JPS594145A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS594145A JPS594145A JP57113249A JP11324982A JPS594145A JP S594145 A JPS594145 A JP S594145A JP 57113249 A JP57113249 A JP 57113249A JP 11324982 A JP11324982 A JP 11324982A JP S594145 A JPS594145 A JP S594145A
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- JP
- Japan
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- package
- amplifier
- circuit
- resistor
- semiconductor device
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、マイクロ波半導体回路をパッケージ内に収容
した半導体装置の改良に関する。
した半導体装置の改良に関する。
従来技術と問題点
近年、従来のトランジスタ単体用のパッケージと同程度
の大きさのパッケージに小型、高性能のマイクロ波増幅
器を封入した半導体装置が開発され、これに習って、発
振器或いはミキサ等のマイクロ波デバイスのパッケージ
化も進展しつつある。
の大きさのパッケージに小型、高性能のマイクロ波増幅
器を封入した半導体装置が開発され、これに習って、発
振器或いはミキサ等のマイクロ波デバイスのパッケージ
化も進展しつつある。
これらの半導体装置は、例えば増幅器の場合、簡単に多
段縦続接続することが可能であり、また、（１） 増幅器、発振器、ミキサ等を組合せて−っの機能を有す
るマイクロ波半導体回路とすることもできる。
段縦続接続することが可能であり、また、（１） 増幅器、発振器、ミキサ等を組合せて−っの機能を有す
るマイクロ波半導体回路とすることもできる。
このように、マイクロ波領域に於いて、前記の如き各回
路を中間に整合回路など特別な回路を何等必要とするこ
となく結合できることは大きな進歩である。
路を中間に整合回路など特別な回路を何等必要とするこ
となく結合できることは大きな進歩である。
ところが、これらの回路には、ＦＥＴのバラツキ、Ｌ（
インダクタ）、Ｃ（キャパシタ）、Ｒ（抵抗）の値のバ
ラツキ等に依る特性のかたよりが見られる。
インダクタ）、Ｃ（キャパシタ）、Ｒ（抵抗）の値のバ
ラツキ等に依る特性のかたよりが見られる。
第１図に於ける実線Ａはリップルを表し、破線Ｂは周波
数が高くなると利得が低下する様子を表し、一点鎖線Ｃ
は周波数が低くなると利得が低下する様子を表している
。
数が高くなると利得が低下する様子を表し、一点鎖線Ｃ
は周波数が低くなると利得が低下する様子を表している
。
第１図に見られるような特性は、前記回路に多かれ少な
かれ存在し、例えば前記Ａ、Ｂの特性を有する回路を５
段縦続接続した場合、その悪い特性も強調され、リップ
ルは第２図の実線りに見られるようになり、高周波での
利得低下は同じく第（２） ２図の破線Ｅの如くになる。
かれ存在し、例えば前記Ａ、Ｂの特性を有する回路を５
段縦続接続した場合、その悪い特性も強調され、リップ
ルは第２図の実線りに見られるようになり、高周波での
利得低下は同じく第（２） ２図の破線Ｅの如くになる。
このよ・うな特↑ｊ［ば、回路に於けるり、Ｃ，Ｒ等の
素子の値を加減することに依り、かなり補正することが
できる。
素子の値を加減することに依り、かなり補正することが
できる。
ところが、回路はパッケージ内に封止されているので、
外部からそれ等素子の値を補正して前記５段縦続接続さ
れた回路の特性を平坦にすることは不可能である。
外部からそれ等素子の値を補正して前記５段縦続接続さ
れた回路の特性を平坦にすることは不可能である。
発明の目的
本発明は、パッケージに収容された１ダ１えば増幅器等
の回路に於ける諸素子の定数を後から変化させることが
できるようにして、マイクロ波特性の制御を可能にした
半導体装置を提供するものである。
の回路に於ける諸素子の定数を後から変化させることが
できるようにして、マイクロ波特性の制御を可能にした
半導体装置を提供するものである。
発明の実施例
第３図は、本発明一実施例の要部切断斜面図である。
図に於いて、１は金属基台、２はサファイア等の誘電体
基板、３は増幅器（簡単にするため記号で表示しである
）、４はバイアス用リード、５は（３） 金属ピン、６はセラミック蓋板、７，８は電極、９は接
地導体、１０は抵抗、１１は抵抗値変更用端子、１２は
短絡用ワイヤをそれぞれ示している。
基板、３は増幅器（簡単にするため記号で表示しである
）、４はバイアス用リード、５は（３） 金属ピン、６はセラミック蓋板、７，８は電極、９は接
地導体、１０は抵抗、１１は抵抗値変更用端子、１２は
短絡用ワイヤをそれぞれ示している。
第４図は、第３図実施例の要部回路図で、破線の内側が
パッケージの内部、外側が外部であり、第３図に関して
説明した部分と同部分は同記号で指示しである。
パッケージの内部、外側が外部であり、第３図に関して
説明した部分と同部分は同記号で指示しである。
本実施例では、端子１１を適宜選択しワイヤ１２で接続
することに依り、抵抗１０の値を変化させることができ
る。そして、その操作に依り、増幅器３のバイアス電圧
は変化するから、その結果、増幅器３の利得−周波数特
性は外部から制御されるものである。
することに依り、抵抗１０の値を変化させることができ
る。そして、その操作に依り、増幅器３のバイアス電圧
は変化するから、その結果、増幅器３の利得−周波数特
性は外部から制御されるものである。
このような半導体装置を２段結合する際、一方の半導体
装置が第１図の破線已に見られるような特性を有してい
る場合、全体の特性を平坦にするそれには、前記一方の
半導体装置に対し、前記の如くして、抵抗１０の値を選
択して増幅器３の（４） バイアス電流を制御し、特性を一点鎖線Ｃに見られる特
性と合致させた他方の半導体装置を結合すれば良い。
装置が第１図の破線已に見られるような特性を有してい
る場合、全体の特性を平坦にするそれには、前記一方の
半導体装置に対し、前記の如くして、抵抗１０の値を選
択して増幅器３の（４） バイアス電流を制御し、特性を一点鎖線Ｃに見られる特
性と合致させた他方の半導体装置を結合すれば良い。
第５図は、前記のようにして２段結合した半導体装置の
特性を表す線図であり、破線Ｆがその特性を示している
。
特性を表す線図であり、破線Ｆがその特性を示している
。
ところで、このように外部に電極等を簡単に引き出せる
構成になっていると、半導体装置の機能を更に多岐化す
ることができる。
構成になっていると、半導体装置の機能を更に多岐化す
ることができる。
第６図は、本発明に於ける他の実施例の要部切断斜面図
であり、第３図に於ける増幅器３に相当する。
であり、第３図に於ける増幅器３に相当する。
図に於いて、３０は半絶縁性ＧａＡｓ基板、３１はＧａ
Ａｓ−ＦＥＴ部分、３１Ｇはゲート電極導出部、３２は
入力整合回路、３３はショットキ・ダイオード部分、３
４は側路コンデンサ部分、３５は容量制御用電圧印加端
子を、また、側路コンデンサ部分３４に於いて、３４ａ
は上側電極、３４ｂは誘電体、３４Ｃは下側電極をそれ
ぞれ示している。
Ａｓ−ＦＥＴ部分、３１Ｇはゲート電極導出部、３２は
入力整合回路、３３はショットキ・ダイオード部分、３
４は側路コンデンサ部分、３５は容量制御用電圧印加端
子を、また、側路コンデンサ部分３４に於いて、３４ａ
は上側電極、３４ｂは誘電体、３４Ｃは下側電極をそれ
ぞれ示している。
本実施例に於いて、端子３５を第３図に関して（５）
説明したように適宜外部に導出しておけば、そこに印加
する電圧を制御することに依り、ショットキ・ダイオー
ド部分３３の容量値を外部から変化させることができる
ので、それに依り増幅器の利得を変えて広帯域に亘り平
坦な利得−周波数特性を得ることができる。
する電圧を制御することに依り、ショットキ・ダイオー
ド部分３３の容量値を外部から変化させることができる
ので、それに依り増幅器の利得を変えて広帯域に亘り平
坦な利得−周波数特性を得ることができる。
従って、第３図実施例に第６図の構成を付加することに
依り、より広範囲で、しかも、微細な利得調整を行なう
ことが可能である。
依り、より広範囲で、しかも、微細な利得調整を行なう
ことが可能である。
発明の効果
以上の説明でわかるように、本発明半導体装置は、パッ
ケージ蓋板表面上に形成された抵抗等の薄膜素子を有し
、そわ、等素子とパンケージ内に収容された回路とを結
合し、前記素子の値を変えることに依りパッケージ内の
回路の定数を外部から変化させることができる構成にな
っているので、パッケージを封止した後でもその回路特
性を外部から容易に調整することが可能であり、従って
、この種半導体装置を多段結合する際には特に有利であ
る。
ケージ蓋板表面上に形成された抵抗等の薄膜素子を有し
、そわ、等素子とパンケージ内に収容された回路とを結
合し、前記素子の値を変えることに依りパッケージ内の
回路の定数を外部から変化させることができる構成にな
っているので、パッケージを封止した後でもその回路特
性を外部から容易に調整することが可能であり、従って
、この種半導体装置を多段結合する際には特に有利であ
る。
（６）
第１図及び第２図は従来例の特性を説明するための線図
、第３図は本発明一実施例の要部切断斜面図、第４図は
第３図実施例の要部回路図、第５図は本発明一実施例の
特性を説明するための線図、第６図は本発明に於ける他
の実施例の要部切断斜面図である。 図に於いて、■は金属基台、２はサファイア等の誘電体
基板、３ば増幅器、４はバイアス用り−１′、５は金属
ビン、６はセラミック蓋板、７．８は電極、９ば接地導
体、１０は抵抗、１１は抵抗値変更用端子、１２ば短絡
用ワイヤである。 特許出廓人 富士通株式会社 代理人弁理士 工具 久五部 （外３名） （７） ２１５−
、第３図は本発明一実施例の要部切断斜面図、第４図は
第３図実施例の要部回路図、第５図は本発明一実施例の
特性を説明するための線図、第６図は本発明に於ける他
の実施例の要部切断斜面図である。 図に於いて、■は金属基台、２はサファイア等の誘電体
基板、３ば増幅器、４はバイアス用り−１′、５は金属
ビン、６はセラミック蓋板、７．８は電極、９ば接地導
体、１０は抵抗、１１は抵抗値変更用端子、１２ば短絡
用ワイヤである。 特許出廓人 富士通株式会社 代理人弁理士 工具 久五部 （外３名） （７） ２１５−
Claims (1)
- パッケージの蓋板表面上に形成され該パンケージの内部
に収容された回路と結合され且つその値が可変である抵
抗等の薄膜素子を備えてなることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113249A JPS594145A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57113249A JPS594145A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS594145A true JPS594145A (ja) | 1984-01-10 |
Family
ID=14607354
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57113249A Pending JPS594145A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS594145A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987002834A1 (en) * | 1985-10-28 | 1987-05-07 | American Telephone & Telegraph Company | Stripline mount for semiconductor lasers |
| US4672151A (en) * | 1984-10-08 | 1987-06-09 | Fujitsu Limited | Package for a microwave semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49120160A (ja) * | 1973-03-26 | 1974-11-16 | ||
| JPS5146876A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Toranjisutapatsukeeji |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP57113249A patent/JPS594145A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49120160A (ja) * | 1973-03-26 | 1974-11-16 | ||
| JPS5146876A (ja) * | 1974-10-18 | 1976-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | Toranjisutapatsukeeji |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4672151A (en) * | 1984-10-08 | 1987-06-09 | Fujitsu Limited | Package for a microwave semiconductor device |
| WO1987002834A1 (en) * | 1985-10-28 | 1987-05-07 | American Telephone & Telegraph Company | Stripline mount for semiconductor lasers |
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