JPS5921875B2 - ジアルキル錫ジハライドの製造法 - Google Patents
ジアルキル錫ジハライドの製造法Info
- Publication number
- JPS5921875B2 JPS5921875B2 JP18325980A JP18325980A JPS5921875B2 JP S5921875 B2 JPS5921875 B2 JP S5921875B2 JP 18325980 A JP18325980 A JP 18325980A JP 18325980 A JP18325980 A JP 18325980A JP S5921875 B2 JPS5921875 B2 JP S5921875B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction
- mixture
- dialkyltin
- dialkyltin dihalide
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明はジアルキル錫ジハライドの製造法に関する。
更に詳しくは本発明はテトラアルキル錫とモノアルキル
錫トリノ、ラードを１８０℃以下で反応させて得られた
生成物にその生成物中のトリアルキル錫モノハライドと
等モル量の錫テトラハライドを加えて１８０℃以下で再
び反応させてジアルキル錫ジハライドとモノアルキル錫
トリハライドとの混合物を得そしてこの混合物からジア
ルキル錫ジハライドを分取することによるジアルキル錫
ジ・・ラードの製造法に関する。ジアルキル錫ジハライ
ドは塩化ビニル樹脂用安定剤の中間原料として近年そι
）重要性が認識されている。
錫トリノ、ラードを１８０℃以下で反応させて得られた
生成物にその生成物中のトリアルキル錫モノハライドと
等モル量の錫テトラハライドを加えて１８０℃以下で再
び反応させてジアルキル錫ジハライドとモノアルキル錫
トリハライドとの混合物を得そしてこの混合物からジア
ルキル錫ジハライドを分取することによるジアルキル錫
ジ・・ラードの製造法に関する。ジアルキル錫ジハライ
ドは塩化ビニル樹脂用安定剤の中間原料として近年そι
）重要性が認識されている。
これらの化合物の製造法は従来次式（１）の方法または
瑣２）の方法（特公昭４４−１３６９４号公報参照）が
知られている。（１） ２００℃〜２３０℃ Ｒ４ｓｎ＋ｓｎｘ４２Ｒ２ＳｎＸ２ （２） Ａ１Ｃｌ３、８０〜１４０℃ Ｒ４ｓｎ＋ｓｎｘ４２Ｒ２ＳｎＸ２ 上記式中のＲはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、
ドデシル基などの直鎖または分枝鎖状アルキル基を表わ
し、そしてＸはクロライド、ブロマイド、フルオライド
またはアイオダイドの・・ロゲン原子を表わす。
瑣２）の方法（特公昭４４−１３６９４号公報参照）が
知られている。（１） ２００℃〜２３０℃ Ｒ４ｓｎ＋ｓｎｘ４２Ｒ２ＳｎＸ２ （２） Ａ１Ｃｌ３、８０〜１４０℃ Ｒ４ｓｎ＋ｓｎｘ４２Ｒ２ＳｎＸ２ 上記式中のＲはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、
ドデシル基などの直鎖または分枝鎖状アルキル基を表わ
し、そしてＸはクロライド、ブロマイド、フルオライド
またはアイオダイドの・・ロゲン原子を表わす。
以下におけるＲおよびＸにっいても同様である。しかし
ながら、これら既知の反応方法は次の欠点を有する。
ながら、これら既知の反応方法は次の欠点を有する。
すなわち、反応式（１）の方法では高温のための熱分解
をおこす。また反応式（２）の方法では反応温度が低く
、テトラアルキル錫モノハライドやモノアルキル錫テト
ラハライドなどの副生物を生じまた塩化アルミニウム（
Ａ１Ｃｌ３）がアルキル錫と反応するために目的物の収
率低下をともなうとともに反応後に残留する塩化アルミ
ニウムおよびアルミニウム化合物を除去しなければなら
ない。本発明者らはこのような事情にかんがみて鋭意研
究した結果、既述のような方法を採用することにより熱
分解や塩化アルミニウムとアルキル錫の副反応がなくな
り、それによつて目的物の収率の向上がはかられ、また
塩化アルミニウムおよびアルミニウム化合物の除去操作
も必要としなくなつた。
をおこす。また反応式（２）の方法では反応温度が低く
、テトラアルキル錫モノハライドやモノアルキル錫テト
ラハライドなどの副生物を生じまた塩化アルミニウム（
Ａ１Ｃｌ３）がアルキル錫と反応するために目的物の収
率低下をともなうとともに反応後に残留する塩化アルミ
ニウムおよびアルミニウム化合物を除去しなければなら
ない。本発明者らはこのような事情にかんがみて鋭意研
究した結果、既述のような方法を採用することにより熱
分解や塩化アルミニウムとアルキル錫の副反応がなくな
り、それによつて目的物の収率の向上がはかられ、また
塩化アルミニウムおよびアルミニウム化合物の除去操作
も必要としなくなつた。
次に本発明を実施する方法について更に具体的に説明す
る。
る。
まずテトラアルキル錫とモノアルキル錫トリハライドと
を等モルで１８０℃以下で反応させるとほぼ１：１のモ
ル比でトリアルキル錫モノハライドおよびジアルキル錫
ジハライドからなる混合物が得られる。この混合物中の
トリアルキル錫モノハライドの生成量を例えばガスクロ
マトグラフイ一により測定し、このトリアルキル錫モノ
ハライドと等モル量の錫テトラハライドをこの混合物中
に加えて１８０℃以下で再び反応させるとジアルキル錫
ジハライドとモノアルキル錫トリハライドとのモル比が
ほぼ２：１の反応混合物が得られる。こうして得られた
反応混合物からジアルキル錫ジハライドを得るには蒸留
方法または抽出分離方法によればよい。また分離した他
のモノアルキル錫トリハライドは本発明における次回の
反応の原料に使用される。蒸留方法によりジアルキルハ
ライドを得る場合はジアルキル錫ジハライドのアルキル
部分が低級アルキル基であるものは蒸留できるが、高級
アルキル基になるにつれ沸点が上昇するために加熱によ
る熱分解が増加するという欠点がある。したがつて、蒸
留方法を採用するに際しては化合物の種類を選択するこ
とが望ましい。また抽出分離方法の例としてはアルキル
部分が低級アルキル基である場合はジアルキル錫ジハラ
イドとモノアルキル錫トリハライドとの混合物を溶媒で
希釈し、それを塩酸などの鉱酸の希水溶液、例えば１規
定の塩酸水溶液を加えて油層と水層とに分け、そして油
層の溶媒を留去するとジアルキル錫ジハライドが得られ
る。また水層部分については水を蒸留するかあるいはア
ミンの付加体として取り出し酸で処理することによりモ
ノアルキル錫トリハライドを得ることができる。またア
）ルキル部分が低級アルキル基であるかまたは高級アル
キル基であるかを問わず抽出分離できる方法としては、
次のような方法が有効である。すなわち、前記したジア
ルキル錫ジハライドとモノアルキル錫トリ・・ラードと
を含む混合物、また、は更にこれらの混合物にｎ−ヘキ
サンのような疎水性有機溶媒を加えてなる混合溶液に塩
酸などの鉱酸の希水溶液を加えて水層と油層に分ける。
この油層の溶媒を留去すると目的とするジアルキル錫ジ
ハライドが得られる。一方水層の部分についｊてはモノ
アルキル錫トリハライドが溶解しており次のような操作
で回収し、次の反応に使用する。すなわち、水層にエチ
ルエーテルのような分子内に非共有電子対をもつ極性有
機溶媒の単独あるいはこれらとｎ−ヘキサンなどのよう
な炭化水素系有機溶媒との混合溶媒を加えて水層から有
機層にモノアルキル錫トリハライドを抽出するか、また
は分取した水層に疎水性有機溶媒と濃硫酸などの高濃度
の鉱酸を加えて水層から有機層にモノアルキル錫トリハ
ライドを抽出し、そして溶媒を留去するとモノアルキル
錫トリハライドが得られる。このような本発明方法を反
応式で示せば（３）およよび（４）の２段階の反応とし
て表わすことができる。次に本発明の実施例を若干あげ
るが本発明は以下の実施例のみに限定されるものではな
い。実施例 １ジ一ｎ−オクチル錫シクロラードの製造 攪拌機、温度計および空冷管を装着した１１容量のフラ
スコにテトラ−ｎ−オクチル錫２８５．８ｔ（０．５モ
ル）およびモノ−ｎ−オクチル錫トリクロライド１６９
．１ｆ１（０．５モル）を入れて１５０℃で１時間攪拌
する。
を等モルで１８０℃以下で反応させるとほぼ１：１のモ
ル比でトリアルキル錫モノハライドおよびジアルキル錫
ジハライドからなる混合物が得られる。この混合物中の
トリアルキル錫モノハライドの生成量を例えばガスクロ
マトグラフイ一により測定し、このトリアルキル錫モノ
ハライドと等モル量の錫テトラハライドをこの混合物中
に加えて１８０℃以下で再び反応させるとジアルキル錫
ジハライドとモノアルキル錫トリハライドとのモル比が
ほぼ２：１の反応混合物が得られる。こうして得られた
反応混合物からジアルキル錫ジハライドを得るには蒸留
方法または抽出分離方法によればよい。また分離した他
のモノアルキル錫トリハライドは本発明における次回の
反応の原料に使用される。蒸留方法によりジアルキルハ
ライドを得る場合はジアルキル錫ジハライドのアルキル
部分が低級アルキル基であるものは蒸留できるが、高級
アルキル基になるにつれ沸点が上昇するために加熱によ
る熱分解が増加するという欠点がある。したがつて、蒸
留方法を採用するに際しては化合物の種類を選択するこ
とが望ましい。また抽出分離方法の例としてはアルキル
部分が低級アルキル基である場合はジアルキル錫ジハラ
イドとモノアルキル錫トリハライドとの混合物を溶媒で
希釈し、それを塩酸などの鉱酸の希水溶液、例えば１規
定の塩酸水溶液を加えて油層と水層とに分け、そして油
層の溶媒を留去するとジアルキル錫ジハライドが得られ
る。また水層部分については水を蒸留するかあるいはア
ミンの付加体として取り出し酸で処理することによりモ
ノアルキル錫トリハライドを得ることができる。またア
）ルキル部分が低級アルキル基であるかまたは高級アル
キル基であるかを問わず抽出分離できる方法としては、
次のような方法が有効である。すなわち、前記したジア
ルキル錫ジハライドとモノアルキル錫トリ・・ラードと
を含む混合物、また、は更にこれらの混合物にｎ−ヘキ
サンのような疎水性有機溶媒を加えてなる混合溶液に塩
酸などの鉱酸の希水溶液を加えて水層と油層に分ける。
この油層の溶媒を留去すると目的とするジアルキル錫ジ
ハライドが得られる。一方水層の部分についｊてはモノ
アルキル錫トリハライドが溶解しており次のような操作
で回収し、次の反応に使用する。すなわち、水層にエチ
ルエーテルのような分子内に非共有電子対をもつ極性有
機溶媒の単独あるいはこれらとｎ−ヘキサンなどのよう
な炭化水素系有機溶媒との混合溶媒を加えて水層から有
機層にモノアルキル錫トリハライドを抽出するか、また
は分取した水層に疎水性有機溶媒と濃硫酸などの高濃度
の鉱酸を加えて水層から有機層にモノアルキル錫トリハ
ライドを抽出し、そして溶媒を留去するとモノアルキル
錫トリハライドが得られる。このような本発明方法を反
応式で示せば（３）およよび（４）の２段階の反応とし
て表わすことができる。次に本発明の実施例を若干あげ
るが本発明は以下の実施例のみに限定されるものではな
い。実施例 １ジ一ｎ−オクチル錫シクロラードの製造 攪拌機、温度計および空冷管を装着した１１容量のフラ
スコにテトラ−ｎ−オクチル錫２８５．８ｔ（０．５モ
ル）およびモノ−ｎ−オクチル錫トリクロライド１６９
．１ｆ１（０．５モル）を入れて１５０℃で１時間攪拌
する。
このフラスコ内容物をガスクロマトグラフイ一により分
析してこの内容物中のトリ−ｎ−オクチル錫モノクロラ
イドと等モル量の錫テトラクロライド１３０．３ｔ（０
．５モル）をこの反応混合物に加えて１５０℃で２時間
攪拌して反応させた。この反応生成物を１１のｎ−ヘキ
サンに溶解して２１容量の分液沢斗に入れ、更に１規定
の塩酸を５００ｍ１加えて５分間振盪した。分液して分
取した有機層からｎ−ヘキサンを留去してジ一ｎ−オク
チル錫シクロラードを得た。一方水層に２００ｍ１のエ
チルエーテルを加えそして５分間振盪した後、分液して
分取した有機層からエチルエーテルを留去してモノ−ｎ
−オクチル錫トリクロライドを得た。この反応の物質収
支は第１表のとおりである。実施例 ２ ジ一ｎ−ヘキシル錫シクロラードの製造 テトラ−ｎ−ヘキシル錫２２９．７ｙ（０．５モル〕お
よびモノ−ｎ−ヘキシル錫トリクロライド１５５，１７
（０．５モル）を実施例１と同様の容器に入れて１５０
℃で１時間反応させた。
析してこの内容物中のトリ−ｎ−オクチル錫モノクロラ
イドと等モル量の錫テトラクロライド１３０．３ｔ（０
．５モル）をこの反応混合物に加えて１５０℃で２時間
攪拌して反応させた。この反応生成物を１１のｎ−ヘキ
サンに溶解して２１容量の分液沢斗に入れ、更に１規定
の塩酸を５００ｍ１加えて５分間振盪した。分液して分
取した有機層からｎ−ヘキサンを留去してジ一ｎ−オク
チル錫シクロラードを得た。一方水層に２００ｍ１のエ
チルエーテルを加えそして５分間振盪した後、分液して
分取した有機層からエチルエーテルを留去してモノ−ｎ
−オクチル錫トリクロライドを得た。この反応の物質収
支は第１表のとおりである。実施例 ２ ジ一ｎ−ヘキシル錫シクロラードの製造 テトラ−ｎ−ヘキシル錫２２９．７ｙ（０．５モル〕お
よびモノ−ｎ−ヘキシル錫トリクロライド１５５，１７
（０．５モル）を実施例１と同様の容器に入れて１５０
℃で１時間反応させた。
このフラスコ内容物をガスクロマトグラフイ一により分
析してこの内容物中のトリ−ｎ−ヘキシル錫モノクロラ
イドと等モル量の錫テトラクロライド１３０．３ｔ（０
．５モル）をこの反応混合物に加えて１５０℃で２時間
撹拌して反応させた。この反応生成物を実施例１と同様
にしてジ一ｎ−ヘキシル錫シクロラードおよびモノ−ｎ
−ヘキシル錫トリクロラＯイドを得た。この反応の物質
収支は第２表のとおりである。実施例 ３ ジ一ｎ−ブチル錫シクロラードの製造 テトラ−ｎ−ブチル錫１７３．６ｙ（０．５モル）およ
びモノ−ｎ−ブチル錫トリクロライド１４１．１ｔ（０
．５モル）を実施例１と同様の反応容器に入れて１２０
℃で１時間反応せしめた。
析してこの内容物中のトリ−ｎ−ヘキシル錫モノクロラ
イドと等モル量の錫テトラクロライド１３０．３ｔ（０
．５モル）をこの反応混合物に加えて１５０℃で２時間
撹拌して反応させた。この反応生成物を実施例１と同様
にしてジ一ｎ−ヘキシル錫シクロラードおよびモノ−ｎ
−ヘキシル錫トリクロラＯイドを得た。この反応の物質
収支は第２表のとおりである。実施例 ３ ジ一ｎ−ブチル錫シクロラードの製造 テトラ−ｎ−ブチル錫１７３．６ｙ（０．５モル）およ
びモノ−ｎ−ブチル錫トリクロライド１４１．１ｔ（０
．５モル）を実施例１と同様の反応容器に入れて１２０
℃で１時間反応せしめた。
このフラスコ内容物をガスクロマトグラフイ一で分析し
てこの内容物中のトリ−ｎ−ブチル錫モノクロライドと
等モル量の錫テトラクロライド１２７．６ｆ（０．４９
モル）をこの反応混合物に加えて１２０℃で２時間反応
させた。その後反応生成物を減圧蒸留してモノ−ｎ−ブ
チル錫トリクロライドおよびジ一ｎ−ブチル錫シクロラ
ードを得た。この反応の物質収支および物性は第３表の
とおりである。実施例４〜１１および比較例１〜７前記
実施例以外にアルキル基、ハライドおよび反応温度の異
つた種々の条件でジアルキル錫シクロラードを製造した
実施例を第４表に示す。
てこの内容物中のトリ−ｎ−ブチル錫モノクロライドと
等モル量の錫テトラクロライド１２７．６ｆ（０．４９
モル）をこの反応混合物に加えて１２０℃で２時間反応
させた。その後反応生成物を減圧蒸留してモノ−ｎ−ブ
チル錫トリクロライドおよびジ一ｎ−ブチル錫シクロラ
ードを得た。この反応の物質収支および物性は第３表の
とおりである。実施例４〜１１および比較例１〜７前記
実施例以外にアルキル基、ハライドおよび反応温度の異
つた種々の条件でジアルキル錫シクロラードを製造した
実施例を第４表に示す。
Claims (1)
- １ テトラアルキル錫とモノアルキル錫トリハライドと
を１８０℃以下で反応させて得られた生成物に、生成物
中のトリアルキル錫モノハライドと等モル量の錫テトラ
ハライドを加えて１８０℃以下で再び反応させてジアル
キル錫ジハライドとモノアルキル錫トリハライドとの混
合物を得そして、この混合物からジアルキル錫ジハライ
ドを分取することを特徴とする、ジアルキル錫ジハライ
ドの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18325980A JPS5921875B2 (ja) | 1980-12-24 | 1980-12-24 | ジアルキル錫ジハライドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18325980A JPS5921875B2 (ja) | 1980-12-24 | 1980-12-24 | ジアルキル錫ジハライドの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57106687A JPS57106687A (en) | 1982-07-02 |
| JPS5921875B2 true JPS5921875B2 (ja) | 1984-05-22 |
Family
ID=16132529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18325980A Expired JPS5921875B2 (ja) | 1980-12-24 | 1980-12-24 | ジアルキル錫ジハライドの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5921875B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131167U (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | リョービ株式会社 | 両軸受型リ−ルの枠体 |
-
1980
- 1980-12-24 JP JP18325980A patent/JPS5921875B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131167U (ja) * | 1984-02-13 | 1985-09-02 | リョービ株式会社 | 両軸受型リ−ルの枠体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57106687A (en) | 1982-07-02 |
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