JPS5941932B2 - 光フアイバ製造のための方法および装置 - Google Patents

光フアイバ製造のための方法および装置

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JPS5941932B2
JPS5941932B2 JP57214092A JP21409282A JPS5941932B2 JP S5941932 B2 JPS5941932 B2 JP S5941932B2 JP 57214092 A JP57214092 A JP 57214092A JP 21409282 A JP21409282 A JP 21409282A JP S5941932 B2 JPS5941932 B2 JP S5941932B2
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fiber
cladding
manufacturing
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エロス・モドネ
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SHI ETSUSE E ERE CHII SENTORO SUTEYUDEI E LAB TEREKOMINIKACHIOONI SpA
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Description

【発明の詳細な説明】 イ 産業上の利用分野 本発明は遠隔光通信システム用の搬送媒体の製作特に光
フアイバの製作のための装置および方法に関する。
従来技術 長距離光伝送は光の伝送媒体の製作に使用される材料の
光学的性質によつて制限を受けることが知られている。
特に減衰と拡散が伝送に使用可能な波長の範囲を決定す
る。光7アイバの製作に現在使用されている原材料は石
英即ちSlO2で、所望の屈折率と拡散係数によつて様
々な添加物を加えられる。
それは波長1.27μmで最小の拡散値を与えるB3、
添加物を適当に加えることによつて減衰率H3最小に近
ずくように補正が行われ、最適な伝送条件得る。最小減
衰値はレイリー(Rayleigh)散乱損失に依存し
、波長λと原料の特性の関数としてつぎの式で表わされ
る。
ここでαoは散乱係数で、次式で表わされる。
上式においてnは屈折率 pは平均光弾性定数 kはボルツマン(BOItznlann)定数TOは刀
ラス転移温度β1は等温圧縮性 であり、N,p,TOおよびβ8の大きさは材料固有の
常数である。
散乱による減衰は最小論値があり、石英ガラスでは波長
1.6μmにおいて0.2dB/ICTIであり、これ
は、より長い波長においては格子結合〔Si−04〕4
−の伸長振動の減衰最小値αAbsに抑えられて、それ
以上低下することは不可能である。
ここでAおよびγは定数、ν1は格子結合S1−04の
基本伸長振動周波数で力定数fおよび珪素一酸素結合の
減少質量μSiOに依存する。
μSlOは、および酸素の原子量である。
ν1の値は次式で求められる。
石英をν1のより小さい材料によつて置換すれ .″ば
、即ち小さな力定数fと大きな減少質量μのどちらかま
たは両方共得られるならば、最小減衰領域をより長い波
長の方へ移すことができ、散乱損失は減少する。
石英においてν1の値b叶ヒ較的高い理由は、 1酸素
の質量t)3小さいことによつて群としてのSi−0の
減小質量が小さいことである。
従つて、所望の結果を得るためには、酸素の代りとなる
原料を見つけなければならない。この要求は部分的にハ
ロゲン化物によつて満たされる。事実、1F,C1,B
rおよびIの化合物はより大きな減小質量を有する。ハ
発明の目的 光7アイバの分野において、例えば弗化物のような材料
B3多数提案されたt)3、それ等を使用〉するには重
大な問題B3ある。
特に、(1)大気に含まれる気体との反応度B3大きい
(2)有毒性。(3)製造されたガラスの透明度の安定
性が低い。
(4)フアイバ製作に適した技術に欠ける。 S(
5)光拡散の最小値t)3低く、従つて最小の減衰と拡
散の条件の最適化H3困難である。本発明は上記の欠点
を克服するための光フアイバの製造装置および方法を提
供することを目的とする。
本発明は適当な材料の使用によつ一ζ、.・波長5μm
以上の光の伝送t)3可能で、減衰は10−3dB/I
CIIl以下でしかも特に自然界中の物質との化学反応
から防護された光フアイバを提供することB3できる。
二 発明の構成 本発明は、底孔で終端する第1のるつぼと前記第1のる
つぼを囲む第2のるつぼを含む光フアイバ製造装置を使
用する光フアイバの製造方法において、フアイバのコア
材料とクラツド材料とは、それぞれ精製され全体的に均
一な成分,構成になるように混合された後に、コア材料
は前記第1のるつぼに、クラツドの材料は前記第1と第
2のるつぼの間に人れられ、第1のるつぼは光フアイバ
の原料よりも高い軟化温度(軟化点)を有し、第2のる
つぼは前記の光フアイバの原料の軟化温度と実質的に同
じ軟化温度を有し、しかる後熱拡散によつて、ガラス化
されていない材料はガラスイヒされ、既にガラス化され
ている材料は更に精製され、その後るつほの底孔とつら
ら(メニスカス)状部分の領域の温度を原料および第2
のるつぼの軟化温度まで上昇させることによりフアイバ
の線引き(すなわち伸長紡糸)を開始し、この線引きは
コア材料およびクラツド材料と共に第2のるつぼの軟化
物を用いて行い、ついで第2のるつぼ、クラツド材料お
よびコア材料をフアイバの線引きと同一方向へ、コアと
クラツドの直径比H3所望の値になるような適正な速度
で進行させる(Trall一Slate)ことによつて
、線引きされるフアイバに使用される材料の消費分を補
償することを特徴とする光フアイバの製造方法に関する
ものである。
本発明HS提供する光7アイバ製造のための装置は、底
孔で終端する第1のるつぼと第1のるつほを囲む第2の
るつぼから構成される。
第1のるつぼは光フアイバを作成する原料の軟化温度よ
り高い軟化温度を有し、かつその底は線引きの際につら
ら(メニスカス)状の輪かくを有し、第2のるつぼは原
料と同じ軟化温度を有する低溶融温度のガラスからなり
、かつフアイバの線引きによつて直接形成されたつらら
状部分を有し、機械的装置によつて、フアイバのコアと
なる材料の棒/)3第1のるつぼの中へ給送されかつ進
行せしめられ、第2のるつぼは、2つのるつぼ間に充填
された7アイバのクラツド材料と共に進行せしめられる
。また、上記2つのるつぼの中へ人れられた材料のガラ
ス化のための第1の炉と、フアイバの線引きのための第
2の炉を備えており、ただしこの線引きは、コア材料お
よびクラツド材料と共に第2のるつぼの軟化物を用いて
行われるものである。本発明の重要な要件は、第2のる
つぼ(すなわち外側のるつぼ)も軟化させてこれを前記
の如くコア材料およびクラツド材料と共に線引きする(
伸長紡糸する)ことである。
前記のフアイバ形成用材料類/)3大気中のガスの作用
を受けないように該材料を大気中のガスから注意深く隔
離して保護しなければならないときには、上記の要件は
非常に重要である。この要件を含む本発明方法に従えば
、後で詳細に説明するように第2のるつぼはフアイバと
共に引張られるから、これはるつぼであるだけでなく其
後に防護用被覆としても作用し、フアイバ決成用材料を
5外部環境から隔離し、適切な安定性を与える。本発
明の好ましい具体例では、光の伝送用手段である光フア
イバの製造のために後記の如く塩化物(または他の適当
なハロゲン化物たとえば臭化物もしくは沃化物)材料B
3使用できる。 10この具体例は非常に重要なもので
ある。なぜならば、この具体例に従えば、後で詳細に説
明するように高い波長の光を非常に低い減衰率で伝送で
きる光フアイバが製造できるからである。以下本発明を
実施例について図面を用いて更に 15詳細に説明する
。石英の基本振動周波数を顕著に大きく移動させるには
、原料に塩化物を用いる。
前述の弗化物の欠点を避け、更に減衰を低下させるため
に弗素より質量の大きい塩素を使用する。その上、20
塩化物は自然界との化学反応性も低くかつ有毒性も許容
範囲になし得る。得られるガラスの安定性は、各単独の
成分元素の数と割合を正確に選定することによつて最適
化される。
25長い波長を使用
するから、散乱損失をあまり増加せずに成分元素の数を
増加すること/)Sでき、従つて多成分元素の塩基物系
ガラスt)3得られる。また5μmまでおよびそれより
大きいスペクトル領域で使用するためにHf,Zr,T
h,Ba,3OLa,PbおよびBiのような高原子量
の元素や、周期律表の6および7族の一般的な元素/)
S塩素と結合される。ガラスの格子構造を構成するには
Hf,ZrおよびThの塩化物が同時にあるいは個別に
必要であると考えられる。その他の元35素はガラス化
に有利なように又は最小拡散値を長い波長の領域へ移す
ために添加される。上と同じ目的のために、AlCl3
,ZnCl2等のもつと軽い元素の塩素化合物を使用す
ることもできる。
40上記の元素から得られる化合物の代
表的な組合わせはつぎのものである。TOは250の〜
500℃の範囲に含まれる。
この事はレイリー散乱係数αoを3分の1近く迄減少し
たことになる。転移金属や水酸化物のような代表的な石
英の不純物は、相対的吸収帯t)33μm波長より前に
あるので、これ等のガラスの減衰性に影響を与えない。
これ等の化合物は、基礎剤の沸謄点が高いので伝統的な
化学的気相堆積法(CVD)による母材の製作には使用
できない。
卜 実施例 図はハロゲン化物、特に塩化物に基づく多成分ガラスに
よつて光フアイバを製作する装置を示す。
この装置は2つの炉1および2ならびに水晶のるつぼ3
を含み、るつぼ3はフアイバのコアを線引きするための
底孔を有する。
るつぼ3の外側には低溶融温度の酸化物系ガラスより成
るるつぼ4t)′sあり、前記底孔と同軸をなすつらら
状部分を有する。このつらら状部分は線引きによつてる
つほ4から直接得られるものである。5はるつぼ3の内
側にフアイバのコア材料のガラス棒を給送する装置であ
る。
ネジ6および7によつて、光フアイバの線引きの間ガラ
ス棒は押し進められる。9はフアイバのクラツド材料と
るつぼ4とを炉の内側へ給送する機械を示す。
2つのネジ10および11はその材料およびるつぼ4を
進行させる。
粉末状の原料、すなわち前記元素の塩化物は、圧力およ
び温度を変化する不活性雰囲気中で昇華されることによ
つてまず精製された後、どの点でも一定の比率で所望の
配合/7S得られるように混合され、そして水晶の簡の
中へ導人される。
それはつぎに炉内でガラス化され、そして得られた棒8
は熱拡散により精製される。クラッド材料はコア材料と
は異なる屈折率を得るように多数の成分の割合を変えて
、前者の場合と同様に個別に精製され、混合された後る
つぼ3と4の間に充填されてガラス化および熱拡散によ
る精製/)3行われる。コア材料およびクラツド材料は
、るつぼの全長にわたつて伸びている炉1によつて、そ
れぞれのるつぼの中で直接ガラス化される。
つらら伏部分に位置する炉2はフアイバの線引きに必要
な温度を発生する。るつぼ4のための軟化温度の低い酸
化物系ガラスを選択する時は、フアイバを製作する塩基
物系ガラスの熱膨脹係数、ガラス転移温度および密度を
考慮しなければならない。
実際にるつぼ4はフアイバと共に引つぱられるから、そ
れはるつぼであるだけでなく防護用被覆としても作用し
、フ了イバを形成する材料を外部環境から絶縁し、適時
に安定性を与える。多成分塩基物系ガラスの熱膨脹係数
、ガラス転移温度および密度は、それぞれ50〜200
×10−70σ1、200〜600℃、3〜8P?であ
る。
るつぼ4を塩化物の密度と同様な値を有するガラスで作
成することによつて、光フアイバの汚染を起こすもとに
なる材料の補正の必要HSなくなる。現在市販物の中で
使用可能なものは、例えばシヨツト(SchOtt)ガ
ラスの種類SF52又はSF59で、密度、膨脹係数、
ガラス転移温度は、前者では109/(−FilllO
5×10−70C−1,406℃であり、後者は6.2
69/CrilllO3XlO−7℃−1、3622C
である。原料のガラス化の後、炉2もまた動作して軟化
温度に達する。
しかる後フアイバの所望外径例えば現在の国際標準によ
れば125μmを得るに必要な速度で線引きすることに
より、るつぼ4につらら状部ができる。コアとクラツド
の比率はるつぼ3の底孔の大きさとるつぼ4を給送する
速度の両方に依存する。るつぼ4の給送速度は、るつぼ
3の底孔の大きさが許容する変化範囲内で所望のコア対
クラツド比を維持するように決定しなければならない。
コアおよびクラツドのそれぞれのガラスを供給する機械
5および9は、1〜50CT!l/hの範囲の変換速度
を提供するよう設計されなければならない。
上述の説明は1実施例についてであるt)3、本発明の
範囲内で各種の変形t)3可能である。
へ 発明の効果本発明による光フアイバ製造装置は同軸
上の2つのるつぼより成り、外側のるつぼは低い軟化温
度を有し、フアイバの原材料と共に線引きされ、その結
果フアイバは空気中の物質との反応から防護されて作ら
れる。
このようにして得られたフアイバは波長5μm以上、最
小減衰量10−3dB/ICffl以下の光伝送り3可
能である。
【図面の簡単な説明】
図は光フアイバ製造装置の断面図を示す。 〔主要部分の符号の説明〕、1・・・・・・第1の炉、
2・・・・・・第2の炉、3・・・・・・第1のるつぼ
、4・・・・・・第2のるつぼ、5・・・・・・コア材
料給送機械、6,7・・・・・・ネジ、8・・・・・・
コアの材料棒、9・・・・・・クラツドおよびるつぼ4
給送機械、10,11・・・・・・ネジ。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 底孔で終端する第1のるつぼと前記第1のるつぼを
    囲む第2のるつぼを含む光ファイバ製造装置を使用する
    光ファイバの製造方法において、ファイバのコア材料と
    クラッド材料とは、それぞれ精製され全体的に均一な成
    分構成になるように混合された後に、コア材料は前記第
    1のるつぼに、クラッドの材料は前記第1と第2のるつ
    ぼの間に入れられ、第1のるつぼは前記の光ファイバの
    原料よりも高い軟化温度を有し、第2のるつぼは前記の
    光ファイバの原料の軟化温度と実質的に同じ軟化温度を
    有し、しかる後熱拡散によつて、ガラス化されていない
    材料はガラス化され、既にガラス化されている材料は更
    に精製され、その後るつぼの底孔とつらら状部分の領域
    の温度を原料および第2のるつぼの軟化温度まで上昇さ
    せることによりファイバの線引きを開始し、この線引き
    はコア材料およびクラッド材料と共に第2のるつぼの軟
    化物を用いて行い、ついで第2のるつぼ、クラッド材料
    およびコア材料をファイバの線引きと同一方向へ、コア
    とクラッドの直径比が所望の値になるような適正な速度
    で進行させることによつて、線引きされるファイバに使
    用される材料の消費分を補償することを特徴とする光フ
    ァイバの製造方法。 2 特許請求の範囲第1項に記載の光ファイバ製造方法
    において、前記コア材料は、前記第1のるつぼに粉末状
    で導入されて後ガラス化されることを特徴とする前記方
    法。 3 特許請求の範囲第1項に記載の光ファイバ製造方法
    において、前記コア材料は、あらかじめガラス化され棒
    状に成形されて第1のるつぼに導入されることを特徴と
    する前記方法。 4 特許請求の範囲第1項に記載の光ファイバ製造方法
    において、ファイバのコア材料およびクラッド材料はハ
    ロゲン化物であることを特徴とする前記方法。 5 特許請求の範囲第1項に記載の光ファイバ製造方法
    において、ファイバのコア材料およびクラッド材料は塩
    化物を含むことを特徴とする前記方法。 6 特許請求の範囲第1項に記載の光ファイバ製造方法
    において、ファイバのコアおよびクラッドを形成すべき
    原料は、ガラスの格子構造のための大きな原子量の元素
    の塩化物と、前記格子構造の安定性を増加しかつ光ファ
    イバの帯域幅を拡げるためのより小さい原子量の元素の
    塩化物の少量とを含むことを特徴とする前記方法。 7 特許請求の範囲第6項に記載の光ファイバ製造方法
    において、前記大きな原子量の元素は、Hf、Zr、T
    h、Ba、La、PbおよびBiを含むことを特徴とす
    る前記方法。 8 特許請求の範囲第6項は記載の光ファイバ製造方法
    において、前記小さい原子量の元素はAlおよびZnを
    含むことを特徴とする前記方法。 9 終端に底孔を有する第1のるつぼと、前記第1のる
    つぼを囲む第2のるつぼを含む光ファイバ製造装置にお
    いて、第1のるつぼは光ファイバの原料よりも高い軟化
    温度を有し、その底は光ファイバの線引きによつて得ら
    れるつらら状を呈し、第2のるつぼは、前記光ファイバ
    の原料の軟化温度と同じ軟化温度および光ファイバの線
    引きの間に第2のるつぼから直接つらら状部分が得られ
    る程低溶融温度のガラスにより作られており、第1のる
    つぼに光ファイバのコアを形成する材料(コア材料とい
    う)から成る棒を給送してこれを進行させると共に、前
    記2つのるつぼの間に挿入された光ファイバのクラッド
    を形成する材料(クラッド材料)と第2のるつぼとを共
    に進行させるための給送用機械を含み、さらに、第1お
    よび第2のるつぼ内の各材料をガラス化するための第1
    の炉とファイバの線引きのための第2の炉を有し、この
    線引きはコア材料およびクラッド材料と共に第2のるつ
    ぼの軟化物を用いて行われるものであることを特徴とす
    る光ファイバの製造装置。 10 特許請求の範囲第9項に記載の装置において、光
    ファイバの線引き領域に到達する材料の量が光ファイバ
    ーの線引きに使用される量を補償するような値になる迄
    進行速度を減少するように設計されたネジを前記の給送
    用機械が有することを特徴とする前記装置。 11 特許請求の範囲第9項に記載の装置において、前
    記第2のるつぼは、ファイバのコアおよびクラッドを構
    成する原料と同じガラス転移温度、密度および熱膨脹係
    数を有することを特徴とする前記装置。
JP57214092A 1981-12-22 1982-12-08 光フアイバ製造のための方法および装置 Expired JPS5941932B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT68655A/81 1981-12-22
IT68655/81A IT1145605B (it) 1981-12-22 1981-12-22 Apparecchiatura e procedimento per la produzione di fibre ottiche

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS58110441A JPS58110441A (ja) 1983-07-01
JPS5941932B2 true JPS5941932B2 (ja) 1984-10-11

Family

ID=11310179

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57214092A Expired JPS5941932B2 (ja) 1981-12-22 1982-12-08 光フアイバ製造のための方法および装置

Country Status (10)

Country Link
EP (1) EP0082517B1 (ja)
JP (1) JPS5941932B2 (ja)
AT (1) ATE18661T1 (ja)
AU (1) AU536495B2 (ja)
BR (1) BR8207118A (ja)
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