JPS5935031B2 - EL display device drive device - Google Patents
EL display device drive deviceInfo
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- JPS5935031B2 JPS5935031B2 JP51058178A JP5817876A JPS5935031B2 JP S5935031 B2 JPS5935031 B2 JP S5935031B2 JP 51058178 A JP51058178 A JP 51058178A JP 5817876 A JP5817876 A JP 5817876A JP S5935031 B2 JPS5935031 B2 JP S5935031B2
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Landscapes
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(梗概)
ヒステリシスメモリーを有する薄膜ELにおいて維持交
流駆動の下で、瞬時に維持交流振幅以上あるいは以下の
電圧を印加することによつて、書込み又は消去を行ない
、後続する維持交流電圧によつて、その発光状態又は消
灯状態を維持する技術は先願発明として、本出願人が既
に出願している。Detailed Description of the Invention (Summary) In a thin film EL having a hysteresis memory, writing or erasing is performed by instantaneously applying a voltage equal to or less than the maintenance AC amplitude under maintenance AC drive, and subsequent The present applicant has already filed an application as a prior invention for a technique for maintaining the light-emitting state or light-off state using a maintenance AC voltage.
本発明は交流ヒステリシス現象、即ちメモリー機能を有
した薄膜ELマトリックスパネルの書込み回路に関する
ものである。The present invention relates to a writing circuit for a thin film EL matrix panel having an AC hysteresis phenomenon, that is, a memory function.
□EL表示装置)
まず、本発明において使用されるEL表示装置を簡単に
説明しておく。□EL Display Device) First, the EL display device used in the present invention will be briefly explained.
最初にEL表示装置の構成を説明する。First, the configuration of the EL display device will be explained.
第1図に示したようにガラス基板1の上に透明電極2を
縞状に配置する。この上に例えばY2O3等の誘電物質
3を、更にこの上に例えばMnをドープしたZnS等の
螢光層4を、更にその上に更にY203等の誘電物質3
を蒸着法、スパッタ法等により各層を500〜1000
0λ被着して2重絶縁型の3層構造にし、その上に透明
電極2と直交するような電極5を縞状に配置する。かか
る構造にすると、第1の電極群2のうちの一つと、第2
の電極群5のうちの一つに適当な交流電圧が印加された
場合、両電極が交叉して挾まれた微小面積のみが発光す
ることになり、これが画面の一絵素に相当する。JEL
発光する螢光層4を誘電体3、3で挾んでその上に更に
電極2、5を形成すればEL表示装置は構成できるので
あるが、上記の如<、電極2、5の形成を格子状にして
おくと、マトリックス表示パネルが形成できるのである
。As shown in FIG. 1, transparent electrodes 2 are arranged in stripes on a glass substrate 1. On top of this is a dielectric material 3 such as Y2O3, further on this is a fluorescent layer 4 such as ZnS doped with Mn, and further on top of this is a dielectric material 3 such as Y203.
500 to 1000 layers each by vapor deposition, sputtering, etc.
0λ is deposited to form a double-insulated three-layer structure, and electrodes 5 perpendicular to the transparent electrodes 2 are arranged in stripes on top of the three-layer structure. With such a structure, one of the first electrode group 2 and the second
When a suitable alternating current voltage is applied to one of the electrode groups 5, only a small area sandwiched between the two electrodes will emit light, and this corresponds to one pixel on the screen. JEL
An EL display device can be constructed by sandwiching the emitting phosphor layer 4 between dielectrics 3 and 3 and further forming electrodes 2 and 5 thereon. By making it into a shape, a matrix display panel can be formed.
このような構造のELにおいては輝度や寿命・安定性の
点で従来の分散型EL素子に比して優れた特性を有して
いるが、個々の絵素は新たに輝度と印加電圧の間に第2
図bの如き履歴現象を示す。EL with this structure has superior characteristics in terms of brightness, lifespan, and stability compared to conventional distributed EL elements, but each pixel has a new characteristic between brightness and applied voltage. second to
A historical phenomenon as shown in Figure b is shown.
この特曲を第2図に従い説明すると、最初第2図aの如
く電圧振幅V1のパルスを印加すると輝度は同図B,c
に示すようにB,のレベルにある。ここで維持電圧V1
は発光閾値電圧をVthとするとV1≧Vthである。
これに書込み電圧V2を印カロすると輝度は一挙にB3
まで上昇し、以後電圧値を再び維持電圧V1に戻しても
輝度はB1より大きいB2に落着く、これに消去電圧V
3を印加すると輝度レベルは急激に減少し、再び維持電
圧V1まで戻すと輝度はB1に落着く。これら時時的な
関係は第2図aに附された記号Tl,t3・・・・・・
I2,が同図cの各同じ記号の位置に対応させることに
より示されている。この履歴現象は第2図bの細線で示
された如く、書込み電圧の振幅やパルス幅(図示せず)
に応じて任意の小ループをとりうる。即ち中間調の表示
も可能である。一度書込み電圧を与えると、各絵素は維
持パルスによつてそれぞれ与えられた階調を失わずに発
光し続けるのがELPの他の表示素子に無い大きな特徴
である。上記の各電圧は組成や膜厚及び印加波形により
大分異なるが、因みにある試作例ではVth=200V
,V1=210V,V2=210〜280V,V3=1
90Vである。本発明は発明者らが先に発明した「EL
表示装置の駆動装置」(昭和50年8月8日出願、特開
昭52−20786号公報参照)、の改良に係るもので
あつて、書込み回路の簡略化を目的とする。To explain this special music according to Fig. 2, when a pulse of voltage amplitude V1 is first applied as shown in Fig. 2 a, the brightness will change to B and c in the same figure.
As shown in , it is at level B. Here, the maintenance voltage V1
When the light emission threshold voltage is Vth, V1≧Vth.
When a write voltage V2 is applied to this, the brightness changes to B3 at once.
Even if the voltage value is returned to the maintenance voltage V1 again, the brightness settles to B2, which is higher than B1.
When V3 is applied, the brightness level decreases rapidly, and when it is returned to the sustaining voltage V1 again, the brightness settles to B1. These temporal relationships are indicated by the symbols Tl, t3, etc. attached to Figure 2 a.
I2, are shown by corresponding to the positions of the same symbols in FIG. This hysteresis phenomenon is caused by the amplitude and pulse width of the write voltage (not shown), as shown by the thin line in Figure 2b.
Any small loop can be taken depending on. That is, it is also possible to display halftones. A major feature of the ELP, which is not found in other display elements, is that once a write voltage is applied, each picture element continues to emit light without losing the gradation given to it by the sustain pulse. The above voltages vary greatly depending on the composition, film thickness, and applied waveform, but in a prototype example, Vth = 200V.
, V1=210V, V2=210~280V, V3=1
It is 90V. The present invention is based on the "EL" which was previously invented by the inventors.
This invention relates to an improvement in a display device drive device (filed on August 8, 1975, see Japanese Patent Laid-Open No. 52-20786), and its purpose is to simplify the write circuit.
以下に先行技術を説明し、次に好ましい実施例を用いて
本発明の構成を説明する。《先行技術》
第3図に先行技術による駆動回路を掲げる。The prior art will be described below, and then the structure of the present invention will be explained using preferred embodiments. <Prior Art> Figure 3 shows a drive circuit according to the prior art.
本図は大きく5つのプロツクより成る。第1プロツクは
維持駆動回路10である。This diagram consists of five major blocks. The first block is a sustain drive circuit 10.
第3図には3相共振維持駆動回路を示しているが、4相
、それ以上の多相でも良い。第2プロツクは書込みスイ
ツチ回路20で、書込み位相において書込みたいXライ
ンに書込み電圧Vwを印加するためのスイツチ回路であ
る。後述する回路説明においてXラインを走査ラインと
して扱う。第3プロツクはデータスイツチ回路30であ
る。Although FIG. 3 shows a three-phase resonance maintenance drive circuit, a four-phase or more multi-phase circuit may also be used. The second block is a write switch circuit 20, which is a switch circuit for applying a write voltage Vw to the X line to be written in the write phase. In the circuit description to be described later, the X line will be treated as a scanning line. The third block is a data switch circuit 30.
全てのスイツチは維持駆動時において短絡(接地)。書
込み位相において書込みたいYラインのみ短絡状態を続
け、非書込みYラインを開成する。第4プロツクは書込
みライン分離及び維持振幅保持回路40である。X方向
の走査書込み準備ラインを分離するためのダイオード回
路である。第5のプロツクは第1図に示すようなマトリ
ツクスパネル50である。また第4図に各スイツチのオ
ン・オフタイミングと、XおよびYラインに印カロされ
る駆動電圧波形E,fを示す。All switches are shorted (grounded) during maintenance operation. In the write phase, only the Y line to be written is kept short-circuited, and the non-write Y line is opened. The fourth block is a write line isolation and sustain amplitude hold circuit 40. This is a diode circuit for separating the scanning write preparation lines in the X direction. The fifth block is a matrix panel 50 as shown in FIG. Further, FIG. 4 shows the on/off timing of each switch and the driving voltage waveforms E and f applied to the X and Y lines.
発明者らが試作した8吋ELパネルの仕様は線ピツチ:
2本/M7IL.Xライン(透明電極側)320本、Y
ライン(背面アルミ電極側)240本
表示文字:5×7ドツト構成の64種類のローマ字、γ
ラビγ数字、記号表示文字数:X方向(走査側)52文
字
Y方向(データー側)24行
最大表示文字数 1248文字
有効表示線数:
X方向 260ライン(文字間隔1ライン分)Y方向
168ライン(行間隔2ライン分)であつた。The specifications of the 8-inch EL panel prototyped by the inventors are as follows:
2/M7IL. 320 X lines (transparent electrode side), Y
240 lines (back aluminum electrode side) Display characters: 64 types of Roman letters with 5 x 7 dots, γ
Rabbit gamma Number of numbers and symbols displayed: 52 characters in the X direction (scanning side) 24 lines in the Y direction (data side) Maximum number of displayed characters: 1248 characters Number of effective display lines: 260 lines in the X direction (character spacing of 1 line) in the Y direction
There were 168 lines (line spacing of 2 lines).
以上のELパネルを維持駆動するため第5図の回路が試
作された。本図に於て、U:オープンコレタタTTL
Tr:スイツチングトランジスタ
T1 :段間結合トランス
D1 :保護ダイオード
D :保持ダイオード
であつて、他の記号は以前に説明した図面と同じ意味に
用いている。In order to maintain and drive the above EL panel, the circuit shown in FIG. 5 was prototyped. In this figure, U: Open collector TTL Tr: Switching transistor T1: Inter-stage coupling transformer D1: Protection diode D: Holding diode Other symbols are used with the same meaning as in the previously explained drawings. There is.
本回路に於て、回路定数、共振トランスのインダクタン
ス:L=29mH有効表示線数を接続したときのパネル
容量:CT=0.377μFφ,,φ2,φ3,パルス
幅:200Itsec各パルスの繰返し:330Hzで
、共振駆動を行つた結果
固有振動数:4〜5KHz
であつた。In this circuit, circuit constants, inductance of resonant transformer: L = 29mH Panel capacitance when connecting effective display line number: CT = 0.377μFφ, φ2, φ3, pulse width: 200Itsec Repetition of each pulse: 330Hz As a result of resonant driving, the natural frequency was 4 to 5 KHz.
以上の回路定数、駆動結果をもとにして、薄膜ELパネ
ルの透明電極抵抗RTlスイツチングトランジスタ一T
rのオン抵抗、薄膜ELの大振幅駆動における非直線損
失、ダイオードの順方向抵抗、コイルの損失等を全て一
定抵抗Rp損失として算定した結果Rp=115Ω〜1
25Ω
程度であつた。Based on the above circuit constants and driving results, the transparent electrode resistance RTl switching transistor -T of the thin film EL panel
The on-resistance of r, non-linear loss in large amplitude drive of thin film EL, forward resistance of diode, loss of coil, etc. are all calculated as constant resistance Rp loss, Rp = 115Ω ~ 1
It was about 25Ω.
これから減衰定数:1RZ 振動条件 一〉− が成立する場合の減 RAT2 衰条件 但し、Cは容量成分Cの容量値 LはコイルLのインダクタンス Rは電極や回路各部の抵抗値の合計 1R2 振動条件 一 〉 − が成立する場合NAT2 の固有振動数 と計算される。From this, the damping constant: 1RZ Vibration condition 1〉- RAT2 Decay condition However, C is the capacitance value of capacitance component C. L is the inductance of coil L R is the total resistance value of the electrodes and each part of the circuit 1R2 Vibration condition 1 〉 - NAT2 natural frequency of It is calculated as follows.
第4図にもどつて3相共振維持駆動の説明をする。本図
に於て、である。Returning to FIG. 4, three-phase resonance maintaining drive will be explained. In this figure,
説明を簡単にするために、係数ηをLC回路に印加され
た電位差に対して、LC共振の半周期後容量素子Cに印
カロされている電位の《余分の》増分を示す係数と考え
るとよい。係数ηの正確な定式化は前記先願発明の説明
中で行つた。さて、第4図及び第5図に於て、第1タイ
ミングφ1で第1維持スイツチSWlが閉成されると、
第3保持電位VHと第1電源電位E1との差が容量素子
CT(本図に於てEL表示パネル全体を近似的に一定容
量の容量素子CTと考える)に印加され、この電位差の
η倍だけオ一′〈−ランして、第1保持電位V1−E1
+η(B1−VH) ・・・・・・・・・・・・・・
・(7)で保持される。To simplify the explanation, let us consider the coefficient η as a coefficient that indicates the ``extra'' increment of the potential applied to the capacitive element C after a half cycle of LC resonance with respect to the potential difference applied to the LC circuit. good. The exact formulation of the coefficient η was given in the explanation of the invention of the prior application. Now, in FIGS. 4 and 5, when the first maintenance switch SWl is closed at the first timing φ1,
The difference between the third holding potential VH and the first power supply potential E1 is applied to the capacitive element CT (in this figure, the entire EL display panel is considered to be a capacitive element CT with approximately constant capacitance), and this potential difference is multiplied by η. Then, run the first holding potential V1-E1.
+η(B1-VH) ・・・・・・・・・・・・・・・
- Retained in (7).
同様に第2タイミングφ2で第2維持スィツチSW2が
閉成されると、第2保持電位−V2=−E2−η(V1
+E2)・・・・・・・・・・・・(8)になり、その
後、第3タイミングφ,で第3維持スイツチSW,が閉
成されると、第3保持電位VH=ηV2・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(9)にな
る。Similarly, when the second holding switch SW2 is closed at the second timing φ2, the second holding potential -V2=-E2-η(V1
+E2) (8), and then, when the third holding switch SW is closed at the third timing φ, the third holding potential VH=ηV2...・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・(9)
このようにして、3相駆動が実現した。このようにして
、3相以上の多相維持駆動をするのは、中間保持電位(
この実施例では第3保持電位VH)で書込みを行なうこ
とによつてデータスィッチ素子DSl,DS2,・・・
・・・・・・の耐圧要求を軽減するためである。書込み
は、第4図に示すように、中間保持期間(VH期間)中
に、書込み絵素M(J,i)のX,Y側を夫々書込みス
イツチ回路20及びデータスイツチ回路30で選択して
行なう。In this way, three-phase drive was realized. In this way, multi-phase sustaining drive with three or more phases is performed at an intermediate holding potential (
In this embodiment, data switch elements DSl, DS2, . . .
This is to reduce the pressure resistance requirements of... As shown in FIG. 4, writing is performed by selecting the X and Y sides of the write picture element M (J, i) by the write switch circuit 20 and data switch circuit 30, respectively, during the intermediate holding period (VH period). Let's do it.
第6図に書込みスイツチ回路20を掲げる。FIG. 6 shows the write switch circuit 20.
本図に於てD1は保護ダイオードである。この図では、
260本の出力線を選択するのにa側10本、β側26
本の36本の入力線で行つている。なお、第6図の回路
に於て、スイツチWSl,WS2・・・・・・の夫々に
トランジスタWSAl,WSA2,・・・・・・が附刀
口されている。これは、スイツチWSl,WS2が高圧
の書込み電圧Vw(発明者らの試作によれば270〜2
80ボルト)を開閉するものであつて全体のトランジス
タの数を少なくしている。一方データスイツチ回路30
は第7図に示すようにトランジスタスイツチによつて構
成され、表示文字、記号若しくは模様に応じてデータ信
号がトランジスタのベースに印加されこのトランジスタ
のオン・オフを制御する。In this figure, D1 is a protection diode. In this diagram,
To select 260 output lines, 10 lines are needed on the a side and 26 lines on the β side.
This is done using the 36 input lines of the book. In the circuit shown in FIG. 6, transistors WSAl, WSA2, . . . are attached to the switches WS1, WS2, . . . , respectively. This is because the switches WS1 and WS2 have a high write voltage Vw (according to the inventors' prototype, 270 to 2
80 volts), and the total number of transistors is reduced. On the other hand, the data switch circuit 30
As shown in FIG. 7, it is constituted by a transistor switch, and a data signal is applied to the base of the transistor in accordance with the displayed character, symbol or pattern to control the on/off of this transistor.
上記第5図〜第7図に示したように、書込みの場合にX
ライン側のスイツチ回路を構成するトランジスタはPN
P型トランジスタであり、Yライン側のスイツチ回路を
構成するトランジスタはNPN型である。As shown in Figures 5 to 7 above, when writing
The transistors that make up the switch circuit on the line side are PN.
The transistors are P-type transistors, and the transistors forming the switch circuit on the Y-line side are NPN-type.
このようにP型とN型のスイツチング素子を必要とし、
特に薄膜EL素子は高電圧駆動素子であるため、高耐圧
のスイツチング素子が必要であるが、上記駆動回路の集
積化を考慮した場合、P型およびN型の高耐圧スイツチ
ング素子をモノリシツクIC化することは現在の技術レ
ベルでは非常に困難である。In this way, P-type and N-type switching elements are required,
In particular, since thin-film EL devices are high-voltage driven devices, high-voltage switching devices are required. However, when considering the integration of the drive circuits mentioned above, it is possible to integrate P-type and N-type high-voltage switching devices into monolithic ICs. This is extremely difficult with the current level of technology.
本発明は以上のような点に鑑みて回路構成を改良し、N
チヤンネルのスイツチング素子だけで駆動し得る回路を
実現し、ソース或いはエミツタ共通のMOST,および
バイポーラNPNトランジスタで構成するものである。In view of the above points, the present invention improves the circuit configuration and
This realizes a circuit that can be driven only by channel switching elements, and is composed of a MOST with a common source or emitter and a bipolar NPN transistor.
《好ましい実施例》
第8図に本発明のEL表示装置の駆動装置の一実施例の
回路図を示す。<<Preferred Embodiment>> FIG. 8 shows a circuit diagram of an embodiment of a driving device for an EL display device of the present invention.
この回路において第3図と同一部分には同一符号を付し
て説明を省略する。但し、書込みスイツチ回路20′は
書込み準備位相のとき書込みたくないXラインの外部直
列コンデンサに充電するための回路である。またデータ
スイツチ回路30は書込み準備位相及び書込位相のとき
書込みたいYラインのみ短絡状態を続け、非書込みYラ
インを開成する。第1プロツク1『は維持電圧だけでな
く、書込準備電圧E6、書込電圧E4をも供給するので
、このプロツクは維持及び書込駆動回路という。第6プ
ロツク60はXラインの各々に直列接続された外部コン
デンサからなる書込準備回路である。In this circuit, the same parts as in FIG. 3 are given the same reference numerals, and their explanation will be omitted. However, the write switch circuit 20' is a circuit for charging the external series capacitor of the X line to which writing is not desired during the write preparation phase. Further, the data switch circuit 30 continues to short-circuit only the Y line to be written during the write preparation phase and the write phase, and opens the non-write Y line. Since the first block 1' supplies not only the sustain voltage but also the write preparation voltage E6 and the write voltage E4, this block is called a sustain and write drive circuit. The sixth block 60 is a write preparation circuit consisting of external capacitors connected in series to each of the X lines.
書込準備位相のとき、書込みたいラインのコンデンサC
iの充電電圧を低く、非書込みラインのコンデンサCk
\iに高い充電電圧を充電する。次に本発明の装置の動
作を第9図のタイムチヤートとともに説明する。第9図
のaは維持パルスを示し、bは書込みパルス、cはデー
タスイツチ回路の駆動パルス、dは書込みスイツチ回路
の駆動パルス、eはX電極の印加波形、fはY電極の印
加波形を示す。During the write preparation phase, capacitor C of the line to be written
The charging voltage of i is lowered, and the capacitor Ck of the non-write line is
Charge \i with a high charging voltage. Next, the operation of the apparatus of the present invention will be explained with reference to the time chart shown in FIG. In FIG. 9, a indicates the sustain pulse, b the write pulse, c the drive pulse for the data switch circuit, d the drive pulse for the write switch circuit, e the waveform applied to the X electrode, and f the waveform applied to the Y electrode. show.
維持駆動は前述と同様であるから説明を省略する。但し
、第3タイミングφ3で第3維持スイツチSW3が閉成
されると、電源−E3(70ボルト)が接続されるので
、第3保持電位はVH=−E3−η(Vs−E3)=0
になる。Since the sustain drive is the same as described above, the explanation will be omitted. However, when the third holding switch SW3 is closed at the third timing φ3, the power source -E3 (70 volts) is connected, so the third holding potential is VH=-E3-η(Vs-E3)=0. become.
次に書込み動作を説明する。Next, the write operation will be explained.
第9図に示すように維持駆動のO電位保持期間中に書込
絵素M(1,j)のX,Yラインを各々書込みスイツチ
回路2『及びデータスイツチ回路30で選択して行う。
先ず、書込準備タイミングφ6で書込準備スィツチSW
6が閉じ、充電用電源E6をXライン側に接続する。こ
の位相のとき同時に書込みスイツチ回路20′では、書
込みたいXラインXiのスイツチSiのみをオフ、その
他の非書込みラインのスイツチSkSiをオンにする。
またデータスイツチ回路30では書込みたいYラインY
jのスイツチSDjをオン、非書込みラインのスイツチ
をオフにする。従つて書込みラインのコンデンサCiに
はが(ただし、Ctは書込みライン上の発光絵素Mにお
ける等価容量、Cは外部コンデンサC,=C2=・・・
・・・=Cmの容量)が充電され、非書込みラインのコ
ンデンサCk\iには0PHが充電される。As shown in FIG. 9, the X and Y lines of the picture element M(1,j) to be written are selected by the write switch circuit 2' and the data switch circuit 30 during the O potential holding period of the sustain drive.
First, at write preparation timing φ6, turn on the write preparation switch SW.
6 is closed, and the charging power source E6 is connected to the X line side. At the same time in this phase, in the write switch circuit 20', only the switch Si for the X line Xi to be written is turned off, and the switches SkSi for the other non-write lines are turned on.
Also, in the data switch circuit 30, the Y line Y to be written is
Turn on the switch SDj of j, and turn off the switch of the non-write line. Therefore, the capacitor Ci on the write line has a capacitance (Ct is the equivalent capacitance of the light-emitting pixel M on the write line, C is the external capacitor C, = C2 =...
... = capacitance of Cm) is charged, and the capacitor Ck\i of the non-write line is charged with 0PH.
書込絵素MのXラインXiの電位は0Hとなり、非書込
みラインXkSiはO電位である。書込みタイミングφ
4で書込みスイツチSW4が閉じて書込電源E4をXラ
インに接続する。The potential of the X line Xi of the write picture element M is 0H, and the non-write line XkSi is O potential. Write timing φ
4, the write switch SW4 is closed and the write power source E4 is connected to the X line.
書込みタイミングφ4のとき、書込みスイツチ回路2『
ではすべてのスイツチs1〜Smがオフになり、データ
スイツチ回路30では書込みたいYラインYjのスイツ
チSDjのみオンで、その他はオフである。このように
書込準備タイミングφ6から書込タイミングφ4に変る
とき書込みスイツチ回路20′の非書込みラインのスイ
ツチSkX」がオンからオフへ変化する。従つて書込み
ラインXiの電位は、前の書込準備タイミングのときの
充電をさらに継続して書込電位(0m>0s)となる。
このときのY側の書込みラインYjの電位はスイツチS
DjがオンであるからO電位であり、書込絵素M(1,
J)には書込電圧が加わり、発光する。一方非書込みラ
インXkXiでは外部コンデンサCk\iの充電電圧の
ため、この電位は0PW−0PH〈0sである。このと
きY側の非書込みラインYt\jはスイツチSDkSj
がオフであるからX側の非書込みラインXL′S.iの
電位変化に従つて変化する。つまり、書込み電圧′C)
Wの印77巾より、書込みラインXiのラインのコンデ
ンサCiには、このときの発光絵素M(容量Ct)の両
端電圧をVtとすると、前記と同様に、となり、従つて
Vtは次式で表わされる。At write timing φ4, write switch circuit 2'
Then, all the switches s1 to Sm are turned off, and in the data switch circuit 30, only the switch SDj of the Y line Yj to be written is turned on, and the others are turned off. In this way, when the write preparation timing φ6 changes to the write timing φ4, the non-write line switch SkX of the write switch circuit 20' changes from on to off. Therefore, the potential of the write line Xi further continues charging at the previous write preparation timing to reach the write potential (0m>0s).
At this time, the potential of the write line Yj on the Y side is set by the switch S.
Since Dj is on, it is at O potential, and the writing picture element M(1,
A write voltage is applied to J), and it emits light. On the other hand, on the non-write line XkXi, this potential is 0PW-0PH<0s because of the charging voltage of the external capacitor Ck\i. At this time, the non-write line Yt\j on the Y side is switched to the switch SDkSj.
is off, the non-write line XL'S. on the X side is off. It changes according to the change in the potential of i. In other words, write voltage 'C)
From the 77-width mark W, the capacitor Ci of the writing line Xi has the same voltage as above, where Vt is the voltage across the light-emitting picture element M (capacitance Ct), and therefore Vt is expressed by the following formula. It is expressed as
C
vt=? 0w
ct+c
今、C>>Ctとすると、Vtた0wであり、ほぼ書込
み電圧′C5wの全部が発光絵素Mに印加される。C vt=? 0w ct+c Now, if C>>Ct, then Vt is 0w, and almost the entire write voltage 'C5w is applied to the light emitting picture element M.
一方、非書込みラインXkXiでは、外部コンデンサC
kの両端電圧をVk,非書込みラインXkXiに接続さ
れる絵素(容量Ct)の両端電圧をVlとすると、Qk
=CkOpH+ヂIdt=CkVk・・・・・・・・・
(1)Qt′=ブ1di=CtVt′
(2)Vk+Vl=0w・・・・・・・・・・・・
・・・・・・(3)なお、0wが印加されるとき、Ck
,Ctの充電電荷の初期状態が異なつており、直列接続
でもQk=Qt′ となることはない。On the other hand, in the non-write line XkXi, the external capacitor C
If the voltage across the line k is Vk, and the voltage across the picture element (capacitance Ct) connected to the non-writing line XkXi is Vl, then Qk
=CkOpH+diIdt=CkVk・・・・・・・・・
(1) Qt'=B1di=CtVt'
(2) Vk+Vl=0w・・・・・・・・・・・・
......(3) Note that when 0w is applied, Ck
, Ct are different from each other, and even if they are connected in series, Qk=Qt' will not hold.
この場合、午ルヒホツフの法則により、書込電源E4よ
り両コンデンサに電流1が流れ込む以外に変化がない。
ちなみに、上記した書込ラインXiでは、で、Qi−Q
t=0=CVi−CtVtlすなわち初期状態が同じな
ので0wの印カロ時もQi=Qkなる。In this case, there is no change other than the current 1 flowing into both capacitors from the write power source E4 according to Urchoff's law.
By the way, in the write line Xi mentioned above, Qi-Q
Since t=0=CVi-CtVtl, that is, the initial state is the same, Qi=Qk also at the time of 0w.
また このCvi−Ctvt=0と Vi+Vt=0w し の関係より、Vt=?0wが導びき出さ Ct+c れるこというまでもない。Also, with this Cvi-Ctvt=0 Vi+Vt=0w death From the relationship, Vt=? 0w derives Ct+c It goes without saying that it will happen.
非書込みラインXk′S.iでは、
(1)一(2)式より
CkOPH=CkVk−CtVt′
(3)式よりVkを抹消すると、
CkOpH=Ck(0w−Vt′)−CtVt′従つて
Ck>>Ctとすると、Vt′た0W−0PHとなり、
実質的に予備充電で充電された分だけ減算され、発光閾
値電圧には到らない。Non-write line Xk'S. For i, from equations (1) and (2), CkOPH = CkVk - CtVt' If Vk is deleted from equation (3), CkOPH = Ck (0w - Vt') - CtVt' Therefore, if Ck >> Ct, then Vt ' 0W-0PH,
Substantially, the amount charged in the preliminary charge is subtracted, and the light emission threshold voltage is not reached.
このようにして書込みが行われる。Writing is performed in this manner.
書込みが終了した後、復帰タイミングφ5でスイツチS
W5が閉じて、Xラインをアース電位にする。After writing is completed, switch S is turned on at return timing φ5.
W5 closes, bringing the X line to ground potential.
この復帰タイミングφ5のとき、書込みスイツチs1〜
Smはオフであり、データスイツチSDl〜SDnはオ
ンである。従つてXライン、YラインともO電位となり
、全ての外部コンデンサC1〜Cm,.ELパネルは書
込み準備タイミング以前と同じ状態になる。そして、次
に維持駆動が行われる。At this return timing φ5, the write switch s1~
Sm is off, and data switches SDl-SDn are on. Therefore, both the X line and the Y line are at O potential, and all external capacitors C1 to Cm, . The EL panel is in the same state as before the write preparation timing. Then, maintenance drive is performed next.
維持駆動のとき、EL表示装置のメモリー作用によつて
書込絵素は発光し、その他の点は発光しない。第10図
には書込絵素M(1,j)と、半選択の非書込絵素N(
1,t)、0(K,j)と、非選択の絵素p(K,t)
の印加波形を示す。During sustain driving, the writing picture element emits light due to the memory function of the EL display device, and the other points do not emit light. Figure 10 shows a writing picture element M(1,j) and a half-selected non-writing picture element N(
1, t), 0(K, j), and the unselected picture element p(K, t)
The applied waveform of is shown.
以上のように本発明の駆動装置は構成され動作するので
、本発明によればマトリツクス電極に接続されるスイツ
チング素子の具体的な駆動装置の回路は、第11図に示
すように、書込みスイツチ回路20′及びデータスイツ
チ回路30を構成する全てのMOSTrはソースをアー
スに接続して使用するからNチヤンネル型のソース共通
のMOSTrを用いて構成することができる。第11図
に示す回路以外にエミツタ共通の′\イポーラNPNT
rでも構成することが可能である。第11図の回路にお
いて、書込みスイツチ回路20′のスイツチングトラン
ジスタに要求される耐圧は、書込電圧0w以上であり、
データスイツチ回路30のスイツチングトランジスタに
要求される耐圧は、(0pw−0pH)以上である。Since the driving device of the present invention is configured and operates as described above, the specific circuit of the driving device of the switching element connected to the matrix electrode according to the present invention is a write switch circuit as shown in FIG. Since all the MOSTrs constituting the data switch circuit 20' and the data switch circuit 30 are used with their sources connected to ground, they can be constructed using N-channel type MOSTrs with a common source. In addition to the circuit shown in Figure 11, there is a common emitter '\ipolar NPNT.
It is also possible to configure it with r. In the circuit of FIG. 11, the withstand voltage required of the switching transistor of the write switch circuit 20' is a write voltage of 0 W or more,
The switching transistor of the data switch circuit 30 is required to have a breakdown voltage of (0 pw - 0 pH) or more.
第1図は薄膜EL表示素子の一部切欠いた斜視図、第2
図は薄膜EL表示素子の動作を説明するための印カロ電
圧と発光輝度との特件曲線図、第3図は先行技術のプロ
ツク化回路図、第4図は第3図の回路のタイムチヤート
、第5図は第3図の回路において維持駆動プロツクの回
路図、第6図は第3図の回路において書込みスイツチ回
路の回路図、第7図は第3図においてデータスイツチ回
路の回路図、第8図は本発明の駆動装置の一実施例のプ
ロツク化回路図、第9図は本発明の回路のタイムチヤー
ト、第10図は薄膜EL表示装置の各絵素を〔助口され
る電圧波形を示すタイムチヤート、第11図は本実施例
の一部分の回路図である。
10′は維持及び書込駆動回路、20′は書込みスイツ
チ回路、30はデータスイツチ回路、40は書込みライ
ン分離及び維持振幅保持回路、50は薄膜EL素子より
なるマトリツクスパネル60は書込準備回路。Figure 1 is a partially cutaway perspective view of a thin film EL display element;
The figure is a characteristic curve diagram of applied voltage and luminance to explain the operation of a thin film EL display element, Figure 3 is a block circuit diagram of the prior art, and Figure 4 is a time chart of the circuit of Figure 3. , FIG. 5 is a circuit diagram of the sustain drive block in the circuit of FIG. 3, FIG. 6 is a circuit diagram of the write switch circuit in the circuit of FIG. 3, and FIG. 7 is a circuit diagram of the data switch circuit in the circuit of FIG. 3. FIG. 8 is a block circuit diagram of an embodiment of the driving device of the present invention, FIG. 9 is a time chart of the circuit of the present invention, and FIG. 10 is a block diagram of each picture element of a thin film EL display device. A time chart showing waveforms and FIG. 11 is a circuit diagram of a portion of this embodiment. 10' is a sustain and write drive circuit, 20' is a write switch circuit, 30 is a data switch circuit, 40 is a write line separation and sustain amplitude holding circuit, and 50 is a matrix panel 60 made of thin film EL elements, a write preparation circuit. .
Claims (1)
ステリシス現象を有するEL表示装置の駆動装置におい
て、上記一方の電極に直列に接続したコンデンサと、該
コンデンサの他端に接続され書込準備電圧及び書込電圧
を供給する電源回路と、上記一方の電極とコンデンサの
接続点及び他方の電極に各々接続され、上記他方の電極
の書込みラインをオン状態、他の非書込みラインをオフ
状態として、書込電圧を書込絵素に印加する前の書込準
備電圧の供給時に、上記一方の電極の書込みラインをオ
フ状態、他の非書込みラインをオン状態、次の書込電圧
供給時には上記一方の電極の全ラインをオフ状態にする
、上記両電極ともにソースあるいはエミッタを共通にア
ースに接続した、NチャンネルMOSトランジスタ又は
ハイポーラNPNトランジスタからなるスイッチ回路と
を具備してなることを特徴とするEL表示装置の駆動装
置。1. In a drive device for an EL display device that is equipped with matrix electrodes in the X direction and the Y direction and has an AC hysteresis phenomenon, a capacitor connected in series to one of the electrodes, and a write preparation voltage and a voltage connected to the other end of the capacitor are connected. A power supply circuit that supplies a write voltage is connected to the connection point between the one electrode and the capacitor and the other electrode, and the write line of the other electrode is turned on and the other non-write line is turned off. When supplying the write preparation voltage before applying the write voltage to the write picture element, the write line of one of the electrodes is turned off, the other non-write line is turned on, and when the next write voltage is applied, one of the above electrodes is turned off. An EL display characterized by comprising a switch circuit consisting of an N-channel MOS transistor or a high-polar NPN transistor, in which the source or emitter of both electrodes is commonly connected to ground, and which turns off all lines of electrodes. Device drive.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51058178A JPS5935031B2 (en) | 1976-05-19 | 1976-05-19 | EL display device drive device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51058178A JPS5935031B2 (en) | 1976-05-19 | 1976-05-19 | EL display device drive device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS52141191A JPS52141191A (en) | 1977-11-25 |
JPS5935031B2 true JPS5935031B2 (en) | 1984-08-25 |
Family
ID=13076736
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP51058178A Expired JPS5935031B2 (en) | 1976-05-19 | 1976-05-19 | EL display device drive device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5935031B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH057442U (en) * | 1991-07-15 | 1993-02-02 | 凸版印刷株式会社 | Veneer material |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5635188A (en) * | 1979-08-29 | 1981-04-07 | Sharp Kk | Thin film el display unit drive circuit |
-
1976
- 1976-05-19 JP JP51058178A patent/JPS5935031B2/en not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH057442U (en) * | 1991-07-15 | 1993-02-02 | 凸版印刷株式会社 | Veneer material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS52141191A (en) | 1977-11-25 |
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