JPS5934650A - 半導体装置のメツキ装置 - Google Patents
半導体装置のメツキ装置Info
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- JPS5934650A JPS5934650A JP14565782A JP14565782A JPS5934650A JP S5934650 A JPS5934650 A JP S5934650A JP 14565782 A JP14565782 A JP 14565782A JP 14565782 A JP14565782 A JP 14565782A JP S5934650 A JPS5934650 A JP S5934650A
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- semiconductor device
- plating
- cathode
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置のリードフレームに電気メッキを
ほどこす装置に関するものである。
ほどこす装置に関するものである。
従来、この秒のメッキ方法は、半導体装置を導電性の治
具に装填し、該治具をメッキ液中に浸漬せしめ、該治具
の一部を陰極ブスバーに接続し、該治具と平行な位置に
陽極金属板を設置し、電気分解を行なう装置であった。
具に装填し、該治具をメッキ液中に浸漬せしめ、該治具
の一部を陰極ブスバーに接続し、該治具と平行な位置に
陽極金属板を設置し、電気分解を行なう装置であった。
この従来のメッキ装置によれば、半導体装置を治具に着
脱する工数が多大であシ、また、着脱の機械による自動
化が困難であるという欠点があった。また、この従来の
メッキ装置によれば、半導体装置と陽極板との距離を一
定に保つことが困難である為、均一なメッキ性を得るこ
とが困難である、という欠点があった。
脱する工数が多大であシ、また、着脱の機械による自動
化が困難であるという欠点があった。また、この従来の
メッキ装置によれば、半導体装置と陽極板との距離を一
定に保つことが困難である為、均一なメッキ性を得るこ
とが困難である、という欠点があった。
この発明の目的は、半導体装ｔ６の電気メッキの作業能
率の向上、及び均一メツキ性金得ることが可能なメッキ
装置を提供することにある。
率の向上、及び均一メツキ性金得ることが可能なメッキ
装置を提供することにある。
この発明の半導体装置のメッキ装置は、樹脂封止された
半導体装置を陰極とし、平板からなる金属を陽極とし、
それらを交互に重ねあわせ、メッキ液中にて電気分触を
行なうことによ勺、半導体装置のリードフレームにメッ
キを施すことを特徴とするものである。
半導体装置を陰極とし、平板からなる金属を陽極とし、
それらを交互に重ねあわせ、メッキ液中にて電気分触を
行なうことによ勺、半導体装置のリードフレームにメッ
キを施すことを特徴とするものである。
この発明の効果は、従来行なっていた、半導体装置の治
具への脱着が不要になシ、半導体装りと陽極板を重ねあ
わせて、ブスバー上に餉゛＜だけてメッキが可能になる
為、作業の能率が飛Ｕｊ的に向上すること、及び、半導
体装置と陽極板の距離が等距離である為、均一々メッキ
性が得られることである。
具への脱着が不要になシ、半導体装りと陽極板を重ねあ
わせて、ブスバー上に餉゛＜だけてメッキが可能になる
為、作業の能率が飛Ｕｊ的に向上すること、及び、半導
体装置と陽極板の距離が等距離である為、均一々メッキ
性が得られることである。
次にこの発明の実施例につき図を用いて説明する０
第１図はこの発明の一実施例を説明するためのメッキ装
置の平面図である。この実施例のメッキ装置によれば、
メッキ槽１の中に、樹脂６によシ封止されたリードフレ
ーム７を有する半導体装置２と、平板からなる陽極板３
とが交互に重ねあわせて装着される。半導体装置２のリ
ードフレーム７は、全て陰極ブスバー４と接している為
、リードフレーム７Ｆｉ陰極ｋ Ｑ成し、陽極板３は、
全て陽極ブスバー５と接している為陽極を構成し、かつ
、半導体装置の樹脂６が非導電性のスペーサーとして陰
極と陽極との短絡を防止している。
置の平面図である。この実施例のメッキ装置によれば、
メッキ槽１の中に、樹脂６によシ封止されたリードフレ
ーム７を有する半導体装置２と、平板からなる陽極板３
とが交互に重ねあわせて装着される。半導体装置２のリ
ードフレーム７は、全て陰極ブスバー４と接している為
、リードフレーム７Ｆｉ陰極ｋ Ｑ成し、陽極板３は、
全て陽極ブスバー５と接している為陽極を構成し、かつ
、半導体装置の樹脂６が非導電性のスペーサーとして陰
極と陽極との短絡を防止している。
第２図は、該メッキ装置の側面図である。陽極ブスバー
５と半導体装置２のリードフレーム７−１）Ｚ接する場
所には、短絡を防止する為に、非導電性のコーティング
＠８がコーティングされている。
５と半導体装置２のリードフレーム７−１）Ｚ接する場
所には、短絡を防止する為に、非導電性のコーティング
＠８がコーティングされている。
陰極ブスバーにおいても同様に陽極板との短絡を防止し
ている。
ている。
この実施例によれば、陰極ブスバー４及び１錫゛極ブス
バー５を電源に接続することにより、陽（側板３から、
該陽極板に隣接する半導体装置２のリードフレーム７に
電流が流れメッキが行なわれる。
バー５を電源に接続することにより、陽（側板３から、
該陽極板に隣接する半導体装置２のリードフレーム７に
電流が流れメッキが行なわれる。
この電解電流は、半導体装置２のリードフレーム７のい
かなる部分においても陽極板との距離が等しい為、均一
の電流密度を保つことが可能であジ。
かなる部分においても陽極板との距離が等しい為、均一
の電流密度を保つことが可能であジ。
従って均一なメッキ性が得られる。
また、との実施例によれば、従来の活貝を用いる必要が
ない為、半導体装１ｈ゛を治具に尤脱する作業は不要に
なる。
ない為、半導体装１ｈ゛を治具に尤脱する作業は不要に
なる。
第１図はこの発明の一実施例を示す平面図、第２図は第
１図の側面図である。 図中、ｌ・・・・・・メッキ槽、２・・・・・・＃！−
導体装置、３・・・・・・陽極板、４；・・・・・陰極
ブスバー、５・・・・・・陽極ブス、ｐ＜−１５・・・
・・・４ＵＬ ７・・・・・・リードフレーム、８・
・・・・・コーテイング材。 畢 ） ｖ？１
１図の側面図である。 図中、ｌ・・・・・・メッキ槽、２・・・・・・＃！−
導体装置、３・・・・・・陽極板、４；・・・・・陰極
ブスバー、５・・・・・・陽極ブス、ｐ＜−１５・・・
・・・４ＵＬ ７・・・・・・リードフレーム、８・
・・・・・コーテイング材。 畢 ） ｖ？１
Claims (1)
- 樹脂封止された半導体装置を陰極とし、平板からなる金
属全陽極とし、それらを交互に重ねあわせ、メッキ液中
に電気分解を行なうことによシ、半導体装置のリードフ
レームにメッキを施すことを特徴とするメッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14565782A JPS5934650A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 半導体装置のメツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14565782A JPS5934650A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 半導体装置のメツキ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5934650A true JPS5934650A (ja) | 1984-02-25 |
Family
ID=15390074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14565782A Pending JPS5934650A (ja) | 1982-08-23 | 1982-08-23 | 半導体装置のメツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5934650A (ja) |
-
1982
- 1982-08-23 JP JP14565782A patent/JPS5934650A/ja active Pending
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