JPS5936996B2 - 対称及び非対称トリオルガノ錫ハライドの製造法 - Google Patents
対称及び非対称トリオルガノ錫ハライドの製造法Info
- Publication number
- JPS5936996B2 JPS5936996B2 JP2655379A JP2655379A JPS5936996B2 JP S5936996 B2 JPS5936996 B2 JP S5936996B2 JP 2655379 A JP2655379 A JP 2655379A JP 2655379 A JP2655379 A JP 2655379A JP S5936996 B2 JPS5936996 B2 JP S5936996B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- formula
- ether
- carbon atoms
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は対称及び非対称トリオルガノ錫ハライドの製造
方法に関する。
方法に関する。
対称型トリオルガノ錫ハライドは防黴剤、殺菌剤、殺ダ
ニ剤及びその中間体として広く使用されている。
ニ剤及びその中間体として広く使用されている。
一方非対称型トリオルガノ錫化合物は錫に結合した有機
基が異なつているため、特定の基質に対する活性度を増
大せしめ、活性スペクトルを広げうることが知られてお
り、その利用が期待されている。これらのトリオルガノ
錫ハライドの製造法は種種提案されている。
基が異なつているため、特定の基質に対する活性度を増
大せしめ、活性スペクトルを広げうることが知られてお
り、その利用が期待されている。これらのトリオルガノ
錫ハライドの製造法は種種提案されている。
まずハロゲン化第二錫、モノ又はジオルガノ錫ハライド
にグリニヤール試薬を作用させて、直接トリオルガノ錫
ハライドを得る方法がある。しかしこの方法は多くの場
合、主生成物がテトラオルガノ錫であり、目的物の収率
は非常に低い。まれに立体障害を有する特定の有機基を
もつものに対してはある程度の収率を挙げうるが、他の
有機基に応用できない。次にテトラオルガノ錫化合物を
ハロゲンヤハカゲン化水素（ＨＢｒやＨＣｌ）で開裂さ
せる方法があるが、非選択性の反応のため収率（ま低い
。
にグリニヤール試薬を作用させて、直接トリオルガノ錫
ハライドを得る方法がある。しかしこの方法は多くの場
合、主生成物がテトラオルガノ錫であり、目的物の収率
は非常に低い。まれに立体障害を有する特定の有機基を
もつものに対してはある程度の収率を挙げうるが、他の
有機基に応用できない。次にテトラオルガノ錫化合物を
ハロゲンヤハカゲン化水素（ＨＢｒやＨＣｌ）で開裂さ
せる方法があるが、非選択性の反応のため収率（ま低い
。
また従来からテトラオルガノ錫にハロゲン化第二錫を低
温（０〜５０℃）で作用させ、対称及び非対称のトリオ
ルガノ錫ハライドを得る方法がある。しかしながらこの
方法は低温でしかも恒温保持の下で行なわれねばならず
、温度制御が困難であるばかりでなく、目的物の収率の
低下及び精製困難など工業的に不利である。例えばジー
ｎ−ブチル・シンクロヘキシル錫に四塩化錫を作用させ
る場合、４３℃の温度を維持する必要があり、温度を５
０℃以上例えば８０℃で行なうとシンクロヘキシル錫シ
クロラード及びジブチル錫シクロラードが数１０％混入
するため、目的物であるｎ−ブチル・シンクロヘキシル
錫クロライドの収率が低下し、その精製分離が極めて困
難となる。したがつてこの方法では工業的に有利な温度
例えば３０〜１８０℃で反応させることは容易でない。
本発明者等は上記欠点をなくすべく鋭意研究した結果、
工業的に著しく有利な方法を見出し、本発明に到つた。
すなわち、本発明は、一般式 〜１Ｕ里ノ 〔式中Ｒは炭素数１２〜２０個のアルキル基、−
＊シクロアルキル基、ア
ラルキル基又は基−ＣＨ−Ｒ＊（式中Ｒは炭素数５〜１
２個のアルキル基を、Ｒ＊＊はメチル基又はエチル基を
示し、Ｒ＊とＲＯの炭素数の合計が６〜１３個である）
を、Ｒｔま炭素数１〜８個の直鎖アルキル基を、ｍは１
〜３の整数を示す〕で表わされるテトラオルガノ錫化合
物を一般式７Ｖ （式中Ｘは塩素原子又は臭素原子を、α〔針″；，５は
脂肪族エーテル、芳香族エーテルもしくはこれらの混合
エーテル又はビとＲ″７が互に結合した環式エーテルを
示す）で表わされるハロゲン化第二錫のエーテル付加物
と３０〜１５０℃の温度で反応させることを特徴とする
一般式（式中Ｒ，Ｒ′，Ｘ及びｍは上記と同じ意義を有
する）で表わされる対称及び非対称トリオルガノ錫ハラ
イドの製造法である。
温（０〜５０℃）で作用させ、対称及び非対称のトリオ
ルガノ錫ハライドを得る方法がある。しかしながらこの
方法は低温でしかも恒温保持の下で行なわれねばならず
、温度制御が困難であるばかりでなく、目的物の収率の
低下及び精製困難など工業的に不利である。例えばジー
ｎ−ブチル・シンクロヘキシル錫に四塩化錫を作用させ
る場合、４３℃の温度を維持する必要があり、温度を５
０℃以上例えば８０℃で行なうとシンクロヘキシル錫シ
クロラード及びジブチル錫シクロラードが数１０％混入
するため、目的物であるｎ−ブチル・シンクロヘキシル
錫クロライドの収率が低下し、その精製分離が極めて困
難となる。したがつてこの方法では工業的に有利な温度
例えば３０〜１８０℃で反応させることは容易でない。
本発明者等は上記欠点をなくすべく鋭意研究した結果、
工業的に著しく有利な方法を見出し、本発明に到つた。
すなわち、本発明は、一般式 〜１Ｕ里ノ 〔式中Ｒは炭素数１２〜２０個のアルキル基、−
＊シクロアルキル基、ア
ラルキル基又は基−ＣＨ−Ｒ＊（式中Ｒは炭素数５〜１
２個のアルキル基を、Ｒ＊＊はメチル基又はエチル基を
示し、Ｒ＊とＲＯの炭素数の合計が６〜１３個である）
を、Ｒｔま炭素数１〜８個の直鎖アルキル基を、ｍは１
〜３の整数を示す〕で表わされるテトラオルガノ錫化合
物を一般式７Ｖ （式中Ｘは塩素原子又は臭素原子を、α〔針″；，５は
脂肪族エーテル、芳香族エーテルもしくはこれらの混合
エーテル又はビとＲ″７が互に結合した環式エーテルを
示す）で表わされるハロゲン化第二錫のエーテル付加物
と３０〜１５０℃の温度で反応させることを特徴とする
一般式（式中Ｒ，Ｒ′，Ｘ及びｍは上記と同じ意義を有
する）で表わされる対称及び非対称トリオルガノ錫ハラ
イドの製造法である。
上記一般式〔１〕及び〔〕においてＲ基としては、例え
ば（ａ）炭素数１２〜２０個のアルキル基：ドデシル基
、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、
エイコシル基などで、好ましくはドデシル基及びテトラ
デシル基、（ｂ）シクロアルキル基：シクロペンチル基
、メチルシクロペンチル基、エチルシクロペンチル基、
シクロペンチルメチル基、シクロヘキシル基、メチルシ
クロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基、ｔ−ブチル
シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などで、好ましく
はシクロペンチル基及びシクロヘキシル基、（ｃ）アラ
ルキル基：β−フエニルエチル基、α−フエニルプロピ
ル基、２−メチル−２−フエニルエチル基、２，２−ジ
メチル−２−フエニルエチル基（ネオプール基）、２−
メチル−３−フエニルプロピル基及びこれらのフエニル
基が低級アルキル基で置換された基などで、好ましくは
２−メチル−２−フエニルエチル基及びネオプール基、
（ｄ）基−ＣＨ−Ｒ＊：１−メチルヘキシル基、１−メ
チルヘプチル基、１−エチルヘプチル基、１−メチルオ
クチル基、１−エチルオクチル基、１−メチルウンデシ
ル基、１−メチルトリデシル基などで、好ましくは１−
メチルヘキシル基及び１−メチルヘプチル基、をそれぞ
れ挙げることができ、またＲ／基としては、炭素数１〜
８個の直鎖アルキル基、例えば、メチル基、エチル基、
ｎ」プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−
ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基などを挙
げることができる。
ば（ａ）炭素数１２〜２０個のアルキル基：ドデシル基
、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、
エイコシル基などで、好ましくはドデシル基及びテトラ
デシル基、（ｂ）シクロアルキル基：シクロペンチル基
、メチルシクロペンチル基、エチルシクロペンチル基、
シクロペンチルメチル基、シクロヘキシル基、メチルシ
クロヘキシル基、エチルシクロヘキシル基、ｔ−ブチル
シクロヘキシル基、シクロヘプチル基などで、好ましく
はシクロペンチル基及びシクロヘキシル基、（ｃ）アラ
ルキル基：β−フエニルエチル基、α−フエニルプロピ
ル基、２−メチル−２−フエニルエチル基、２，２−ジ
メチル−２−フエニルエチル基（ネオプール基）、２−
メチル−３−フエニルプロピル基及びこれらのフエニル
基が低級アルキル基で置換された基などで、好ましくは
２−メチル−２−フエニルエチル基及びネオプール基、
（ｄ）基−ＣＨ−Ｒ＊：１−メチルヘキシル基、１−メ
チルヘプチル基、１−エチルヘプチル基、１−メチルオ
クチル基、１−エチルオクチル基、１−メチルウンデシ
ル基、１−メチルトリデシル基などで、好ましくは１−
メチルヘキシル基及び１−メチルヘプチル基、をそれぞ
れ挙げることができ、またＲ／基としては、炭素数１〜
８個の直鎖アルキル基、例えば、メチル基、エチル基、
ｎ」プロピル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−
ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基などを挙
げることができる。
上記一般式〔１〕で表わされるテトラオルガノ錫は、通
常モノ一、ジ一又はトリオルガノ錫ハライドと少くとも
当量のオルガノマグネシウムハライドとから、次式に従
つて製造することができる。（式中Ｒ，Ｒ′，ｍ及びＸ
は上記の意義を有する）。上記一般式〔〕においてＳｎ
ｘ４としては塩化第一 − Ｒ
〃二錫及び臭化第二錫を、またＯ＜ ，，，としては、
一 一 ゝ Ｒ例えばジエチルエー
テル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、
ジブチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ブチルフエニ
ルエーテル、アニソール、テトラヒドロフラン、テトラ
ヒドロピラン、ジオキサンなどをそれぞれ挙げられる。
常モノ一、ジ一又はトリオルガノ錫ハライドと少くとも
当量のオルガノマグネシウムハライドとから、次式に従
つて製造することができる。（式中Ｒ，Ｒ′，ｍ及びＸ
は上記の意義を有する）。上記一般式〔〕においてＳｎ
ｘ４としては塩化第一 − Ｒ
〃二錫及び臭化第二錫を、またＯ＜ ，，，としては、
一 一 ゝ Ｒ例えばジエチルエー
テル、ジプロピルエーテル、ジイソプロピルエーテル、
ジブチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ブチルフエニ
ルエーテル、アニソール、テトラヒドロフラン、テトラ
ヒドロピラン、ジオキサンなどをそれぞれ挙げられる。
ハロゲン化第二錫のエーテル付加物は公知であり、少く
とも２当量のエーテル化合物を炭化水素溶媒に溶解した
ハロゲン化第二錫溶液中に滴下することによつて容易に
つくられる。本発明方法においては塩化第二錫のテトラ
ヒドロフラン付加物が好ましく使用される。
とも２当量のエーテル化合物を炭化水素溶媒に溶解した
ハロゲン化第二錫溶液中に滴下することによつて容易に
つくられる。本発明方法においては塩化第二錫のテトラ
ヒドロフラン付加物が好ましく使用される。
本発明の方法は一般に次のようにして実施される。
ゲン化第二錫を仕込み、これにあまり激しく発熱しない
程度のスピードでエーテル化合物を滴下し、付加物を生
成させる。
程度のスピードでエーテル化合物を滴下し、付加物を生
成させる。
次にこの付加物にテトラオルガノ錫を加えて加熱し、反
応を完了させる。反応後過剰のハロゲン化第二錫の付加
物が沈澱物として存在すれば淵別する。反応生成物はト
リオルガノ錫ハライドとモノオルガノ錫トリハライドで
、約１：１のモル比で存在する。反応生成物を濃縮して
エーテル及び溶媒を留去した後、モノオルガノ錫トリハ
ライドを減圧又は常圧下に留去するか又はその親水性を
利用し、水又は希塩酸で抽出分離した後、トリオルガノ
錫ハライドを得る。ハロゲン化第二錫のエーテル付加物
が結晶性沈澱の場合は他に適当な炭化水素溶媒、例えば
、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、ｎ
−ヘキサン、ｎ−ヘプタンなどを用いて行なうことがで
きる。テトラオルガノ錫に対するハロゲン化第二錫のエ
ーテル付加物の仕込み割合は通常当量であるがそれ以上
の過剰を用いても何ら支障はない。
応を完了させる。反応後過剰のハロゲン化第二錫の付加
物が沈澱物として存在すれば淵別する。反応生成物はト
リオルガノ錫ハライドとモノオルガノ錫トリハライドで
、約１：１のモル比で存在する。反応生成物を濃縮して
エーテル及び溶媒を留去した後、モノオルガノ錫トリハ
ライドを減圧又は常圧下に留去するか又はその親水性を
利用し、水又は希塩酸で抽出分離した後、トリオルガノ
錫ハライドを得る。ハロゲン化第二錫のエーテル付加物
が結晶性沈澱の場合は他に適当な炭化水素溶媒、例えば
、ベンゼン、トルエン、キシレン、シクロヘキサン、ｎ
−ヘキサン、ｎ−ヘプタンなどを用いて行なうことがで
きる。テトラオルガノ錫に対するハロゲン化第二錫のエ
ーテル付加物の仕込み割合は通常当量であるがそれ以上
の過剰を用いても何ら支障はない。
反応温度はとくに制限されないが、工業的な有利な温度
例えば３０〜１５０℃の範囲内で行なうことができる。
反応を円滑に行なうため溶媒の還流温度で行なつてもよ
い。反応は通常０．５〜２時間で完了する。本発明方法
で得られるトリオルガノ錫ハライドは上記一般式〔１〕
で表わされる出発物質を選択することにより、Ｒ３Ｓｎ
Ｘ，Ｒ２Ｒ′ＳｎＸ及びＲＲ′２ＳｎＸのいずれか一つ
である。
例えば３０〜１５０℃の範囲内で行なうことができる。
反応を円滑に行なうため溶媒の還流温度で行なつてもよ
い。反応は通常０．５〜２時間で完了する。本発明方法
で得られるトリオルガノ錫ハライドは上記一般式〔１〕
で表わされる出発物質を選択することにより、Ｒ３Ｓｎ
Ｘ，Ｒ２Ｒ′ＳｎＸ及びＲＲ′２ＳｎＸのいずれか一つ
である。
本発明方法によればテトラオルガノ錫とハロゲン化第二
錫のエーテル付加物とを反応させることにより、反応温
度や両原料の仕込比に関係なく、常にモル比約１：１の
割合で目的物のトリオルガノ錫ハライドとモノオルガノ
錫トリハライドが得られる。
錫のエーテル付加物とを反応させることにより、反応温
度や両原料の仕込比に関係なく、常にモル比約１：１の
割合で目的物のトリオルガノ錫ハライドとモノオルガノ
錫トリハライドが得られる。
一方反応混合物より分離されたモノオルガノ錫トリハラ
イドはテトラオルガノ錫の合成原料として利用できる。
本発明方法を実施すれば高収率及び高純度で対称及び非
対称のトリオルガノ錫ハライドを得ることができ、工業
的に極めて有利である。
イドはテトラオルガノ錫の合成原料として利用できる。
本発明方法を実施すれば高収率及び高純度で対称及び非
対称のトリオルガノ錫ハライドを得ることができ、工業
的に極めて有利である。
以下に実施例を例示して本発明を説明するが、実施例中
％は重量％を示すものとする。
％は重量％を示すものとする。
実施例 １
攪拌器、温度計、還流冷却器及び滴下漏斗を備えた１１
四つロフラスコに四塩化錫１３０９（０．５モル）及び
ベンゼン２００ｍ１を仕込み、攪拌しながら滴下漏斗よ
りテトラヒドロフラン７２．１９（１．０モル）を室温
にて滴下した。
四つロフラスコに四塩化錫１３０９（０．５モル）及び
ベンゼン２００ｍ１を仕込み、攪拌しながら滴下漏斗よ
りテトラヒドロフラン７２．１９（１．０モル）を室温
にて滴下した。
四塩化錫とテトラヒドロフランは直ちに反応し発熱する
ので、冷却してコントロールした。滴下完了後加熱し、
還流下で３０分反応を行なつて、四塩化錫のテトラヒド
ロフラン付加物をスラリー状で得た。次いで還流温度下
（約８０℃）で、シンクロヘキシル・ジ一ｎ−ブチル錫
１８９９（０，５モル）を３０分かけて滴下し、その後
１時間反応を行なつた。反応混合物は淡褐色透明溶液で
あつた。この反応混合物をガスクロマトグラフイ一にて
組成分析を行なつた結果、生成物はシンクロヘキシル・
ｎ−ブチル錫クロライドとｎ−ブチル錫トリクロライド
のみで、他の有機錫クロライドは痕跡程度であつた。そ
の生成比はモル比で約１：１（重量比で５７：４３）で
あつた。反応混合物を分液漏斗に移し、１０（ｆ）塩酸
水３００ｍ１で２回洗浄し、ｎ−ブチル錫トリクロライ
ドを塩酸水層に移行させ分離した。
ので、冷却してコントロールした。滴下完了後加熱し、
還流下で３０分反応を行なつて、四塩化錫のテトラヒド
ロフラン付加物をスラリー状で得た。次いで還流温度下
（約８０℃）で、シンクロヘキシル・ジ一ｎ−ブチル錫
１８９９（０，５モル）を３０分かけて滴下し、その後
１時間反応を行なつた。反応混合物は淡褐色透明溶液で
あつた。この反応混合物をガスクロマトグラフイ一にて
組成分析を行なつた結果、生成物はシンクロヘキシル・
ｎ−ブチル錫クロライドとｎ−ブチル錫トリクロライド
のみで、他の有機錫クロライドは痕跡程度であつた。そ
の生成比はモル比で約１：１（重量比で５７：４３）で
あつた。反応混合物を分液漏斗に移し、１０（ｆ）塩酸
水３００ｍ１で２回洗浄し、ｎ−ブチル錫トリクロライ
ドを塩酸水層に移行させ分離した。
有機層からテトラヒドロフラン及びベンゼンを留去し、
得られた固体残渣をイソプロピルアルコールで再結晶す
ると、融点６１．５〜６２．５℃の白色針状結晶のシン
クロヘキシル・ｎ−ブチル錫クロライドが１７６９（収
率９３．０（：ｆｌ）、純度９８．５％）得られた。実
施例 ２〜１２実施例１において使用されたシンクロヘ
キシル・ジ一ｎ−ブチル錫の代りに下記第１表に記載の
テトラオルガノ錫を原料として同量（同モル）用い、同
じ反応条件及び操作で反応及び処理を行なつた。
得られた固体残渣をイソプロピルアルコールで再結晶す
ると、融点６１．５〜６２．５℃の白色針状結晶のシン
クロヘキシル・ｎ−ブチル錫クロライドが１７６９（収
率９３．０（：ｆｌ）、純度９８．５％）得られた。実
施例 ２〜１２実施例１において使用されたシンクロヘ
キシル・ジ一ｎ−ブチル錫の代りに下記第１表に記載の
テトラオルガノ錫を原料として同量（同モル）用い、同
じ反応条件及び操作で反応及び処理を行なつた。
結果を第１表に示した。実施例 １３〜１５
下記第２表に記載のように四塩化錫のテトラヒドロフラ
ン付加物の仕込割合（モル比）を変化させ、ベンゼン２
００ｍ１でスラリー状にし、これにシンクロヘキシル・
ジ一ｎ−オクチル錫１５３ｆ１（０．３モル）を滴下し
、実施例１と同じ反応条件及び操作で反応及び処理を行
ない、シンクロヘキシル・ｎ−オクチル錫クロライドを
得た。
ン付加物の仕込割合（モル比）を変化させ、ベンゼン２
００ｍ１でスラリー状にし、これにシンクロヘキシル・
ジ一ｎ−オクチル錫１５３ｆ１（０．３モル）を滴下し
、実施例１と同じ反応条件及び操作で反応及び処理を行
ない、シンクロヘキシル・ｎ−オクチル錫クロライドを
得た。
比較例として四塩化錫単独の場合にも同様に反応及び処
理を行なつた。
理を行なつた。
なお、本実施例で過剰の四塩化錫のテトラヒドロフラン
付加物を用いた場合、反応後未反応の付加物が沈澱とし
て存在するので、沈澱物をろ過しその量を計つた。
付加物を用いた場合、反応後未反応の付加物が沈澱とし
て存在するので、沈澱物をろ過しその量を計つた。
以上の結果を第２表に示した。
実施例 １６〜１８
反応容器に四塩化錫７８．１９（０．３モル）及びトル
エン２００ｍ１を仕込み、攪拌しながら滴下漏斗よりテ
トラヒドロフラン４３．３９（０．６モル）を滴下して
四塩化錫のテトラヒドロフラン付加物のスラリー状溶液
を得た。
エン２００ｍ１を仕込み、攪拌しながら滴下漏斗よりテ
トラヒドロフラン４３．３９（０．６モル）を滴下して
四塩化錫のテトラヒドロフラン付加物のスラリー状溶液
を得た。
次いで下記第３表に記載のように反応温度を変化させて
、ネオプール・トリ−ｎ−ブチル錫１２．７９（０．３
モル）を加えた。他の条件及び操作は実施例１と同様に
行ないネオプール・ジブチル錫クロライドを製造した。
比較例として四塩化錫単独の場合にも同様に反応させた
。以上の結果を第３表に示した。
、ネオプール・トリ−ｎ−ブチル錫１２．７９（０．３
モル）を加えた。他の条件及び操作は実施例１と同様に
行ないネオプール・ジブチル錫クロライドを製造した。
比較例として四塩化錫単独の場合にも同様に反応させた
。以上の結果を第３表に示した。
〔（１）表中 ＮｅＯｐｈ：ネオフイル基、Ｂｕ：ｎ−
ブ実施例 １９反応容器に四塩化錫１３０９（０．５モ
ル）を仕込み、これにジブチルエーテル２６０９（２．
０モル）を室温にて約３０分かけて滴下した。
ブ実施例 １９反応容器に四塩化錫１３０９（０．５モ
ル）を仕込み、これにジブチルエーテル２６０９（２．
０モル）を室温にて約３０分かけて滴下した。
内温を９０±５℃に３０分間維持して、四塩化錫のジブ
チルエーテル付加物を可溶性溶液で得た。内温を９０±
５℃に保つて、この溶液にトリネオプール・ｎ−オクチ
ル錫３１５．８９（０．５モル）を１時間にわたつて滴
下した。さらに温度を１２０土５℃に上げ、３０分間反
応させた。得られた反応混合物をガスクロマトグラフイ
一にて組成分析を行なつたところ、トリネオプール錫ク
ロライドとｎ−オクチル錫トリクロライドが重量比で６
１．８：３８．２（モル比１：１）で存在し、他の有機
錫クロライドのピークはみられなかつた。反応混合物を
濃縮し、ジブチルエーテルを回収した残渣に１０％ＨＣ
Ｉ水溶液４００７ｎ１を添加すると、白色固体が沈澱し
た。
チルエーテル付加物を可溶性溶液で得た。内温を９０±
５℃に保つて、この溶液にトリネオプール・ｎ−オクチ
ル錫３１５．８９（０．５モル）を１時間にわたつて滴
下した。さらに温度を１２０土５℃に上げ、３０分間反
応させた。得られた反応混合物をガスクロマトグラフイ
一にて組成分析を行なつたところ、トリネオプール錫ク
ロライドとｎ−オクチル錫トリクロライドが重量比で６
１．８：３８．２（モル比１：１）で存在し、他の有機
錫クロライドのピークはみられなかつた。反応混合物を
濃縮し、ジブチルエーテルを回収した残渣に１０％ＨＣ
Ｉ水溶液４００７ｎ１を添加すると、白色固体が沈澱し
た。
固体をろ過し、再度１０％ＨＣＩ水２００ｍ１で洗い、
水及びメタノールで洗浄、乾燥して、融点１１４〜１１
７．５℃のトリネオプール錫クロライド２７３．６９（
収率９８．８％、純度９８．１％）を得た。実施例 ２
０ 反応容器に四塩化錫１３０９（０．５モル）とｎ−ヘキ
サン３００ｍ１を仕込み、これにジイソプロピルエーテ
ル６１．３９（０．６モル）を約１５分かけて滴下した
。
水及びメタノールで洗浄、乾燥して、融点１１４〜１１
７．５℃のトリネオプール錫クロライド２７３．６９（
収率９８．８％、純度９８．１％）を得た。実施例 ２
０ 反応容器に四塩化錫１３０９（０．５モル）とｎ−ヘキ
サン３００ｍ１を仕込み、これにジイソプロピルエーテ
ル６１．３９（０．６モル）を約１５分かけて滴下した
。
還流下（約７『Ｃ）に１５分保ち、四塩化錫のジイソプ
ロピルエーテル付加物を可溶性溶液で得た。内温を５５
±５℃に維持して、この溶液にメチル・トリ−２−オク
チル錫２３６．７９（０．５モル）を約３０分かけて滴
下し、さらに同温度にて１．５時間反応させた。得られ
た反応混合物をガスクロマトグラフイ一にて組成分析を
行なつたところ、トリ−２−オクチル錫クロライドとメ
チル錫トリクロライドが重量比で６７．０：３３．０（
モル比１：１）で存在し、他の有機錫化合物のピークは
みられなかつた。反応混合物を最初常圧ついで減圧で濃
縮してジイソプロピルエーテル、ｎ−ヘキサン及びメチ
ル錫トリクロライドを留去すると、淡黄色液体のトレ基
、ＴＨＦ：テトラヒドロフランとする。
ロピルエーテル付加物を可溶性溶液で得た。内温を５５
±５℃に維持して、この溶液にメチル・トリ−２−オク
チル錫２３６．７９（０．５モル）を約３０分かけて滴
下し、さらに同温度にて１．５時間反応させた。得られ
た反応混合物をガスクロマトグラフイ一にて組成分析を
行なつたところ、トリ−２−オクチル錫クロライドとメ
チル錫トリクロライドが重量比で６７．０：３３．０（
モル比１：１）で存在し、他の有機錫化合物のピークは
みられなかつた。反応混合物を最初常圧ついで減圧で濃
縮してジイソプロピルエーテル、ｎ−ヘキサン及びメチ
ル錫トリクロライドを留去すると、淡黄色液体のトレ基
、ＴＨＦ：テトラヒドロフランとする。
リ一２−オクチル錫クロライド２４４．７９を得た。収
率９９．１％、純度９８．７％であつた。分析値は次の
通りであつた。比較例 ６〜７ 原料として下記第４表の非対称のテトラオルガノ錫（０
．３モル）と四塩化錫（０．３モル）のエーテル付加物
を用いるほかは、実施例１と同じ反応条件及び操作で反
応を行ない、得られた反応生成物の組成をガスクロマト
グラフイ一で調べた。
率９９．１％、純度９８．７％であつた。分析値は次の
通りであつた。比較例 ６〜７ 原料として下記第４表の非対称のテトラオルガノ錫（０
．３モル）と四塩化錫（０．３モル）のエーテル付加物
を用いるほかは、実施例１と同じ反応条件及び操作で反
応を行ない、得られた反応生成物の組成をガスクロマト
グラフイ一で調べた。
各生成物の単離はできなかつた。結果を第４表に示した
。
。
〔表中の記号は前記表と同じ意義を有する。
比較例 ８〜１０原料として下記第５表の非対称のテト
ラオルガノ錫（０．３モル）と四塩化錫（０．３モル）
のテトラヒドロフラン付加物を用いるほかは、実施例１
と同じ反応条件及び操作で反応を行ない、得られた反応
生成物の組成をガスクロマトグラフイ一で調べた。
ラオルガノ錫（０．３モル）と四塩化錫（０．３モル）
のテトラヒドロフラン付加物を用いるほかは、実施例１
と同じ反応条件及び操作で反応を行ない、得られた反応
生成物の組成をガスクロマトグラフイ一で調べた。
各生成物の単離はできなかつた。また実施例７の比較と
して四塩化錫単独の場合にも同様に反応を行ない、反応
生成物の組成を調べた。
して四塩化錫単独の場合にも同様に反応を行ない、反応
生成物の組成を調べた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ＲｍＳｎＲ′＿（＿４＿−＿ｍ＿） 〔式中Ｒは炭素数１２〜２０個のアルキル基、シクロア
ルキル基、アラルキル基又は基▲数式、化学式、表等が
あります▼（式中Ｒ＾＊は炭素数５〜１２個のアルキル
基を、Ｒ＾＊＾＊はメチル基又はエチル基を示し、Ｒ＾
＊とＲ＾＊＾＊の炭素数の合計が６〜１３個である）を
、Ｒ′は炭素数１〜８個の直鎖アルキル基を、ｍは１〜
３の整数を示す〕で表わされるテトラオルガノ錫化合物
を一般式▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｘは塩素原子又は臭素原子を、▲数式、化学式、
表等があります▼は脂肪族エーテル、芳香族エーテルも
しくはこれらの混合エーテル又はＲ″とＲ″′が互に結
合した環式エーテルを示す）で表わされるハロゲン化第
二錫のエーテル付加物と３０〜１５０℃の温度で反応さ
せることを特徴とする一般式ＲｍＲ′＿（＿３＿−＿ｍ
＿）ＳｎＸ （式中Ｒ、Ｒ′、Ｘ及びｍは上記と同じ意義を有する）
で表わされる対称及び非対称トリオルガノ錫ハライドの
製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2655379A JPS5936996B2 (ja) | 1979-03-06 | 1979-03-06 | 対称及び非対称トリオルガノ錫ハライドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2655379A JPS5936996B2 (ja) | 1979-03-06 | 1979-03-06 | 対称及び非対称トリオルガノ錫ハライドの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55118492A JPS55118492A (en) | 1980-09-11 |
| JPS5936996B2 true JPS5936996B2 (ja) | 1984-09-06 |
Family
ID=12196707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2655379A Expired JPS5936996B2 (ja) | 1979-03-06 | 1979-03-06 | 対称及び非対称トリオルガノ錫ハライドの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5936996B2 (ja) |
-
1979
- 1979-03-06 JP JP2655379A patent/JPS5936996B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55118492A (en) | 1980-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2614858A1 (en) | Process for the preparation of monoalkyl tin trihalides and dialyl tin dihalides | |
| US3248411A (en) | Process for the conversion of highly alkylated tin compounds into lower alkylated tin halides | |
| Rosenberg et al. | The Disproportionation of Tetravinyltin with Tin Tetrachloride and the Cleavage of Some Vinyltin Compounds with Bromine | |
| CA1057298A (en) | Process for preparing a tetraalkyltin compound | |
| US3699138A (en) | Preparation of distannanes | |
| JPS5936996B2 (ja) | 対称及び非対称トリオルガノ錫ハライドの製造法 | |
| US3449451A (en) | Catalytic production of grignard reagents | |
| US3308146A (en) | Polysilylmethanes and their method of preparation | |
| US2576448A (en) | Production of phenyltrichlorosilane | |
| US3211769A (en) | Process for producing alkyltin compounds | |
| US2862944A (en) | Process for the preparation of high purity alkyltin compounds | |
| JP2589163B2 (ja) | 非対称トリオルガノ錫ハライドの製法 | |
| EP0234412B1 (en) | 1,2-dichloro-1,2,2-trimethyl-1-phenyldisilane and method for producing the same | |
| EP0001870B1 (en) | Process for the preparation of organotin compounds | |
| Breed et al. | Triorganosilyl Derivatives of Chelated Titanates1 | |
| US6376693B2 (en) | Synthesis of organotin oxides | |
| JPS5940837B2 (ja) | トリアルキル錫ハライド及びモノアルキル錫トリハライドの製造法 | |
| US3849460A (en) | Preparation of trineophyltin halides | |
| JP3728905B2 (ja) | アリールハロゲンシランの製造方法 | |
| US6215010B1 (en) | Synthesis of organotin oxides | |
| US3444223A (en) | Production of organolead compounds | |
| US3557172A (en) | Method for the preparation of cyclohexyltin trihalide | |
| JPS5920679B2 (ja) | ジシクロヘキシルネオフィル錫ハライドの製造法 | |
| JP3564530B2 (ja) | テトラキス（ジアリールシリル）ベンゼンの製造方法 | |
| JPS5921875B2 (ja) | ジアルキル錫ジハライドの製造法 |