JPS5942688A - Magnetic bubble storage device - Google Patents

Magnetic bubble storage device

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Publication number
JPS5942688A
JPS5942688A JP57153768A JP15376882A JPS5942688A JP S5942688 A JPS5942688 A JP S5942688A JP 57153768 A JP57153768 A JP 57153768A JP 15376882 A JP15376882 A JP 15376882A JP S5942688 A JPS5942688 A JP S5942688A
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JP
Japan
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transfer path
rotation
current pulse
bubble
transfer
Prior art date
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Pending
Application number
JP57153768A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kimihide Matsuyama
公秀 松山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP57153768A priority Critical patent/JPS5942688A/en
Publication of JPS5942688A publication Critical patent/JPS5942688A/en
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

PURPOSE:To transfer bubbles between the first transfer path and the second transfer path on two ways, by providing a means which can supply the first current pulse and the second current pulse, whose polarity is different from that of the first current pulse, to a conductor pattern on a magnetic bubble element at an interval of a prescribed time. CONSTITUTION:When a bubble comes to a position 16, a rotating magnetic field is directed to an arrow 7. When a bipolar current pulse supplying means 5 is used to apply the first current pulse directed to an arrow 40 to a conductor pattern 3 with this phase, a bias magnetic field distribution is induced in the gap part between the first transfer path 1 and the second transfer path 2 because of the disturbance of a current distribution which is generated by the first notch 13 and the second notch 14 provided in the conductor pattern 3. By this bias magnetic field distribution, the bubble in the position 16 is transferred to a position 17. Thus, the bubble is transferred on two ways between the first and the second transfer paths 1 and 2, which are formed at the interval, with a simple element constitution.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル記憶装置忙関するものである。[Detailed description of the invention] The present invention relates to magnetic bubble storage devices.

パーマロイバタンによシバプルの転送を行なう従来の磁
気バブル素子(以下、コンベンショナル型磁気バブル素
子と呼ぶ)では、パーマロイバタンを非常に狭い間隙を
弁して形成しなければならずこの間隙の形成が微細加工
上の限界となり記憶后’i IfiLの向上を妨げてい
る。
In a conventional magnetic bubble device (hereinafter referred to as a conventional magnetic bubble device) that uses permalloy batan to transfer shiva pull, the permalloy batan must be formed by forming a very narrow gap, and the formation of this gap is very fine. This becomes a limitation in processing and prevents improvement in IFIL after memorization.

このようなコンベンショナル型磁気バブル素子の有する
欠点ケ克J、lF(するために既に米国特許第3828
329号明細書において磁性薄膜上に選択的にイオン注
入を施すことによ多形成される非注入tr4域からなる
転送路に沿ってバブルの転送を行なうコンテイギユアス
ディスク型磁気バブル素子が提案された。コンテイギユ
アスディスク型磁気バブル素子においてバブルのアクセ
スタイムを短縮するためには前記コンベンショナル型磁
気バブル素子で既に採用されているようなメジャー・マ
イナー構成を実現することがぜひとも必要である。
To overcome the drawbacks of such conventional magnetic bubble devices, US Pat.
In the specification of No. 329, a continuous disk type magnetic bubble element was proposed in which bubbles are transferred along a transfer path consisting of multiple non-implanted tr4 regions formed by selectively implanting ions onto a magnetic thin film. It was done. In order to shorten the bubble access time in a continuous disk type magnetic bubble element, it is absolutely necessary to realize a major/minor configuration like the one already adopted in the conventional type magnetic bubble element.

)N糾な素子構成によシこのメジャーマイナ一方式を実
現するためには、間隙を隔てて形成された第1の転送路
と第2の転送路の間で第1の転送路から第2の転送路へ
のバブルの転送及び第2の転送路から第1の転送路への
バブルの転送を共に制御性よく行ないうる双方向のトラ
ンスファーゲートが必要である。しかしながら単一のコ
ンダクタパタンを用いた双方向のトランスファーゲート
はまだ提案されていない。
) N In order to realize this major-minor one-sided system with a strict element configuration, it is necessary to There is a need for a bidirectional transfer gate that can transfer bubbles to the first transfer path and transfer bubbles from the second transfer path to the first transfer path with good controllability. However, a bidirectional transfer gate using a single conductor pattern has not yet been proposed.

本発明の目的は間隙を隔てて形成された第1の転送路と
第2の転送路との間の双方向のバブルの転送を非常に単
純な素子構成で実現し得る磁気バブル記憶装置を提供す
ることKある。
An object of the present invention is to provide a magnetic bubble storage device that can realize bidirectional bubble transfer between a first transfer path and a second transfer path formed with a gap in between with a very simple element configuration. There's K things to do.

すなわち、本発明は磁気バブルを保持し得る磁性薄膜上
に、選択的にイオン注入を施すことにより形成された第
1の転送路と第2の転送路と該2つの転送路の間に形成
されたコンダクタパタンを有するコンテイギユアスディ
スク型磁気バブル素子と該磁気バブル素子上のコンダク
タパタンに第1の電流パルス及び該第1の電流パルスと
極性の異なる第2の電流パルスを所定の時間間隔をへだ
てて供給しうる手段を具備することを特徴とする磁気バ
ブル装置である。
That is, the present invention provides a first transfer path and a second transfer path formed by selectively implanting ions onto a magnetic thin film capable of retaining magnetic bubbles, and a first transfer path formed between the two transfer paths. A first current pulse and a second current pulse having a different polarity from the first current pulse are applied to a continuous disk type magnetic bubble element having a conductor pattern and a conductor pattern on the magnetic bubble element at predetermined time intervals. This is a magnetic bubble device characterized by comprising a means for separately supplying a bubble.

次に第1図C−)及び第1図(b)に示す本発明の実施
の一例をもとに本発明の詳細な説明する。第1図(−)
において第1の転送路1、さらに該第1の転送路に対し
て一定の間隔を保って第2の転送路2が配置され、さら
に両極性電流パルスを発生する手段5が導体線路4を弁
してコンダクタパタン3に接続している。6はバイアス
磁界の向きである。
Next, the present invention will be described in detail based on an example of implementation of the present invention shown in FIG. 1C-) and FIG. 1(b). Figure 1 (-)
, a first transfer path 1 and a second transfer path 2 are arranged at a constant distance from the first transfer path, and means 5 for generating bipolar current pulses valve the conductor line 4. and is connected to conductor pattern 3. 6 is the direction of the bias magnetic field.

第1図(b)FCおいて縦軸31は電流パルスの据幅、
横軸32は回転磁界の回転角度である。第1の転送路1
から第2の転送路2へのバブルの転送は以下のように行
なわれる。反時計回シの面内回転磁界(以下、単に回転
磁界と呼ぶ)Kよシ第1の転送路1上でバブルは15の
位置を経て16の位置へ転送されてくる。バブルが16
の位置に来たときに回転磁界は矢印7の方向を向いてい
る。両極性電流パルス供給手段5を用いて、この位相か
らコンダクタパタン3に矢印40の向きの第1の電流パ
ルスを印加するとコンダクタパタン3に設けられた第1
の切り込み13及び第2の切り込み14によって生じた
電流分布の乱れにより、第1の転送路1と第2の転送F
IL?32との間の間隙部にバイアス磁界分布が誘起さ
れる。16の位置のバブルはこのバイアス磁界分布によ
り17の位置へ向かう駆動力を受け、17の位置へ転送
される。第1の電流パルスを矢印11で示される位相範
囲に渡って印加し続ければこの間バブルは17の位置に
生じているバイアス磁界分布のくほみにより17の位置
に保持される。第1の電流パルスが切れた時点では回転
磁界は矢印8の方向を向いており、このとき17の位置
にはバブルを引きつけるチャージドウオールが形成され
でいる。以後バブルは回転磁界によるこのチャージドウ
オールの移動に伴ない第2の転送路2に沿って18の位
置へ転送される。第1図(b)の34は前記第1の電流
パルスの具体例である。
In Fig. 1(b) FC, the vertical axis 31 is the fixed width of the current pulse;
The horizontal axis 32 is the rotation angle of the rotating magnetic field. First transfer path 1
The transfer of bubbles from to the second transfer path 2 is performed as follows. The bubble is transferred to position 16 via position 15 on the first transfer path 1 by a counterclockwise in-plane rotating magnetic field (hereinafter simply referred to as a rotating magnetic field) K. 16 bubbles
When the position is reached, the rotating magnetic field is directed in the direction of arrow 7. When a first current pulse in the direction of arrow 40 is applied to the conductor pattern 3 from this phase using the bipolar current pulse supply means 5, the first current pulse provided in the conductor pattern 3
Due to the disturbance in the current distribution caused by the cut 13 and the second cut 14, the first transfer path 1 and the second transfer path F
IL? A bias magnetic field distribution is induced in the gap between 32 and 32. The bubble at position 16 receives a driving force toward position 17 due to this bias magnetic field distribution, and is transferred to position 17. If the first current pulse continues to be applied over the phase range shown by arrow 11, the bubble will be held at position 17 during this period due to the narrowing of the bias magnetic field distribution occurring at position 17. When the first current pulse ends, the rotating magnetic field is directed in the direction of arrow 8, and at this time a charged wall that attracts bubbles is formed at position 17. Thereafter, the bubble is transferred to the position 18 along the second transfer path 2 as the charged wall is moved by the rotating magnetic field. 34 in FIG. 1(b) is a specific example of the first current pulse.

第2の転送路から第1の転送路へのバブルの転送は以下
のようにして行なわれる。第2の転送路2上でバブルは
19の位置を経て20の位置へ転送されてくる。バブル
が20の位置に来たとき回転磁界は矢印9の方向を向い
ている。この位相からコンダクタパタン3に矢印41の
向きの第2の電流パルスを矢印12で示される位相範囲
で印加すれば第1の転送路から第2の転送路へのバブル
の転送の場合と同様にしてバブルを第2の転送路の20
の位置から第1の転送路の21の位置へ転送することが
できる。第1図(b)の33は第2の電Dicパルスの
具体例である。、第2の電流パルスが切れたとき回転磁
界は矢印10の方向を向いている。以後バブルは面内磁
界による第1の転送路上のナヤージドウォールの移動に
伴ない22の位置を0・て第1の転送路上を転送する。
Transfer of bubbles from the second transfer path to the first transfer path is performed as follows. On the second transfer path 2, the bubble is transferred to position 20 via position 19. When the bubble reaches position 20, the rotating magnetic field is directed in the direction of arrow 9. From this phase, if a second current pulse in the direction of arrow 41 is applied to conductor pattern 3 in the phase range shown by arrow 12, the same process as in the case of bubble transfer from the first transfer path to the second transfer path will occur. 20 of the bubble on the second transfer path
The data can be transferred from the position 21 to the position 21 on the first transfer path. Reference numeral 33 in FIG. 1(b) is a specific example of the second electric Dic pulse. , the rotating magnetic field is oriented in the direction of arrow 10 when the second current pulse ends. Thereafter, the bubble moves from position 22 to 0* and is transferred onto the first transfer path as the nagged wall moves on the first transfer path due to the in-plane magnetic field.

上記のようなバブルの転送においてコンダクタパタンに
第1もしくは第2の′電流パルスを印加しなければバブ
ルし[第1の転送路または第2の転送路をそのit転送
し続ける。
If the first or second current pulse is not applied to the conductor pattern during the bubble transfer as described above, a bubble will occur [the first transfer path or the second transfer path continues to be transferred.

以上のような本発明の加理によれば間隙を隔てて形成さ
れた第1の転送y6と第2の転送路との間の双方向のバ
ブルの転送を非常に単純な素子構成で実現することがで
きる。
According to the principles of the present invention as described above, bidirectional bubble transfer between the first transfer path y6 and the second transfer path formed across the gap can be realized with a very simple element configuration. be able to.

第2図(a)、及び第2図(b)はコンダクタパタン:
3の形状を蛇行型にし、だ本発明の第2の実施例である
。本実施例において第1の転送路1から第2の転送路2
へのバブルの転送は以下のように行なわれる。第1の転
送路を転送中のバブルが16の位置に来たとき回転磁界
は矢印7の方向を向いている。この位相からコンダクタ
バタン3に矢印4゜の向きに第1の電流パルスを1」刀
口するとハツチングで示したコンダクタパタン3の凹部
24にイ:幾気的なポテンシャルウェルが誘起されバブ
ルはこの四部24に沿ってストライプ状に伸びる。第1
の電流パルスを矢印1.1で示される位相範囲に渡って
印加し続ければストライプ状に伸びたバブルはこの間ハ
ツチングで示した引板24に保]−丁される。圧1の電
流ハ/L/スが切れるとボテンシャルウェルが消失し、
ストライプ状状のバブルはもとの円形の状態に縮もうと
する。このとき回転磁界は矢印8の方向を向込ているた
め17の位置にバブルを引きつけるチャージドウオール
が形成されており、バブルけ17の位置に向かって縮む
、以後バブルは回転磁界によるこのチャージドウオール
の移動に伴ない第2の転送路2上を転送する。第2図(
b)の34は該第1の電流パルスの具体例である。
Figure 2(a) and Figure 2(b) are conductor patterns:
This is a second embodiment of the present invention, in which the shape of No. 3 is changed to a meandering shape. In this embodiment, from the first transfer path 1 to the second transfer path 2
The transfer of bubbles to is performed as follows. When the bubble being transferred through the first transfer path reaches position 16, the rotating magnetic field is directed in the direction of arrow 7. From this phase, when the first current pulse is applied to the conductor pattern 3 in the direction of the arrow 4°, a geometrical potential well is induced in the recess 24 of the conductor pattern 3 shown by the hatching, and a bubble is formed in the four parts 24 of the conductor pattern 3. It extends in stripes along the 1st
If a current pulse of 1.1 is continued to be applied over the phase range shown by the arrow 1.1, the striped bubbles are held at the pull plate 24 shown by hatching during this period. When the current H/L/S of voltage 1 is cut off, the potential well disappears,
The striped bubble tries to shrink back to its original circular shape. At this time, since the rotating magnetic field is directed in the direction of arrow 8, a charged wall that attracts bubbles is formed at position 17, and the bubble shrinks toward position 17. From then on, bubbles are attracted to this charged wall by the rotating magnetic field. It is transferred on the second transfer path 2 as it moves. Figure 2 (
34 in b) is a specific example of the first current pulse.

第2の転送h2かも第1の転送路1へのバブルの転送は
以下のようにして行なわれる。第2の転送路2を転送中
のバブルが20の位置に来たときに回転磁界は矢印12
の方向を向いている。この位相から、コンダクタパタン
3に矢印12で示される位相範囲に渡って第2の電流パ
ルスを矢印41の向きに印加すれば、2oの位置のパズ
ルは該第2の電流パルスにより誘起された磁界勾配によ
って21の位置へ向かって転送される。第2の電流パル
スが切れたとき回転磁界は矢印8の方向を向いておりこ
のとき21の位置にはバブルを引きつけるチャージドウ
オールが形成されている。以後、バブルは回転磁界によ
るこのチャージドウオールの移動に伴ない第2の転送路
上を転送する。第2図b33は該第2の電流パルスの具
体例である。
The second transfer h2 also transfers the bubble to the first transfer path 1 as follows. When the bubble being transferred through the second transfer path 2 reaches the position 20, the rotating magnetic field is
facing the direction of From this phase, if a second current pulse is applied to the conductor pattern 3 in the direction of arrow 41 over the phase range shown by arrow 12, the puzzle at position 2o will be solved by the magnetic field induced by the second current pulse. It is transferred towards position 21 by the gradient. When the second current pulse ends, the rotating magnetic field points in the direction of arrow 8, and a charged wall is formed at position 21 that attracts bubbles. Thereafter, the bubbles are transferred along the second transfer path as the charged wall is moved by the rotating magnetic field. FIG. 2b33 shows a specific example of the second current pulse.

第3図(a入及び第3図fb、)は開孔3oを備えたコ
ンダクタバタンを用いる本発明の第3の実施例である。
Figures 3 (a and 3f) show a third embodiment of the invention using a conductor button with an opening 3o.

第1の転送路1から第2の転送路2へのバブルの転送は
以下のように行なわれる。第1の転送路を転送中のバブ
ルが16の位置に来たとき回転磁界は矢印7の方向を向
いている。この位相からコンダクタパタン3に矢印11
で示される位相範囲の第1の電流パルスを矢印40の向
きに印加すると開孔30によって生じた電流分布の乱れ
により、第1の転送路と第2の転送路との間隙部にバイ
アス磁界分布が誘起される。16の位置のバブルはこの
バイアス磁界分布によシ17の位置へ転送される。
Transfer of bubbles from the first transfer path 1 to the second transfer path 2 is performed as follows. When the bubble being transferred through the first transfer path reaches position 16, the rotating magnetic field is directed in the direction of arrow 7. Arrow 11 from this phase to conductor pattern 3
When a first current pulse having a phase range shown by is applied in the direction of arrow 40, the disturbance of the current distribution caused by the aperture 30 creates a bias magnetic field distribution in the gap between the first transfer path and the second transfer path. is induced. The bubble at position 16 is transferred to position 17 by this bias magnetic field distribution.

電流パルスを矢印11で示される位相範囲で印加し続け
ればこの間バブルは17の位置に生じているバイアス磁
界分布のくぼみによ如17の位置に保持される。第1の
電流パルスが切れた時点では回転磁界は矢印8の方向を
向いておシ、このとき17の位置にはバブルを引きつけ
るチャージドウオールが形成されている。以後、バブル
は回転磁界によるこのチャージドウオールの移動に伴な
い第2の転送路2上を転送する。第3図(bJの34は
第1の電流パルスの具体例である。
If the current pulse continues to be applied in the phase range shown by arrow 11, the bubble will be held at position 17 due to the depression in the bias magnetic field distribution occurring at position 17 during this period. When the first current pulse ends, the rotating magnetic field points in the direction of arrow 8, and at this time a charged wall is formed at position 17 that attracts bubbles. Thereafter, the bubbles are transferred on the second transfer path 2 as the charged wall is moved by the rotating magnetic field. FIG. 3 (34 in bJ is a specific example of the first current pulse.

第2の転送路2から第1の転送81へのバブルの転送は
以下のようにして行なわれる。第2の転送路2を転送中
のバブルが17の位置に来たときにコンダクタバタン3
に矢印12で示される位相範囲の第2の電流パルスを矢
印41の向きに印加すれば第1の転送路から第2の転送
路へのパズルの転送の場合と同様にしてバブルを第2の
転送路から第1の転送路へ転送することができる。
Transfer of bubbles from the second transfer path 2 to the first transfer 81 is performed as follows. When the bubble being transferred through the second transfer path 2 reaches position 17, conductor slam 3
By applying a second current pulse in the phase range indicated by arrow 12 in the direction of arrow 41, the bubble is transferred to the second transfer path in the same manner as in the case of puzzle transfer from the first transfer path to the second transfer path. The data can be transferred from the transfer path to the first transfer path.

第4図は第1図(a) l <:fi 2図(a)、第
3図(a)に参照数字5で示した両極性質流パルス発生
手段のブロック図の1例を示したものである。50は正
極性の電流パルス発生部、51は負極性の電流パルス発
生部、53は出力端子である。52は正極性の電流パル
ス発生部50及び負極性の電流パルス発生部51から所
定の時間間隔で電流パルスを発生させるだめの制御部で
ある。
FIG. 4 shows an example of a block diagram of the bipolar flow pulse generating means indicated by reference numeral 5 in FIG. 1(a) l <:fi FIG. 2(a) and FIG. 3(a). be. 50 is a positive current pulse generating section, 51 is a negative current pulse generating section, and 53 is an output terminal. Reference numeral 52 denotes a control section for generating current pulses from the positive current pulse generating section 50 and the negative current pulse generating section 51 at predetermined time intervals.

以上述べたように、本発明を実施すれば、間隙を隔てて
形成された第1の転送路と第2の転送路との間の双方向
のパズルの転送を非常に一学絆な素子構成で実現するこ
とができる。
As described above, if the present invention is implemented, the bidirectional puzzle transfer between the first transfer path and the second transfer path formed across the gap can be achieved with a very simple element configuration. It can be realized with.

第1の転送り’+′・、第2の転送路、及びコンダクタ
バタンの11<状や第1及び第2の電流パルスの印加位
相範囲、振幅、パルス幅としては第1図(a)、第1図
(b)、第2図(す、第2図(b)、第3図(す、第3
図bの実施例以外にもいろいろな例が考えられるが前記
実施例を用いて説明したごとき坤理によシバプルの転送
を行ないうるものであればすべて本発明に含まれること
はいう1でもない。
The first transfer path '+', the second transfer path, the 11< shape of the conductor slam, the application phase range, amplitude, and pulse width of the first and second current pulses are as shown in Figure 1(a). Figure 1 (b), Figure 2 (su), Figure 2 (b), Figure 3 (su, 3
Various examples other than the embodiment shown in FIG. .

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図Ca)・第2図(a)、第凝図哩は本発明の実施
例を示す溝成図1.第1図(b)、第2図(b) 、第
3図Cb)は電流パルスと回転磁界との関係を示す図%
 ’ASJ図は両極性電流パルス発生手段のブロック図
を表わす図である。 図において1は第1の転送路、2は伊、2の転送路、3
はコンダクタバタン、4は導体線路、5は両極性パルス
発生手段、6はバイアス磁界の向き、7 、8 、9 
、10は回転磁界の方向、11は第1の電流パルスの印
加位相範囲、12は第2の電流パルスのl:l]加位相
範囲、13.14はコンダクタバタンに設けた第1及び
第2の切り込み、15.16゜17.18,19.20
,21.22はバブルの位置、24はコンダクタバタン
の凹部、30けコンダクタバタンに設けた開孔、31は
電流パルスの振幅を表わす縦軸、32は回転磁界の回転
角度を表わt横軸、33h第2の電流パルス、34は第
1の↑電流パルス、40は第1の電流パルスの向き、4
1は第2のbt電流パルス向き、50は正極Ig電電流
パル1生生、51は負極性耐流パルス発生部、52は制
御部、53は出力端子である。 vl ヅ(ぴ) 270゜ 碌1図(b) 0    90   180   2’lD    0
    9θ   /θ0(340) 回単a力寵刈、の回重乙色7隻 (ル)′″54z 圀
(久) ′第2閏(b) 3ノ (3乙O) 回重ゑ排外の回転魚屋(2カ ネ 3 図 (CL) 270′ 梯3図(b) 3イ (360ン 回転座芹−回転色度(戊)
Figures 1(a) and 2(a) are diagrams illustrating embodiments of the present invention. Figures 1(b), 2(b), and 3Cb) are diagrams showing the relationship between current pulses and rotating magnetic fields.
'ASJ diagram is a diagram showing a block diagram of bipolar current pulse generating means. In the figure, 1 is the first transfer route, 2 is Italy, 2 is the transfer route, 3 is
is a conductor bang, 4 is a conductor line, 5 is a bipolar pulse generating means, 6 is a bias magnetic field direction, 7, 8, 9
, 10 is the direction of the rotating magnetic field, 11 is the applied phase range of the first current pulse, 12 is the l:l] addition phase range of the second current pulse, and 13.14 is the first and second applied phase range provided on the conductor button. Cut, 15.16° 17.18, 19.20
, 21 and 22 are the positions of the bubbles, 24 is the recess in the conductor button, 30 holes are provided in the conductor button, 31 is the vertical axis that represents the amplitude of the current pulse, and 32 is the horizontal axis that represents the rotation angle of the rotating magnetic field. , 33h second current pulse, 34 is the first ↑ current pulse, 40 is the direction of the first current pulse, 4
1 is a direction for the second bt current pulse, 50 is a positive Ig current pulse 1 generator, 51 is a negative current pulse generation section, 52 is a control section, and 53 is an output terminal. vl ㅅ(pi) 270゜碌1Fig.(b) 0 90 180 2'lD 0
9θ /θ0 (340) Rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the single a force and the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the power of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the 9θ/θ0 (340) 9θ/θ0 (340), and the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the single a force, and the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation of the rotation. Fish shop (2 money 3 figure (CL) 270' Ladder 3 figure (b) 3i (360n rotation seat - rotation chromaticity (戊)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 磁気バブルを保持し得る磁性薄膜上に、選択的にイオン
注入を施すことによ多形成された第1の転送路と第2の
転送路と該2つの転送路の間に形成されたコンダクタパ
タンを有するコンテイギユアスディスク型磁気バブル素
子と該磁気バブル素子上のコンダクタパタンに第1の電
流パルス及び該第1の電流パルスと極性の異なる第2の
電流パルスを所定の時間間隔をへたてて供給しうる手段
を具備することを特徴とする磁気バブル記憶装置。
A first transfer path and a second transfer path formed by selectively implanting ions on a magnetic thin film capable of holding magnetic bubbles, and a conductor pattern formed between the two transfer paths. A first current pulse and a second current pulse having a polarity different from the first current pulse are applied to a conductor pattern on a continuous disk type magnetic bubble element having a conductor pattern at a predetermined time interval. 1. A magnetic bubble storage device characterized by comprising means for supplying a magnetic bubble.
JP57153768A 1982-09-03 1982-09-03 Magnetic bubble storage device Pending JPS5942688A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7569260B2 (en) 2003-08-21 2009-08-04 Asahi Kasei Chemicals Corporation Photosensitive composition and cured products thereof

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7569260B2 (en) 2003-08-21 2009-08-04 Asahi Kasei Chemicals Corporation Photosensitive composition and cured products thereof

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