JPS5936440B2 - 電気・機械変換素子 - Google Patents
電気・機械変換素子Info
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- JPS5936440B2 JPS5936440B2 JP52146468A JP14646877A JPS5936440B2 JP S5936440 B2 JPS5936440 B2 JP S5936440B2 JP 52146468 A JP52146468 A JP 52146468A JP 14646877 A JP14646877 A JP 14646877A JP S5936440 B2 JPS5936440 B2 JP S5936440B2
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Landscapes
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
- Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)
- General Electrical Machinery Utilizing Piezoelectricity, Electrostriction Or Magnetostriction (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電気的信号を機械的変位に変換する電気・機械
変換素子に係わる。
変換素子に係わる。
近時、磁気記録再生装置(VTR)において、その記録
密度をできるだけ上げるために、記録トラックの幅をで
きるだけ幅狭とする努力がなされているが、このように
トラック幅を狭くするものにあつては、これに伴つて、
再生磁気ヘッドの記録トラックに対する位置関係には、
より高い正確さが要求される。
密度をできるだけ上げるために、記録トラックの幅をで
きるだけ幅狭とする努力がなされているが、このように
トラック幅を狭くするものにあつては、これに伴つて、
再生磁気ヘッドの記録トラックに対する位置関係には、
より高い正確さが要求される。
そして、この位置関係を単に装置の機械的精度に依存さ
せることは、技術的に困難であるか、可成りのコスト高
を招来するので、電気・機械変換素子を用い、これによ
つて磁気ヘッドの記録トラックに対する位置関係を、常
時、所定の関係に制御する方法が採られる。即ち、磁気
ヘッドを電気・機械変換素子に、機械的に連結し、この
素子に磁気ヘッドと記録トラックとの位置関係の変化か
ら生ずる再生信号の変化による電気信号を与え、これに
よる機械的変位を磁気ヘッドに与え、磁気ヘッドが、常
時、記録トラックに対し正しい位置関係にあるように設
定する。通常、このようなVTRに用いられる電気・機
械変換素子としては、主として圧電効果による機械的変
位を得る強誘電体磁器を用いた圧電バイモルフが用いら
れる。この圧電バイモルフは、第1図に示すように、両
主面に夫々電極1が被着された2枚の強誘電体磁器2が
、金属基板3を挟んで積層合体されて成る。
せることは、技術的に困難であるか、可成りのコスト高
を招来するので、電気・機械変換素子を用い、これによ
つて磁気ヘッドの記録トラックに対する位置関係を、常
時、所定の関係に制御する方法が採られる。即ち、磁気
ヘッドを電気・機械変換素子に、機械的に連結し、この
素子に磁気ヘッドと記録トラックとの位置関係の変化か
ら生ずる再生信号の変化による電気信号を与え、これに
よる機械的変位を磁気ヘッドに与え、磁気ヘッドが、常
時、記録トラックに対し正しい位置関係にあるように設
定する。通常、このようなVTRに用いられる電気・機
械変換素子としては、主として圧電効果による機械的変
位を得る強誘電体磁器を用いた圧電バイモルフが用いら
れる。この圧電バイモルフは、第1図に示すように、両
主面に夫々電極1が被着された2枚の強誘電体磁器2が
、金属基板3を挟んで積層合体されて成る。
強誘電体磁器2は、微細な結晶粒の集合体であるが、こ
れらの結晶粒は、更に、自発分極の方向が揃つたいくつ
かの分域に分かれている。そのため、この磁気は、焼成
後の状態では、圧電性を示さないが、これに直流電圧を
一定時間加えるポーリング操作を行うことによつて自発
分極の合成方向が一方向に揃つて圧電性を呈するように
なる。ところが、このようにして電場によつて強制的に
配向した状態は、必ずしも安定ではなく、この磁器に応
力や電場が与えられると、その配向状態が変化してしま
う。このため、第1図に説明したように、この磁器2に
よつて構成した圧電バイモルフに外部電場を与えた場合
のその印加電界に対する変位量は大で、感度は高いが、
その電界と、変位の関係を測定すると、第2図に示すヒ
ステリシス特性を示し、印加電界即ち外部電場を零にし
ても、バイモルフは、最初の位置に戻らず、第2図のO
A或いはOA’で示す残留変位が生ずる。ところが、V
TR)特に2磁気ヘッド型の回転磁気ヘッド装置による
VTRでは、その2つの磁気ヘッドの高さは、揃つてい
ることが要求されるものであり、この高さの精度は、ト
ラック幅が狭くなるにつれ、高い精度が要求される。
れらの結晶粒は、更に、自発分極の方向が揃つたいくつ
かの分域に分かれている。そのため、この磁気は、焼成
後の状態では、圧電性を示さないが、これに直流電圧を
一定時間加えるポーリング操作を行うことによつて自発
分極の合成方向が一方向に揃つて圧電性を呈するように
なる。ところが、このようにして電場によつて強制的に
配向した状態は、必ずしも安定ではなく、この磁器に応
力や電場が与えられると、その配向状態が変化してしま
う。このため、第1図に説明したように、この磁器2に
よつて構成した圧電バイモルフに外部電場を与えた場合
のその印加電界に対する変位量は大で、感度は高いが、
その電界と、変位の関係を測定すると、第2図に示すヒ
ステリシス特性を示し、印加電界即ち外部電場を零にし
ても、バイモルフは、最初の位置に戻らず、第2図のO
A或いはOA’で示す残留変位が生ずる。ところが、V
TR)特に2磁気ヘッド型の回転磁気ヘッド装置による
VTRでは、その2つの磁気ヘッドの高さは、揃つてい
ることが要求されるものであり、この高さの精度は、ト
ラック幅が狭くなるにつれ、高い精度が要求される。
そして、一般にバイモルフは記録(録画)時には、これ
が静止の状態にあるようにするので磁気ヘッドの高さの
誤差を許容範囲内におさめるためには、バイモルフの静
止位置が常に一定の位置に在ることが必要となる。とこ
ろが上述したように圧電バイモルフは、前述したように
、外部電場によつて分域配向が乱れ、初期の静止位置と
は異る位置で静止するので、磁気ヘツドの高さの誤差を
許容範囲にとどめることが難しい。
が静止の状態にあるようにするので磁気ヘッドの高さの
誤差を許容範囲内におさめるためには、バイモルフの静
止位置が常に一定の位置に在ることが必要となる。とこ
ろが上述したように圧電バイモルフは、前述したように
、外部電場によつて分域配向が乱れ、初期の静止位置と
は異る位置で静止するので、磁気ヘツドの高さの誤差を
許容範囲にとどめることが難しい。
この残留変位は、強誘電体磁器に固有なもので、その大
きさは、圧電磁器の組成により多少の差はあるものの本
質的にこれを回避することはできないものであつて、こ
れがVTRにおける圧電バイモルフの利用の隘路となつ
ている。本発明は、このような欠点を回避した電気・機
械変換素子を提供するものである。即ち、本発明におい
ては、従来の電気・機械変換素子が強誘電相の強誘電体
磁器を用いて、これにおける圧電効果を利用するもので
あつたのに比し、使用温度範囲で、常誘電相に在る高誘
電率磁米電気・機械変換素子の能力を表わす電気機械結
合係数kは、変換素子に加えた電気入力U,のうち機械
的出力に変換される量をU2とするとで定義される。
きさは、圧電磁器の組成により多少の差はあるものの本
質的にこれを回避することはできないものであつて、こ
れがVTRにおける圧電バイモルフの利用の隘路となつ
ている。本発明は、このような欠点を回避した電気・機
械変換素子を提供するものである。即ち、本発明におい
ては、従来の電気・機械変換素子が強誘電相の強誘電体
磁器を用いて、これにおける圧電効果を利用するもので
あつたのに比し、使用温度範囲で、常誘電相に在る高誘
電率磁米電気・機械変換素子の能力を表わす電気機械結
合係数kは、変換素子に加えた電気入力U,のうち機械
的出力に変換される量をU2とするとで定義される。
また変換素子の材料の性能を評価する時によく用いられ
る円板の拡がり振動に対する電気機械結合係数Kpは、
実験的にはその共振周波数F,と、反共振周波数Faを
測定しPla8r の関係から求められることが、電気通信学会雑誌第50
巻5号(昭和42年5月)に示されている。
る円板の拡がり振動に対する電気機械結合係数Kpは、
実験的にはその共振周波数F,と、反共振周波数Faを
測定しPla8r の関係から求められることが、電気通信学会雑誌第50
巻5号(昭和42年5月)に示されている。
本発明に於いては、外部電場印加後の外部電場を零にし
た場合の残留分極の少ないあるいは零であることが、本
発明の目的である残留変位の少ないこと.の必要条件で
ある。常誘電相であること、すなわち、残留分極が少な
いことあるいは零であることは、電気機械結合係数K,
の小さな値として示される。:器を用い、これの電歪効
果による変位を得る〇電歪効果は、すべての誘電体にみ
られる電場の2乗に比例して歪を生ずる現象である。
た場合の残留分極の少ないあるいは零であることが、本
発明の目的である残留変位の少ないこと.の必要条件で
ある。常誘電相であること、すなわち、残留分極が少な
いことあるいは零であることは、電気機械結合係数K,
の小さな値として示される。:器を用い、これの電歪効
果による変位を得る〇電歪効果は、すべての誘電体にみ
られる電場の2乗に比例して歪を生ずる現象である。
この歪は、常誘電相で、分極と電場が比例すると、誘電
率の2乗に比例する。そのため通常の常誘電体では、こ
の電歪効果は極めて小さいものであるが、キユーリー温
度より稍々高い温度における常誘電相の強誘電体磁器の
ように、数千以上の誘電率を有するものでは、かなりの
効果を示す(実用的には誘電率が使用温度で3000以
上のものが好ましい)。即ち、電歪効果による歪は、歪
をS、誘電分極をPとするとであられされ定数QiJを
電歪定数と呼ぶ。
率の2乗に比例する。そのため通常の常誘電体では、こ
の電歪効果は極めて小さいものであるが、キユーリー温
度より稍々高い温度における常誘電相の強誘電体磁器の
ように、数千以上の誘電率を有するものでは、かなりの
効果を示す(実用的には誘電率が使用温度で3000以
上のものが好ましい)。即ち、電歪効果による歪は、歪
をS、誘電分極をPとするとであられされ定数QiJを
電歪定数と呼ぶ。
従つて分極Pと電界Eが比例関係にあれば誘電率及び電
界の2乗に比例した歪が生じる。但し、本発明に適用さ
れる材料は、外部電場印加後、外部電場を零にした場合
きわめて小さいあるいは零の電気機械結合係数kを有す
ること要する。
界の2乗に比例した歪が生じる。但し、本発明に適用さ
れる材料は、外部電場印加後、外部電場を零にした場合
きわめて小さいあるいは零の電気機械結合係数kを有す
ること要する。
p第3図ないし第5図を参照して本発明を説明するに、
図中10は本発明による電気・機械変換素子を全体とし
て示す。
図中10は本発明による電気・機械変換素子を全体とし
て示す。
本発明においては、本発明による電気・機械変換素子1
0が用いられる温度範囲において、常誘電相を示し、圧
電効果がない、あるいはたとえ残存していてもその大き
さが、外部電場印加後の電場Eが零において電気機械結
合係数K,が1%以下であることが望まれる高誘電率磁
器板11を設ける。
0が用いられる温度範囲において、常誘電相を示し、圧
電効果がない、あるいはたとえ残存していてもその大き
さが、外部電場印加後の電場Eが零において電気機械結
合係数K,が1%以下であることが望まれる高誘電率磁
器板11を設ける。
この磁器板11の両主面に電極となる導電層12a及び
12bを、蒸着、塗布等によつて被着する。そして、こ
の磁器板11の一方の電極12bに電気的に連結するよ
うに他の基板例えば、第3図に示すように、他の金属基
板13と貼り合せる。
12bを、蒸着、塗布等によつて被着する。そして、こ
の磁器板11の一方の電極12bに電気的に連結するよ
うに他の基板例えば、第3図に示すように、他の金属基
板13と貼り合せる。
この構造の素子10において、その一端を固定した状態
で磁器板11の金属基板13と、この基板13とは反対
側の電極12aとの間に電圧Vを印加すると、この電圧
の大きさに応じて磁器板11が収縮し、これによつて素
子10の遊端が矢印aに示す方向に変位する。第3図に
示した例では、磁器板11を金属基板13と層合させた
場合であるが、第4図に示すように、更に金属基板13
の背面にも例えば磁器板11と同一若しくはほぼ同一の
組成を有し、その熱膨脹率が磁器板11のそれと同等若
しくは近似する他の磁器板11を貼り合せた構造とする
こともできる。
で磁器板11の金属基板13と、この基板13とは反対
側の電極12aとの間に電圧Vを印加すると、この電圧
の大きさに応じて磁器板11が収縮し、これによつて素
子10の遊端が矢印aに示す方向に変位する。第3図に
示した例では、磁器板11を金属基板13と層合させた
場合であるが、第4図に示すように、更に金属基板13
の背面にも例えば磁器板11と同一若しくはほぼ同一の
組成を有し、その熱膨脹率が磁器板11のそれと同等若
しくは近似する他の磁器板11を貼り合せた構造とする
こともできる。
この場合においても、電圧Vの印加によつて素子10の
遊端が矢印aに示す方向に変位.する。このような構造
とするときは、素子10の全体の構成が、熱膨脹率に関
して対称構造を有するので熱の影響によつて素子10に
変位が生ずるを回避できる。尚、磁器板11に対する印
加電圧の極性を反転させても、磁器板11には、同一態
様の変形、即ち収縮が生ずるに過ぎないので、第3図及
び第4図の構造のものでは、印加電圧Vの極性を反転さ
せても矢印aに示す一方向変位のみが生ずる。
遊端が矢印aに示す方向に変位.する。このような構造
とするときは、素子10の全体の構成が、熱膨脹率に関
して対称構造を有するので熱の影響によつて素子10に
変位が生ずるを回避できる。尚、磁器板11に対する印
加電圧の極性を反転させても、磁器板11には、同一態
様の変形、即ち収縮が生ずるに過ぎないので、第3図及
び第4図の構造のものでは、印加電圧Vの極性を反転さ
せても矢印aに示す一方向変位のみが生ずる。
第5図に示す構造のものでは、金属基板13を狭んで、
2枚の同一の磁器板11を配し、信号電源Sの一方を金
属基板13に接続し、各磁器板11の他方の電極12a
に夫々ダイオードdl及びD2を介して電源Sの他方に
接続した構造とした場合である。この場合、電源Sの極
性に応じて両磁器板11の一方に電圧が印加されるので
、印加電圧の極性に応じて素子10は矢印a及びbで示
す互に逆向きの変位を得ることができる。更に本発明を
磁器板11の構成材料等を含めて具体的実施例について
説明する。
2枚の同一の磁器板11を配し、信号電源Sの一方を金
属基板13に接続し、各磁器板11の他方の電極12a
に夫々ダイオードdl及びD2を介して電源Sの他方に
接続した構造とした場合である。この場合、電源Sの極
性に応じて両磁器板11の一方に電圧が印加されるので
、印加電圧の極性に応じて素子10は矢印a及びbで示
す互に逆向きの変位を得ることができる。更に本発明を
磁器板11の構成材料等を含めて具体的実施例について
説明する。
実施例 1
Pb( Mg+Nb+)03より成る磁器を、長さ27
mm)幅5mm)厚さ250μmに加工して磁器板11
を2枚設ける。
mm)幅5mm)厚さ250μmに加工して磁器板11
を2枚設ける。
第6図は、このPb(Mg+Nb+)03の磁器の誘電
率の温度特性を示すもので、この磁器のキユ一り一温度
は−10℃附近にあり、室温においては常誘電相になり
、その誘電率は約10,000である。また分極Pと電
場Eの間のヒステリシスは、第?図に示す。このように
Pb(MgA−Nb−8−)03のヒステリシスは極め
て小さい。また第8図に示すようにPb(Mg+Nbl
)03磁器の誘電率のヒステリシスも小さい。そして、
各磁器板11の両主面に金を蒸着して電極12a及び1
2bを形成する。これら磁器板11間に厚さ100μm
の燐青銅板より成る金属基板13を挟んで貼り合せ第9
図に示すバイモルフ構造とした。このバイモルフ構造の
素子10を可動部分の長さが18mmとなるようにその
一端において固定し、第9図に示すように電源14にス
イツチ15を介して接続した。そして電源14の電圧を
変えスイツチ15を切換えて素子10への印加電圧の極
性を反転させ、その変位量を測定した結果を、第10図
に示す。これより明らかなように、12kV/(V7l
の電界で30Itmの変位が得られ残留変位は1μm以
下であつた。尚最大振れ幅は73μmであるので残留変
位の比率は約1.4%であり、冒頭に述べた従来の強誘
電体によるバイモルフに比しその比率は1桁程度小さく
なつた。尚、実施例1で用いた磁器の電気機械結合係数
Kpを測定したところ電場Eが零においてKp=0であ
つた。この測定は次の方法で行なつた。実施例1で用い
たPb(Mg+Nb+)03磁器を、径12.6mm)
厚さ0.857nmの円板に加工し、両面に銀Agの電
極を被着させた後、室温でIRE規格(IEE規格)に
よる伝送法で磁器円板に直流バイアス電圧を加えながら
円板の広がり振動に対する電気機械結合係数Kpを求め
た。その結果は、第11図に示すように、バイアス電界
が10k’l/CmではKp二7.5%、バイアス電界
零でKp=0の結果となつた。したがつて、通常のBa
TiO3磁器やPb(Zr,Ti)03系磁器のような
強誘電体磁器のようにポーリングによつて圧電性を与え
ることは使用温度を室温程度とする場合には不可能であ
る。次に本発明の特徴を明確にするために、比較例とし
て、従来の強誘電体磁器を用いたバイモルフの例を挙げ
る。
率の温度特性を示すもので、この磁器のキユ一り一温度
は−10℃附近にあり、室温においては常誘電相になり
、その誘電率は約10,000である。また分極Pと電
場Eの間のヒステリシスは、第?図に示す。このように
Pb(MgA−Nb−8−)03のヒステリシスは極め
て小さい。また第8図に示すようにPb(Mg+Nbl
)03磁器の誘電率のヒステリシスも小さい。そして、
各磁器板11の両主面に金を蒸着して電極12a及び1
2bを形成する。これら磁器板11間に厚さ100μm
の燐青銅板より成る金属基板13を挟んで貼り合せ第9
図に示すバイモルフ構造とした。このバイモルフ構造の
素子10を可動部分の長さが18mmとなるようにその
一端において固定し、第9図に示すように電源14にス
イツチ15を介して接続した。そして電源14の電圧を
変えスイツチ15を切換えて素子10への印加電圧の極
性を反転させ、その変位量を測定した結果を、第10図
に示す。これより明らかなように、12kV/(V7l
の電界で30Itmの変位が得られ残留変位は1μm以
下であつた。尚最大振れ幅は73μmであるので残留変
位の比率は約1.4%であり、冒頭に述べた従来の強誘
電体によるバイモルフに比しその比率は1桁程度小さく
なつた。尚、実施例1で用いた磁器の電気機械結合係数
Kpを測定したところ電場Eが零においてKp=0であ
つた。この測定は次の方法で行なつた。実施例1で用い
たPb(Mg+Nb+)03磁器を、径12.6mm)
厚さ0.857nmの円板に加工し、両面に銀Agの電
極を被着させた後、室温でIRE規格(IEE規格)に
よる伝送法で磁器円板に直流バイアス電圧を加えながら
円板の広がり振動に対する電気機械結合係数Kpを求め
た。その結果は、第11図に示すように、バイアス電界
が10k’l/CmではKp二7.5%、バイアス電界
零でKp=0の結果となつた。したがつて、通常のBa
TiO3磁器やPb(Zr,Ti)03系磁器のような
強誘電体磁器のようにポーリングによつて圧電性を与え
ることは使用温度を室温程度とする場合には不可能であ
る。次に本発明の特徴を明確にするために、比較例とし
て、従来の強誘電体磁器を用いたバイモルフの例を挙げ
る。
比較例 1
誘電率6300、圧電定数D3l=330×1012C
/N)キユ一り一点141℃のPb(Zr,Ti)03
系強誘電磁器材料を用意した。
/N)キユ一り一点141℃のPb(Zr,Ti)03
系強誘電磁器材料を用意した。
この磁器材料の分極Pと電場Eの関係は第12図に示す
ような大きなヒステリシスを示す。また、誘電率の印加
電圧に対する関係も分域構造の変化を反映して第13図
に示すようなヒステリシスを示す。この磁器材料を、第
14図に示すように長さ26mm、幅4mm)厚さ25
0pxnの板状磁器板21に加工し、その両面にAu電
極22を蒸着し、燐青銅板23を挟んで貼り合せバイモ
ルフ構造とする。そして、その一端を固定し、遊端部の
長さが18mm1こなる様に固定し印加電界と変位の関
係を測定した。第15図にその測定結果を示すものでこ
の場合、大きなヒステリシスを示し、振れ幅104μm
に対し残留変位は13μm程度であり、その比率は12
.5%であつた。上述したように従来の電気・機械変換
素子としての圧電バイモルフは、強誘電体磁器を用いた
ため、バイモルフとして駆動する場合、印加電場により
、分域構造が変化し、残留歪即ち残留変位が生ずること
は避けられないものであつたが、本発明においては、使
用温度で常誘電体相にある磁器を用いたことにより、分
域構造による残留歪を回避することができた。
ような大きなヒステリシスを示す。また、誘電率の印加
電圧に対する関係も分域構造の変化を反映して第13図
に示すようなヒステリシスを示す。この磁器材料を、第
14図に示すように長さ26mm、幅4mm)厚さ25
0pxnの板状磁器板21に加工し、その両面にAu電
極22を蒸着し、燐青銅板23を挟んで貼り合せバイモ
ルフ構造とする。そして、その一端を固定し、遊端部の
長さが18mm1こなる様に固定し印加電界と変位の関
係を測定した。第15図にその測定結果を示すものでこ
の場合、大きなヒステリシスを示し、振れ幅104μm
に対し残留変位は13μm程度であり、その比率は12
.5%であつた。上述したように従来の電気・機械変換
素子としての圧電バイモルフは、強誘電体磁器を用いた
ため、バイモルフとして駆動する場合、印加電場により
、分域構造が変化し、残留歪即ち残留変位が生ずること
は避けられないものであつたが、本発明においては、使
用温度で常誘電体相にある磁器を用いたことにより、分
域構造による残留歪を回避することができた。
尚、本発明による常誘電相の磁器を用いる場合、強誘電
体磁器による場合に比し、変位量は小さくその感度は小
さいが、冒頭に述べたVTRの磁気ヘツドの位置合せ制
御等において用いる場合の変位量としては十分である。
尚、本発明に用いる磁器としては上述した例の外に、夫
々室温で常誘電相を示し、キユ一り一点が−120℃の
Pb(Nli−Nb−1−)03磁器、キユ一り一点が
−140℃のPb(CO+Ta÷)03磁器等を用い得
る。
体磁器による場合に比し、変位量は小さくその感度は小
さいが、冒頭に述べたVTRの磁気ヘツドの位置合せ制
御等において用いる場合の変位量としては十分である。
尚、本発明に用いる磁器としては上述した例の外に、夫
々室温で常誘電相を示し、キユ一り一点が−120℃の
Pb(Nli−Nb−1−)03磁器、キユ一り一点が
−140℃のPb(CO+Ta÷)03磁器等を用い得
る。
第1図は従来の電気・機械変換素子の斜視図、第2図は
その電界一変位量曲線図、第3図ないし第5図は夫々本
発明素子の例を示す路線的断面図、第6図は本発明の一
例に用いる磁器の誘電率の温度特性曲線図、第7図は同
様の磁器の電場と分極の関係を示す曲線図、第8図は同
様の磁器の誘電率の電界依存性を示す曲線図、第9図は
本発明素子の一例の構成図、第10図はその電界一変位
量9測定曲線図、第11図は本発明に用いる磁器の電界
一電気機械結合係数の測定曲線図、第12図は従来例に
用いる磁器の電界と分極の関係を示す曲線図、第13図
は同様磁器の誘電率の電界依存性を示す曲線図、第14
図は従来例の構成図、第15図はその電圧一変位量測定
曲線図である。 10は本発明による電気・機械変換素子、11は磁器板
、12a及び12bは電極、13は金属基板である。
その電界一変位量曲線図、第3図ないし第5図は夫々本
発明素子の例を示す路線的断面図、第6図は本発明の一
例に用いる磁器の誘電率の温度特性曲線図、第7図は同
様の磁器の電場と分極の関係を示す曲線図、第8図は同
様の磁器の誘電率の電界依存性を示す曲線図、第9図は
本発明素子の一例の構成図、第10図はその電界一変位
量9測定曲線図、第11図は本発明に用いる磁器の電界
一電気機械結合係数の測定曲線図、第12図は従来例に
用いる磁器の電界と分極の関係を示す曲線図、第13図
は同様磁器の誘電率の電界依存性を示す曲線図、第14
図は従来例の構成図、第15図はその電圧一変位量測定
曲線図である。 10は本発明による電気・機械変換素子、11は磁器板
、12a及び12bは電極、13は金属基板である。
Claims (1)
- 1 両主面に電極が被着され、使用温度範囲で常誘電相
にある高誘電率磁器板に、該磁器板と同一材の磁器板又
は他の基板が貼り合せられて成る電気・機械変換素子。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52146468A JPS5936440B2 (ja) | 1977-12-06 | 1977-12-06 | 電気・機械変換素子 |
GB7846885A GB2012106B (en) | 1977-12-06 | 1978-12-01 | Electro-mechanical transducers |
CA317,192A CA1125343A (en) | 1977-12-06 | 1978-12-01 | Dielectric electro-mechanical transducer |
NLAANVRAGE7811863,A NL185640C (nl) | 1977-12-06 | 1978-12-05 | Elektromechanische transducent. |
DE19782852795 DE2852795A1 (de) | 1977-12-06 | 1978-12-06 | Elektromechanischer wandler |
FR7834405A FR2411533A1 (fr) | 1977-12-06 | 1978-12-06 | Transducteur electromecanique |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP52146468A JPS5936440B2 (ja) | 1977-12-06 | 1977-12-06 | 電気・機械変換素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5478994A JPS5478994A (en) | 1979-06-23 |
JPS5936440B2 true JPS5936440B2 (ja) | 1984-09-04 |
Family
ID=15408311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP52146468A Expired JPS5936440B2 (ja) | 1977-12-06 | 1977-12-06 | 電気・機械変換素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5936440B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5528264U (ja) * | 1978-08-14 | 1980-02-23 | ||
JPS58173260U (ja) * | 1982-05-13 | 1983-11-19 | 日立電子株式会社 | Vtr用等のバイモルフ |
JPS6048260U (ja) * | 1983-09-10 | 1985-04-04 | 株式会社トーキン | 圧電変位素子 |
JPS6048259U (ja) * | 1983-09-10 | 1985-04-04 | 株式会社トーキン | 変位素子 |
JPH0658978B2 (ja) * | 1984-05-21 | 1994-08-03 | 株式会社村田製作所 | 圧電変位素子 |
JP4874419B1 (ja) | 2010-12-03 | 2012-02-15 | 株式会社アドバンテスト | スイッチ装置および試験装置 |
-
1977
- 1977-12-06 JP JP52146468A patent/JPS5936440B2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5478994A (en) | 1979-06-23 |
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