SU1056126A1 - Способ записи оптической информации на электрофотографическом носителе - Google Patents

Abstract

f. СПОСОБ ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ НА ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКШ НОСИТЕЛЕ, содержащем два фотопроводHHKO ix сло  с несовпадак хими спекrpajtbwiom характеристиками, включающий электрическую сенсибилизацию носител  и проецирование на него изображений объекта и оптического растра , отличающийс  тем, что, с целью повьппени  разрешающей способности записи, проецирование изображений объекта и оптического растра осуществл ют в различных спектральных област х излучений активных дл  фотопроводниковых слоев. 2. Способ по п. I, о т л и ч а ющ и и с   тем, что при проецировании изображений объекта и оптического растра используют спектральные области излучени  с длиной волны соответственно 550-700 и 440-450 им.

Description

о ел

Изобретение относитс  к способам записи оптической информации на элек трографические носители. Известен способ записи оптической информации на электрофотографическом носителе, содержащим два фотопроводниковых сло  с несовпадающими cnekтральными хар.актеристйками, включающий электрическую .сенсибилизацию носител  и проецирование на него изображений объекта и оптического раст .Ра.1.3. , . . Недостатком известного способа записи оптической, информации на элек трофотографическом носителе  вл етс  низка  разрешаклца  способность записи . . Целью изобретени   вл етс  повыше ние разрешагацей способности записи оптцческой информации на электрофотографическом носителе. Поставленна  цель.достигаетс  тем что согласно способу записи оптической информации на электрофотографическом носителе, содержащем два фото проводниковых сло  с несовпадающими спектральными характеристиками, вклю чающий э/гектрическую сенсибилизацию носител  и проецирование на него изо ражений объекта и оптического р:астрй проецирование изображений объекта и оптического растра осуществл ют в ра личныхспектральных област х излучет НИИ, актиничных дл  фотопроводни.ковых споев. . . . При этом при проецировании изрбрат жений объекта и оптического растра используют спектральные области .излучени  с длиной волны соответственг но 550-700 и 440-450 нм. . Способ осуществл ют следущйм об |разом. . . . , Провод т электрическую зар дку электрофотографичейкого носител , со держащего два фотопроводниковых сло  с несовпадаклцими спектральными харак теристиками, а именно с максимумом фоточувствительности в спектральном диапазоне излучени  объекта и с макси|у|умом фоточувствительности к модулируемому излучению и поглощающего это излучение, термопластического сло .. . После интервала времени &t относительно начала зар дки поверхнос .ти, за которьй устанавливаетс  распределение потенциалов между носител  в соответствии с ведичинами . сопротивлений слоев, проецируетс  моду.г1ируемоЕ излучение на фотопроводниковый слой-носител -с максимумом фоточувствительности к длине волны этого излучени  и полностью его поглощающему . В результате продолжающегос  процесса .зар дки и фотопроводимости этого фотопроводникового сло  на поверхности термопластического сло  образуетс  электростатический контраст, соответствующий картине модулируемого излучени . При достижении на освещенных модулируемым .излучениемучастках носител  критического потенциала образовани  регул рной деформации через интервал времени Аt2 отиссительно начала зар дки ( -At) на фотопроводниковый слой наход щийс  в контакте спровод щим электродом проецируетс  изображение объекта. В освещенных участках изображени  происходит снижение электрического сопротивлени  фотопроврдника , фоточувствительного к иэлученчю .объекта. В св зи с тем, что скорость формировани  деформации термопластического сдо  увеличиваетс  .- с уменьшением сопротивлени  фотопро- . ,- на участках термопластика, , соответствующих освещрнньм участкам изображени , происходит более быстрое образование рельефа, соответствую- : щего .электростатическому контрасту вызванному модулируемым излуч.ением. Чем вьплё .освещенность изображени  , тем больще глубина промодулирован- ного рельефа термопластического оло , что соответствует no3HTjHBHaMy процессу записи. В процессе регистраг ции нар ду с зар дкой поверхности носител  осуществл етс  тепловое про вление. . ,. Увеличение светочувствительности достигаетс  за счет резонансно- го растрировани  термопластического Сло  при проеци ровании модулируемого излучени  и позитивностью процес- са записи. Увеличение разрешающей способности достигаетс  за счёт сужени  области спектрального излучет ни  объекта, необходимого дл  искгаочени  вли ни  этого излучени  на фотопроводниковый слой, чувствительный К модулируемому излучению. В результате сужени  интервала длин волн регистрируемого излучени  объекта воз растает разрешанлца  способность объектива за счет уменьшени  .хроматических аберраций, и как следствие, увеличиваетс  разрешакща  способность системы объектив - носитель одновременно с увеличением чувствительности носител . . На фиг. 1 приведен носитель информации , предназначен п.1й д.п  осуществлени  способа; на фиг, 2 и 3 то же, варианты носител . Носитель.информации включает лавсановую прозрачную основу 1, на которую, .нанос т . прозрачный провод пщй электрод 2, На проэрачньп электрод нанос т фотопроводниковый слой 3, фоточувствительный -в спектргшьной области излучени  объекта. На него нанос т фотопроводниковый слой 4 нечувствительный к .излучению объекта, имек ций максимум фоточувствительности .к модулируемйму, излучению. Этот слой имеет толщину при которой модулируёмоге излучение поностью погло- щаетс  и не воздействует на фотопрр- .водниковый слой 3. Верхний слой 5 но сител  выполн ют из термопластическо го материала с толщиной, обратно про порциональной частоте модулируемого излучени . , На фиг. 2 представлен другой вариант расположени  слоев носител  В этом случае на фотопроводниковый слой.З нанесен термопластический сло 5t, а внешним  вл етс  фотопроводнико вый слой 4, На фиг, 3 представлен вариант вы ,полнени  носител  информации, когда .слой 4 выполнен в виде двух подслоев 6 и 7. Толщины фотопроводниковых ело ев пор дка 2 мкм, те;рмопластического сло  пор дка 1 мкм. П р-и м е р 1, Используют носиг тель информации, состо щий из прозрачной лавсановой основы, прозрачного электрода , фотопроводникового , сло  селешеда мышь ка, леги рованного галлием толщиной 2 мкм фотопроводникового сло  сульфида М|1т1ь ка толщиной 1 ,8 мкм и термоплас тического сло  бутилметакр ата со стиролом толщиной 0,9 мкм. Перед записью осуществл ют нагрев носител  до . Затем провод т зар дку свободной поверхности носите л  в поле коронного разр да, подава  на корронирукиций электрод отнр ,ситеЛьно провод щего электрода носи тел  потенциал 4,5 кВ. Через At 0,2 с после подачи высокого напр жени  на носитель со стороны термолластйческого сло  на фото про водни-. новый С.ПОЙ проецируют модулируемое излучение, в данном случае интерференционную решетку с пространственной частотой 800 л/мм, образованную двум  сход щимис  под углом пучкам когере.нтного излучени  от лазера типа ЛГ-63 с длиной волны излучени  441 нм. Сульфид мышь ка имеет максимум фоточувствительности в области этой длины волны. За счет фотопроводимости , сульфида мьш1ь ка на термопластическом слое в процессе зар дки когсител  происходит формирование электростатического контранста линий интерференционной решетки и через 1,5 с после момента включени  потенциала на термопластическом слое образуетс  пороговый потенциал об- разовани  регул рной деформации. Когерентное излучени  441 нм, образующее интерференционную решетку, полностью поглощаетс  в слое сульфида мышь ка толщиной 1,8 мкм и не воздействует иа второй фотопроводниковый слой селенида мьшь ка, легированного таллием, ртот слой играет роль активного сопротивлени  (фотозатвоца I. Име  довольно высокое темновое сопротивление (р 10 Ом-См) он ограничивает скорость формировани  дифракционной решетки на термопластическом слое. В момент достижени  Hsf поверхности термопластического сло  критического потенциала образовани  регул рной деформации на фотопроводниковый СЛОЙ .селенида мьш1ь ка, легированного т.аллием, через врем  At2 ,5 с относительно начала зар дки проецируетс . объективом изображение объекта. Причем проецирование осуществл ют через светофильтр, отрезающий коротковолновую часть излучешш. Спектральный диапазон про1ецируемаго излучени  находитс  в диапазоне : длин, волн 550: -800 нм. В этом спектральном диапазоне сульфид мышь ка имеет очень малую фоточувствительность, и излучение от объекта на него практически не воздействует. Однако слой селенида мышь ка, легированного таллием, в диапазоне длинн волн 550:-800 нм имеет максимум спектральной чувствительности . . . При проецировании изображени  со средним уровнем энергии Дж/см его сопротивление резко снижаетс  и освещенных участках, что ускор ет

ормирование рельефа дифракционной ешетки на термопластическом слое. Чем больше, освещенность элемента . изображени , тем быстрее происхо-; дит образование рельефа и тем боль- 5 та  глубина его достигаетс  за врем  зар дки носител . Потенциал на коронирук цем электрод и выключаетс  через 0,5 с после включени  излучени  от объекта. Общее врем  зар д- 10 ки носител  составл ет 2 с. При отключении высокого напр жени  носитель охлаждаетс  до комнатной температуры , в результате .чего фиксируетс  рельефно-фазовое растрирован- fs кое позитивное изображение на термопластическом слое.

И р -и м ер 2. Носитель информа ции выполн ют из прозрачной лавса|новой основы, на которую нанос т про-20 зрачньй электрод На прозрачный электрод нанос т фотопроводниковый слой As2S, на него наноситс  фотопроводниковый слой 4. Верхним слоем носител   вл етс  слой тер-25 мопластическогх материала, например бутилметакрилата со стиролом. Толщина слоев: фотопроводниковый слой 2-2,5 мкм, фотопровод шковый слой 0,8-1 ,5 мкм, термопластический слой Q 0,9 мкм.

П р и м е р 3. Носитель информации содержит те же слои, что и в примере 2. Фотопроводниковый слой выполн ют из 5% Те толщиной 2,5-3 мкм. Фотопроводниковый слой выполн ют из ЭпЗ толшриной 1-1,2 мкм.

26,6

П р и м е р 4. Носитель информации содержит те же слои, что и в примере 2. Фотопроводниковый слой выполн ют из Se +5% SbTe толщиной 3 мкм. Фотопроводниковый слой выполн ют из PSe 1 ,5 мкм.

Пример 5, Носитель информации содердат те же слои, что и в примере 2. Фотопроводниковый слой выполн ют из CdTe толщиной 3 мкм. Фотополупроводниковый слой выполн ют из ZnSe толщиной ,3 мкм.

П р и м е р 6. Носитель ийформации содержит те же слои, что и в примере 2, Фотопроводниковый слой выполн ют из CdTe толщиной 3 мкм, Фотопроводниковый слой выполн ют из PSe толщиной i,5 мкм.

Пример, Носитель информации вьтолн ют из прозрачной лавсановой основы, на которую нанос т прозрачный электрод . На прозрачный электрод нанос т Фотопроводниковый слой сульфцда мьшь ка, легированного таллием, толщиной 2 мкм, на него нанос т термопластический слой бутшжетакрилата со стиролем толщиной 0,9 мкм. Верхним слоем носител   вл етс  фотопроводниковый слой сульфеда мьшь ка толщиной 2 мкм.

Использование предлагаемого способа регистрации изображений и носител  дл  его осуществлени  позвол ет получить позитивный процесс записи , высокую величину светочувствительности 10®Дж/см, , высокую разрешающую способность системы объектив-носитель . (500 л/мм К

Claims (2)

1. СПОСОБ ‘ЗАПИСИ ОПТИЧЕСКОЙ ИНФОРМАЦИИ НА ЭЛЕКТРОФОТОГРАФИЧЕСКОМ НОСИТЕЛЕ, содержащем два фотопроводниковых слоя с несовпадающими спек- ', тральными характеристиками, включающий электрическую сенсибилизацию но- : сителя и проецирование на него изоб ражений объекта и оптического раст’ра, отличающийся тем, что, с целью повышения разрешающей способности записи, проецирование изображений объекта и оптического растра осуществляют в различных спектральных областях излучений активных для фотопроводниковых слоев.

2. Способ по π. I, о т л и ч а ющ и й с я тем, что при проецировании изображений объекта и оптического растра используют спектральные области излучения с длиной волны соответственно 550-700 и 440-450 нм.

ND □5 >

X