JPS5935183A - 高速増殖炉 - Google Patents
高速増殖炉Info
- Publication number
- JPS5935183A JPS5935183A JP57145640A JP14564082A JPS5935183A JP S5935183 A JPS5935183 A JP S5935183A JP 57145640 A JP57145640 A JP 57145640A JP 14564082 A JP14564082 A JP 14564082A JP S5935183 A JPS5935183 A JP S5935183A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- control rod
- assembly
- fuel assembly
- fast breeder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/30—Nuclear fission reactors
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は内部ブランケット燃料集合体を炉心燃料集合体
の間に介挿した非均質炉心構造の高速増殖炉に関する。
の間に介挿した非均質炉心構造の高速増殖炉に関する。
高速増殖炉の炉心は、一般に、核分裂性物質を含む炉心
燃料集合体と、中性子を徴収することによって核分裂性
物質に変換される親核分裂性物質を含むブランケット燃
料集合体と、中性子吸収物質を含み、核分裂反応を制御
する制御棒集合体とから構成されている。
燃料集合体と、中性子を徴収することによって核分裂性
物質に変換される親核分裂性物質を含むブランケット燃
料集合体と、中性子吸収物質を含み、核分裂反応を制御
する制御棒集合体とから構成されている。
これらの各集合体の横断面は全て六角形状である。
非均質炉心構造の高速増殖炉においては、第１図に示す
ように、炉心領域には炉心燃料集合体１と制御棒集合体
２が多く配置され、ブランケット燃料集合体３はその周
囲に配置されているが、ブランケット燃料集合体の一部
は内部ブランケット燃料集合体４として炉心燃料集合体
１０間に小数本ずつ分散して配置されている。
ように、炉心領域には炉心燃料集合体１と制御棒集合体
２が多く配置され、ブランケット燃料集合体３はその周
囲に配置されているが、ブランケット燃料集合体の一部
は内部ブランケット燃料集合体４として炉心燃料集合体
１０間に小数本ずつ分散して配置されている。
このような炉心構造の高速増殖炉においては、運転サイ
クル初期には、炉心燃料集合体で、全熱出力のうちの約
８５％の出力を邑し、内部ブランケット燃料集合体では
約７％の出力を田す。
クル初期には、炉心燃料集合体で、全熱出力のうちの約
８５％の出力を邑し、内部ブランケット燃料集合体では
約７％の出力を田す。
これが運転サイクル末期になると、炉心燃料集合体の発
熱が約７５％程度にまで落ち、これに対して、内部ブラ
ンケット燃料集合体の発熱は、核分裂性物質が生成する
ことにより、約１３％となり、初期に比べると２倍程度
となる。
熱が約７５％程度にまで落ち、これに対して、内部ブラ
ンケット燃料集合体の発熱は、核分裂性物質が生成する
ことにより、約１３％となり、初期に比べると２倍程度
となる。
一方、炉心冷却するために流す冷却材の流量配分は、運
転サイクルを通じて熱設計上の制限値によって行なわれ
るために、一般に運転サイクル初期には、内部ブランケ
ット燃料集合体では、過冷却となる。
転サイクルを通じて熱設計上の制限値によって行なわれ
るために、一般に運転サイクル初期には、内部ブランケ
ット燃料集合体では、過冷却となる。
第２図中の数字は運転サイクル初期における各集合体の
冷却材出口温度（”Ｃ）を示し、第３図中の数字は運転
サイクル末期における各集合体の冷却材出口温度（”Ｃ
）を示す。
冷却材出口温度（”Ｃ）を示し、第３図中の数字は運転
サイクル末期における各集合体の冷却材出口温度（”Ｃ
）を示す。
これらの図から明らかなようＶこ、運転サイクル末期に
おいては内部ブランケット燃料集合体４の冷却材出口温
度は、炉心燃料集合体１の冷却材出口温度と同程度か、
一部にそれ以上のものがあるという程度であるが、運転
サイクル初期では、内部ブランケット燃料集合体４の冷
却材出口温度は、炉心燃料集合体１の冷却材出口温度に
比べると、最大で１４０℃も低くなっている。
おいては内部ブランケット燃料集合体４の冷却材出口温
度は、炉心燃料集合体１の冷却材出口温度と同程度か、
一部にそれ以上のものがあるという程度であるが、運転
サイクル初期では、内部ブランケット燃料集合体４の冷
却材出口温度は、炉心燃料集合体１の冷却材出口温度に
比べると、最大で１４０℃も低くなっている。
このように、非均質炉心においては、冷却材流□量が運
転サイクルを通して一定に保たれるために、運転サイク
ル初期において、炉心燃料集合体１と内部ブランケット
燃料集合体４の冷却材出口温度に、大きな差が生ずる。
転サイクルを通して一定に保たれるために、運転サイク
ル初期において、炉心燃料集合体１と内部ブランケット
燃料集合体４の冷却材出口温度に、大きな差が生ずる。
上述のように、従来の高速増殖炉では、制御棒集合体２
が内部ブランケット燃料集合体４と炉心燃料集合体１に
接して配置させるため、制御棒集合体２の両面における
温度差が運転サイクル初期において、１４０℃にも達す
る部分が発生する。
が内部ブランケット燃料集合体４と炉心燃料集合体１に
接して配置させるため、制御棒集合体２の両面における
温度差が運転サイクル初期において、１４０℃にも達す
る部分が発生する。
このような場合には、第４図に示すように、制御棒集合
体２の最外面を形成している制御棒案内管２ａの両面に
大きな熱膨張差が発生し、案内管２１Ｌが彎曲する。
体２の最外面を形成している制御棒案内管２ａの両面に
大きな熱膨張差が発生し、案内管２１Ｌが彎曲する。
そのため、制御棒２ｂを制御棒案内管２ａの中に挿入す
ることが困難になυ、制御棒２ｂの炉心への挿入信頼性
が損なわれ、また各集合体の間に介挿した集合体バッド
５に加わる荷重も大きなものとなる。
ることが困難になυ、制御棒２ｂの炉心への挿入信頼性
が損なわれ、また各集合体の間に介挿した集合体バッド
５に加わる荷重も大きなものとなる。
また、内部ブランケット燃料集合体に接する制御棒集合
体は制御棒価値が小さなものとなる。
体は制御棒価値が小さなものとなる。
本発明は背景技術における上述の如き不都合を除去し、
制御棒の炉心への挿入信頼性を向上させ、また、制御棒
集合体の制御棒価値を高めた高速増殖炉を提供すること
を目的とする。
制御棒の炉心への挿入信頼性を向上させ、また、制御棒
集合体の制御棒価値を高めた高速増殖炉を提供すること
を目的とする。
本発明の高速増殖炉は核分裂性物質を含む炉心燃料集合
体と、中性子吸収物質を含み、核分裂反応を制御する制
御棒集合体と、中性子を吸収することによって核分裂物
質に変換する親核分裂物質を含むブランケット燃料集合
体および炉心領域に配置した内部ブランケット燃料集合
体とから成る非均質炉心構造の高速増殖炉において、前
記全ての制御棒集合体の全周囲が炉心燃料集合体によっ
て囲まれていることを特徴とする。
体と、中性子吸収物質を含み、核分裂反応を制御する制
御棒集合体と、中性子を吸収することによって核分裂物
質に変換する親核分裂物質を含むブランケット燃料集合
体および炉心領域に配置した内部ブランケット燃料集合
体とから成る非均質炉心構造の高速増殖炉において、前
記全ての制御棒集合体の全周囲が炉心燃料集合体によっ
て囲まれていることを特徴とする。
以下、第５図ないし第７図を参照して本発明の一実施例
とその作用を説明する。
とその作用を説明する。
本発明の高速増殖炉においても炉心は、第５図に示すよ
うに、核分裂性物質を多量に含んだ炉心燃料集合体１、
中性子吸収物質を多量に含んだ制御棒集合体２、中性子
を吸収することにより核分裂物質に変換される親核分裂
物質な多量に含んだブランケット燃料集合体３および内
部ブランケット燃料集合体４によって構成されているが
、炉心燃料集合体１によって構成される炉心領域内に配
置した内部ブランケット燃料集合体４は制御棒集合体２
と相隣接することがないよう配置されてＶ）る。
うに、核分裂性物質を多量に含んだ炉心燃料集合体１、
中性子吸収物質を多量に含んだ制御棒集合体２、中性子
を吸収することにより核分裂物質に変換される親核分裂
物質な多量に含んだブランケット燃料集合体３および内
部ブランケット燃料集合体４によって構成されているが
、炉心燃料集合体１によって構成される炉心領域内に配
置した内部ブランケット燃料集合体４は制御棒集合体２
と相隣接することがないよう配置されてＶ）る。
従って、各制御棒集合体２の全ての面は炉心燃料集合体
１に隣接している。
１に隣接している。
上述のように、本発明の高速増殖炉では、御制棒集合体
２の回りは、全て炉心燃料集合体１に隣接して四箇れて
いるため、制御棒集合体２の回りの集合体の冷却材出口
温度は、運転サイクル初期には、第６図に示するように
、また運転サイクル末期には、第７図に示したようにな
る。
２の回りは、全て炉心燃料集合体１に隣接して四箇れて
いるため、制御棒集合体２の回りの集合体の冷却材出口
温度は、運転サイクル初期には、第６図に示するように
、また運転サイクル末期には、第７図に示したようにな
る。
これらの図かられかるように、本発明の炉心配置の場合
には、制御棒集合体２の回りは、すべて炉心燃料集合体
１であるために、制御棒集合体２の両面における温度差
は運転サイクル初期、末期ともに、最大で３０℃程度で
あり、第２図に示した従来例における温度差１４０℃に
比べると、約８０％も小さく、それに伴なって、制御棒
案内管の彎曲量も少なくなり、また、集合体パッドに加
わる荷重も軽減される。
には、制御棒集合体２の回りは、すべて炉心燃料集合体
１であるために、制御棒集合体２の両面における温度差
は運転サイクル初期、末期ともに、最大で３０℃程度で
あり、第２図に示した従来例における温度差１４０℃に
比べると、約８０％も小さく、それに伴なって、制御棒
案内管の彎曲量も少なくなり、また、集合体パッドに加
わる荷重も軽減される。
本発明では第２の作用として、制御棒集合体２０１体当
りの制御棒価値が大きくなる。
りの制御棒価値が大きくなる。
即ち、制御棒の役目は、中性子を吸収することにあり、
中性子吸収量が多ければ多いほど、制御棒価値は太きく
なる。
中性子吸収量が多ければ多いほど、制御棒価値は太きく
なる。
したがって、中性子束が高い位置に制御棒集合体２を配
置した方が、制御棒の中性子吸収量は多くなり、制御棒
価値は太きくなる。
置した方が、制御棒の中性子吸収量は多くなり、制御棒
価値は太きくなる。
一方、原子炉の中で中性子を発生するのは、約８割前後
は炉心燃料集合体１の中であり、内部ブランケット燃料
集合体４の中での中性子発生量は約１側根度である。
は炉心燃料集合体１の中であり、内部ブランケット燃料
集合体４の中での中性子発生量は約１側根度である。
したがって一本発明の如く、制御棒集合体２が炉心燃料
集合体１によって全て囲まれていた方が、内部ブランケ
ット燃料集合体４に接しているより制御棒価値が犬きく
なる。
集合体１によって全て囲まれていた方が、内部ブランケ
ット燃料集合体４に接しているより制御棒価値が犬きく
なる。
ちなみに、第２図と第６図の場合を比較すると、本発明
の方が、第２図の場合よりも１．７倍程度、制御棒価値
が大きくなっている。
の方が、第２図の場合よりも１．７倍程度、制御棒価値
が大きくなっている。
前述の如く、本発明によれば、制御棒案内管の彎曲量は
従来例に比して約８０％程度も減少し、集合パッドに加
わる荷重も軽減されるために、制御棒案内管は運転時に
おいても従来よりも直立していることになり、この結果
、制御棒の炉心への挿入信頼性が向上し、炉心の健全性
、安全性が増大する。
従来例に比して約８０％程度も減少し、集合パッドに加
わる荷重も軽減されるために、制御棒案内管は運転時に
おいても従来よりも直立していることになり、この結果
、制御棒の炉心への挿入信頼性が向上し、炉心の健全性
、安全性が増大する。
また、本発明では制御棒集合体１体当りの制御棒価値が
大きくなるために、制御棒集合体の本数を減らすことも
可能となり、この結果、炉心のサイズは縮少され、炉容
器を含めた原子炉構造全体をコンパクトにすることがで
き、プラント建設費の低減にも有用である。
大きくなるために、制御棒集合体の本数を減らすことも
可能となり、この結果、炉心のサイズは縮少され、炉容
器を含めた原子炉構造全体をコンパクトにすることがで
き、プラント建設費の低減にも有用である。
第１図は従来の非物質形高速増殖炉の炉心配置例を示す
横断面図、ｗＫ２図および第６図は夫々、従来の炉心配
置時の運転サイクル初期および末期における各集合体の
冷却材出口温度の分布図、第４図は従来例における各集
合体の彎曲状況を拡大して示す縦断面図、第５図は本発
明の高速増殖炉における炉心配置例を示す横断面図、第
６図および第７図は夫々一本発明による炉心配置時の運
転サイクル初期および末期における制御棒集合体および
その回りの各集合体の冷却材出口温度の分布圀である。 １ ・・・炉心燃料集合体 ２−・・制御棒集合体２
富−・・制御棒案内管 ２ｂ・・・制御棒３ ・・・
ブランケット燃料集合体 ４ ・・・内部ブランケット燃料集合体５−・集合体パ
ッド 代理人弁理士 頭出 佐− 一〇 − 第１図 第２図 第３図
横断面図、ｗＫ２図および第６図は夫々、従来の炉心配
置時の運転サイクル初期および末期における各集合体の
冷却材出口温度の分布図、第４図は従来例における各集
合体の彎曲状況を拡大して示す縦断面図、第５図は本発
明の高速増殖炉における炉心配置例を示す横断面図、第
６図および第７図は夫々一本発明による炉心配置時の運
転サイクル初期および末期における制御棒集合体および
その回りの各集合体の冷却材出口温度の分布圀である。 １ ・・・炉心燃料集合体 ２−・・制御棒集合体２
富−・・制御棒案内管 ２ｂ・・・制御棒３ ・・・
ブランケット燃料集合体 ４ ・・・内部ブランケット燃料集合体５−・集合体パ
ッド 代理人弁理士 頭出 佐− 一〇 − 第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- １、核分裂性物質を含む炉心燃料集合体と、中性子吸収
物質を含み、核分裂反応を制御する制御棒集合体と、中
性子を吸収することによって核分裂物質に変換する親核
分裂物質を含むブランケット燃料集合体および炉心領域
に配置した内部ブランケット燃料集合体とから成る非均
質炉心構造の高速増殖炉において、前記全ての制御棒集
合体の全周囲が炉心燃料集合体によって囲まれているこ
とを特徴とする高速増殖炉。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57145640A JPS5935183A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 高速増殖炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57145640A JPS5935183A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 高速増殖炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935183A true JPS5935183A (ja) | 1984-02-25 |
Family
ID=15389681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57145640A Pending JPS5935183A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 高速増殖炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935183A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03105975A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Hitachi Ltd | 半導体整流ダイオード及びそれを使つた電源装置並びに電子計算機 |
| US5148241A (en) * | 1989-12-15 | 1992-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a schottky diode device |
| US5262669A (en) * | 1991-04-19 | 1993-11-16 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor rectifier having high breakdown voltage and high speed operation |
| US5274541A (en) * | 1989-12-22 | 1993-12-28 | Hitachi, Ltd. | Parallel circuit module including a diode and an IGBT |
| US5345100A (en) * | 1991-03-29 | 1994-09-06 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor rectifier having high breakdown voltage and high speed operation |
| US5371400A (en) * | 1992-11-09 | 1994-12-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor diode structure |
| US6307244B1 (en) | 1998-08-12 | 2001-10-23 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier semiconductor device |
| JP2008174240A (ja) * | 2008-04-14 | 2008-07-31 | Yamaha Motor Co Ltd | スクータ型自動二輪車 |
| US7508045B2 (en) | 2007-01-11 | 2009-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | SiC Schottky barrier semiconductor device |
| US9385244B2 (en) | 2014-03-11 | 2016-07-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wide bandgap semiconductor device |
-
1982
- 1982-08-23 JP JP57145640A patent/JPS5935183A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03105975A (ja) * | 1989-09-20 | 1991-05-02 | Hitachi Ltd | 半導体整流ダイオード及びそれを使つた電源装置並びに電子計算機 |
| US5148241A (en) * | 1989-12-15 | 1992-09-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a schottky diode device |
| EP0435105B1 (en) * | 1989-12-15 | 1994-08-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing a Schottky diode device |
| US5274541A (en) * | 1989-12-22 | 1993-12-28 | Hitachi, Ltd. | Parallel circuit module including a diode and an IGBT |
| US5345100A (en) * | 1991-03-29 | 1994-09-06 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor rectifier having high breakdown voltage and high speed operation |
| US5262669A (en) * | 1991-04-19 | 1993-11-16 | Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor rectifier having high breakdown voltage and high speed operation |
| US5371400A (en) * | 1992-11-09 | 1994-12-06 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor diode structure |
| US6307244B1 (en) | 1998-08-12 | 2001-10-23 | Rohm Co., Ltd. | Schottky barrier semiconductor device |
| US7508045B2 (en) | 2007-01-11 | 2009-03-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | SiC Schottky barrier semiconductor device |
| JP2008174240A (ja) * | 2008-04-14 | 2008-07-31 | Yamaha Motor Co Ltd | スクータ型自動二輪車 |
| US9385244B2 (en) | 2014-03-11 | 2016-07-05 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Wide bandgap semiconductor device |
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