SU1081619A1 - Способ получени растрированного электрографического фотоносител - Google Patents

Abstract

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РАСТРИ РОВАННОГО ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКОГО ФОТСи (НОСИТЕЛЯ, содержащего слой фоточзпвствительного полупроводника, заключающийс  в образовании в фо очувст I a««,.lk..; вительном слое периодической электрической неоднородности, отличающийс  тем, что, с целью повышени  экономичности получени  носител , периодическую электрическую неоднородность формируют путем экспонировани  на носитель оптической растровой картины при величине экспозиции , достаточной дл  образовани  , фазовых превращений в слое, причем в качестве материала фоточувстительного сло  ис ользую.т стеклообразный халькогенид мышь ка.

Description

00 С35

со Изобретение относитс  к электрофотографии , в частности касаетс  технологии изготовлени  растрированного носител  информации, примен емо го в системах записи и обработки информации . Известен способ получени  растрированного электрографического фотоносител , содержащего слой фоточувст вительного полупроводника, заключающийс  в образовании в фоточувствительном слое периодической электрической неоднородности t1 3. Создание растра с высоким разрешением в виде периодической электрической неоднородности путем дисперги ровани  в высокоомном фотопровод щем слое однородно распределенных низкоомных участков в виде точек или линии вызьшает значительные технологические трудности и требует больших экономических затрат. Целью изобретени   вл етс  повышение экономичности получени  растрированного электрографического фотоносител . Поставленна  цель достигаетс  тем что согласно способу получени  растрированного электрографического фотоносител , содержащего слой фоточувствительного полупроводника, заключающемус  в образовании в фоточувствительном слое периодической электрической нeoднopoднocfи, послед нкио формируют путем экспонировани  на носитель оптической растровой картины при величине экспозиции, достаточной дл  образовани  фазовых превращений в слое, причем в качестве материала фоточувствительного сло  используют стеклообразньй халькогенид мьшь ка. Дл  создани  оптической растровой картины используют когерентное излучение с длиной волны в области актив него поглощени , которое при экспонировании вызьшает увеличение электропроводности освещенных мест фотополупроводникового сло  и в нем образуетс  линейный растр поперечной электропроводности в виде модул ции последней в соответствии с распределением интенсивности в проецируемой интерференционной картине. Указанные необратимые изменени  электропроводности вызьгааютс  фотоструктурными превращени ми в полупроводниковом слое, возникающими под действием когерентного излучени , что и ириводит к образованию растра в виде модул ции электропроводности фотополупроводника . Запис-ь растровых изображений в соответствии с предлагаемым способом осуществл ют следующим образом. Дл  получени  линейнорастрированного изображени  на фототермопластический носитель, содержащий подложку из полиэтилентерефталата, провод щий слой, фоточувствительньй слой из стеклообразного халькогенида мышь ка , термопластический слой, проеЦи1руют интерференционную картину, обI разованную двум  сход щимис  когерентными лучами. Длину волны излучени  выбирают из интервала значений 0,,7 мкм, соответствующих области активного поглощени  фотополупроводника; а экспозицию 0 ,1-1 Дж/см , достаточную дл  по влени  фотоструктурных превращений в фотополупроводнике, привод щих в свою очередь к изменению поперечной электропроводности последнего в местах засветки. Вследствие того, что при интерференции сход щихс  волн проецируемое световое поле промодулировано по интенсивности в виде растра, то и распределение областей с пониженной (повьш1енной) электропроводностью в фотополупроводниковом слое будет представл ть собой линейный растр. Полученньш образец фототермопластического носител  с модулированным по электропроводности полупроводниковым слоем можно примен ть дл  записи оптического изображени , использу  последовательный или одновременный способ фототермопластической записи, причем в отличие от обычной записи, когда изображение формируетс  за счет хаотической морозной или луночной деформации свободной поверхности термопластического сло , деформирование. поверхности термопластика в соответствии с предлагаемым способом начинаетс  в местах повышенной электропроводности фотополупроводника , отвечающих впечатанному ранее растру. Пример. Запись растрового изображени  провод т на носителе, основой которого служит модифицированньй полиэтилентерефталат, толщиной 60 мкм. На основу нанос т прово-г;

310

д щее хромовое покрытие проводимостью 5-102 Ом/см . Фоточувствительный слой вьшолнен из материала, содержащего 70% AsjSe-n 30% As,Se, ,As,S,

о .-i 30.5 2 Зд и имеет удельное сопротивление .

7,6 Ю Ом-см, толщину 2,1 мкм И кратность фотоответа . Термопластический слой сополимера БМК-50 выполнен толщиной 1,8 мкм. На пленку проецируют интерференционную картину , образованную когерентными лучами , сход щимис  под Q 5°30, что соответствует пространственной частоте линий пор дка 300 мин/мм. Величина экспозиции составл ет 1 Дж/см. Затем одновременным способом на пленку записывают изображение объекта. При этом напр жение короны выбирают равным 5 кВ,- температура образца при записи 75 G.

Нар ду с линейчатым растром описываеньш способ позвол ет также производить точечное растрирование изображени . Дл  этого фототермопластический . носитель помещают в область интерференции двух сход щихс  лазерных лучей и подвергают действию экспозиции , равной половине величины экспозиции, необходимой дл  получени

194

линейчатого растра. Затем образец фототермопластического носител  (или проецируема  интерференционна  картина) поворачивают в своей плоскости на некоторый угол оС и вторично подвергают такой же экспозиции. В результате в слое полупроводника образуетс  два наложенньк линейчатых растра электропроводности со взаимной ориентацией, определ емой углом ot. Если на таком образце последовательным или одновременным способом осуществить фототермопластическую запись оптического изображени , то последнее будет сформировано деформацией поверхности термопластика луночного типа, причем центры лунок , формирующих изображени , располагаютс  в точках пересечени  засвеченных участков двух упом нутых линейных растров. Мен   взаимную ориентацию впечатанных линейных растров можно получить регул рную деформацию термопластического сло  различной геометрии.

Таким, образом, предлагаемым способом создаетс  экономична  технологи  получени  растрированного фотоносител  при высоком разрешении.

Claims (1)

1. СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РАСТРИ* · РОВАННОГО ЭЛЕКТРОГРАФИЧЕСКОГО ФОТО* IНОСИТЕЛЯ, содержащего слой фоточув— ствительного полупроводника, заключающийся в образовании в фоточувст- вительном слое периодической электрической неоднородности, отличающийся тем, что, с целью повышения экономичности получения носителя, периодическую электрическую неоднородность формируют путем экспонирования на носитель оптической растровой картины при величине экспозиции, достаточной для образования , фазовых превращений в слое, причем в качестве материала фоточувстительного слоя используют стеклообразный халькогенид мышьяка.