｂ ａ （Ｚ ｒＸＺ ｎｙＴ
Ｌｇ５） ＱＴ／４−４／２−ｓ ｙ／ｓ と表わ
したとき、ｘｅ ’Ｉ＋ Ｚがそれぞれ次の範囲からな
るものである。
Ｌｇ５） ＱＴ／４−４／２−ｓ ｙ／ｓ と表わ
したとき、ｘｅ ’Ｉ＋ Ｚがそれぞれ次の範囲からな
るものである。
０．０２＝Ｘ、、、０．１３
ｏ、ｚａ＜：ｙ≦０．６３
０．５９ ＜：Ｍ ＜：０．６Ｓ
−―■−−喝一自一−
（ただし、Ｘ＋７＋Ｚ＝１）
かかる磁器組成物について、その各原料を混色仮焼し、
さらに成形し゛Ｃ約４時間の焼成条件で磁器試料を作成
し、周波数７ＧＨｚにおけるｎ′ｉｌＣ率（εχＱおよ
び共振周波数の温度係数（τハを測定しその結果を第１
表に示した。（特願昭５６−１４５２９４号） ここで、兵服周波数の温度係数（τ、）は＋２５ｃ〜＋
８５ ’ｃの（温度・；α囲で＾ＩＩＩ定した、。
さらに成形し゛Ｃ約４時間の焼成条件で磁器試料を作成
し、周波数７ＧＨｚにおけるｎ′ｉｌＣ率（εχＱおよ
び共振周波数の温度係数（τハを測定しその結果を第１
表に示した。（特願昭５６−１４５２９４号） ここで、兵服周波数の温度係数（τ、）は＋２５ｃ〜＋
８５ ’ｃの（温度・；α囲で＾ＩＩＩ定した、。
なお、集尿周波数の【ぬ度係数（τ、）と誘′Ｉｔ率の
温度係数は次式で、晴ばれる。
温度係数は次式で、晴ばれる。
τｆ−−イτ、−α
τ、：祷′成率の４度係数
α ：イ１ａ指試料の線・ル脹率
第１表
一方、従来の組成物であるＢａ （Ｚｎ、７． Ｔａ、
Ａ）０３にりい”Ｃ同様にし゛Ｃ試料を作成し、各電気
特性を測定したところ第２表に示すような結果であった
。
Ａ）０３にりい”Ｃ同様にし゛Ｃ試料を作成し、各電気
特性を測定したところ第２表に示すような結果であった
。
第２表に示した特性を有するＢ ａ （Ｚｎ １ＡＴ
ａ 、、ｙ、）ＯｊはＢａ（Ｚｎ Ｔ！Ｌ）Ｏ，、：ｌ
？、の中で最良のＱ値を有するものであるが、第１機の
組成のものによればｊ＆Ｘ １５０００ものＱ値を有す
るものが得られ“〔おり、Ｂｉ（Ｚｎ、、４Ｔ”ｍＡ）
ＯｓｖＣ（らべＣＢａ（ｚｒ、ｚｎ、’ｒａ、）ｏ、、
、−＄ｚ−ｓｙＡ系のものにすぐれた特注を有するもの
力；得られている。
ａ 、、ｙ、）ＯｊはＢａ（Ｚｎ Ｔ！Ｌ）Ｏ，、：ｌ
？、の中で最良のＱ値を有するものであるが、第１機の
組成のものによればｊ＆Ｘ １５０００ものＱ値を有す
るものが得られ“〔おり、Ｂｉ（Ｚｎ、、４Ｔ”ｍＡ）
ＯｓｖＣ（らべＣＢａ（ｚｒ、ｚｎ、’ｒａ、）ｏ、、
、−＄ｚ−ｓｙＡ系のものにすぐれた特注を有するもの
力；得られている。
第５図はＺｒ０１の含有効果を明確にするために、Ｂ
ｅＬ （Ｚｎ ｌＡ Ｔ ａ ｓ／ａ ）０３とＢａＺ
ｒ０．との固溶体を作成し、そのＩｌ！気特性を示した
ものである。′ｓ５図によれば、ｚｒが０．０２〜０．
１５の範囲で高いＱ直力遮得られ”Ｃいることがわかる
。
ｅＬ （Ｚｎ ｌＡ Ｔ ａ ｓ／ａ ）０３とＢａＺ
ｒ０．との固溶体を作成し、そのＩｌ！気特性を示した
ものである。′ｓ５図によれば、ｚｒが０．０２〜０．
１５の範囲で高いＱ直力遮得られ”Ｃいることがわかる
。
また第４図（す、（ｂ）はＢａ（Ｚｎ、、１． Ｔａ、
７． ）ｏ３と、Ｂａ（ｚｒｏ、ｏｎ ”ｏ、ｓｚ ”
０．６４ ）Ｏｓ ノＸＡ！回折図−ｃ’アル。
７． ）ｏ３と、Ｂａ（ｚｒｏ、ｏｎ ”ｏ、ｓｚ ”
０．６４ ）Ｏｓ ノＸＡ！回折図−ｃ’アル。
この第４図（ａ）において、Ｂａ（Ｚｎ １．／、 Ｔ
ａ 、、／、、 ）Ｏ，に見られる１７．７′。のピー
クは六方晶の（１００）面による回折線であり、超格子
が形成されＣいることを示し°Ｃいる。これに対し′Ｃ
第４図（ｂ）で示したＢａ（ｚｒＯ，０４ｚｎＯｊ２”
０．６４）０３によれば、第４図ｅ） テ示した六方晶
（［ｓｘａｇｏｎａｌ）の回折線は消失しＣおり、単な
るヴ方晶のペロプスカイト構造をとっていることがわか
る。
ａ 、、／、、 ）Ｏ，に見られる１７．７′。のピー
クは六方晶の（１００）面による回折線であり、超格子
が形成されＣいることを示し°Ｃいる。これに対し′Ｃ
第４図（ｂ）で示したＢａ（ｚｒＯ，０４ｚｎＯｊ２”
０．６４）０３によれば、第４図ｅ） テ示した六方晶
（［ｓｘａｇｏｎａｌ）の回折線は消失しＣおり、単な
るヴ方晶のペロプスカイト構造をとっていることがわか
る。
なし、第４図（ａ）中、１は六方晶（Ｈｅｘｉ、３ｏｎ
ａｌ）の（１００）面、２は立方晶（Ｃαｂｉｃ）の（
１００）面、５は六方晶（Ｈｓｘａｇｏｎａｌ）の（０
０２）面、４はＫｐ線、５は立方晶（山ｂｉｃ）の（１
１０）面である。また第４図（１））中、１は立方晶（
Ｃｕｂｉｃ）の（１００）面、２はＫｐ線、５は立方晶
（Ｃｕｂｉｃ）の（ｉｏｏ）面であムさらに第５図（ａ
） 、 （ｂ）はそれぞれＢａ（Ｚｎφ覧φ）０１とＢ
ａ’（Ｚｒ、。、 Ｚｎ０．、、 ’Ｉ’ａ、、、 ）
Ｏ，の立方晶（３２１）面によるＫａ□とＫａ□の回ｎ
ｄを示したものである。
ａｌ）の（１００）面、２は立方晶（Ｃαｂｉｃ）の（
１００）面、５は六方晶（Ｈｓｘａｇｏｎａｌ）の（０
０２）面、４はＫｐ線、５は立方晶（山ｂｉｃ）の（１
１０）面である。また第４図（１））中、１は立方晶（
Ｃｕｂｉｃ）の（１００）面、２はＫｐ線、５は立方晶
（Ｃｕｂｉｃ）の（ｉｏｏ）面であムさらに第５図（ａ
） 、 （ｂ）はそれぞれＢａ（Ｚｎφ覧φ）０１とＢ
ａ’（Ｚｒ、。、 Ｚｎ０．、、 ’Ｉ’ａ、、、 ）
Ｏ，の立方晶（３２１）面によるＫａ□とＫａ□の回ｎ
ｄを示したものである。
第５図（ａ）と第５図（ｂ）を比較しＣ明らかなように
、Ｂａ（Ｚｒ、。、 Ｚｎ、、！Ｔａ、、４）Ｏ，の組
成によればＫａ□とＫａ＊の分離が明瞭になつ”Ｃお９
、同一焼成条件であるにもかかわらず、Ｚｒの含有によ
って焼結度の促進効果のあることがわかる。
、Ｂａ（Ｚｒ、。、 Ｚｎ、、！Ｔａ、、４）Ｏ，の組
成によればＫａ□とＫａ＊の分離が明瞭になつ”Ｃお９
、同一焼成条件であるにもかかわらず、Ｚｒの含有によ
って焼結度の促進効果のあることがわかる。
なお、第５図（ａ）中、１は立方晶（Ｃｕｂｉｃ）の（
３２１）面で、Ｋａｌｆｓであり、２はＫａｓ！ｌＩで
ある。また第５図、ｂ）中、１は立方晶（Ｃｕｂｉｃ）
の（３２０）面で、Ｋ４、線であり、２はＫａｍ線であ
る。
３２１）面で、Ｋａｌｆｓであり、２はＫａｓ！ｌＩで
ある。また第５図、ｂ）中、１は立方晶（Ｃｕｂｉｃ）
の（３２０）面で、Ｋ４、線であり、２はＫａｍ線であ
る。
このようにＢ ａ （Ｚ ｒ 、ｃｌｎ、Ｔ Ｌ 、）
Ｏ％−４／ｚ Ｂｙ／ｚからなる組成物はその結晶構造
が単純なベロプ、＜カイト型の立方晶となつＣおり、超
格子の結晶構造を有する１３１Ｌ（Ｚｎ□／、Ｔａ、／
、 ）Ｏ，とは区別されるものである。
Ｏ％−４／ｚ Ｂｙ／ｚからなる組成物はその結晶構造
が単純なベロプ、＜カイト型の立方晶となつＣおり、超
格子の結晶構造を有する１３１Ｌ（Ｚｎ□／、Ｔａ、／
、 ）Ｏ，とは区別されるものである。
しかも、” （ｚ’ Ｘｚｎ７Ｔ’ Ｚ ）０７／！
−ｘ／２３／＊ ｌ）２．なる組成物は普通の焼成条件
で高いＱｎを有ｒる特性を有し、Ｂａ（Ｚｕ、ΔＴ Ｉ
Ｌ 、１ ）Ｏｚ のように高いＱ値を得るために１
２０時間に及ぶ焼成が不要になるという利点全方するの
である。
−ｘ／２３／＊ ｌ）２．なる組成物は普通の焼成条件
で高いＱｎを有ｒる特性を有し、Ｂａ（Ｚｕ、ΔＴ Ｉ
Ｌ 、１ ）Ｏｚ のように高いＱ値を得るために１
２０時間に及ぶ焼成が不要になるという利点全方するの
である。
ところが、Ｂａ （Ｚ ｒ Ｊ ｌｌｙ Ｔ ＆ Ｚ
） Ｏｙ／ｇ−ｃ／ａ −ｍ ｙ／ｚからなる、組成・
吻の共振周波数の温度係数（τｆ）はその組成比率を選
んだ場合−１〜１６ ｐｐ／’ｃであ久正側での制御は
可能であるが、むしろ負側の制御が困難であった。
） Ｏｙ／ｇ−ｃ／ａ −ｍ ｙ／ｚからなる、組成・
吻の共振周波数の温度係数（τｆ）はその組成比率を選
んだ場合−１〜１６ ｐｐ／’ｃであ久正側での制御は
可能であるが、むしろ負側の制御が困難であった。
したがって、この発明は高いＱ値を有するとともに、共
振周波数の温度係数をＯｐｐｍ／Ｃ’ｉ−中心とし′〔
任意の値の温度係数が得られる高周波用鱈醒体磁器組成
吻を提供することを目的とする。
振周波数の温度係数をＯｐｐｍ／Ｃ’ｉ−中心とし′〔
任意の値の温度係数が得られる高周波用鱈醒体磁器組成
吻を提供することを目的とする。
すなわち、この発明の要旨とするとζろは、Ｂｔｕ。
ＺｒＯ，、ＺｎＯ，Ｔａ１０ｓからなり、これを一般式
Ｂ ｌ（Ｚ ｒｘｚｎｙ”ｇ）Ｏｙ／ｚ −ｘ／＊−ｍ
ｙ／ｚと表わしだとき、Ｘ。
Ｂ ｌ（Ｚ ｒｘｚｎｙ”ｇ）Ｏｙ／ｚ −ｘ／＊−ｍ
ｙ／ｚと表わしだとき、Ｘ。
ｙ、ｚ がそれぞれ次の範囲にあり、かつＺｎの７０
原子チ以下がＮ：Ｌ、Ｇｏのいずれか一方または双方で
置換されていることを特徴とする高周波用誘１体磁器組
成物である。
原子チ以下がＮ：Ｌ、Ｇｏのいずれか一方または双方で
置換されていることを特徴とする高周波用誘１体磁器組
成物である。
０．０２ ’： Ｘ５０．１５
くく
０．２８工ｙ＝０．５５
＋］、５９ Ｚ Ｏ，６５
（た疋し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
ここで、Ｂ Ｌ （ＺｒｘＺ １１ Ｔ ＆、 ）０
、／、 、７．−ｊ、７． におい”Ｃ１に、ｙ、ｚ
をそれぞれ上Ｉホした範囲に限定したのは次のような
理由による。
、／、 、７．−ｊ、７． におい”Ｃ１に、ｙ、ｚ
をそれぞれ上Ｉホした範囲に限定したのは次のような
理由による。
すなわち、Ｘ、’ｔ ０．０２〜０．１５の範囲としだ
のは、Ｘが０．０２未（ｉｌｌＫなれば、Ｑが低Ｆする
どとになシ゛また０、１５を越えると、共振周波数の温
度係数が正１１１１１で大きくなるからである。
のは、Ｘが０．０２未（ｉｌｌＫなれば、Ｑが低Ｆする
どとになシ゛また０、１５を越えると、共振周波数の温
度係数が正１１１１１で大きくなるからである。
ｙを０．２８〜０．６５としたのは、ｙが０．２８未満
になり、また０、５５を越えると、いずれも焼結が困難
となるからである。
になり、また０、５５を越えると、いずれも焼結が困難
となるからである。
２をθ、５９〜０．６５としたのは、２がり、５９未満
になり、また０５６５を越えると、いずれも焼結が困難
となるからである。
になり、また０５６５を越えると、いずれも焼結が困難
となるからである。
また、Ｂ ＆ （ｚｒ ｘ ＺｎｙＴ ＩＬｚ ）０７
／２ ｘ／ｇ ｍ ｙ／ｚのＺｎのｌＪｉ、Ｇｏのいず
れか一方またはべ方で置換する場合その置換着を７０原
子チ以下としたのは、７０原子俤を越えると共振周波数
の温度係数が負側で大きくなりすぎるためである。
／２ ｘ／ｇ ｍ ｙ／ｚのＺｎのｌＪｉ、Ｇｏのいず
れか一方またはべ方で置換する場合その置換着を７０原
子チ以下としたのは、７０原子俤を越えると共振周波数
の温度係数が負側で大きくなりすぎるためである。
μ下、この発明を実施例に従って詳、畑に説明する０
実施例
原料として高純度のＢＡＣＯｌ、ＺｒＯ，、ＺｎＯ。
ＴＢ、Ｏ，、Ｎｉｐ、 Ｇｏ２０Ｊ を用い、第１表に
示す組成比率のＮｉ器が得られるように押針し、秤鳶原
料をゴム内張りしたボー７レミルン・＝めのう６１，１
Ｊ１１′／に、とともに入れ、２時間湿式混倉した。Ｃ
Ｉ４．合１勿を脱水乾燥したのち１２００でで２時１Ｌ
１１（反部し、この１反焼物をボールミルにめのう石、
純水、有機バインダとともに入れて２時１１１Ｊ ／Ｍ
式粉砕し７た。次いでこの粉砕物を乾燥したのち、５０
メツシユの網を通し”Ｃへ粒し、得られた粉末を２００
０ ｄｌ／ Ｃｊの圧力で１２．７ＪψＸ ６ ＋’ｌ
ｊｊ ｔの寸法からなる円板に成形した。
示す組成比率のＮｉ器が得られるように押針し、秤鳶原
料をゴム内張りしたボー７レミルン・＝めのう６１，１
Ｊ１１′／に、とともに入れ、２時間湿式混倉した。Ｃ
Ｉ４．合１勿を脱水乾燥したのち１２００でで２時１Ｌ
１１（反部し、この１反焼物をボールミルにめのう石、
純水、有機バインダとともに入れて２時１１１Ｊ ／Ｍ
式粉砕し７た。次いでこの粉砕物を乾燥したのち、５０
メツシユの網を通し”Ｃへ粒し、得られた粉末を２００
０ ｄｌ／ Ｃｊの圧力で１２．７ＪψＸ ６ ＋’ｌ
ｊｊ ｔの寸法からなる円板に成形した。
さらに、仁の円板を１４５０’ｃ、４時間の条件で・焼
成して磁器試料を１０だ。
成して磁器試料を１０だ。
優られた磁器試料につい゛Ｃ１周波数７Ｇｉ（Ｚにおけ
る誘置率（ε）、Ｑおよび共Ｉ置局波数の温度係数（τ
ｆ）を測定し、その結果を第６表に示した。
る誘置率（ε）、Ｑおよび共Ｉ置局波数の温度係数（τ
ｆ）を測定し、その結果を第６表に示した。
Ｍ３艮中※印はこの伯明ａ１川外のものであυ、それ以
外はすべてこの発明範囲内のものである。
外はすべてこの発明範囲内のものである。
第 ５ 表
第５表において、試料≦’４１ 、１０．１８．２６．
３４゜４１．４８はＺｎノ一部ヲＮ１． ｃｏ ノｖｖ
ｆレカ一方−＊たけ双方で置換しＣいない組成から、ケ
るものであるＯ また、試料番号５．ソ、 １４．２２．３３ 、よＮｉ
、Ｃｏの置換量が７０原子チを越えた例であり、共振周
波数の温度係数が負側で大きくなる項内にあるため、こ
の発明範囲から除去したものでちる。
３４゜４１．４８はＺｎノ一部ヲＮ１． ｃｏ ノｖｖ
ｆレカ一方−＊たけ双方で置換しＣいない組成から、ケ
るものであるＯ また、試料番号５．ソ、 １４．２２．３３ 、よＮｉ
、Ｃｏの置換量が７０原子チを越えた例であり、共振周
波数の温度係数が負側で大きくなる項内にあるため、こ
の発明範囲から除去したものでちる。
さらに、試料番号５６−６４は（ｌ ｒ ＬＺ ｎ ｙ
Ｔａ Ｚ ）０□ｉい一３φ のλ、！、２の値が玩
囲Ｉり外れ°Ｃいるものであり、焼結が困難で特性が１
氏下しＣいるため、この発明範囲から除外し；ｔもので
ある。
Ｔａ Ｚ ）０□ｉい一３φ のλ、！、２の値が玩
囲Ｉり外れ°Ｃいるものであり、焼結が困難で特性が１
氏下しＣいるため、この発明範囲から除外し；ｔもので
ある。
なお、試料番号５６〜６１については特性を示さなかっ
たが、これは十分に焼結した磁器が得られず、特性の測
定が行えなかったためである。
たが、これは十分に焼結した磁器が得られず、特性の測
定が行えなかったためである。
以上この発り」によれば、高い縛１ｄ率を有するととも
にＱが高く、さらに共振周波数の温度係数も０チを中心
に正側、負側に任意の値のものが得られ°Ｃいる。ｆ待
にこの発明によれば、ｚｎの一部をＮｉ、Ｇｏで置換す
ることによつ゛Ｃ負側−＼共振周波数の温度係数を制御
することができる。
にＱが高く、さらに共振周波数の温度係数も０チを中心
に正側、負側に任意の値のものが得られ°Ｃいる。ｆ待
にこの発明によれば、ｚｎの一部をＮｉ、Ｇｏで置換す
ることによつ゛Ｃ負側−＼共振周波数の温度係数を制御
することができる。
したがって、この発明によれば誘電体共振器、誘成体調
整俸、ＭＩＣ用誘畦体基板などの用途に有用な高周波用
誘′成体磁器組成物を提供することができる。
整俸、ＭＩＣ用誘畦体基板などの用途に有用な高周波用
誘′成体磁器組成物を提供することができる。
第１図けＢ ａ （Ｚ ｎ 、７． Ｔ ａ 、７．
） ０．の結晶構造を示す図、第２図はＢａ（Ｚｎ、、
、Ｔａ、／ａ）Ｏ，につい’ｃ焼成時間との関連で示し
たｘ 、ｖｊＩ１ｇｌ折図、第５図は、Ｂ ａ （Ｚ
ｎ １／ｘ Ｔ ａ ｚ７ｓ ） Ｏｇ Ｂ ａ Ｚ
ｒ Ｏ３未固溶体の電気特性図、第４図（ａ） 、
（ｂ）はそれぞれＢ ａ （Ｚｎ 、、。 Ｔ ａ ２７．） ＯＢとＢａ（Ｚｒ、。４Ｚｎ０．３
□’ｌ’ａ０゜、、）０．のＸ線回折図、第５図（ａ）
−（ｂ）はそれぞれＢ Ｌ （Ｚ ｎ 、／。 Ｔ ａ ２７ａ ） ＯｊとＢａ（Ｚｒ、。４ｚｎｏ、
ａｘ”ｏ、ａ４）”の立方晶の（３２１）面によるＫａ
□とＫａ２ の回折線図である。 特許出願人 法式会社 村１１製作暫 愚１ 口 ＯＯｅ ■ ＢＡＲｌｕＭ ｏＫＹ＆ＥＨＺＩＮＣ１７１ＮＴＡＬ
ｌ１Ｍ繰２図 １１４ｊ １＋５° １４Ｇ。 場３０ 率４．目 Ｌ（１１町８） 籐テロ ａｂｉｃ Ｕ啼） 手続補正書働幻 ７・ 特許庁長官殿 （特許庁審査官 殿） １、事件の表示 昭和５７年特許願 第１５５６５５号 ２、発明の名称 高周波用誘電体磁器組成物 ３、補正をする者 昭和５７年１１月５０日（発送日） （９図 面 補正の内容 １」） 明細書の全文 別紙のとおり。 （２）図 面 第１図、第４図、第５図を添付のとおり補正する。 範１ 図 瀾Ｉ＋図 、１ハ□ （Ｍｉｌｌ
） ０．の結晶構造を示す図、第２図はＢａ（Ｚｎ、、
、Ｔａ、／ａ）Ｏ，につい’ｃ焼成時間との関連で示し
たｘ 、ｖｊＩ１ｇｌ折図、第５図は、Ｂ ａ （Ｚ
ｎ １／ｘ Ｔ ａ ｚ７ｓ ） Ｏｇ Ｂ ａ Ｚ
ｒ Ｏ３未固溶体の電気特性図、第４図（ａ） 、
（ｂ）はそれぞれＢ ａ （Ｚｎ 、、。 Ｔ ａ ２７．） ＯＢとＢａ（Ｚｒ、。４Ｚｎ０．３
□’ｌ’ａ０゜、、）０．のＸ線回折図、第５図（ａ）
−（ｂ）はそれぞれＢ Ｌ （Ｚ ｎ 、／。 Ｔ ａ ２７ａ ） ＯｊとＢａ（Ｚｒ、。４ｚｎｏ、
ａｘ”ｏ、ａ４）”の立方晶の（３２１）面によるＫａ
□とＫａ２ の回折線図である。 特許出願人 法式会社 村１１製作暫 愚１ 口 ＯＯｅ ■ ＢＡＲｌｕＭ ｏＫＹ＆ＥＨＺＩＮＣ１７１ＮＴＡＬ
ｌ１Ｍ繰２図 １１４ｊ １＋５° １４Ｇ。 場３０ 率４．目 Ｌ（１１町８） 籐テロ ａｂｉｃ Ｕ啼） 手続補正書働幻 ７・ 特許庁長官殿 （特許庁審査官 殿） １、事件の表示 昭和５７年特許願 第１５５６５５号 ２、発明の名称 高周波用誘電体磁器組成物 ３、補正をする者 昭和５７年１１月５０日（発送日） （９図 面 補正の内容 １」） 明細書の全文 別紙のとおり。 （２）図 面 第１図、第４図、第５図を添付のとおり補正する。 範１ 図 瀾Ｉ＋図 、１ハ□ （Ｍｉｌｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＢａＪ、ＺｒＯ，、ＺｎＯ，Ｔａ、０．からなり、これ
を一般式 Ｂ’ （” ｒ、Ｃ” ｎｙ ＴａＨ２）
０７／２−Ｘ／Ｎ −ｍ ７／２ （！：表わしたとき
、Ｘ、７．Ｚがそれぞれ次の範囲にあり、かつＺｎの７
０原子係以下がＮｉ、 Ｇｏのいずれか一方または双方
によシ置換され°Ｃいることを特徴とする高周波用誘電
体磁器組成物。 １）、０２− Ｘ ： １３．１５゜、２８≦ア≦
＋Ｅ、５５ ０．５９≦２≦０．６５ （ただし、ｘ＋ｙ十ｇ＝１）
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57155655A JPS5945962A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| US06/527,762 US4485180A (en) | 1982-09-06 | 1983-08-30 | High frequency dielectric ceramic compositions |
| DE3331610A DE3331610A1 (de) | 1982-09-06 | 1983-09-01 | Dielektrische keramische zusammensetzung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57155655A JPS5945962A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945962A true JPS5945962A (ja) | 1984-03-15 |
| JPS6256099B2 JPS6256099B2 (ja) | 1987-11-24 |
Family
ID=15610708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57155655A Granted JPS5945962A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945962A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184704A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−フイルタ−製造方法 |
| JPH02199052A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 高周波用誘電体磁器組成物 |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP57155655A patent/JPS5945962A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63184704A (ja) * | 1987-01-28 | 1988-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カラ−フイルタ−製造方法 |
| JPH02199052A (ja) * | 1989-01-27 | 1990-08-07 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6256099B2 (ja) | 1987-11-24 |
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