JPS5936267A - マスタ−とそれを用いる像形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、電子写真に関し、特に、透明な電子写真フィ
ルムｔ　ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ　ｅｌｅｃｔｒｏｐｈ
ｏｔｏｇｒａｐｈｌｃｆｉｌｍ　：　Ｔ　Ｅ　Ｐフィル
ム）　上に接触プリントを行なうことに関する。

ＴＥＰフィルムに一般をて、強くて透明で且つ形枦的に
安定な物理的な基体材料を含む。該材料とシテハポリエ
チレンテ１／フタレートが通常用イラれている。しかし
マ、そのような基体材料の片側に透明な！極が存し、該
電極は例えば酸化ズズの薄層°ま窺は金稿の超薄フィル
ムから成る。この透明電極の頂部に光鳩電性材料が層状
に付着される。

速度、分解能、透明度およびその他の所望の諸性質に関
するＴＥＰフィルムの特性は、光害′直性層のｍ成と調
製法に大きく依存する。

使用に当っては、ＴＥＰフィルムの光導電性層の表面に
暗中で均一な電荷が施される。これは、透明電極を接地
しながら、フィルムのｈ而をコロナ放電装置に露光でせ
、にとによって行なわれるのが一般である。該電極を接
地した′よ−よ（あるいｒＪ：、１４＋度、接地して）
、フィルムは像形状に応じた露光に供される。フ・「ル
ムのうち露光された部分仁ｒ−ｒ、−のり面電荷を喪失
し、該表面部分の電位が降下する。次いで、得られた静
電像はトナー粒子が施されることによシ現像され、トナ
ー像はトナー粒子を融着させることにより安定化される
のが通常である。

電子写真以外の写真技術においては、短時間の露光で広
い領域にわたり微細な複写が８幾とされるときには、接
触プリント法（接触印字法：ｃｏｎｔａｃｔ　ｐｒｉｎ
ｔｌｎｇｌが非常に有、＋１＋であることはよく知られ
ている。「接触プリント法」という語は、より厳密には
「近接プリント法＋ｎｅａｒ　Ｃｏｎｔａｃｔｐｒｌｎ
ｔｉｎｇ）　ｆ含むものとして使用されることが多い。

後者の方法においては、オリジナルま友はマスクとプリ
ント材料とが注意深く小距離に隔置される。しかしなが
ら、極めて細密な複写が要求されるときには、実施可能
な程度にマスクとプリントを接触または近接させると有
利である。

ＴＥＰフィルムを用いて接触プリント法を実施しようと
すると幾つかの問題が生じる。先ず、厳密なマスターは
、絶縁性基体（例えば、ガラス）に導電性の像エレメン
トを付着させることによって製造されるのが一般的であ
りえこの場合、ＴＥＰ衣面に形成された静電像は導電に
エリ劣化する。

マスクの像エレメント１Ｆｒ：ｖｔ気的に絶縁しても、
静電荷の移動は依然として生じる。この結果、「水滴ｔ
　ｗａｔｅｒｄｒｏｐｌｊ状のパターンが生じて所望の
像を破壊または劣化させてしまう。そのようなパタ本発
明は、上述のごとき問題全解消または改善することがで
きるようにし７ｔＴＥＰフイルムに接触シリンドを行な
うための装置と方法を提供せんとするものである。

本発明に従えば、その一つの態様として、透明な電子写
真フィルム（ＴＥＰフィルム）上での接触プリント法に
よる像移動に使用されるマスターであって、平らな表面
であって該表面に付着した像エレメントを保持する表面
金石する電気絶縁性の基体；および、前記平表面と前記
像エレメントを覆う薄くて透明な絶縁性層から成るマス
ターが提供される。

更に、本発明に従えば、その第二の態様として、ＴＥＰ
フィルム上での接触グリ／ト法による像移動に使用され
るマスターの調製法であって、（ａｌＫ気絶気絶縁体基
体らな表面に像を形成し；史に、（ｂｌ前記平らな表面
と前記像エレメントを覆うように電気絶縁性材料を付着
させて、薄くて透明な電気絶縁性層を形成することから
成る方法が提供される。

本発明に従えば、爽に、その第三の態様として、ＴＥＰ
フィルム上で接触プリントラ行なう方法であって、（ａ
）ＴＥＰフィルムの光導電性層の表面上に均一な表面電
荷を施し、（ｂ）ＴＥＰフィルムの前記荷電表面を、前
記の像保持マスターに接触または近接させ、（Ｃ１Ｍマ
スターを介してＴＥＰフィルムの荷！六面を露光し：更
に、（Ｃ１前記マスターを取り除き前記ＴＥＰフィルム
を現像することから成る方法が提供される。

一般的に、本発明のマスターにおける像エレメントに、
絶縁性表面（例えば、ガラス訝１ｋｌｌに付着した導電
性材料が存する領域によって形成される。像エレメント
が形成される材料としてはクロムが特に有用である。導
電性材料の薄層は、絶縁性基体と薄い絶縁性層との間に
おいて、像表面のウチ像エレメントを保持していない領
域を少なくとも覆うように形成されることが好ましい。

導電性材料から像エレメントが形成されるときには、薄
い導電性材料は薄くて透明な電極を形成して像工１／メ
ントと電気的に接触している。導電性材料が表面全体に
付着して、薄くて連続的な透明電極層を形成することが
できるようにすると一層有利である。そのような構成に
おいては、その薄くて透明な電極と像エレメントとは、
透明な絶縁性層と基体との間に挾持される。そのような
薄くて透明な電極の利点は、均一な電位の層を供するこ
とにより、接触グリント法の均一性を同一、ヒさせるこ
とができることである。接触グリント法が来施される場
合、該電極は、ＴＥＰ表面の露光領域に存する電位と非
露光領域に存する電位との中間の電位に、荷電されられ
る。採用する電位の値はＴＥＰフィルム性質に依存する
。すなわち、ＫｏｄａｋＳｏ−／θ／および５０−１０
．２　　のごとき市販の材料は、露光前に、約ＡＯＯＶ
に荷電させられ、一方、Ｊａｍｅｓ　Ｒｌｖｅｒ　Ｇｒ
Ｂρ旧ｃｓ社のＰ５−００３のごとき材′＃＋ｆ−５１
０θ０〜／Ｓθ０目ζルトに荷電させられる。マスター
の薄い透明電極をそのような中間電位に維持することに
より、ＴＥＰフィルムの任意の部分とマスターの表面と
の間の電位差ができるだけ小さくなる。像移動を近接プ
リント法により５１！施しようとする場合には、薄くて
透明なｔｚ絶縁性層を省くことも可能である。このこと
は、特に、薄くて透明な電極に付与される電位が、マス
ターの表面とＴＥＰフィルム表面の任意の部分との間の
電位が空気中のパッション限界値よりも低い場合に当て
はまり、微小間隙（但し、間隙が零ではない）がｔ向移
動を妨げる。

好ましい態様に従えば、本発明マスクの透明絶縁性層の
狭面は、該表面の基面より高い複数の隆起部分を有する
ように処理される。このとき６、隆起部分の面積は、該
透明絶縁性層の全表面積に比べて小きくする。該絶縁性
層が、電子ビームに感知するレソストまｆｃはホトレジ
スト材料から形成される場合には、電子ビームまたｅユ
光ビームのスキャンニングを制御することにより表面に
７Ｗｍ（１）隆起部分を与えることができる。この代り
に、多重ビーム干渉針を用い１単一の干渉像またに複数
の干渉像が重畳したものとして形成してもよく、この場
合には、暗いバックグランドに小間隙の光線が存在する
か、または、明るいバックグランドに小間隔の暗部線が
存在することがら成る干渉・平ターンが得られる。

透明な絶縁性層の表面に上述のごとき隆起部分を存在さ
せる目的は、マスターとＴＥＰフィルムとが接触プリン
ト法を夾施するために接触させられたときにそれらの間
に保持される電荷をできるだけ小さくすることにある。

隆起部分は、微小規模における表面の粗さに等しく、絶
縁性層の表面形状のピーク部以外の点においては電荷移
動は起こらない。表面の形状（７″ロフイル）を注意深
く制御することにより、ＴＥＰフィルムに接Ｍｆる隆起
部分の面積が、全表面積のうち極く僅〃≧しか占めない
ようにすることができる（過度の困難を伴なうことなく
、θ／％程度まで低くすることができる）。しかしなが
ら、表面形状（表面プロフィル）は、マスターの最も微
細な複写部より相対的に小さくなるようなスケールにす
ることが重要である。

ホトレジスト材料から成る絶縁性層上にプロフィルを有
する表面を形成する別の方法は、小泡性のジアゾ系複写
材料から成るシートを用いることである。該シート（こ
れは、マスターと同程度まｆｃはそれよりも大きい）を
充分に露光して現像する。よく知られているように、こ
れによって、多数の水泡が密に配置されたようになる。

これらの小泡の寸法は非常に小さく、一般的には／マイ
クロメータまたはそれ以下である。このように小泡状に
なつｆｃ衣表面ホトレジストの平滑層に接触または近接
させ、現像後の小泡性（ｖｅｓｉｃｕｌａｒｌソアゾ系
材料を介してホトレジストを露光し、次いで、該ホトレ
ソス）ｌ現像すると、ＴＥＰフィルムと良好に接触プリ
ントするのに充分な形状（７″′ロフイル）を有する表
面が得られる。

絶縁層のほぼ平滑な表面に、隆起部分を散在させる（但
し、全面積に対して少量を占めるようにする）ための更
に別の方法は、既知のフィルム形成性樹脂に少量の絶縁
性充填剤の粒子を添加したものを用いて、既知の任意の
手法に従って薄いフィルムを形成することである。但し
、樹脂の重量に対して充填剤粒子の重量をθ／Ｘ以下と
し、また、該充填剤の粒径は、最終的に得られるフィル
ムの平均厚さよりも僅かに大きくなる工うにしなければ
ならない。このようにすれば、充填剤粒子そのものが、
最終的に得られる絶縁材料層における隆起部分として４
ａ能する。

近接グリント法よりも接触プリント法の方が好ましく、
その理由は、近接プリント法は、高度の平々さ、および
、マスターとＴＥＰとを併行にすることが夾際には離し
いがらであシ、これに対して、接触プリント法（これは
マスターとＴＥＰフィルムとを積極的に接触させる）に
おいてはそのような難点は回避される。

本発明の理解を深めるために、以下に図面に沿って本発
明を説明する。

第１図に゛は、格子像を保持するマスターと接触させた
ＴＥＰフィルムの現像結果が示されている。

このマスターは、ガラス基体から成り、該基体は金網ク
ロムが沈着して形成されｆＣ像エレメントヲ保持してい
る。水滴状の特徴的′ｆｔパターンがそのようなプリン
トを使用不能にしている。

第２図においてに、本発明に従うマスターが示されてお
り、該マスターシュ、背面１１と前面１２どを有するガ
ラス基体１０から成り、それらの背面および前面はいず
れも平らで且つ平行になっている。マスター上の像は、
特定の領域においてクロムの不透明層の有無によって形
成されている。

クロムが存在する領域は３として示している。透明１Ｊ
電極４が基体の頂面１２全体を枝ってお９、この中Ｖ（
−像エレメント３を保持する領域が含筐れているｒ透明
電極４仁１クロムから形成されてもしく、像エレメント
３の厚さと透明電極４の厚さの間に充分な差が存するこ
とにより、前者が光学的に不透明であり後者が光学的に
透明となる。光学的に透明な絶縁行別５から成る層全体
が基体の上面全体を櫟っている。絶縁性層５の上部表面
は、該表面全体の大部分を占める基準面７を有すると共
に、様数の隆起部分６を杢している。ガラス基体１０の
上部表面１２から、基１１１面Ｔが均一な距離にあ、６
Ｌうにするため、ｆ永エレメント３を他う領域における
該絶れす性の厚さは、像エレメントが存在Ｉ７ない領域
をＩう場所の厚さよりも小さくなっている。絶縁性材料
５はホトレジストであり、隆起部分６は多重ビーム干渉
計を用い石手法によって均一な配直に形成されている。

隆起部分の目的は、ＴＥＰフィルムに対してマスターが
維持されて接触プリント法の実施が可能となるようにす
ると共に、マスター表面の大部分子をＴＥＰフィルムか
ら僅かに隔置することである。か＜　Ｌ、て、ＴＥＰ、
！：マスターとの間に電荷が保有さ７’Ｌる可能性（こ
れが生じると像をある程度′劣化させる）を最小にする
。

隆起部６を含む絶縁性層５は、像に要求される像の解像
度よりも小さくなるような厚さを有することが理想的で
ある。

前述のように、本発明の変形１様として、薄くて透明な
絶縁性層５を用いずに、薄くて透明な電極層（例えば、
４のごときもの）を採用し７てもよい。そのような態様
の利点は、マスターの製造が簡単になることである。

本発明の有用性が期待される領域の一つは、情報を密な
状態で貯蔵する場合でおる。オリジナルをマイクロコピ
ーとして保有することにより情報の貯蔵量が減少され得
ることはよく知られている。

そのような手法においては、−片の記録材料が多頁のＩ
ｊＡ稿を縮小状態で含有していることがある。

このような分野における装置と方法の例は、本発明と同
一人の出願に係る英国特許出願第１１１１３２９号、第
ｇ／、２２’１３６号お工び第ｇ／１２’？３７号に記
載されている。二次元の座標系により情報の特定の頁の
位置を求めると便ｙＦすなことが多い。

デカルト座標°または極座標が最も一般的に用いられて
いるが、特定の用途においても他のものが有利なことも
ある。記録のＭ、取装置や打出装置の多くにおいては、
座標系を、そのような装置の一部として、または該装置
の追備手段とするよりも記録の一部とする方が便利であ
る。したがって、広い領域にわたって正確で高解像度の
像を形成することが要求され、したがって、接触プリン
ト法が要求される。更に、一連の複写操作において多数
のＴＥＰフィルムの空白に座標系を付すことにより、後
に別の情報を加えることもできる。本発明のマスターは
、上述のごとき大規模の一連の複写操作に用いられるの
に好適であると考えられる。

本発明を更に第３図に沿って説明する。第３図は、本発
明に従うマスターとＴＥＰフィルムを有する像形成装置
の一部拡大断面図である。マスターは、第２図に示され
たものとはｔ″！同じものであり、第２図と同じ番号に
同じ部材を示す。しかしながら、第３図の態様において
は、上述の水泡性ジアゾ系材料を用いた方法により形成
されたホトレジストを絶縁性Ｎ５に用いている。ＴＥＰ
フィルムに光導を体層１４を有し、その表面１８が荷電
され像露光されることになる。図には、史ｅこ、基体層
１５、および、層１４と１５との間に存する透明な電極
層１９が示されている。核層は導線２１を介して接地さ
れている。

マスター１０の透明電極層４は、導線２０を介して電圧
源（Ｖｌに接続され、該電圧源の他端は図示のように接
地されている。

ＴＥＰフィルムは、マスターと連続気泡発泡体・セット
１６との間に維持され、該・平ツド（ｌ剛性の基板１７
上に取付けられている。発泡体１６は丸味を帯びるよう
に成形されることにより、丁ＥＰフィルムに対してマス
ク−が配置されたときに、ＴＥＰフィルムとマスターと
の間に空気が存在しなくなる（この空気があるとＴＥＰ
フィルム内に形成された像が劣化する）。

マスターは、電圧源（Ｖｌにより適当な電位に維持され
、ＴＥＰの導電性ｗｉ１９は前述のように導線を介して
接地されている。この接続は像絡光ステーションから陥
れたところで行なわれるのが一般的であるが、図におい
ては説明上近傍に示している。

次いで、ガラス上にクロムが存することから成るマスタ
ーを介して、ＴＥＰフィルムの像露光が行なわれる。隆
起部６′Ｉｒ：Ｍする絶縁性層５は、マスターとＴＥＰ
フィルムとの間に保有される電荷を防止するか、少なく
とも激減させる。

錐光後、ＴＥＰフィルムは露光ステー’／　Ｅ　７　力
対応する複写が得られる。第３図に示す構成に従えば、
ｓｔｙ意に劣化させることなくマスターの厳密な複写を
得ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来の方法によりＴＥＰフィルムに接触シリ
ンドを行なった場合のパターンの７例を示すものである
。 第一図は、本発明のマスターの一部断面図である。 第３図は、本発明のマスターを用いる像形成装置の一部
断面図である。 ３・・・像工し・メント　　　５・・・透明絶縁性層６
・・・隆起部分　　　　１０・・・基体手続補正書（方
式）５８．９．２０ 昭和　　年　　月 特許庁長官　若　杉　和　夫　殿 １、事件の表示　　　　昭和５８年特許願第８７３７８
号２、発明の名称　　　　マスターとそれを用いる像形
成方法３、補正をする者 事件との関係　　出願人 ４、代理人

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　？ｆ！Ｌ明な電子写真フィルム（ＴＥ’Ｐフ
   ィルム）−とでの接触グリント法による像移動に使用さ
   れるマスターでおって、平らな表面であって該表面に付
   着し′ｆＣ像エレメントを保持する表面を有する電気絶
   縁性の基体；あ・よび、前記平表面と前記像エレメント
   を覆う薄くて透明な絶縁性層から成るマスター。 （２）前記平らな表面と、前記の薄くて透明な絶縁性層
   との間に、前記表面のうち像エレメントを保持していな
   い領域を少なくとも榎うように、薄くて透明な電極が付
   着されている前記第７９４記載のマスグー。 （３）　　像エレメントが導電性材料が存する領域によ
   って形成され、また、前記の薄くて透明なｔ極が該像エ
   レメントと電気的に接触している前記第一項ｌ己載のマ
   スター。 （４ｔＪ　　ＦＧ記の薄くて透明な１！極が、前記像エ
   レメントと、前記表面のうち像エレメントを保持してい
   ない領域とを被覆している連続的な層である前記第２項
   または第、？項Ｈ己載のマスター。 （５）　　前記の透明な絶縁性層の表面に、基′１＄面
   と該基準（３）エリも高い隆起部分どが構成され、該隆
   起部分の面積が、該透明な絶縁性層の全表面積に比べ１
   小さくなう−〔いる前記第１項、第二項、第３項ま７’
   Ｃは第９項記載のマスター。 （６）ＴＥＰフィルム上での接触プリント法ニよる像移
   ｌ＆ｔｔｌＶＣ便用されるマスターの調製法でおって、
   （ａｌ電気絶縁性基体の平らな表面に１Ｊ、全形成し；
   更に、（ｂ）前記平らな表面と前記像エレメントを棲う
   ように電気絶縁性材料を付着させて、薄くて透明な電気
   絶縁性Ｉ−を形成することから成る方法。 （７）　　前記の薄くて透明な電気絶縁性層を付着させ
   る前に、少なくとも、前記表面のうち隊エレメントを保
   持していない領域′４ｒ：ａうように、導電性材料から
   成る薄層を付着させる前記第６項記載の方法０ （ｇｌ　　前記像エレメントが導電性材料で形成され、
   前記の導電性材料から成る薄層が、咳像エレメントと電
   気的に接触するように付着される前記第７項記載の方法
   。 （ワ）　前記の導電性材料が前記表面の全体を櫟って薄
   ＜−Ｃ連続的な透ゆ」電極層を形成する前記第ｇ項Ｈ己
   載の方法。 （１０）透明な絶縁性層の表面が処理されて、該表面の
   基準面よりも高い秒数の隆起部分を形成し、該隆起部分
   の面積が該透明な絶６性層の全表面積に比軟して小きく
   する前記第６項、第７項、第に項まｆＣｔユ第９項記載
   の方法。 （／／）絶縁性層が、電子ビームに感知するレノストま
   ｆｃは元レノスト材料ηλら形成されている前記第６項
   、第７項、第ｇ項、第９項または第７０項記載の方法。 （／、２）前記隆起部分が、スキャンユング法または干
   渉針法によつ−Ｃ形成される前記第７７項に！ｉｉ２載
   の方法。 （／３）透明な絶縁性層がホトレノスト材料から成り、
   咳透明な絶縁性層の表面処理が、（ａ）小泡性のジアゾ
   系複写桐料から成るシートを１°ル光し、得られた露光
   層を現像し、（ｂ）前記ジアゾ系材料から成る現像後の
   層を、ポトレソスト層に接触または近接させて配置し、
   ｆｃ）前記ジアゾ材料の現像後の属音介して、ホトレノ
   ストｆ１′に光し、更に、（（漫絽光後のホトレジスト
   属音机像することから成る前記第７０瑣４己載の方法。 ｔ／！１ｔ＋透明な絶縁性層が、電気絶縁性充填剤月相
   粒子を０／重ｌ：に甘で含肩するフィルム形成性の樹脂
   から形成され、該充填剤粒子の粒径が、透明な絶縁性フ
   ィルムの最終的な厚さよりも僅かに大きい前記第１０項
   記載の方法。 ｔ１５）ＴＥＰフィルム上で接触ｆ　リントラ行なう方
   法であって１ａｌＴＥＰフイルムの光導電性層の表面上
   に均一な表面電荷を施し、（ｂ）　Ｔ　Ｅ　Ｐフィルム
   の前記荷電表面を、前記の第７項から第５項に記載の像
   保持マスターｒこ接触または近接させ、（Ｃ）該マスタ
   ーを介してＴＥＰフィルムの荷電表面を露光し；更に、
   （４前記マスターを取り除き前記ＴＥＰフィルムを現像
   することから成る方法。 （／６）　明細書に來質的に記載されたＴＥＰフィルム
   上に接触プリントを行なう方法。 （／り）明細書に異質的に記載されたＴＥＰフィルム上
   に接触プリントを行なうのに使用されるマスターの調製
   方法。 （／ざ）明＃Ｉｌｌ省および図面にＨピ載されたＴＥＰ
   上での接触プリント法により像移動を行なうのに使用さ
   れるマスター。 （／９）透明な絶縁性層が省力・れる前記第２項、第３
   項またに第り項に記載のマスター。