JPS5939119A - Monostable multivibrator - Google Patents

Monostable multivibrator

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JPS5939119A
JPS5939119A JP57149679A JP14967982A JPS5939119A JP S5939119 A JPS5939119 A JP S5939119A JP 57149679 A JP57149679 A JP 57149679A JP 14967982 A JP14967982 A JP 14967982A JP S5939119 A JPS5939119 A JP S5939119A
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transistor
current
voltage
potential
point
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Takashi Kakimoto
隆司 垣本
Ichiro Ikegami
池上 一郎
Takaharu Hayashi
林 敬治
Kenkichi Oura
大浦 研吉
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K3/00Circuits for generating electric pulses; Monostable, bistable or multistable circuits
    • H03K3/02Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses
    • H03K3/023Generators characterised by the type of circuit or by the means used for producing pulses by the use of differential amplifiers or comparators, with internal or external positive feedback

Abstract

PURPOSE:To attain a monostable multivibrator with high speed, by connecting a diode in parallel between the base and emitter of an inverter transistor (TR) of a bistable multivibrator. CONSTITUTION:Diodes D6-D9 are connected respectively in parallel between the base and emitter of the inverter TRs Q1-Q4 of the bistable multivibrator and the D6 and the Q1, the D7 and the Q2, the D8 and the Q3 and the D9 and the D4 are formed respectively as the current mirror coupling. In impressing a trigger pulse to a terminal T3, the same current flows to the D9 and the Q4, a potential at a point (b) is nearly at a ground potential, a TRQ7 is turned off, a capacitor Ct is charged with a resistor Rt, the current to the Q2, the Q7 is zero and the potential at a point (a) goes to a high level. When the potential at the Ct reaches a comparison voltage VREF of a voltage comparison circuit comprising TRs Q8, Q9, a current of a TRQ10 flows to the D5, the TRQ11 turns on, a current flows to the D6 and the Q1, the potential at the point (a) reaches nearly the ground potential, the current to the Q3 and the D7 is zero, and the potential at the point (b) is increased rapidly to turn on the TRs Q12, Q7 so as to discharge rapidly the charge of the Ct. Since the Q1-Q4 are unsaturated because of the D6-D9, high speed is attained.

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は単安定マルチバイブレータ、とりわけ、高性能
で安定性がよく、集積化に適する単安定マルチバイブレ
ータに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a monostable multivibrator, and more particularly to a monostable multivibrator that has high performance, good stability, and is suitable for integration.

従来例の構成とその問題点 たとえば、テレビジョン受像機における水平同期信号処
理回路の場合のように、高性能で安定なパルス信号を必
要とする電子機器には、安定化手段を付設した単安定マ
ルチバイブレータが用いられる。第1図の回路構成は、
この種の単安定マルチバイブレータの従来例のひとつで
ある。この構成の単安定マルチバイブレータの動作をみ
ると、ダイオードD1.D2と抵抗R1で動作電流が規
定され、トランジスタ01〜Q6とダイオードD3D4
とで回路結合された双安定マルチバイブレータは、所定
の電源電圧vccが加えられたとき、トランジスタQ2
または同Q3のどちらか一方がオンになり、他方がオフ
になって安定1ている。
Conventional configurations and their problems For example, electronic devices that require high-performance and stable pulse signals, such as horizontal synchronization signal processing circuits in television receivers, use monostable devices equipped with stabilizing means. A multivibrator is used. The circuit configuration in Figure 1 is
This is one of the conventional examples of this type of monostable multivibrator. Looking at the operation of the monostable multivibrator with this configuration, the diode D1. The operating current is defined by D2 and resistor R1, and transistors 01 to Q6 and diodes D3D4
The bistable multivibrator circuit-coupled with
Alternatively, one of Q3 is turned on and the other is turned off, resulting in stable condition.

いま、トランジスタQ2がオンになった場合についてみ
ると、電流源をなすトランジスタQ5の電流は全てトラ
ンジスタQ2を流れ、端子T1 に現われる出力電圧は
同トランジスタQ2のコレクタ・エミッタ間電圧(vC
EO)まで低下する。このため、他方のトランジスタQ
3へのベース電流は供給されず、同トランジスタQ3は
オフになり、電流源トランジスタQ6の電流は、ダイオ
ードD4を通じて、トランジスタQ2のベースに供給さ
れ、同トランジスタQ2がそのま1オン状態を持続する
。この結果、双安定マルチバイブレータの互いのインバ
ータトランジスタQ2.Q3のコレクタ電位、すなわち
、a、bで示す両出方点の電圧は、a点がほぼI′0”
ボルト、b点がトランジスタQ2のベース・エミッタ間
電圧(VBE)とダイオードD4の順方向電圧(VD)
との和ノ電圧(vBE+VD中2vBE)になる。しだ
がって、b点に結合されたトランジスタQ7は、抵抗R
2を通じてベース電流が供給されて、オン状態になるの
で、これに結合されたトランジスタQ のベース電圧ハ
、トランジスタQ7のコレクタ・エミッタ間電圧(vC
EO)になり、同トランジスタQ8がオフ状態になる。
Now, if we consider the case where transistor Q2 is turned on, all the current of transistor Q5, which is a current source, flows through transistor Q2, and the output voltage appearing at terminal T1 is equal to the collector-emitter voltage (vC) of transistor Q2.
EO). Therefore, the other transistor Q
The base current to the transistor Q3 is not supplied, the transistor Q3 is turned off, and the current of the current source transistor Q6 is supplied to the base of the transistor Q2 through the diode D4, and the transistor Q2 continues to be in the ON state. . As a result, each inverter transistor Q2. of the bistable multivibrator. The collector potential of Q3, that is, the voltage at both output points indicated by a and b, is approximately I'0'' at point a.
Volt, point b is the base-emitter voltage (VBE) of transistor Q2 and the forward voltage (VD) of diode D4.
The voltage becomes the sum of the voltage (vBE+2vBE in VD). Therefore, transistor Q7 coupled to point b has resistance R
Since the base current is supplied through 2 and turns on, the base voltage of the transistor Q connected to this increases and the collector-emitter voltage of the transistor Q7 (vC
EO), and the transistor Q8 is turned off.

このとき、トランジスタQ7のコレクタおよびトランジ
スタQ8のベースにハ、電源電圧vccと接地点との間
に設けられたCt、Rtよりなる充放電回路のコンデン
サCtの電圧端子が接続されているから、同コンデンサ
Ctの電荷は放電される。一方、トランジスタQ8と同
Q9とでなる差動対は、トランジスタQ9のベースに電
源電圧vccから抵抗R4R6の抵抗比で分7割される
比較電圧(vREF)が加えられていることにより、電
圧比較器としてはたらき、トランジスタQ8がオフのと
きには、トランジスタQ9がオンとなって電流源のトラ
ンジスタQ1oへ定電流を与えている。この場合、トラ
ンジスタQ8がオフであるから、ダイオードD5には電
流が々<、シたがって、このダイオードD5に結合され
たトランジスタQ11もオフとなり、同トランジスタQ
、1を通じて供給される筈のトランジスタQ1へのベー
ス電流もなく、トランジスタQ1はオン状態で安定であ
る。
At this time, the voltage terminal of the capacitor Ct of the charging/discharging circuit consisting of Ct and Rt, which is provided between the power supply voltage vcc and the ground point, is connected to the collector of the transistor Q7 and the base of the transistor Q8. The charge on capacitor Ct is discharged. On the other hand, in the differential pair consisting of transistors Q8 and Q9, a comparison voltage (vREF), which is divided by 70% from the power supply voltage vcc by the resistance ratio of resistors R4R6, is applied to the base of transistor Q9, so that voltage comparison is possible. When the transistor Q8 is off, the transistor Q9 is on and supplies a constant current to the current source transistor Q1o. In this case, since the transistor Q8 is off, a current flows through the diode D5. Therefore, the transistor Q11 coupled to this diode D5 is also turned off, and the transistor Q11 is also turned off.
, 1, there is no base current to the transistor Q1 that would be supplied through the transistor Q1, and the transistor Q1 is stable in the on state.

次に、電源電圧vccを加えたときにトランジスタQ3
がオンになった場合についてみると、前述の回路動作説
明からもわかるように、双安定マルチバイブレータの両
インバータトランジスタQ2゜Q3のコレクタ電位は、
a点が高く、b点がほぼ+onボルトになり、これによ
って決まるトランジスタQ2および同Q3の動作状態が
、それぞれ、オフおよびオンの状態になる。これにより
、トランジスタQ7はオフになり、同トランジスタQ。
Next, when the power supply voltage vcc is applied, the transistor Q3
When turned on, as can be seen from the circuit operation explained above, the collector potentials of both inverter transistors Q2 and Q3 of the bistable multivibrator are:
Point a is high, point b is approximately +on volts, and the operating states of transistors Q2 and Q3 determined by this are off and on, respectively. As a result, transistor Q7 is turned off, and transistor Q7 is turned off.

のコレクタおよびトランジスタQ8のベース電圧を与え
るコンデンサCtの端子点T2の電圧は、Ct、Rtの
時定数にしたがう充電特性によって、時間と共に順次上
昇する。そして、端子T2の電圧がトランジスタQ9の
ベースに加えられている比較電圧(vREF)より高く
なると、トランジスタQ8.Q9の動作状態が反転し、
電流源トランジスタQ1oの電流はダイオードD5およ
びトランジスタQ8を通じて与えられるようになる。ダ
イオードD5に電流が通じると、トランジスタQ、1が
導通し、これによって、トランジスタQ1がオンになる
。この結果、a点の電圧が低下し、トランジスタQ3が
オフとなって、b点の電位が高くなり、トランジスタQ
7が導通して、コンデンサatの電荷が急速に放電され
、これにもとづいて、差動対トランジスタQ8.Q9の
動作が元に戻シ、インバータのトランジスタQ1がオフ
、トランジスタQ2がオン、トランジスタQ3がオフの
状態、すなわち、前述の安定状態に戻る。
The voltage at the terminal point T2 of the capacitor Ct, which provides the collector voltage of the transistor Q8 and the base voltage of the transistor Q8, increases sequentially with time due to the charging characteristic according to the time constants of Ct and Rt. When the voltage at terminal T2 becomes higher than the comparison voltage (vREF) applied to the base of transistor Q9, transistor Q8. The operating state of Q9 is reversed,
The current of current source transistor Q1o is now provided through diode D5 and transistor Q8. When current flows through diode D5, transistor Q,1 becomes conductive, thereby turning on transistor Q1. As a result, the voltage at point a decreases, transistor Q3 turns off, and the potential at point b increases, causing transistor Q3 to turn off.
7 becomes conductive, the charge on the capacitor at is rapidly discharged, and based on this, the differential pair transistors Q8 . The operation of Q9 is restored to its original state, and the state in which transistor Q1 of the inverter is off, transistor Q2 is on, and transistor Q3 is off, ie, returns to the above-mentioned stable state.

ところで、第1図の回路で、トランジスタQ4に対して
、抵抗R3および端子T3を通じて、第2図(イ)に示
すトリガパルスを加えたときの動作をみると、たとえば
、トリガパルスt1の期間にトランジスタQ4がオンに
なり、トランジスタQ2 がオフになる。また、この動
作と同時に、トランジスタQ7がオフとなり、端子T2
の電位はコンデンサCtの充電特性により上昇を始める
。この間の回路上各点のタイムチャートを第2図に示し
、同図(イ)に示した前記端子T3へのトリガパルスt
1に対し、a点(端子T1の電圧)、b点および端子T
2の各点の電圧は、(ロ)、(/→およびに)のように
応動する。そして、端子T2の電圧が所定の電圧。
By the way, looking at the operation of the circuit shown in FIG. 1 when the trigger pulse shown in FIG. 2 (a) is applied to the transistor Q4 through the resistor R3 and the terminal T3, for example, during the period of the trigger pulse t1, Transistor Q4 is turned on and transistor Q2 is turned off. Also, at the same time as this operation, transistor Q7 is turned off, and terminal T2
The potential starts to rise due to the charging characteristics of the capacitor Ct. A time chart of each point on the circuit during this period is shown in FIG. 2, and the trigger pulse t to the terminal T3 shown in FIG.
1, point a (voltage at terminal T1), point b, and terminal T
The voltage at each point of 2 responds as (b), (/→ and ni). Then, the voltage at terminal T2 is a predetermined voltage.

すなわち、トランジスタQ9に与えられている比較電圧
(VREF)より高くなると、トランジスタQ8同Q9
よりなる電圧比較器は反転して、トランジスタQ8がオ
ンになり、ダイオードD6 に電流が起シ、これによシ
、トランジスタQ、1  からトランジスタQ1のベー
ス電流が供給され、同トランジスタQ1がオンになって
、a点、すなわち端子T1の電圧が急激に低下し、トラ
ンジスタQ3をオフにする。第2図の波形で、t3で示
される期IJIは、コンデンサCtの電圧が比較電圧(
vREF)まで上昇する期間であり、充電回路(Ct、
Rt)に依存するものである。トランジスタQ3がオフ
になり、トランジスタQ4もオフであると、電流源トラ
ンジスタQ からの電流が抵抗R2を通じてトランジス
タQ7のベースに供給され、同トランジスタQ7がオン
になり、コンデンサCtの電荷は急激に放電され、かく
して、回路状態は再び初期のような安定状態になる。
In other words, when the comparison voltage (VREF) applied to transistor Q9 becomes higher, transistors Q8 and Q9
The voltage comparator is inverted, transistor Q8 is turned on, and a current is generated in diode D6. This causes the base current of transistor Q1 to be supplied from transistor Q,1, and transistor Q1 is turned on. As a result, the voltage at point a, that is, the voltage at terminal T1, drops rapidly, turning off transistor Q3. In the waveform of FIG. 2, during the period IJI indicated by t3, the voltage of the capacitor Ct is the comparison voltage (
vREF), and the charging circuit (Ct,
Rt). When transistor Q3 is turned off and transistor Q4 is also turned off, current from current source transistor Q is supplied to the base of transistor Q7 through resistor R2, turning on transistor Q7 and rapidly discharging the charge on capacitor Ct. Thus, the circuit state becomes the initial stable state again.

つぎに、端子T3へのトリガ入力が期間t3よシ長い期
間t2なるパルスである場合についてみると、トランジ
スタQ4はt2期間中オンであるが、端子T2の電圧が
高くなって、比較器JE(VREF)を越えると、差動
対のトランジスタQ8.Q9が反転動作をなして、ダイ
オードD6側に電流が通じ、トランジスタQ、1を通し
て、t4二12−13の期間中、トランジスタQ1にベ
ース電流を与えることになるから、この場合も、端子T
1の出力波形は、第2図(ロ)のように、期間t3に固
定されたものとなる。なお、回路図中の端子T4.T5
は、それぞれ電源vccO高電圧側および低電圧側ない
しは接地用であり、集積回路化に際し、T。
Next, considering the case where the trigger input to the terminal T3 is a pulse having a period t2 which is longer than the period t3, the transistor Q4 is on during the period t2, but the voltage at the terminal T2 becomes high and the comparator JE( VREF), the differential pair of transistors Q8 . Since Q9 performs an inverting operation and current flows to the diode D6 side, it provides base current to the transistor Q1 through the transistor Q1 during the period t4-12-13, so in this case as well, the terminal T
The output waveform of No. 1 is fixed to the period t3, as shown in FIG. 2 (b). Note that terminal T4. in the circuit diagram. T5
are for the high voltage side and low voltage side or grounding of the power supply vccO, respectively, and when integrated into an integrated circuit, T.

〜T6は外部端子となる。~T6 becomes an external terminal.

第1図示の単安定マルチバイブレータは、以上に詳しく
みたような基本動作をなすが、双安定マルチバイブレー
タのインバータトランジスタをなしているQl、Q2.
Q3.Q4のベースにしjl、多量のベース電流が流入
し、これらの谷トランジスタは飽和スイッチング動作を
するため、トランジスタがオンからオフへ変化する際に
、各トランジスタのベース領域におけるキャリアの蓄積
効果が顕著になる。したがって、ベース領域におけるキ
ャリアの蓄積効果を含む実際のタイミング図は第3図(
イ)〜に)のようになり、第2図(イ)〜に)に比較し
て、ts1ts2なる“遅れ”を生じる。第3図(ロ)
のtsl、同(ハ)のt82は、それぞれトランジスタ
Q2.Q3がオンからオフへの変化時に生じるキャリア
蓄積時間である。回路動作が、13>>tSl、tS2
なる低速動作の場合には、かかるキャリア蓄積時間を無
視することができるが、t3がtSl、 ”S2に近い
値になるような高速動作の場合には、このtSl 、 
 ’S2が、ベース電流、トランジスタのベース幅等に
依存するため、回路の電源変動、温度特性、ばらつきな
どに関して不利な要因となり、これが回路性能上の大き
な問題点になる。
The monostable multivibrator shown in FIG. 1 performs the basic operation as explained above in detail.
Q3. A large amount of base current flows into the base of Q4, and these valley transistors perform saturation switching operation, so when the transistor changes from on to off, the effect of carrier accumulation in the base region of each transistor becomes significant. Become. Therefore, the actual timing diagram including the carrier accumulation effect in the base region is shown in Figure 3 (
(a) to), and a "delay" of ts1ts2 occurs compared to (a) to) in Fig. 2. Figure 3 (b)
tsl and t82 in (c) are respectively transistors Q2. Q3 is the carrier accumulation time that occurs when changing from on to off. The circuit operation is 13>>tSl, tS2
In the case of low-speed operation where
Since 'S2 depends on the base current, the base width of the transistor, etc., it becomes a disadvantageous factor regarding power supply fluctuations, temperature characteristics, variations, etc. of the circuit, and this becomes a major problem in circuit performance.

発明の目的 本発明は、上述の従来構成の問題点を解消するものであ
り、高速動作の可能な単安定マルチバイブレータを提供
するものである。
OBJECTS OF THE INVENTION The present invention solves the problems of the conventional structure described above, and provides a monostable multivibrator capable of high-speed operation.

発明の構成 本発明は、要約するに、トリガパルスを入力とする双安
定マルチバイブレータのインバータトランジスタのベー
ス・エミッタ間にダイオードを並列的に接続し、前記双
安定マルチバイブレータの出力で充放電回路をスイッチ
させるとともに、前記充放電回路が電圧まだは電流比較
器に結合され、前記電圧または電流比較器の反転信号に
より前記双安定マルチバイブレータをリセットする構成
をそなえた単安定マルチバイブレータである。本発明の
構成では、双安定マルチパイプレークのインバータトラ
ンジスタがいずれも非飽和で応動するため、ベース領域
におけるキャリア蓄積効果がなく、単安定マルチバイブ
レータの動作が高速、安定である。
Structure of the Invention To summarize, the present invention connects a diode in parallel between the base and emitter of an inverter transistor of a bistable multivibrator that receives a trigger pulse as input, and a charging/discharging circuit is formed using the output of the bistable multivibrator. The monostable multivibrator is configured such that the charging/discharging circuit is coupled to a voltage or current comparator, and an inverted signal of the voltage or current comparator resets the bistable multivibrator. In the configuration of the present invention, all the inverter transistors of the bistable multipipe rake respond in a non-saturated manner, so there is no carrier accumulation effect in the base region, and the monostable multivibrator operates at high speed and stability.

実施例の説明 第4図に本発明の実施例を示す。本実施例では、双安定
マルチバイブレータのインバータトランジスタを構成す
るQl Q2 Q3 Q4の各トランジスタのベース・
エミッタ間に、ダイオードD6゜D7 D8 D9をそ
れぞれ挿入し、それらを各々のトランジスタに対して、
カレントミラー結合にしている。この第4図示回路で、
トリガ入力端子T3に、波高値vTなるトリガパルスが
到来した場合の各点の電圧波形は、レベルに若干の相違
はあるが、第2図で示した従来例のものと同様である。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS FIG. 4 shows an embodiment of the present invention. In this embodiment, the base and
Insert diodes D6, D7, D8, and D9 between the emitters, and connect them to each transistor,
Current mirror join is used. In this fourth illustrated circuit,
When a trigger pulse having a peak value vT arrives at the trigger input terminal T3, the voltage waveform at each point is similar to that of the conventional example shown in FIG. 2, although there are slight differences in level.

すなわち、波高値vTのトリガパルス入力によって、ダ
イオードD9に生じる電流■Tは、IT−(vT−vB
E)/R3である。NPNトランジスタのエミッタ接地
電流増幅率が十分に犬であれば、トランジスタQ4のコ
レクタ電流工。4はダイオードD9の電流工Tに等しく
なり、まだ、 トランジスタQ6のコレクタ電流Ic6
も、1c6−’C4であることにより、b点の電位はほ
ぼ接地電位になり、したがって、トランジスタQ12 
を介してのトランジスタQ7へのベース電流供給はでき
ず、同トランジスタQ7はオフとなる。一方、b点の電
位が低いことにより、ダイオードD4゜抵抗Rおよびダ
イオードD7よりなる経路への電流はなく、ダイオード
D7とカレントミラー結合されるトランジスタQ のコ
レクタ電流IC2も、IC2=0であり、d点の電位、
すなわち、出力端子T2の電圧は高いレベルに保たれる
。なお、端子T3への入力パルスが到来するまでは、第
1図の従来例回路動作と同様に、ダイオードD4.抵抗
6およびダイオードD7への経路に電流が通じており、
トランジスタQ2のコレクタ電流IC2も流れている。
In other words, the current ■T generated in the diode D9 by the trigger pulse input with the peak value vT is IT-(vT-vB
E)/R3. If the common emitter current amplification factor of the NPN transistor is sufficiently high, then the collector current of transistor Q4 will increase. 4 is equal to the current T of diode D9, and still the collector current Ic6 of transistor Q6
Also, since 1c6-'C4, the potential at point b becomes almost the ground potential, and therefore the transistor Q12
The base current cannot be supplied to the transistor Q7 via the transistor Q7, and the transistor Q7 is turned off. On the other hand, since the potential at point b is low, no current flows to the path consisting of diode D4, resistor R, and diode D7, and the collector current IC2 of transistor Q, which is current-mirror coupled with diode D7, is also IC2=0. Potential at point d,
That is, the voltage at the output terminal T2 is maintained at a high level. Note that until the input pulse to the terminal T3 arrives, the diodes D4 . A current flows through the path to the resistor 6 and the diode D7,
A collector current IC2 of the transistor Q2 is also flowing.

前述のように、入力端子T3にトリガパルスが到来した
時点で、トランジスタQ2のコレクタ電流’C2は急激
に零になるが、トランジスタQ2のコレクタに電流工。
As mentioned above, when the trigger pulse arrives at the input terminal T3, the collector current 'C2 of the transistor Q2 suddenly becomes zero, but there is no current flow in the collector of the transistor Q2.

2が流れている状態でも、ダイオードD とトランジス
タQ2とがカレントミラー構成であるから、同トランジ
スタQ2のベースへは岨とんど電流が流れておらず、し
たがって、a点の電位は、■。2−0の瞬間に2VD(
ダイオードD3と同l)8の順方向電圧)まで増加し、
第3図(ロ)に示されたような遅れ期間ts1を生じる
ことはない。また、ダイオードL)3および同D8に電
流源トランジスタQ5のコレクタ電流’Ctsが流れる
と、ダイオードD8およびトランジスタQ3のカレント
ミラー結合を通じて、同トランジスタQ3のコレクタ電
流Ic3も、IC3=Ic5 となり、これによっても
、b点の電位はほぼ接地電位に保たれる。コンデンサC
1,抵抗Rtよりなる充電回路は、時定数Ct、Rtに
依存して、コンデンサCtの端子電圧、すなわち、端子
T2の電圧が上昇し始め、これが、差動対トランジスタ
Q8.Q9よりなる電圧比較器の比較電圧(vREF)
に達すると、電流源トランジスタQ1゜のコレクタ電流
がダイオードD5を流れるように反転動作し、これによ
って、トランジスタQ11が導通し、このコレクタ電流
がダイオ−ドD6 を流れ、同ダイオードD6とトラン
ジスタQ1とのカレントミラー結合により、トランジス
タQ1 にコレクタ電流Ic1を生じる。このとき、I
c1−Ic5とすることにより、a点の電圧がほぼ接地
点の電位になり、ダイオードD3.同D8 の電流が零
になって、トランジスタQ3の電流が急激に零になって
、b点の電圧を上昇させる。したがって、このときも、
第3図(ワ)に示されたようなキャリア蓄積時間tS2
の遅れは起らない。
Even when 2 is flowing, since diode D and transistor Q2 have a current mirror configuration, no current flows to the base of transistor Q2, so the potential at point a is . 2VD at the moment of 2-0 (
The forward voltage of diode D3 increases to 8),
A delay period ts1 as shown in FIG. 3(b) does not occur. Furthermore, when the collector current 'Cts of the current source transistor Q5 flows through the diode L3 and D8, the collector current Ic3 of the transistor Q3 also becomes IC3=Ic5 through the current mirror combination of the diode D8 and the transistor Q3, and thus, Also, the potential at point b is maintained at approximately the ground potential. Capacitor C
1. In the charging circuit consisting of the resistor Rt, the terminal voltage of the capacitor Ct, that is, the voltage of the terminal T2, starts to rise depending on the time constants Ct and Rt, and this causes the differential pair transistor Q8. Comparison voltage (vREF) of voltage comparator consisting of Q9
When the current source transistor Q1 is reached, the collector current of the current source transistor Q1 is inverted so as to flow through the diode D5, and as a result, the transistor Q11 becomes conductive, and this collector current flows through the diode D6, and the collector current flows between the diode D6 and the transistor Q1. A collector current Ic1 is generated in the transistor Q1 by current mirror coupling. At this time, I
By setting c1-Ic5, the voltage at point a becomes almost the potential of the ground point, and the diode D3. The current of transistor Q3 becomes zero, and the current of transistor Q3 suddenly becomes zero, causing the voltage at point b to rise. Therefore, also at this time,
Carrier accumulation time tS2 as shown in FIG. 3 (W)
There will be no delay.

以上に本発明実施例回路の動作を、従来例と対比して述
べたが、この実施例の動作条件を整理すると、次のよう
になる。
The operation of the circuit according to the embodiment of the present invention has been described above in comparison with the conventional example, and the operating conditions of this embodiment can be summarized as follows.

工C1:IC2:IC5 ■C3=IC4=工C6 第4図の実施例において、NPNトランジスタのエミッ
タ接地電流増幅率h   およびPNPF E (N) トランジスタのエミッタ接地電流増幅率hFE(P)全
無限大、NPNトランジスタのベース接地電流増幅率a
(N)を1とすれば、上記動作条件は実現可能であるが
、現実には、hFE(N)、FE(P)とも有限値であ
り、壕だ、αCN)〈1である。したかって、これらの
現実から、抵抗R1を流れる電流をI。とすると、IC
1〜Ic6を、lo、IT。
C1: IC2: IC5 ■C3=IC4=C6 In the example shown in Fig. 4, the common emitter current amplification factor h of the NPN transistor and PNPF E (N) The common emitter current amplification factor hFE (P) of the transistor is completely infinite. , the common base current amplification factor a of the NPN transistor
If (N) is set to 1, the above operating conditions are achievable, but in reality, both hFE(N) and FE(P) are finite values, and αCN)<1. Therefore, from these realities, the current flowing through resistor R1 is I. Then, I.C.
1 to Ic6, lo, IT.

hFE(N) 、 ’FE (P)、 hFE(P) 
、  a(N) ”それぞれ表わすと、 となり、理想の動作条件を満たさないこともあるが、こ
れらは、ダイオードD6〜D9のカソード及ヒトランジ
スタ01〜Q4のエミッタに抵抗を付加して、■61〜
IC4の電流を調整することによって、十分に実用範囲
に設定可能である。
hFE(N), 'FE(P), hFE(P)
, a(N)", respectively. Although it may not satisfy the ideal operating conditions, these can be solved by adding resistors to the cathodes of diodes D6 to D9 and the emitters of transistors 01 to Q4, ~
By adjusting the current of IC4, it can be set within a sufficiently practical range.

また、実施例では、充放電回路の変化をコンデンサ端子
電圧から検知するため、電圧比較器を用いたが、充放電
回路の電流変化を検出して比較する電流比較器を使用し
て回路を構成することも可能である。
In addition, in the example, a voltage comparator was used to detect changes in the charge/discharge circuit from the capacitor terminal voltage, but the circuit is configured using a current comparator that detects and compares current changes in the charge/discharge circuit. It is also possible to do so.

発明の効果 以上に詳しくのべたように、本発明の単安定マルチバイ
ブレータによれば、双安定マルチバイブレータのインバ
ータトランジスタがそれぞれ非飽和形スイッチング特性
によって動作するだめ、各トランジスタにキャリア蓄積
効果の影響が全くなく、したがって、高速動作に対して
も十分な応答性があり、信頼性が高い。また、回路構成
上で付加されるダイオードも、通常のバイポーラトラン
ジスタの製造工程で形成し得るから、集積回路化にも障
害は見当らず、製造適性も十分にあり、実用的である。
Effects of the Invention As described in detail above, according to the monostable multivibrator of the present invention, the inverter transistors of the bistable multivibrator each operate with non-saturated switching characteristics, so that each transistor is not affected by the carrier accumulation effect. Therefore, it has sufficient responsiveness even for high-speed operation and is highly reliable. Furthermore, since the diode added to the circuit structure can be formed in the normal manufacturing process of bipolar transistors, there is no problem in integrating the circuit, and the manufacturing suitability is sufficient and it is practical.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来例の単安定マルチバイブレータの回路図、
第2図(イ)〜(へ)、第3図(イ)〜に)は同単安定
マルチバイブレータの動作を説明するだめのタイミング
チャート図、第4図は本発すJの実施例の単安定マルチ
バイブレータの回路図である。 Dl 〜D9 ・・・・・・ダイオード、Ql 〜Q1
2・・・・・・トランジスタ、R1〜R・・・・・・抵
抗、T1 〜5  ・ T5・・・・・・端子、C1・・・・・・コンデンサ、
Rt・・・・・・抵抗、Voc・・・・・・電源、CI
ND・・・・・・接地(点)。
Figure 1 is a circuit diagram of a conventional monostable multivibrator.
Figures 2 (A) to (F) and Figure 3 (A) to (F) are timing charts for explaining the operation of the same monostable multivibrator, and Figure 4 is a monostable embodiment of the monostable multivibrator. It is a circuit diagram of a multivibrator. Dl ~ D9 ... Diode, Ql ~ Q1
2...Transistor, R1-R...Resistor, T1-5/T5...Terminal, C1...Capacitor,
Rt...Resistance, Voc...Power supply, CI
ND...Ground (point).

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)トリガパルスを入力とする双安定マルチバイブレ
ータのインバータトランジスタのベース・エミッタ間に
ダイオードを並列的に接続し、前記双安定マルチバイブ
レータの出力で充放電回路をスイッチさせるとともに、
前記充放電回路が電圧または電流比較器に結合され、前
記電圧または電流比較器の反転信号により前記双安定マ
ルチバイブレータをリセットする構成をそなえた単安定
マルチパイブレ・−タ。
(1) Connecting a diode in parallel between the base and emitter of an inverter transistor of a bistable multivibrator that receives a trigger pulse as input, and switching a charging/discharging circuit using the output of the bistable multivibrator,
A monostable multivibrator, wherein the charging/discharging circuit is coupled to a voltage or current comparator, and an inverted signal of the voltage or current comparator resets the bistable multivibrator.
(2)双安定マルチバイブレータのインバータトランジ
スタとダイオードとがカレントミラー結合をなした特許
請求の範囲第1項に記載の単安定マルチバイブレータ。
(2) The monostable multivibrator according to claim 1, wherein the inverter transistor and the diode of the bistable multivibrator form a current mirror coupling.
(3)双安定マルチバイブレータのそれぞれのインバー
タトランジスタのコレクタが定電流源に接続されてなる
特許請求の範囲第1項に記載の単安定マルチバイブレー
タ。
(3) The monostable multivibrator according to claim 1, wherein the collector of each inverter transistor of the bistable multivibrator is connected to a constant current source.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015503260A (en) * 2011-11-01 2015-01-29 インスティテュト ポトシノ デ インべスティガシオン シエンティフィカ イ テクノロジカ、エーシー.Instituto Potosino De Investigacion Cientifica Y Tecnologica,Ac. Reconfigurable multivibrator element based on chaotic control

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JP2015503260A (en) * 2011-11-01 2015-01-29 インスティテュト ポトシノ デ インべスティガシオン シエンティフィカ イ テクノロジカ、エーシー.Instituto Potosino De Investigacion Cientifica Y Tecnologica,Ac. Reconfigurable multivibrator element based on chaotic control

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