SU1254425A1

SU1254425A1 - Способ записи прозрачного рельефного изображени

Info

Publication number: SU1254425A1
Application number: SU843799145A
Authority: SU
Inventors: Вадим Александрович Макарычев; Леонид Иософович Нюнько
Original assignee: Предприятие П/Я Г-4602
Priority date: 1984-10-09
Filing date: 1984-10-09
Publication date: 1986-08-30

Abstract

Изобретение относитс к способу записи прозрачного рельефного изображени и позвол ет повысить качество записи. Фототермопластический слой (ФС) подложки, в качестве которой используют полиэтилентерефталатную пленку с паказателем преломлени г, 1,6, равномерно зар жают и экспонируют на него уменьшенное оптическое изображение. Производ т тепловое про вление скрытого изображени . На поверхности ФС возникает фототермопластическое изображение с характерным рельефом. Образуютс выпуклые цилиндрические микролинзы, которые фокусируют проход щий через них световой поток в подложке. Деформацию высоты рельефных штрихов получают на ФС при записи на нем негат ивного изображени . Зар жают ФС и экспонируют на него негативное изображение. Про вл ют импульсы экспонированием инфракрасным светом, происходит выпучивание ФС под разр женными штриховыми элементами и возникает рельеф в форме бугров над ровной поверхностью ФС. с S (/)

Description

Изобретение относитс к электрографии , а именно к способам регистрации информации, в частности к фототермопластической записи, используемой в микрофильмировании.

Цель изобретени - повышение качества записи.

Пример. В качестве подложки фототермопластического сло (ФС) используют полиэтилентерефталатную пленку с показателем преломлени ,6.

ФС подложки равномерно зар жают и экспонируют на него уменьшенное изображение . Далее производ т тепловое про вление скрытого изображени , в результате чего на поверхности фототермопластического сло возникает фотопластическое изображение с характерным рельефом. Образуютс выпуклые цилиндрические микролинзы (в случае негативного изображени ), которые фокусируют проход щий через них световой поток в подложке,

Параметры рельефообразных штрихов а (ширина) и h (амплитуда) удовлетвор ют соотношению:

(n-1) f d, (1)

f - фокусное рассто ние микролинзы;

k - коэффициент, завис щий от формы рельефа штриха;

d - толщина подложки;

п - показатель преломлени подложки .

При расчете по формуле (1) получают , что при толщине подложки 175 мкм (одна из характерных толщин выпускаемой лавсановой, т.е. полиэтилентерефталатной пленки) высота рельефообраз- мого негативного изображени 9 мкм. ных штрихов равна 1.,9 мкм (при ,6), Расчет высоты рельефообразного штриПример 2. Способ записи с уменьшением 42 на тех же фототермопластических материалах по примеру 1. Характерна ширина штрихов записывае

что соответствует форме деформации штриха близкой к синусоидальной. Деформацию такой высоты получают на ФС при записи на нем негативного изобра- жени . Дл этого используют ФС толщиной 18 мкм, зар жают его до напр женности пол 50 В/мкм (или до потенциала 900 В). После зар дки на

ФС экспонируют негативное изображение 50 3-5 раз. Запись осуществл ют на но (светлые штрихи на темном фоне) с экспозицией 2 - 10 лк с, в результате чего штриховые элементы разр жаютс ниже уровн фонового зар да. Про вление осуществл ют импульсным экспонированием инфракрасным светом в тече- 1ГИИ 1с при мощности импульса 1 ВТ/см. При про влении происходит выпучивание

ФС под разр женными штриховыми элементами и возникает рельеф в форме бугров над ровной поверхностью сло . Из-за сравнительно низкой напр женности пол хаотические морозные деформации на поверхности ФС не образуютс . Микрофотометрирование распределени интенсивности светового потока (коллимированный световой поток белого света, создаваемый осветителем от микроскопа), проход щего в плоскости внешней поверхности подложки показывает , что увеличение интенсивности под рельефообразным штрихом в среднем превышает интенсивность фона в 3 раза, а колебани интенсивности фона не превышают 10%.

Дл записи полученного прозрачного рельефного изображени с уменьшением используют носитель с приёмным ФС толщиной 4 мкм, зар жают его до 300 В. Затем носитель привод т в контакт с подложкой ФС и осуществл ют экспонирование . Врем экспонировани составл ет 2-Зс при освещенности фона 100 лк.

Получают скрытое изображение, которое про вл ют обращенным жидким про вителем. Про вленное изображение имеет амплитудный характер. Воспроизведение про вленного изображени осуществл ют в объемных читальных аппаратах .

Пример 2. Способ записи с уменьшением 42 на тех же фототермопластических материалах по примеру 1. Характерна ширина штрихов записываеха при той же толщине подложки 175 мкм по формуле (1) дает величину 0,5 мкм. Такой рельеф может быть получен на ФС с толщиной 3,5 мкм, который зар жают до напр женности пол 100 В/мкм, при экспозиции 10 лк. с. Превышение интенсивности света в плоскости подложки над фоновой лежит в пределах

ситель, в качестве которого используют везикул рную микрофишную пленку. В качестве источника освещени используют лампу ДКС111-200, спектр излу- чени которой богат УФ- и синими лучами. Про вление изобра- жени осуществл ют путем нагрева везикул рной пленки до 100 С.

3. 12544254

Claims

Формула изобретени щим экспонированием, причем толщину

подложки фототермопластического сло

Способ записи прозрачного рельеф-определ ют из соотношени : ноге изображени , сформированного

на фототермопластическом слое, нане- s сенном на подложку, включающий экспо- kh In-TJ нирование приёмного фоточувствительного носител регул рным световымгде а - ширина линий рельефного изоб- потоком и про вление носител , о т - ражени ;

личающийс тем, что, с О h - высота (глубина) линии ре- целью повьтепа качества записи, под-льефа фазового изображени ; ложку фототермопластического сло k - коэффициент формы рельефа; привод т в контакт с приемным фото- п - показатель преломлени под- qyвcтвитeльным носителем с последую-ложки.