JPS59457B2 - 光ファイバ用ガラス母材の製造装置 - Google Patents
光ファイバ用ガラス母材の製造装置Info
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- JPS59457B2 JPS59457B2 JP1959980A JP1959980A JPS59457B2 JP S59457 B2 JPS59457 B2 JP S59457B2 JP 1959980 A JP1959980 A JP 1959980A JP 1959980 A JP1959980 A JP 1959980A JP S59457 B2 JPS59457 B2 JP S59457B2
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- flow rate
- gas
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
- C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
- C23C16/4482—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material by bubbling of carrier gas through liquid source material
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
- C03B2207/86—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid by bubbling a gas through the liquid
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/80—Feeding the burner or the burner-heated deposition site
- C03B2207/85—Feeding the burner or the burner-heated deposition site with vapour generated from liquid glass precursors, e.g. directly by heating the liquid
- C03B2207/87—Controlling the temperature
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、金属ハロゲン化物等の原料ガスをキャリヤ
ガスと共に反応部に送り込み、この反応部でガラス化反
応を行わせる光ファイバ用ガラス母材の製造装置に関す
るものである。
ガスと共に反応部に送り込み、この反応部でガラス化反
応を行わせる光ファイバ用ガラス母材の製造装置に関す
るものである。
現在、石英系ガラスからなる光ファイバのコア及びクラ
ッドの多くは、主に金属ハロゲン化物（一部金属オキシ
ハ【］ゲン化物も含む）の酸化反応によつて作られてい
る。
ッドの多くは、主に金属ハロゲン化物（一部金属オキシ
ハ【］ゲン化物も含む）の酸化反応によつて作られてい
る。
よく使用される金属ハロゲン化物としては、ＳｉＣｌ４
、ＧｅＣｌ４、ＢＢｒ３、ＢＣｌ３、ＰＣｅ３、Ｐ０Ｃ
ｅ３、ＡｅＣｅ３等がある。これらがよく使用される理
由の一つは、それらの多くが常温で気体もしくは液体で
あるためである。ずなわち常温で気体であれば直接的に
弁によつて流量制御が可能であり、また常温で液体であ
ればこの温度で反応しないようなキャリヤガスと共に蒸
気として運ぶことができ、その流量がキャリヤガスの流
量を制御することによつて制御できるからである。従来
の簡便な装置は第１図に示すように構成される。
、ＧｅＣｌ４、ＢＢｒ３、ＢＣｌ３、ＰＣｅ３、Ｐ０Ｃ
ｅ３、ＡｅＣｅ３等がある。これらがよく使用される理
由の一つは、それらの多くが常温で気体もしくは液体で
あるためである。ずなわち常温で気体であれば直接的に
弁によつて流量制御が可能であり、また常温で液体であ
ればこの温度で反応しないようなキャリヤガスと共に蒸
気として運ぶことができ、その流量がキャリヤガスの流
量を制御することによつて制御できるからである。従来
の簡便な装置は第１図に示すように構成される。
キャリヤガスボンベ１１から供給されマスフローコント
ラーラ１２によつてその流量が制御されたキャリヤガス
１５は、恒温槽１３中に置かれたバブラＩＴに導かれる
。バブラ１１中には液体の金属ハロゲン化物（または金
属オキシハロゲン化物）１４が満たされており、この液
中をキャリヤガスの泡が通過する間にキャリヤガス中に
原料たる金属ハロゲン化物の蒸気が満たされる。この原
料ガスを含むキャリヤガス１６はバブラ１７を出たのち
、ガラス化反応を起こさせる反応部へと導かれる。原理
的には、運ぱれる原料ガス流量は次の式で表わされる。
ラーラ１２によつてその流量が制御されたキャリヤガス
１５は、恒温槽１３中に置かれたバブラＩＴに導かれる
。バブラ１１中には液体の金属ハロゲン化物（または金
属オキシハロゲン化物）１４が満たされており、この液
中をキャリヤガスの泡が通過する間にキャリヤガス中に
原料たる金属ハロゲン化物の蒸気が満たされる。この原
料ガスを含むキャリヤガス１６はバブラ１７を出たのち
、ガラス化反応を起こさせる反応部へと導かれる。原理
的には、運ぱれる原料ガス流量は次の式で表わされる。
すなわち、バブラ１７中の空隙部１８における気体の全
圧力をＰｏ、マスフローコントローラ１２からのキャリ
ヤガス１５の流量をＱｃ、恒温槽１３の温度における原
料の飽和蒸気圧をＰＲとすれば、原料ガスの流出量ＱＲ
は次の式から求められる。ただし、Ｑｃ、ＱＲは標準状
態における流量とする。これをＱＲについて解くと、 となり、よつてキヤリヤガス中に原料たる金属ハロゲン
化物の蒸気が完全に満たされれば、反応部に送り込まれ
る金属ハロゲン化物の流量ＱＲはキヤリヤガス流量Ｑｃ
に比例する。
圧力をＰｏ、マスフローコントローラ１２からのキャリ
ヤガス１５の流量をＱｃ、恒温槽１３の温度における原
料の飽和蒸気圧をＰＲとすれば、原料ガスの流出量ＱＲ
は次の式から求められる。ただし、Ｑｃ、ＱＲは標準状
態における流量とする。これをＱＲについて解くと、 となり、よつてキヤリヤガス中に原料たる金属ハロゲン
化物の蒸気が完全に満たされれば、反応部に送り込まれ
る金属ハロゲン化物の流量ＱＲはキヤリヤガス流量Ｑｃ
に比例する。
そのためキヤリヤガス流量Ｑｃを制御すればよいので、
ガラス化反応条件を設定するのには都合がよいと考えら
れる。しかしながら現実には次のような不都合が生じて
いる。
ガラス化反応条件を設定するのには都合がよいと考えら
れる。しかしながら現実には次のような不都合が生じて
いる。
まず第１に、キヤリヤガス流量が多くなると原料の蒸気
が必ずしも飽和されないで反応部へ流出していく。特に
単位時間当りのガラス化反応量を増加したい場合にはキ
ヤリヤガス流量も多くなり、この場合現実には（２）式
はとなつてしまう。
が必ずしも飽和されないで反応部へ流出していく。特に
単位時間当りのガラス化反応量を増加したい場合にはキ
ヤリヤガス流量も多くなり、この場合現実には（２）式
はとなつてしまう。
更にバブリングを長時間続けるとバブラ１７中の原料液
１４の液面が低下し、バブラ１７の底面付近になると原
料の蒸気はキヤリヤガス中でほとんど飽和しないことに
なり、前記（３）式と同様な不都合が生じる。これらの
２つの場合等では、単純に前記（２）式を適用して流量
条件を設定することができないという結果が生じる。そ
こで上記の欠点を補い、希望の原料ガス流量を反応部へ
送るための装置が考案されており、その原理は第２図に
示す通りである。すなわち第２図において第１図に示す
装置に制御装置２０が加えられている（第１図と同一の
部分には同一の番号が付されている）。バブラ１７に入
る前のキヤリヤガス１５の通過質量は測定装置２１によ
り測定され、またバブラ１７から出た後の原料ガスを含
むキヤリヤガス１６のトータルの通過質量が測定装置２
２により測定され、各測定結果が演算部２３で演算処理
され原料ガスの流量が求められ、この信号が比較器２４
に送られる。この比較器２４には基準（希望）の原料ガ
ス流量設定器２５からの基準信号が送られてきており、
比較結果たる偏差出力がマスフローコントローラ１２に
加えられる。こうして常に希望の原料ガス流量を流すフ
イードバツクループが形成される。そのためこの第２図
の構成では原料液１４の液面が低下しても、すなわち上
記（３）式のように不等式の状態であつてもその分キヤ
リヤガス流量を増加し、希望の原料ガス流量となるよう
にフイードバツクループが作動する。しかしながらこの
場合でもガラス化反応部からみると次のような不都合が
ある。
１４の液面が低下し、バブラ１７の底面付近になると原
料の蒸気はキヤリヤガス中でほとんど飽和しないことに
なり、前記（３）式と同様な不都合が生じる。これらの
２つの場合等では、単純に前記（２）式を適用して流量
条件を設定することができないという結果が生じる。そ
こで上記の欠点を補い、希望の原料ガス流量を反応部へ
送るための装置が考案されており、その原理は第２図に
示す通りである。すなわち第２図において第１図に示す
装置に制御装置２０が加えられている（第１図と同一の
部分には同一の番号が付されている）。バブラ１７に入
る前のキヤリヤガス１５の通過質量は測定装置２１によ
り測定され、またバブラ１７から出た後の原料ガスを含
むキヤリヤガス１６のトータルの通過質量が測定装置２
２により測定され、各測定結果が演算部２３で演算処理
され原料ガスの流量が求められ、この信号が比較器２４
に送られる。この比較器２４には基準（希望）の原料ガ
ス流量設定器２５からの基準信号が送られてきており、
比較結果たる偏差出力がマスフローコントローラ１２に
加えられる。こうして常に希望の原料ガス流量を流すフ
イードバツクループが形成される。そのためこの第２図
の構成では原料液１４の液面が低下しても、すなわち上
記（３）式のように不等式の状態であつてもその分キヤ
リヤガス流量を増加し、希望の原料ガス流量となるよう
にフイードバツクループが作動する。しかしながらこの
場合でもガラス化反応部からみると次のような不都合が
ある。
すなわちＭＣＶＤ（ＭＯｄｉｆｉｅｄＣｈｅｍｉｃａｅ
ＶａｐＯｕｒＤｅｐＯｓｉｔｉＯｎ）法においては第３
図に示すように、移動する加熱源３１により局部的に加
熱される出発石英管３２の中空部にＳｉＣｅ４のような
珪素のハロゲン化物のガスと共にドープ剤となるべきＧ
ｅＣｅ４，ＢＢｒ３，ｐＯｃｅ３等のハロゲン化物また
はオキシハロゲン化物のガスを送り込み、同時に送り込
まれた酸素とともに反応させて高温ゾーン３３付近の内
壁面に所定のドーパント濃度、すなわち所定の屈析率を
持つガラス膜を堆積する。こうして順次屈折率の異る複
数層のガラス膜を堆積させたのち、この管を漬して充実
化し、フアイバ母材とする。所望の屈折率を持つガスス
膜を所望の膜厚で堆積するには高温ゾーン３３の温度や
温度分布、出発石英管３２中を流れる０２やＳｉＣ′４
等の金属ハロゲン化物のガス流量等の各条件を安定に維
持することが必要である。前記の第２図に示した構成に
よれば、確かにＳｉＣ′４等の金属ハロゲン化物のガス
流量を所定の値にすることが可能である。しかしながら
第２図の場合には金属ハロゲン化物のガス流量を一定と
するためにキヤリヤガス（Ａｒ等）流量を変化させるた
め、出発石英管３２中に流れる全ガス流量が変化してし
まう。この全ガス流量の変化は反応部における反応条件
の変化をもたらし、屈折率分布を精密制御する場合に極
めて有害である。例えばいわゆるグレーデツドインデツ
クス型フアイバをＭＣＶＤ法で作製するには、順次屈折
率の異る複数層のガラス膜を堆積する必要があるが、こ
の屈折率分布の精密訓御が難しくなるのである。第４図
及び第５図はそれぞれいわゆるＣＶＤ外付け法及び気相
軸付け法を示す概略図であり、どちらの場合も酸水素火
炎４１，５１の内での高温酸化もしくは高温加水分解反
応によつて所定のドーパント濃度を持つガラス微粉末を
作り、これを出発ガラス管４２の周方向（第４図）や、
出発ガラス管５２の軸方向（第５図）に堆積させるもの
であるが、これらのＣＶＤ外付け法や気相軸付け法によ
りガラス化反応部を構成した場合でも第２図の構成を用
いると、原料ガス流量を一定とするため全ガス流量変化
が起こされて屈折率分布の精密制御が難しいという不都
合が同様に正じる。
ＶａｐＯｕｒＤｅｐＯｓｉｔｉＯｎ）法においては第３
図に示すように、移動する加熱源３１により局部的に加
熱される出発石英管３２の中空部にＳｉＣｅ４のような
珪素のハロゲン化物のガスと共にドープ剤となるべきＧ
ｅＣｅ４，ＢＢｒ３，ｐＯｃｅ３等のハロゲン化物また
はオキシハロゲン化物のガスを送り込み、同時に送り込
まれた酸素とともに反応させて高温ゾーン３３付近の内
壁面に所定のドーパント濃度、すなわち所定の屈析率を
持つガラス膜を堆積する。こうして順次屈折率の異る複
数層のガラス膜を堆積させたのち、この管を漬して充実
化し、フアイバ母材とする。所望の屈折率を持つガスス
膜を所望の膜厚で堆積するには高温ゾーン３３の温度や
温度分布、出発石英管３２中を流れる０２やＳｉＣ′４
等の金属ハロゲン化物のガス流量等の各条件を安定に維
持することが必要である。前記の第２図に示した構成に
よれば、確かにＳｉＣ′４等の金属ハロゲン化物のガス
流量を所定の値にすることが可能である。しかしながら
第２図の場合には金属ハロゲン化物のガス流量を一定と
するためにキヤリヤガス（Ａｒ等）流量を変化させるた
め、出発石英管３２中に流れる全ガス流量が変化してし
まう。この全ガス流量の変化は反応部における反応条件
の変化をもたらし、屈折率分布を精密制御する場合に極
めて有害である。例えばいわゆるグレーデツドインデツ
クス型フアイバをＭＣＶＤ法で作製するには、順次屈折
率の異る複数層のガラス膜を堆積する必要があるが、こ
の屈折率分布の精密訓御が難しくなるのである。第４図
及び第５図はそれぞれいわゆるＣＶＤ外付け法及び気相
軸付け法を示す概略図であり、どちらの場合も酸水素火
炎４１，５１の内での高温酸化もしくは高温加水分解反
応によつて所定のドーパント濃度を持つガラス微粉末を
作り、これを出発ガラス管４２の周方向（第４図）や、
出発ガラス管５２の軸方向（第５図）に堆積させるもの
であるが、これらのＣＶＤ外付け法や気相軸付け法によ
りガラス化反応部を構成した場合でも第２図の構成を用
いると、原料ガス流量を一定とするため全ガス流量変化
が起こされて屈折率分布の精密制御が難しいという不都
合が同様に正じる。
本発明は上述に鑑み、キヤリヤガスの流量を増減するこ
となく一定の原料ガス流量を維持することのできる、光
フアイバ用ガラス母材の製造装置を提供することを目的
とする。以下、本発明の一実施例について第６図を参照
しながら説明する。
となく一定の原料ガス流量を維持することのできる、光
フアイバ用ガラス母材の製造装置を提供することを目的
とする。以下、本発明の一実施例について第６図を参照
しながら説明する。
第６図において第１図の構成（第１図と同符号が付され
ている）に加えて制御系６０が設けられている。この制
御系６０は、濃度検出器６１と比較器６２と基準濃度設
定器６３と温度制御装置６４とから構成され、フイード
バツクループを形成する。マスフローコントローラ１２
は一定流量のキヤリヤガス１５をバブラ１７中に送り込
む。そしてバブリングされ金属ハロゲン化物のガスを含
んだキヤリヤガス１６が反応部へ送られようとするが、
その移送通路中に設けられた濃度検出器６１により金属
ハロゲン化物の濃度が検出される。そしてこの濃度検出
器６１の検出出力が比較器６２において基準濃度出力と
比較されてその偏差出力が恒温槽１３の温度を制御する
温度制御装置６４に加えられる。こうしＣ恒温槽１３の
温度が所望させられ、金属ハロゲン化物の蒸気濃度が所
望のものとなるように制御される。この第６図の装置で
バブラ１７を円筒バブラとし、その中にＳｉｃｅ４の液
体を入れ、送り込むキヤリヤガス１５の流量を一定にし
た状態でバブリングを行い、反応部へ送られるＳｉｃｅ
４ガスを含むキヤリヤガス１６におけるＳＩＣｌ４流量
を測定したところ、第７図に示すようになつた。第７図
においてイは送り込むキヤリヤガス１５の流量、口はＳ
ｉｃｅ４の液体１４の液面を示すものでバブリング時間
とともに液面が低下しているが、制御系６０を動作させ
ない場合にはこの液面低下とともにＳｉｃｅ４流量が二
に示すように減少し、８時間後には約４０％の減少が見
られた。これに対し制御系６０を働かせて恒温槽１３の
温度制御を行つたところ、ハに示すよう！こＳｉＣｌ４
流量は略一定のものとすることができた（なお第７図の
イ，町ハ，二の各曲線はバブリング開始前の値を１とし
て描かれている）。このように第６図の構成によればキ
ヤリヤガス流量はマスフローコントローラ１２によつて
安定化されており、かつ一定のキヤリヤガス流量に対す
る原料ガス流量の濃度が制御系６０によつて安定化され
ているため、キヤリヤガス流量と原料ガス流量との和が
一定となるため、バブラ１７中の原料液１４の液面に拘
らず流量・濃度ともに非常に安定なガスが反応部へ送り
込まれる。
ている）に加えて制御系６０が設けられている。この制
御系６０は、濃度検出器６１と比較器６２と基準濃度設
定器６３と温度制御装置６４とから構成され、フイード
バツクループを形成する。マスフローコントローラ１２
は一定流量のキヤリヤガス１５をバブラ１７中に送り込
む。そしてバブリングされ金属ハロゲン化物のガスを含
んだキヤリヤガス１６が反応部へ送られようとするが、
その移送通路中に設けられた濃度検出器６１により金属
ハロゲン化物の濃度が検出される。そしてこの濃度検出
器６１の検出出力が比較器６２において基準濃度出力と
比較されてその偏差出力が恒温槽１３の温度を制御する
温度制御装置６４に加えられる。こうしＣ恒温槽１３の
温度が所望させられ、金属ハロゲン化物の蒸気濃度が所
望のものとなるように制御される。この第６図の装置で
バブラ１７を円筒バブラとし、その中にＳｉｃｅ４の液
体を入れ、送り込むキヤリヤガス１５の流量を一定にし
た状態でバブリングを行い、反応部へ送られるＳｉｃｅ
４ガスを含むキヤリヤガス１６におけるＳＩＣｌ４流量
を測定したところ、第７図に示すようになつた。第７図
においてイは送り込むキヤリヤガス１５の流量、口はＳ
ｉｃｅ４の液体１４の液面を示すものでバブリング時間
とともに液面が低下しているが、制御系６０を動作させ
ない場合にはこの液面低下とともにＳｉｃｅ４流量が二
に示すように減少し、８時間後には約４０％の減少が見
られた。これに対し制御系６０を働かせて恒温槽１３の
温度制御を行つたところ、ハに示すよう！こＳｉＣｌ４
流量は略一定のものとすることができた（なお第７図の
イ，町ハ，二の各曲線はバブリング開始前の値を１とし
て描かれている）。このように第６図の構成によればキ
ヤリヤガス流量はマスフローコントローラ１２によつて
安定化されており、かつ一定のキヤリヤガス流量に対す
る原料ガス流量の濃度が制御系６０によつて安定化され
ているため、キヤリヤガス流量と原料ガス流量との和が
一定となるため、バブラ１７中の原料液１４の液面に拘
らず流量・濃度ともに非常に安定なガスが反応部へ送り
込まれる。
このためかなりキヤリヤガス流量が大きくかつ原料ガス
流量の大きな製造条件の場合でも対応することができ、
特に今後光フアイバの製造速度の高速化、製造技術の精
密化が必至と考えられているが、これに応えることが可
能となる。実際に前述の気相軸付法により軸方向にガラ
スの堆積を行う場合に第６図の構成を適用したところ、
長手方向に非常に安定した伝送特性を持つ光フアイバを
得ることができた（第６図の構成を用いない従来の構成
では、例えばＳｉＯ２中にＧｅＯ２をドープしたグレー
デツドインデツクス型フアイバを作ろうとする場合、原
料であるＳｉｃｅ４濃度が時間とともに変化すると、た
とえドーパント原料であるＧｅｃｅ４を安定に供給した
としてもＳＩｃｅ４濃度の変化のため、堆積したガラス
中のＧｅＯ２濃度が変わつてしまい、安定な屈折率分布
が得られないが本発明の構成を用いることによりＳｉｃ
ｅ４濃度を一定とすることができるため、安定な屈折率
分布を得ることができる）。
流量の大きな製造条件の場合でも対応することができ、
特に今後光フアイバの製造速度の高速化、製造技術の精
密化が必至と考えられているが、これに応えることが可
能となる。実際に前述の気相軸付法により軸方向にガラ
スの堆積を行う場合に第６図の構成を適用したところ、
長手方向に非常に安定した伝送特性を持つ光フアイバを
得ることができた（第６図の構成を用いない従来の構成
では、例えばＳｉＯ２中にＧｅＯ２をドープしたグレー
デツドインデツクス型フアイバを作ろうとする場合、原
料であるＳｉｃｅ４濃度が時間とともに変化すると、た
とえドーパント原料であるＧｅｃｅ４を安定に供給した
としてもＳＩｃｅ４濃度の変化のため、堆積したガラス
中のＧｅＯ２濃度が変わつてしまい、安定な屈折率分布
が得られないが本発明の構成を用いることによりＳｉｃ
ｅ４濃度を一定とすることができるため、安定な屈折率
分布を得ることができる）。
すなわち、全長２０１ｃ１ｎの光フアイバを作り、１１
ｃ１ｎ毎に切断しその特性を調べたところ、． ２０本
の光フアイバ（長さ１ｋ；Ｆｌｌ）の全てが、光の波長
０．８４μｍで、伝送損失２．５±０．１ｄＢ／Ｋｍ、
ベースバンド伝送帯域巾１０００ＭＨｚ±１００ＭＨｚ
１の特性となり、特性が長手方向に安定していることが
わかる。以上実施例について説明したように、本発明に
よればキヤリヤガス中における原料ガス濃度を検出して
バブラの温度を制御するようにしているため、キヤリヤ
ガス及び原料ガスの流量をともに一定に保つことができ
るので、屈折率を安定・精密に制御することが可拒とな
り、特性の安定した光フアイバを得ることができる。
ｃ１ｎ毎に切断しその特性を調べたところ、． ２０本
の光フアイバ（長さ１ｋ；Ｆｌｌ）の全てが、光の波長
０．８４μｍで、伝送損失２．５±０．１ｄＢ／Ｋｍ、
ベースバンド伝送帯域巾１０００ＭＨｚ±１００ＭＨｚ
１の特性となり、特性が長手方向に安定していることが
わかる。以上実施例について説明したように、本発明に
よればキヤリヤガス中における原料ガス濃度を検出して
バブラの温度を制御するようにしているため、キヤリヤ
ガス及び原料ガスの流量をともに一定に保つことができ
るので、屈折率を安定・精密に制御することが可拒とな
り、特性の安定した光フアイバを得ることができる。
第１図は従来例のプロツク図、第２図は他の従来例のプ
ロツク図、第３図、第４図及び第５図はＭＣＶＤ法、Ｃ
ＶＤ外付け法及び気相軸付け法をそれぞれ説明するため
の模式図、第６図は本発明の一実施例のプロツク図、第
７図は第６図における特性図である。 １１・・・・・・キヤリヤガスボンベ、１２・・・・・
・マスフカーコントローラ、１３−・・・・・恒温槽、
１４−・・−・・原料液、１５・・・・・・送り込まれ
るキヤリヤガス、１６・・・・・・原料ガスを含むキヤ
リヤガス、１７・・・・・・バブラ、１８・・・・・・
空隙部、６１・・・・・・濃度検出器、６２・・・・・
・比較器、６３・・・・・・基準濃度設定器、６４・・
・・・・温度制御装置。
ロツク図、第３図、第４図及び第５図はＭＣＶＤ法、Ｃ
ＶＤ外付け法及び気相軸付け法をそれぞれ説明するため
の模式図、第６図は本発明の一実施例のプロツク図、第
７図は第６図における特性図である。 １１・・・・・・キヤリヤガスボンベ、１２・・・・・
・マスフカーコントローラ、１３−・・・・・恒温槽、
１４−・・−・・原料液、１５・・・・・・送り込まれ
るキヤリヤガス、１６・・・・・・原料ガスを含むキヤ
リヤガス、１７・・・・・・バブラ、１８・・・・・・
空隙部、６１・・・・・・濃度検出器、６２・・・・・
・比較器、６３・・・・・・基準濃度設定器、６４・・
・・・・温度制御装置。
Claims (1)
- １ 容器に収納されている液体原料をキャリヤガスによ
りバブリングしてキャリヤガス中に原料ガスを含ませ、
この原料ガスを含んだキャリヤガスを反応部に送り込み
、この反応部でガラス化反応を行わせる光ファイバ用ガ
ラス母材の製造装置において、前記原料ガスを含むキャ
リヤガスを前記反応部に移送する通路中に設けられた前
記キャリヤガス中における原料ガスの濃度を検出する濃
度検出装置と、この濃度検出装置の濃度検出信号により
前記原料ガスの収納容器の温度を制御する制御装置とを
有することを特徴とする光ファイバ用ガラス母材の製造
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1959980A JPS59457B2 (ja) | 1980-02-19 | 1980-02-19 | 光ファイバ用ガラス母材の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1959980A JPS59457B2 (ja) | 1980-02-19 | 1980-02-19 | 光ファイバ用ガラス母材の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56120527A JPS56120527A (en) | 1981-09-21 |
| JPS59457B2 true JPS59457B2 (ja) | 1984-01-06 |
Family
ID=12003681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1959980A Expired JPS59457B2 (ja) | 1980-02-19 | 1980-02-19 | 光ファイバ用ガラス母材の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59457B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5690498B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2015-03-25 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー． | 基体上に膜を堆積する方法および気化前駆体化合物を送達する装置 |
-
1980
- 1980-02-19 JP JP1959980A patent/JPS59457B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56120527A (en) | 1981-09-21 |
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