JPS5945327A - 金属薄膜磁気記録媒体用ポリエチレンテレフタレ−トフイルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は、高密度磁気記録媒体用ポリエチレンプレフタ
レートフィルムに関するものである。 更に詳細には、金属薄膜磁気Ｂ〔１録媒体用ポリエチレ
ンテレフタレートフィルムに係ζ）モノである。 近年、高密度磁気記録用媒体としてパインターを用いず
、磁気記録層として金属薄膜を真空蒸着やスパッタリン
グの如き真空沈着法によって、非磁性支持体であるポリ
エチレンテレフタレートフィルム上に形成して、この強
磁性金属を薄膜磁気記録拐とするものが提案されている
。 このような蒸着、スパッタリング又はイオンブレーティ
ング等の薄膜形成手段で金属薄膜を形成する場合、高熱
に曝されるため非磁性支持体であるポリエチレンテレフ
タレートフイルムが熱変形されや１゛＜、こ牙１を回避
−４べくフィルｌ−を冷却ドラノ・に＠着・りしめて嘔
Ｍする古筆が採用されている。そして、＜ｆｌＪ　＊、
　ｉ）蒸着時に発生−する（リイオン熱（運動エネルギ
ー）、■凝縮潜熱及び（ｉ）輻射熱；スパッタリング時
に発生づるイオン熱；イオンプレーディング時に発生」
る０）イ刊ン熱、■凝縮潜熱及７％　ｔｆｉ、軸身１熱
等は、冷態である。もつとも、真空下で金属がポリエチ
レンテレフタレートフィルム着面に凝縮する際に、フィ
ルムの表面は、極めて旬時間ではル）るが高温に■ψさ
第１、ホリエチレンテレフタレートフイルム内部ヨリポ
リエチレン−テレフタ１／−トのオリゴマー結晶が、拡
散相出１−１磁性薄膜表面に微細な突起を形成すること
か回避できフ（（・。 このオリゴマー結晶による表面突起は、好ましくない電
磁変換特性やドロップアウトをもたらず屏因とブｆる。 磁気記０媒体の表面が平ｍであることが要求され、かか
る１リゴマ−Ａｌ１出のない支持体フィルムが要求さ才
１ろ。 本発明者は、かがる観点から、オリゴマー析出のないポ
リエチレンテレフタレートフィルムについて鋭意横側し
た結果本発明に到達したものである。 −すなわち本発明は、 フィルム密度が＋、３ｃ＋ｑｇ／ｃＪ以十であって、か
つフィルム長手方向又←２℃幅方向の少くとも一方向に
おける１５０℃、３０分間の＠５着で測定した熱収縮率
が２，０％以上である金ミＪ６薄膜磁気Ｅ録媒体用ボ＋
）エチレンテレフタ１−一トフィルム である。 本発明にいうポリ二手レンチレフタレ　トは、ポリエチ
レンテレフタレートポモポリマーのみならず、繰り返し
単位の数の８５係」す１−がエチレンテレフタレート単
位よりなり、残りが他の成分であるような共重合ポリエ
チレンプレフタレートを含む。 本発明のフィルムは、例えば固有粘度数０．４５〜１１
，７！ｌ（オルソクロロフェノール２５℃で測定）σ）
１看

【１ポリマーを、ポリマ一温度２６０〜３２０°Ｃ
で溶融し押出機内の７；１１留時間が２〜２０分間の範
囲においてフラットクイを介して冷却ドラｌ−表面に押
出成形する。 このようなポリエチレンテレフタレートな押出成形すＺ
）に際し、ポリマーがチップ状に固化したものを使用−
４−る」見合Ｋ（・」、予め＋　２０　’に以」−１ｆ
ｊ’　ｔしくは１５Ｑ〜１７０”ｃの拮１１ハ′！て少
くとも約２時間乾燥結晶什１して千ツブ水分率が（１，
００５重（１１％以下としだもσ）を溶融押出すること
か望ましく・。 このようにして得られた未延伸ポリエチレンプレフタレ
ートフィルムを少くとも一方向姓２．５倍以上６．０倍
以下（ｒＣ＋ｉ”１．伸すく、。延伸の方法は例えはポ
リエチレンテレフタレートのカラス転移点（Ｔｇ　）乃
至（Ｔｇ　＋　５　（１）　℃でｆｆｔ　１段の延伸を
行い、続いてこれと直角の方向にＴｇ〜（Ｔｇ−１−５
０）°Ｃの湿度で第２段の延伸をする。更に必要に応じ
て第１段の方向に第３段の延伸を施すことができる。一
方向の延伸倍率がトータルとして２．５〜６．０倍とＩ
Ｉるように延伸すれば良い。 得らＪまたフィルムは、フィルム密度が１．３９９１１
／ｃｄ以上になるようにし、更にフィルムの長手方向又
はフィルム幅方向の両方もしくはいずれかが１５０℃、
３０分間の条件で測定した熱収縮率が２．０％以上とフ
、（るよ５に熱［ＩＩ；ｌ定す才ｔばよい。フィルム密
度は縦・横延伸温度、延伸倍率、熱固定温度、熱固定時
間等に依存して異なるが、とりわけ熱固定温度に主とし
２て依存−するものであて、。例えば通ｎの縦・横延伸
温度（８０〜１２０）°Ｃで、縦延伸倍率３．５倍、横
延伸倍率４．０倍、熱固定時間（１〜３０）秒の条件で
、フィルム長手方向および幅方向を熱固定前と同一の寸
法に保って、フィルム幅方向を把持しながらフィルムを
長手方向に連続的に移〜ｊさせ、２２５℃以りで熱固定
するとフィルム密度を１．３９９１１　／ｄ以上とする
ことが出来る。この熱固定温度範囲（２２５℃以上）で
は、フィルム長手方向および幅方向の１５Ｑ°Ｃ２３０
分間で測定した熱収＠率け、そ）ｔ−ｔ−れ１７φ以下
および０．６％以上（Ｉｉ、　１エイ）。（ｒ（：、　
−〕てこの１まてけフイルノ・長手方向または幅方向の
少くとも一方向の１５　ｎ”＜Ｈ，：３０分間で１１１
５；−１される熱１１ｙ縮率を２．０チ以−にに保持づ
ろこと１５１不０１能でル、るから、２２５°０以トの
熱固定部の１う後の段ｌ！Ａにおいて長子ノラ向或いは
幅方向のルくとも一方向に若干のテンションを加をで、
長手Ｊフ向或、いは幅方向に１６いてフィルムに緊張乃
至僅少叶延伸」るど、熱収縮率を２．０係以−トに到ｉ
卒・１１シめろことができる。具体的にば、熱固定量後
σ）部分でフィルム長手方向の引１’ＦＺスピードを若
干高めて司法的に最大１０チ程ＩＯ延伸するとかフィル
ム幅方向の把持部を拡げて、同様に一１法的に最大１（
）係程度延伸する方策を実施１く）ごとがてきる。 かかる物性を不するポリエチ１．−ンテレフタレートフ
イル！・は、その片μ４が明「〕か−（けブＩ（・が、
」くべきことに、蒸着、スパッタリング、イオンプレー
ブイング等の薄膜形ＩＡ手段によって金属薄膜を形成す
る場合、フィルムが高熱に曝さの析出が見られず１表面
平滑な金属薄膜磁気記録媒体が得られる。 フィルム密度が１．３９９　、！７／ｃＪ未満ではオリ
ゴマーの析出を抑えることが出来な（・。このオリゴマ
ー４０串のメカニズの解明が不十分でル）るが、次のよ
うに推定することもできよう。フィルム表面に析出する
オリゴマー４Ｊｌ出の挙動は、ポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに含マれる環状３〜４゛ｉ体のオリゴマー
が、ポリエチレンテレフタレートフィルム・の結晶什（
熱固定）に伴ってポリエチレンテレフタレート結晶より
排除され、フィルム表面に拡散して来る。一方フイルム
表面に析出した」リボマーは与えられた熱によってＪＡ
華する。従ってフィルム表面のオリゴマー析出状況は、
オリゴマーのフィルム内部からの拡散スピードとフィル
ム表ｉｃＪからの昇革スヒードの競合状態の結果として
決まる。 熱固定ｎＲ川が高い程、結果として表面にイ）１出する
オリゴマーは少くなる傾向が強い。２２５°Ｃ以」では
、詔華連１１４’、がオリゴマーの拡散速度を上まわっ
て〜・るとＪｆｔ定さＡ１イ）が、猶フィルム表面近傍
のフィルト内部にはフィルム表向に析出１べくオリゴマ
ーが多重にイ１在すると予測さねろ。高い熱同定の故に
ホリゴイ１７ンヴ１／フタレートフィル人の面配置向が
ゆるみ、内部から表面にオリゴマーが一層イノＩ出さね
易（・構〕告にプ、Ｃっていイ〕ものと４１ｆ定して（
・ろ。 鼻着、スパッター、イフ→ンブレー子イング等の薄膜形
成手段で金属薄膜を作製するＪＱ　＠’　ｓポリ′ｆ−
づ１／ンデレフタ１．−−　）フィルムの熱固定？！ｒ
Ａ１（＋が高し・程、 （ｊ−）　　金に１３薄膜作製ＭｉＪの千りｒ−１−１
／ンテ１フタレートフイルノ・着面に４在する析出オリ
ゴマーが少いこと。 ■　金ハ薄膜作１４す後の金１・ぺ薄膜４４ｐ而には、
［ハ出オリゴマー量が少（・こと が詔められて）。 もし、ト述の４１Ｂ宇が妥当＋１σ’　Ｋｒ１いもので
ル、るｌ、（らげ、高温陣でフィルムを熱固定１゛イ）
と分−子配向が緩和されてオリゴマーが析出され易い構
造にブＩつている筈でたべ）。そこで、熱固定の最後の
〆階て゛、フィルムの縦方向または楢方向に緊張して、
フィルムに書び面配向を促せば、フィルムはオリゴマー
が析出しｍ１４　＜　／、（る緻密構造に戻るものと′
４１１．定されイ）。 ポリエチレンテレフタレートフィルムの密度が高いｔよ
と、＾）配向化されて熱収縮率が太きいものほど、金属
薄膜加工時の刊すゴマーの析出量が少い４４ｉ実を辺付
；づして（・る。 本発明のポリエチレンテ１／フタレートフィルム密度は
１．゛う９　ｉｌ　Ｉ？　／　ｃａ以」二、好４−しく
は１．４　（１２ｇ／　ｎ４以上、更に好ましくは１．
４０４１１／ｌｙＪであり、密＋＜＋の上限は１ｌｌｆ
に限定されないが、通常１．４０７９　／ｃｌ程度で、
ｔ−１４）。この時の熱固定部Ｎ］はそｉｌぞれ２２５
℃、　　２３０　”（１’、　。 ２３３°Ｃおよび２４０℃程度とプよる。 熱固定温度が高くなるにつれて１５０℃、３０分の条件
で測定した熱収縮率は小さくなる。前述の製膜争伺で２
２５°Ｃで熱処理したものの熱収縮率はＪキ手方向１．
７チ、密、力向番ま（）、６チブル。 イ）から、本発明の今・（′１を満足、第４・しめイ）
にＩｔ　、フイルノ・長：＋＝一方向よび幅方１１１１
に一プーンションを夙１女゛（面配向を４’！持し、熱
収縮率を向上さ甲”るとよ（゛。〕・イルム長手力向又
ｉｔ幅万Ｆ１σ）少くとも一方向（好ましくは両方向）
の１５０°Ｃ１３０分間の＜：　ｆｔでチ（１（定した
熱収縮率が２．０チリ、」−１女イましく（」、２．５
％以上と１４ｒるよ５に一〇ｔ　＋干、金Ｒ＃　ｍ作成
時ｔｙ＞　オ！Ｊ　−ｑ　−ｚ　−４＋１　出量ＩＩｔ
抑ｆｉ−「）　ｊｌ　ル。 熱収縮率の上限は通常６％程角である。 フィルムｊＶ２は３−１０　Ｆｌ　１ｔＴｎ、好ましく
　ｌ′ｉ５〜７　！ｉ　ｌＪ、７ｎのも゛のが磁気記０
幌休用途りこう商する。 フィルム製卒法として常用及び配向性（熱１叉縮率）を
満足する条件けｔｔ：ｉにＩｊｆｌ　ｉｔｓσ）方法に
限定さＪするものではない。 本発明のフィルムを用（・て、蒸着、スノくツタリング
、イオンブレ−ティング法本発明＠３杉成手段で金、）
慎薄膜を形成する場合、高熱に１はさ第１るにもかかわ
らずオリゴマーの４ｉｉ　８５７’ｌ−見らオシず、表
面平滑な金属薄膜磁気ｎ１つ録媒ず、仁ｈ’　Ｋ’Ｊ　
Ｇ＞　ｆする。 金属薄膜形成の手段は、真空蒸着法、スパッター法、イ
オンブレーティング法等が挙げられるが、これらの方法
についての従来公知のすべての方法を適用することがで
きる。 真空蒸着法の場合には、１０〜１０Ｔｏｒｒの真空下で
タングステンポートやアルミナ／−−ス中の蒸着金属を
抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム加熱等により蒸発さ
れ、上記支持体」二に沈着せしめる。蒸着金属としては
Ｆｅ、　Ｎｌ　、　Ｃｏ及びそれらの合金が通常用いら
れる。また、本発明には、０２雰囲気中でＦｅｔを蒸着
さゼ耐７化鉄薄膜を得る反応蒸着法も適用できる。イオ
ンブレーティング法では、１０　〜１ＯＴｏｒｒの不活
性ガスを主成とする雰囲気中でＴ３Ｃグロー放電。 ＲＦグロー放電を起し、放電中で金属を蒸発さす。 不活性ガスとしては通常Ａｒが用いら第１る。スパッタ
法では１０　〜１０　　Ｔｏｒｒ（’）Ａｒを主成分と
する雰囲気中でグロー放電を起し、生じたＡｒイオンで
ターゲット表面の原子をたたき出−す。 グルー放電を起す方法として直流２極、３極スパツタ法
及び高周波スパッタ法がある。又、マグネトロン放電を
利用したフグネトロンスパッタ法もある。磁気薄膜の厚
さけ高密度磁気記録媒体として充分な信づ出力を梓供す
るものでなければならない。従・】て磁気薄膜の厚さく
Ｊ薄膜形成法、用途によって異なるが、一般に０．０２
〜１．５μｒｒＬ（２００〜＋５０００ス）の間にある
。 オーディオ、ビテオ、コンピューター等の長手記碌用磁
気薄膜の形成法としては、蒸着（＃蒸着、電子ビーノ・
蒸着等）、スパッタリング（２ｔ！ｉｉ’Ｆ流スパツタ
リンク、　晶１ｆｒｌ波７バツタリング等）等の方法が
替げらｊｌ、　７．）。蒸着の場合磁化容易軸をテープ
水平方向に発現−づ゛る。ｌ：５Ｃｏ等の強（６（性体
金属を非９！性のプラスチック支持体に対し連続的に斜
方蒸着な行（・、繰り返し第７を層することによって、
結晶磁勿■方性、形状界方性をテープ水平方向に発現さ
せるものでキ・る。 従ってトータルとしての金属薄膜１１さけ、１ＩＪ１２
〜０．５　ｔｔｍ　（２００〜５０００　Ｘ　　）程１
’ｌｊテ！、る。 また、−ヒ述の如き劃−テイ刊、ビデオ、コンピュータ
ー等の長手記録用の他に、高密度テジタル記録が可能ブ
よ方法としてＰＧＭ、フレキシブルディスク用に、磁化
容易軸を非磁性支持体の垂直方向に発現するよう、例え
ばＣＯにＣｒを適当量混入（１０〜２０係）して、発生
−する減磁界を抑えて垂直方向に磁化容易軸を発現させ
、基盤面に対し垂直方向に記録を行う垂直磁気記録法も
適用できる。 通常スパッタ法では０．２〜１．５μｒｒＬ厚みのＣＯ
〜Ｃｒ＠金が用いられる。この時非磁性支持体と、垂直
方向に磁化容易軸をイｊする磁気記録層の間にパーマロ
イ（Ｆｅ　　Ｎｉ）　＋スーパーマ１イ等の高透磁率４
゛、４料かもなる磁束集束体としての高透磁帛材料はス
パッタリングによって形成され、膜厚は（１，１〜１μ
、、、　（１（１００〜１００ＯＯＸ　）の低保磁力（
５００ｅ以下）薄膜層である。このときの磁気記録層の
Ｃｏ　−Ｃｒ膜厚は、０．２〜１．５ｔｔｍ　＜　２０
００〜１ｓｏｏｏＸ　）程度に形成する。 このように蒸着、スパッター等の手段で形成される金緘
薄膜厚さは最大１．５μｍと薄く、非磁性プラスチック
支持体σ）不均質な表面状態がそのまま、またはフイル
ノ、白州ｉより析出したオリゴマーが磁性膜に凹凸を形
成し、た表面状態を呈し、媒体としての電磁変換ｌｔＭ
性豊化の原因となる。電磁変換特性悪化の観点から：Ｉ
ｌ磁性プラスチック支持体の表面が平滑で力１す、しか
も加熱によってオリゴマーの析出のｌぷいフィルムが要
求されるが、本願発明のフィルムは真空蒸着法。 スパッター法、イオンブレーティング法とい〆〕た金桟
薄膜形成の手段を用し・て高温に曝して金属薄＋＋鱗を
形成；−でもオリゴマー析出のブよい金属Ｎ膜磁気記録
媒体を作製す４）ことが出来る利点を備えて（・る。 以下に本発明のフィルム物性測定法を示１゜（１）　　
フィルム密度 ｎ−へブタンと四塩化炭素との混合溶媒中、２５℃で浮
沈法で測定した値である。 （１１）熱収縮率 フィルム上に標点間が３０−にプ、（るように印をつけ
、固定せず１５０℃の熱風中に３０分分間上た後、前記
標点間の距離を測定して、初めの標点間距離に対する標
点間距離の減少分の割合（チ）を求めその割合を熱収縮
率とした。 （１１１１オリゴマーの析出状態の観察Ａ）蒸着テープ
； ｃｏ　−Ｎｉ強磁性金属を斜方蒸着した蒸着面を走査型
電子顕微鏡で５０００倍 に拡大し、オリゴマー析出状況をブラ ンク（対照）フィルムと比較する。 Ｂ）スパッターテープ； Ｃｏ−Ｃｒ強磁性金属をスパッターしたスパッター面を
走査型電子ｌｔＲＩｉ＆鏡で同様の５０００倍に拡大し
、オリゴマー 析出状況をブランクフィルムと比較す る。 オリゴマー析出の状況を以下の如く分類する。 ×　：　オリゴマーが広い範囲に亘って観察され、記録
媒体として使用に耐えな い。 ××：　　オリゴマーが全面にイノ１出し、使用に耐え
ｌ、（Ｌ・。 △　：　オリゴマーの４１１出が狭い範囲の観察でシ゛
テ干観察されイ）がイφ用に馴えるもの。 ０　：：ｔ！Ｊゴマ−の４１ｉ出は、広い範囲を観察し
て、かろうじて観察されるが、 間ｙハ１．〔り使用しイυろ。 ◎　：　オリゴマーの４］ｉ出が殆どｔ［＜、問題なく
記録りν体として（’３１用でとる（１■）　　縫合−
評価 優：刈りゴマ−の摺出が殆どｌ「り、ドロップアウト数
も非常に少′ｆ、（＜、問題な（・レベル。 良：］リゴマーのＡ１．出が伜か観察され（）が、ドロ
ップアウト数ダ〈Ｃも少プｆく、使用できるもの。 Ｔ１１：オリゴマーの（１１出が＝咎干ｆｔＱ察されド
ロップアウト数もやや多いが、使 用できるもの１、 悪：オリゴマーの析出が多く、ドロップアウト数も多く
、使用に耐えな（・も の。 以下に実施例で説明するが、これらの方法に限定さ第１
るものではな（・。 実施例１〜６．比較例１〜３ 実施例１〜６及び比較例１〜３は、（・ずれもジエチル
テレフタレート１００部及びエチレングリコール７０部
に触媒として酢酸叱鉛０．Ｑ　２３部（０，０２０モル
チ対ジメチルテレフタレート）を加え、１５０〜２４０
℃で４時間メタノールを留去しつつエステル交換反応を
行い、−日、常温まで冷却後、安定剤（燐化合物のクリ
コール溶液）をトリメチルホスフェート換獅で０．０１
４部添加する。次に重縮合触媒として０．０４部の三酸
化アンチモンを添加し、１　ｍ１１１ｇ以下の真空下で
４時間１縮合反応を行い固有粘度０．６５（０−クロロ
フェノール溶媒、２５”Ｃ測定）のポリエチレンテレフ
タレートを得た。 この手ツブを乾燥後押出機に投入して、厚さ１４０〜１
５４１ｔｒｎの未延伸ツー１ルムろ作製（−１、絣方向
に９（１’（じで３．５倍、措ＪＪ向に＋　０５　（：
で４．０倍逐次二輔延伸を施し、史Ｃ・ζ岩ｌにＦ＋％
載σ）温１４′Ｌで３０秒間熱固定した。 実施例２，４、比較例１及τ）’　Ｂ　Ｉｉ熱固定最後
の部分で長手方向および幅方向に＼ｊ法的に延伸するこ
となくその−１：ま製膜したリンブノ）７である。 また実施例１，５，６及び比較例２目、外円′１１！の
７ド後の部分て幅方向にそれぞれ５％、８％、＋ｏ％寸
、夕よび５チ延伸（伸張）１−たイθ）でル、イ、。実
施例３番Ｊ−外円定稜１２　＋１　’０て加が？１一つ
つ長子ノ：ｉ　ｌ！１１に５％延伸したもので４・、４
・。イ１１られたフィル７、厚ツノ、けいず才１も１０
　／ｌでホ）イ）。 この時得られたフィルムの？ｉＹ度、１５０℃＋３０分
における熱収縮率を！モ１υ′Ｃ示−ず。 一方、フィルムはこの＋′りで目、滑りｎ、が欠如して
いて拉取れフエいので、熱！Ｉ’ｊ　５ｉＪ　Ａｉ＋に
次の絹ｈ（。 の塗液なフィル７、の）１面にｉｔン布しｌニー。 塗液の組成； ２ｗｔ％溶液・・・１２ゆ Ｏポリエチレングリコール（日本油脂製公刊１１９００
ｏ　） ２　ｗｔｆ）溶液・・・５ｋｇ ｏポリエチレングリコールジク°リシジルエーテル（長
潮産業製　ＮＥＲＯＩ　Ｏ■）Ｚｗｔ係溶液・　　２　
ｋｇ ｏポリオキシエチレンノニルツボニルエーテル　　　　
　　　　　　　　　２　　ｗｔ％溶液・・・　　１ｋｇ
塗布量はウェットで約２．２ｇ７ｇ＋“であり、固形分
として約ｏ、ｏ　Ｉ　２６　ｇ／ｍ”、である。このよ
うにして塗布処理されたフィルムの滑り性は良好であっ
てブロッキングも発生せず、フィルムは良好に捲取れた
。 これらのポリエチレンテ［／フタレートフィルムを長手
方向および幅方向に緩まぜろことなく、緊張させて走行
させながら、塗液塗布面の反対面に３．５　Ｘ　＋　０
−５Ｔｏｒｒの酸素気中でＣｏ、Ｎｉ（Ｃｏ　　Ｂ　　
Ｏ％　＋　　　Ｎｓ　　１　０　　リ６　）　を　蒸着
　（膜１９−　　ｔ）、１　　ノ’ｍ＋基盤移動速度１
０　ｍ　／　ｍｍ　）　した。このようにして得られた
磁気ｑ１１．　ｆｊ　ｔＮ体を１／２“Ｐにスリットし
テープとして（）、３μｍのギャップ長のリングヘント
鴨用いて＋　４．３　ａｍ　／　ｓｅｃのスピード（相
、対スピード３．７５重／ｓｅｃ　）　、中心４咎波長
０．８３μｍで記録書生し、ドロップアウト（４０μＳ
／１６ｄＢ）を測定した。これらの結果を併せて野１に
示す。 以上の結果から、比較例１〜３（］、オリゴマーの拍出
が多く、ドロップアウト数も多く、特性が劣るのに対し
、本発明の実施例１〜６は、オリゴマーイハ出が殆どな
く、ドロップアウト数も少１ｆり、格段に性能が優ねる
ことが理解される。 実施例７〜１２．比較例４〜６ 実施例７〜１２．比較例４〜６は、実施例１〜６．比較
例１〜３で得られたポリエチレンテレフタレートフィル
ムの塗液塗布面の反対面にそれぞオ１次のＩｌｌ序でフ
ィルムを緩ませることなく緊張させながら金＆Ａ薄膜を
形成したものである。 ■ＭＯ−低Ｏ−力パーマロイ層、続いて該パーマロイ層
に■Ｃｏ　−Ｃｒ垂直磁化膜を以下の方法で薄膜を形成
した。 ■　Ｍｏ−パーマロイ層：１＊ｍ厚のＭｏ−パーマロイ
ターゲット（Ｎ１７８％ｌＦｅ１８％。 Ｍｏ４％）を使用し、ＤＣマグネトロンスパッタ法で１
　ｘ　１０−２ＴｏｒｒのＡｒ（９９，９９チ）中で５
００！／分の堆積速度で０．５ｔｔｍ厚の膜を作製した
。得られた膜の面内方向の保磁力は約２０ｅ（ヱルステ
ツド）であった。 ■　Ｃｏ　−Ｃｒ層：４ｍｍ厚のＣｏ　−Ｃｒ合金ター
ゲット（Ｃｒ　１７ｗｔ＄　）を使用し、ＤＣマグネト
ロンスパッタ法ｃ　＋　Ｘ　Ｉ（ｌ　　ＴｏｒｒのＡｔ
　（９９，９９％）中で、５００に／分の堆積速度で０
．５／Ｚｍ厚のＣｏ−Ｃｒ合金！　’＞−得た。 このようＫして得られた磁気記録媒体を１／４″幅にス
リットしテープとして、（）、３μｍのギャップ長のリ
ングヘッドを用も・て９．５　ｃｍ、　／　Ｓｅｃのス
ピードでＬＬ録丹生し、電磁変換特性（テジタルの気配
密度特性）を評（ｔｔ［ｉ　Ｌだ。 評価基準としては、ｌ０ＫＲＰＩ記録再生時のＳ／Ｎ　
（ｄＢ　）比及びＩＯＫ！’ＩＰＩ記録再生時の出方に
対する５０ＫＲＰＩ記録再生時の出力の低−ト率により
、高密度記録特性、＋ｆ　Ｖｃ　ｙイズレベルの大きさ
を評価した。この結果を表２に示す。 衣　　　２ 以上の結果から比較例４〜５の再生出力の低下が大きく
、ノイズレベルが劣るのに対し、本発明の実施例４〜６
の磁気記ｔ７媒体のＳ／Ｎ　（ｄＢ　）比は大きくかつ
ノイズレベルは格段に優第１ることか理解される。 特許出願人　帝人株式会社

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｌ）フィルム密度が１．３９９ｇ／ｃ／以上であって、
   かつフィルム長手方向又は幅方向の少くとも一方向にお
   ける１　５　（１”に、　　３０分間のφ件で測定され
   る熱収縮率が２．０％以上である金屑薄膜磁気Ｂ１．８
   録媒体用ポリエチレンテレフタレートフィルム ２）フィルム密度が１．４０２　ｇ／ｃ＋＋！以上であ
   る特許請求の範囲第１項にｌＩｃ賊の金属薄膜磁気記録
   媒体用ポリエチレンテレフタレートフィルム。 ３）フィルム密度が１．４０４１　／ＣｒＩ以上である
   特許請求の範囲第’　Ｍ　Ｋ　ｌｔ３載の金属薄膜磁気
   記停媒体用ポリエチレンテレフタレートフィルム。 ４）フィルムの少くとも一方向の熱収縮率が２．５％以
   上を鳴する特許請求の範囲第１頓〜第３項のいずれかに
   記載の金属薄膜磁気記録媒体用ホリエチレンテレフタレ
   ートフイルム。