JPS5944963A - スイツチングデバイス用パルス伝送装置 - Google Patents
スイツチングデバイス用パルス伝送装置Info
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- JPS5944963A JPS5944963A JP15385982A JP15385982A JPS5944963A JP S5944963 A JPS5944963 A JP S5944963A JP 15385982 A JP15385982 A JP 15385982A JP 15385982 A JP15385982 A JP 15385982A JP S5944963 A JPS5944963 A JP S5944963A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- transistors
- gate
- switching device
- transmission device
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、サイリスタ等のスイッチングデバイスにト
リガ用の連続パルスを供給するためのパルス伝送装置に
関する。
リガ用の連続パルスを供給するためのパルス伝送装置に
関する。
例えば、進相コンデンサの開閉を行なうためのサイリス
タスイッチ、サイリスタ遮断器または蕪整流子電動機用
イレバータ装置等に使用されるーリイリスタ点弧装置に
おいては、サイリスクに連続パルスを供給しなければな
らないため、パルスアンプやパルストランス等の損失が
大きく、シたがって点弧装置が大きくなり、高価なもの
となるので、従来から小型で、しかも安価なこの種装置
の出現が望まれている。また、サイリスタにゲートパル
スを供給し始める最初の時点において、その点弧動作を
迅速かつ確実に行なわせるためには、充分な立ち上がり
速度とピーク値をもったゲート電流をサイリスタに供給
できることが望ましい。
タスイッチ、サイリスタ遮断器または蕪整流子電動機用
イレバータ装置等に使用されるーリイリスタ点弧装置に
おいては、サイリスクに連続パルスを供給しなければな
らないため、パルスアンプやパルストランス等の損失が
大きく、シたがって点弧装置が大きくなり、高価なもの
となるので、従来から小型で、しかも安価なこの種装置
の出現が望まれている。また、サイリスタにゲートパル
スを供給し始める最初の時点において、その点弧動作を
迅速かつ確実に行なわせるためには、充分な立ち上がり
速度とピーク値をもったゲート電流をサイリスタに供給
できることが望ましい。
第１図はサイリスタに連続パルスを供給する点弧装置の
従来例を示す構成図である。
従来例を示す構成図である。
同図において、ＡＳは非安定マルチバイブレータ、ＡＮ
Ｄはアンドゲート、ＩＮ■はインバータ（反転増幅器）
、几ＢＩ Ｐ ”Ｂ２ ｔ Ｒ８１ｐ ”Ｓ２は抵抗、
Ｃ８はコンデンサ、Ｑｌ 、 Ｃ２はトランジスタ、Ｔ
ｌ。
Ｄはアンドゲート、ＩＮ■はインバータ（反転増幅器）
、几ＢＩ Ｐ ”Ｂ２ ｔ Ｒ８１ｐ ”Ｓ２は抵抗、
Ｃ８はコンデンサ、Ｑｌ 、 Ｃ２はトランジスタ、Ｔ
ｌ。
Ｔ２はパルストランス、Ｄｇｌ ｐ Ｄｇ２はダイオー
ド、ＴＨはスイッチングデバイス（′サイリスク）であ
る。すなわち、非安定マルチバイブ１／−タＡｓからの
発振パルスによってトランジスタＱｌ 、 Ｃ２を交互
にオン、オフさせ、これによつ°ＣパルストランスＴ１
．Ｔ２を介してサイリスタＴｌ−１にゲートパルスを供
給するものである。したがって、かかる点弧袋ｒｔｔに
おいては、パルストランスが２台必要であるとともに、
パルストランスの励磁極性が一方向であるため、磁束の
利用率が恕＜、パルストランスが大きくなってしまうと
いう欠点を有している。。
ド、ＴＨはスイッチングデバイス（′サイリスク）であ
る。すなわち、非安定マルチバイブ１／−タＡｓからの
発振パルスによってトランジスタＱｌ 、 Ｃ２を交互
にオン、オフさせ、これによつ°ＣパルストランスＴ１
．Ｔ２を介してサイリスタＴｌ−１にゲートパルスを供
給するものである。したがって、かかる点弧袋ｒｔｔに
おいては、パルストランスが２台必要であるとともに、
パルストランスの励磁極性が一方向であるため、磁束の
利用率が恕＜、パルストランスが大きくなってしまうと
いう欠点を有している。。
これに対して、欣のような点弧装置も知られている。第
２図は従来の点弧装置の別の例を示ず構成図であり、第
３図はその動作をＨＨ２明するための波形図である。
２図は従来の点弧装置の別の例を示ず構成図であり、第
３図はその動作をＨＨ２明するための波形図である。
ここで月いられてい４）礼°号は第１図と同４景であっ
て、ｌ−ランリスクＱｌ ｔ Ｑ、２ 、パルストラン
スＴ１抵抗Ｒ・Ｉｌｌ ｐ ｎＪ１２ ｐ ＲＣＩ ｔ
ＲＣ２１１ＬＲＩ ｔ Ｒフ５２）７ンデン゛すｃｃ
ｔ ｔ ｃｃ２Ｐ ｃｓおよびダイオードＤ１）ｌｐＤ
Ｂ２によりトランスの飽和、非飽和を利用したいわゆる
１１イヤ一発択器がｊ：、Ｗ成されＣいる。また、トラ
ンジスタＱ３および抵抗Ｒ３からなる部分は、該１フイ
ヤ一発振器における発ノ原をＡン、オフ制御するための
駆ｎｉｂ回路企形成する、。
て、ｌ−ランリスクＱｌ ｔ Ｑ、２ 、パルストラン
スＴ１抵抗Ｒ・Ｉｌｌ ｐ ｎＪ１２ ｐ ＲＣＩ ｔ
ＲＣ２１１ＬＲＩ ｔ Ｒフ５２）７ンデン゛すｃｃ
ｔ ｔ ｃｃ２Ｐ ｃｓおよびダイオードＤ１）ｌｐＤ
Ｂ２によりトランスの飽和、非飽和を利用したいわゆる
１１イヤ一発択器がｊ：、Ｗ成されＣいる。また、トラ
ンジスタＱ３および抵抗Ｒ３からなる部分は、該１フイ
ヤ一発振器における発ノ原をＡン、オフ制御するための
駆ｎｉｂ回路企形成する、。
以下、第３図も参＋ｐｔ Ｌなからその動作について説
明する。
明する。
第２図におけるトランジスタＱ３に対して、第３図（イ
）の如きオン指令ｅ１が与えられるとＣ３がオンとなり
、これによって発振が開始される。なお、このときＣ３
のコレクタ・エミッタ間電圧ｅ Ｑ、３は、第３図（ロ
）に示される如く′ＲＯ”となる。また、第３図に）に
示されるように、ここではトランジスタＱｌ 、 Ｑｚ
のうちＣ２が最初にオンした場合が示されている。この
トランジスタＱ、２のオンによってパルストランスＴの
巻ｉｂが励磁されＮ 看Ｐａ ＣからダイオードＤｇ１
を経てゲートパルスが供給される。
）の如きオン指令ｅ１が与えられるとＣ３がオンとなり
、これによって発振が開始される。なお、このときＣ３
のコレクタ・エミッタ間電圧ｅ Ｑ、３は、第３図（ロ
）に示される如く′ＲＯ”となる。また、第３図に）に
示されるように、ここではトランジスタＱｌ 、 Ｑｚ
のうちＣ２が最初にオンした場合が示されている。この
トランジスタＱ、２のオンによってパルストランスＴの
巻ｉｂが励磁されＮ 看Ｐａ ＣからダイオードＤｇ１
を経てゲートパルスが供給される。
なお、巻線すに誘起される電圧ｅでおよびサイリスタＴ
Ｈに与えられるゲートパルスの波形は、それぞれ第３図
（ホ）、（へ）の如く示される。この状態において、コ
ンデンサＣＣＩは、第３図（ハ）の如くオフしているト
ランジスタＱｌのコレクタＯエミッタ間電圧ｃＱｌを抵
抗几。ｉ、”Ｔ１２で分圧した電圧に充電されている。
Ｈに与えられるゲートパルスの波形は、それぞれ第３図
（ホ）、（へ）の如く示される。この状態において、コ
ンデンサＣＣＩは、第３図（ハ）の如くオフしているト
ランジスタＱｌのコレクタＯエミッタ間電圧ｃＱｌを抵
抗几。ｉ、”Ｔ１２で分圧した電圧に充電されている。
その後、トランスＴの鉄心の磁束が飽和領域に入り、巻
線ａに誘起される電圧が低下すると、Ｑｌのコレクタ・
エミッタ間電圧が減少する。このため、Ｃ２のベース電
圧はコンデンサＣＣ１に充電されている電圧によってマ
イナス方向に押し下げられ、したがってＣ２のベースは
逆バイアスされてオフとなる。Ｃ２ツバオンすると、Ｃ
２のコレクタ・〔ミッタ間に７１１圧が印加され担１抗
Ｒ６２、コンデンサＣ８１および抵抗ＢＢｔを迫；シて
ＱｌにベースＩｔ流が供給され、Ｑｌｌがオンになる。
線ａに誘起される電圧が低下すると、Ｑｌのコレクタ・
エミッタ間電圧が減少する。このため、Ｃ２のベース電
圧はコンデンサＣＣ１に充電されている電圧によってマ
イナス方向に押し下げられ、したがってＣ２のベースは
逆バイアスされてオフとなる。Ｃ２ツバオンすると、Ｃ
２のコレクタ・〔ミッタ間に７１１圧が印加され担１抗
Ｒ６２、コンデンサＣ８１および抵抗ＢＢｔを迫；シて
ＱｌにベースＩｔ流が供給され、Ｑｌｌがオンになる。
これにより、今度は巻線ａがｊ第４ｊｉｌｉ ’ｉ＋：
ｌ’、 ”（”励？禮され、巻線ｄからダイオードＤｇ
２？＃通してサイリスクＴ Ｉ−Ｉにゲートパルスが供
給されるようになる０このようにして、パルストランス
が飽和するたびに第３図（ハ）、に）に示される如くト
ランジスタＱｌ ｐＱ２が交互にオンし、第３図（へ）
の如き連続ノζルスを゛丈イリスタのゲートに供給する
ことができる。
ｌ’、 ”（”励？禮され、巻線ｄからダイオードＤｇ
２？＃通してサイリスクＴ Ｉ−Ｉにゲートパルスが供
給されるようになる０このようにして、パルストランス
が飽和するたびに第３図（ハ）、に）に示される如くト
ランジスタＱｌ ｐＱ２が交互にオンし、第３図（へ）
の如き連続ノζルスを゛丈イリスタのゲートに供給する
ことができる。
なお、抵抗Ｒｓｚと並列に接続さｉｌ ゛（いる」ン１
ンサＣ８は、発振開ｔｌ’ａ時にパルストランスの励磁
電圧を短時間で大きくし−立ち上がり速度とピーク値の
大きなゲートポルスを供給するためのものである。この
ように構成される点弧装置にあっては、パルストランス
の鉄心を両方口に交互に励磁し、かつ飽和領域まで磁束
を有効に利用できるため、パルストランスを小さくでき
るという長所がある。
ンサＣ８は、発振開ｔｌ’ａ時にパルストランスの励磁
電圧を短時間で大きくし−立ち上がり速度とピーク値の
大きなゲートポルスを供給するためのものである。この
ように構成される点弧装置にあっては、パルストランス
の鉄心を両方口に交互に励磁し、かつ飽和領域まで磁束
を有効に利用できるため、パルストランスを小さくでき
るという長所がある。
しかしながら、トランジスタＱ３にはトランジスタ’ｈ
ｅ Ｑ、２に１．’６’＋れるｒλでの電流が＋＞（
Ｆ、れることになり、このため大’Ｊ量のトランジスタ
を用いる必要が。１）るとどちに、そのドライブ回路も
大きくなってし、１１・うトイう欠点カアル。マタ、Ｆ
ｒ３ｔ＋、４ ！ｊａ １；、’）時にトランジスタＱ
３がオンしたとき、過渡的にトランジスタＱ１．Ｑ２の
両方のコレクタに電圧が印加されて双方のトランジスタ
のベースに７？Ｌ流がｔ！６れるため、双方ともにオン
しかかり、（の後、オンが＋！Ｓ！Ｉｔだ方のトランジ
スタがオフ状態に移る、という過渡現象が生じるために
、立ち」二がりｊ・１（匣がブ１乃）に大きなゲートパ
ルスを供給することができないという欠点を有している
。
ｅ Ｑ、２に１．’６’＋れるｒλでの電流が＋＞（
Ｆ、れることになり、このため大’Ｊ量のトランジスタ
を用いる必要が。１）るとどちに、そのドライブ回路も
大きくなってし、１１・うトイう欠点カアル。マタ、Ｆ
ｒ３ｔ＋、４ ！ｊａ １；、’）時にトランジスタＱ
３がオンしたとき、過渡的にトランジスタＱ１．Ｑ２の
両方のコレクタに電圧が印加されて双方のトランジスタ
のベースに７？Ｌ流がｔ！６れるため、双方ともにオン
しかかり、（の後、オンが＋！Ｓ！Ｉｔだ方のトランジ
スタがオフ状態に移る、という過渡現象が生じるために
、立ち」二がりｊ・１（匣がブ１乃）に大きなゲートパ
ルスを供給することができないという欠点を有している
。
この発明（・ま、上記の’Ｉ’ｔｊ点にｆ？みてなされ
た“らので、ロイヤー発ｊＪＪ器の発ｊυを制？：１１
する回ｖ；シに大吉Ｙ罰〕パワートランジスタを用いな
くても済むようにｌ−るとともに、上記売払３器に才ｊ
りる２つのトランジスタのいずれか一方が必ず先に」ン
するようにして、ゲートパルスの立ち上がりを皐めるよ
うにしたパルス伝送語１■を提供することを目的とする
Ｃその’：’：ｊ徴は、ロイヤー発Ｊ辰器を（た１成す
る２つのトランジスタのゲートにそれぞれＭＯ８Ｆ’Ｊ
’：Ｔ（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ ｅｌＴｃｃｆ ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ）を接続し、該ＭＯ８ＦＥＴのオン、］フ
によってロイヤー発振器のオン、オフを制御するととも
に、ＭＯＳに’ＥＴのオンするタイミングを互いにずら
すことによって、２つのトランジスタのいずれかが必ず
先にオンとなるようにした点にある。
た“らので、ロイヤー発ｊＪＪ器の発ｊυを制？：１１
する回ｖ；シに大吉Ｙ罰〕パワートランジスタを用いな
くても済むようにｌ−るとともに、上記売払３器に才ｊ
りる２つのトランジスタのいずれか一方が必ず先に」ン
するようにして、ゲートパルスの立ち上がりを皐めるよ
うにしたパルス伝送語１■を提供することを目的とする
Ｃその’：’：ｊ徴は、ロイヤー発Ｊ辰器を（た１成す
る２つのトランジスタのゲートにそれぞれＭＯ８Ｆ’Ｊ
’：Ｔ（ｍｅｔａｌ−ｏｘｉｄｅ−ｓｅｍｉｃｏｎｄｕ
ｃｔｏｒ ｆｉｅｌｄ ｅｌＴｃｃｆ ｔｒａｎ
ｓｉｓｔｏｒ）を接続し、該ＭＯ８ＦＥＴのオン、］フ
によってロイヤー発振器のオン、オフを制御するととも
に、ＭＯＳに’ＥＴのオンするタイミングを互いにずら
すことによって、２つのトランジスタのいずれかが必ず
先にオンとなるようにした点にある。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第４図はこの発明の実施例を示す構成図、８１￥５図は
その動作を説明するための波形図で、それぞれ第２図、
第３図と対応するものである。
その動作を説明するための波形図で、それぞれ第２図、
第３図と対応するものである。
第４図からも明らかなように、この実施例は、第２図に
おいて設けられていたパワートランジスタＱ３が削除さ
れ、そのかわりにトランジスタＱｌｙＱ２のベース回路
にＭＯ８ＦＥＴＱ４．Ｑ５が挿入されており、該ＭＯ８
ＦＥＴＱ４のゲートは抵抗Ｒｇ１２とコンデンサＣｇ１
またＱ５のゲートは抵抗Ｒｇ２２を介してそれぞれ電源
零ボルトへ接続され、また抵抗Ｒｇｌｌ −壕２１を経
てオン指令ｅ１が入力されるようになっている点が特徴
である。すなわち、ロイヤー発振器における発振の：１
ントロールを、ＭＯ８ＦＥＴＱ４．Ｑ５にてトランジス
タＱｉ ｔＱどのベース電流をオン、オフすることによ
り行なうようにしたものである。Ｍ ＯＳ ｌｉ’ Ｅ
Ｔ Ｑ４のゲートに挿入されたコンデンサＣｇは、ロ
イヤー発振器の発振を開始する際に、Ｑ４のゲー）ｆＨ
圧の立ち上がりを遅らせることにより、Ｍ’０８ＦＥＴ
Ｑ５およびトランジスタＱ２が必ず先にオンとなるよう
にするためのものである。これにより、発振開始時にト
ランジスタＱｌ 、 Ｑ２が同時にオンしようとする前
述の如き過渡現象をなくすことができ、このため充分に
立ち上がりの速いゲートパルスをサイリスタに供給する
ことができる。第５図はこのように構成されるパルス伝
送装置における動作を説明するための波形図であるが、
第３図と同様であるのでその説明は省略する。ただ、第
５図では第３図（ロ）に対応する波形図は無いこと、ま
た第３図で示される如き発振開始時の過渡現象は無くな
っていることに留意されたい。
おいて設けられていたパワートランジスタＱ３が削除さ
れ、そのかわりにトランジスタＱｌｙＱ２のベース回路
にＭＯ８ＦＥＴＱ４．Ｑ５が挿入されており、該ＭＯ８
ＦＥＴＱ４のゲートは抵抗Ｒｇ１２とコンデンサＣｇ１
またＱ５のゲートは抵抗Ｒｇ２２を介してそれぞれ電源
零ボルトへ接続され、また抵抗Ｒｇｌｌ −壕２１を経
てオン指令ｅ１が入力されるようになっている点が特徴
である。すなわち、ロイヤー発振器における発振の：１
ントロールを、ＭＯ８ＦＥＴＱ４．Ｑ５にてトランジス
タＱｉ ｔＱどのベース電流をオン、オフすることによ
り行なうようにしたものである。Ｍ ＯＳ ｌｉ’ Ｅ
Ｔ Ｑ４のゲートに挿入されたコンデンサＣｇは、ロ
イヤー発振器の発振を開始する際に、Ｑ４のゲー）ｆＨ
圧の立ち上がりを遅らせることにより、Ｍ’０８ＦＥＴ
Ｑ５およびトランジスタＱ２が必ず先にオンとなるよう
にするためのものである。これにより、発振開始時にト
ランジスタＱｌ 、 Ｑ２が同時にオンしようとする前
述の如き過渡現象をなくすことができ、このため充分に
立ち上がりの速いゲートパルスをサイリスタに供給する
ことができる。第５図はこのように構成されるパルス伝
送装置における動作を説明するための波形図であるが、
第３図と同様であるのでその説明は省略する。ただ、第
５図では第３図（ロ）に対応する波形図は無いこと、ま
た第３図で示される如き発振開始時の過渡現象は無くな
っていることに留意されたい。
第６図はこの発明の他の実Ｍ！例を示ず構成図である。
すなわち、先の第４図の実ｂＩｈ例では、ゲートパルス
の最初の立ち上がり速度を辻め、ぞのピーク値を大きく
するために抵抗ｉｔｓ ２と並列に：ＪンｆンサＣｓを
設けるようにしているが、パルストランスの巻線数が多
くなると、ぞの洩れインダクタンスのためにゲートパル
スの立ら、にがりが＆ｌｌｉ くなることがある。こ、
のため、第６図の実施例では充分な立ち上がりとピーク
値をもつパルスを別に設けたパルストランスＴＰにより
供給するようにしている。同図において、ダイメートＤ
Ｓ１抵抗ｒｔＳ３はコンデンサｃｐを予めｌ！ｉｉ 源
ｒ、（圧■に充？［１１，ておくためのものである。こ
こで、オン指令ｅｉが与えられると、ま→″トランジス
タＱ２オンし、これによりコンデンサＣｐに貯えられて
いた舟行がダイオードＤＣ２→トランジスタＱ２→抵抗
ＲＰ→パルストランスＴＰの経路で放ＲＩ＋ Ｌｌ 、
このため充分な立ち上がりとピーク値をもったゲートパ
ルスがサイリスクＴＨに供給され、その後はロイヤー発
振器によって前述の如き連続パルスが供給されることに
なる。なお、ダイオードＤＣＩ 、 ＤＣ２は連Ｈパル
スを供給している際に、コンデンサＣｐが不必要に充Ｙ
ｕされるのを防止するために設けられている。
の最初の立ち上がり速度を辻め、ぞのピーク値を大きく
するために抵抗ｉｔｓ ２と並列に：ＪンｆンサＣｓを
設けるようにしているが、パルストランスの巻線数が多
くなると、ぞの洩れインダクタンスのためにゲートパル
スの立ら、にがりが＆ｌｌｉ くなることがある。こ、
のため、第６図の実施例では充分な立ち上がりとピーク
値をもつパルスを別に設けたパルストランスＴＰにより
供給するようにしている。同図において、ダイメートＤ
Ｓ１抵抗ｒｔＳ３はコンデンサｃｐを予めｌ！ｉｉ 源
ｒ、（圧■に充？［１１，ておくためのものである。こ
こで、オン指令ｅｉが与えられると、ま→″トランジス
タＱ２オンし、これによりコンデンサＣｐに貯えられて
いた舟行がダイオードＤＣ２→トランジスタＱ２→抵抗
ＲＰ→パルストランスＴＰの経路で放ＲＩ＋ Ｌｌ 、
このため充分な立ち上がりとピーク値をもったゲートパ
ルスがサイリスクＴＨに供給され、その後はロイヤー発
振器によって前述の如き連続パルスが供給されることに
なる。なお、ダイオードＤＣＩ 、 ＤＣ２は連Ｈパル
スを供給している際に、コンデンサＣｐが不必要に充Ｙ
ｕされるのを防止するために設けられている。
第７図は第６図の動作を説明するための波形図で、先の
第３，５図に対応するものであるが、ロイヤー発振器の
発振開始時にコンデンサＣｐの放電によってパルストラ
ンスＴＰを駆動しく第７図（ハ）参照）、これによって
サイリスタＴＨのゲートに第７図（ホ）の如きゲートパ
ルスを、第７図（ホ）の如きゲートパルスに重畳して（
第７図（力参照）供給する点が異なるだけで、その他は
同様であるのでこれ以上の説明は省略する。
第３，５図に対応するものであるが、ロイヤー発振器の
発振開始時にコンデンサＣｐの放電によってパルストラ
ンスＴＰを駆動しく第７図（ハ）参照）、これによって
サイリスタＴＨのゲートに第７図（ホ）の如きゲートパ
ルスを、第７図（ホ）の如きゲートパルスに重畳して（
第７図（力参照）供給する点が異なるだけで、その他は
同様であるのでこれ以上の説明は省略する。
以上のように、この発明によれば、ロイヤー発振器のオ
ン、オフのコントロールを発振器を構成するトランジス
タのベース尾流をＭＯＳＦＥＴのオン、オフによって行
なうようにしたから、従来必要とされた大容量のパワー
トランジスタが不要になる。という利点を有するもので
ある。また、ＭＯＳＦＥＴは電圧制御素子であり、その
ドライブエネルギは極めて小さくてよいので、大容量の
パワートランジスタをドライブするようなドライブ回路
が不要となり、したがってトンイブ回路を小容量で簡単
なものにすることができるものである。
ン、オフのコントロールを発振器を構成するトランジス
タのベース尾流をＭＯＳＦＥＴのオン、オフによって行
なうようにしたから、従来必要とされた大容量のパワー
トランジスタが不要になる。という利点を有するもので
ある。また、ＭＯＳＦＥＴは電圧制御素子であり、その
ドライブエネルギは極めて小さくてよいので、大容量の
パワートランジスタをドライブするようなドライブ回路
が不要となり、したがってトンイブ回路を小容量で簡単
なものにすることができるものである。
さらに、ＭＯＳＦＥＴがオンとなるタイミングを互いに
ずらすことにより、２つのトランジスタのいずれか一方
が必ず先にオンとなるようにすることができるので、発
振開始時に２つのトランジスタが同時にオンになろうと
する過渡現象をなくすことができ、したがって立ち」二
がりの急峻なゲートパルスを得ることができるという効
果をもたらすものである。
ずらすことにより、２つのトランジスタのいずれか一方
が必ず先にオンとなるようにすることができるので、発
振開始時に２つのトランジスタが同時にオンになろうと
する過渡現象をなくすことができ、したがって立ち」二
がりの急峻なゲートパルスを得ることができるという効
果をもたらすものである。
なお八この発明はサイリスク点弧装置に限らずＧＴ Ｏ
（Ｇａｔｅ Ｔｕｒｎ Ｏｆｆ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）
、パワートランジスタ等のスイッチングデバイスに絶縁
して連続パルスを供給する必要がある装置一般に適用す
ることができる。
（Ｇａｔｅ Ｔｕｒｎ Ｏｆｆ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ）
、パワートランジスタ等のスイッチングデバイスに絶縁
して連続パルスを供給する必要がある装置一般に適用す
ることができる。
第１図はサイリスクに連続パルスを供給するための従来
の点弧装置を示す構成図、第２図は同じく点弧装置の他
の従来例を示す構成図、第３図は第２図の動作を示す波
形図、第４図はこの発明の実施例を示す構成図、第５図
はその動作を示す波形図、第６図はこの発明の他の実施
例を示す構成図、第７図はその動作を示す波形図である
０符号説明 Ａｓ・・・・・・非安定マルチ、ＡＮＩ）・・・・・・
γンドゲー）、ＩＮＶ・・・・・・インバータ、Ｂ−７
・・・・・・抵抗、Ｃ〜・・・・・・コンデンサ、Ｄ〜
・・・・・・ダイメーＦ、Ｑｌ・〜Ｑ３・・・・・・ト
ランジスタ、Ｑ４ Ｆ Ｑｓ・・・・・・Ｍ ＯＳ Ｆ
Ｉ＞ Ｔ 。 Ｔｓ ’ｒ１ｔ Ｔ２ ｐ ’ｒｐ・・・・・・パルス
トランス、１’Ｈ・・・・・・サイリスタ 代理人 弁理士 並 木 昭 夫 代理人 弁理士 松 崎 清 第 １ 図 ＋Ｖ Ｖ （二→ 第３図 ｔＸ Ｓ 図 第６図 ＋Ｖ
の点弧装置を示す構成図、第２図は同じく点弧装置の他
の従来例を示す構成図、第３図は第２図の動作を示す波
形図、第４図はこの発明の実施例を示す構成図、第５図
はその動作を示す波形図、第６図はこの発明の他の実施
例を示す構成図、第７図はその動作を示す波形図である
０符号説明 Ａｓ・・・・・・非安定マルチ、ＡＮＩ）・・・・・・
γンドゲー）、ＩＮＶ・・・・・・インバータ、Ｂ−７
・・・・・・抵抗、Ｃ〜・・・・・・コンデンサ、Ｄ〜
・・・・・・ダイメーＦ、Ｑｌ・〜Ｑ３・・・・・・ト
ランジスタ、Ｑ４ Ｆ Ｑｓ・・・・・・Ｍ ＯＳ Ｆ
Ｉ＞ Ｔ 。 Ｔｓ ’ｒ１ｔ Ｔ２ ｐ ’ｒｐ・・・・・・パルス
トランス、１’Ｈ・・・・・・サイリスタ 代理人 弁理士 並 木 昭 夫 代理人 弁理士 松 崎 清 第 １ 図 ＋Ｖ Ｖ （二→ 第３図 ｔＸ Ｓ 図 第６図 ＋Ｖ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）少なくとも交互にオン、オフする２つのトランジス
タを有するロイヤー発振器によって所定のスイッチング
デバイスにトリガ用の連続パルスを供給するパルス伝送
装置であって、前記２つのトランジスタのオン、オフ制
御を行なう電界効果トランジスタをそのベースにそれぞ
れ接続してなること全特徴とするスイッチングデバイス
用パルス伝送装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載のパルス伝送装置にお
いて、前記発振器の発振開始時には２つのトランジスタ
のいずれか一方のみを常に優先的にオンさせることによ
り、前記スイッチングデバイスに供給するパルスの立ち
上がりを速めることを特徴とするスイッチングデバイス
用パルス伝送装置。 ３）特許請求の範囲第１項ないし第２項に記載のスイッ
チングデバイス用パルス伝送装置において、前記発振器
の発振開始時に立ち」二かり速度およびピーク値の大き
なゲートパルスを与えるべく所定のコンデンサに充電さ
れた電荷を別途ｐけられたパルストランスを介し°Ｃ供
給する場合には、該コンデンサの［、荷を最初にメンと
なる方のトランジスタを介して供給することを特徴とす
るスイッチングデバイス用パルス伝送装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15385982A JPS5944963A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | スイツチングデバイス用パルス伝送装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15385982A JPS5944963A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | スイツチングデバイス用パルス伝送装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22527790A Division JPH03128666A (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | スイッチングデバイス用パルス伝送装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5944963A true JPS5944963A (ja) | 1984-03-13 |
| JPH039704B2 JPH039704B2 (ja) | 1991-02-12 |
Family
ID=15571659
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15385982A Granted JPS5944963A (ja) | 1982-09-06 | 1982-09-06 | スイツチングデバイス用パルス伝送装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5944963A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03128666A (ja) * | 1990-08-29 | 1991-05-31 | Fuji Electric Co Ltd | スイッチングデバイス用パルス伝送装置 |
| US7255766B2 (en) | 1999-04-13 | 2007-08-14 | Uni-Charm Corporation | Disposable wipe-out sheet and process for making the same |
-
1982
- 1982-09-06 JP JP15385982A patent/JPS5944963A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03128666A (ja) * | 1990-08-29 | 1991-05-31 | Fuji Electric Co Ltd | スイッチングデバイス用パルス伝送装置 |
| US7255766B2 (en) | 1999-04-13 | 2007-08-14 | Uni-Charm Corporation | Disposable wipe-out sheet and process for making the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH039704B2 (ja) | 1991-02-12 |
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