JPS5934128B2 - Method for producing silicon tetrachloride - Google Patents

Method for producing silicon tetrachloride

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JPS5934128B2
JPS5934128B2 JP8088980A JP8088980A JPS5934128B2 JP S5934128 B2 JPS5934128 B2 JP S5934128B2 JP 8088980 A JP8088980 A JP 8088980A JP 8088980 A JP8088980 A JP 8088980A JP S5934128 B2 JPS5934128 B2 JP S5934128B2
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silicon
silicon tetrachloride
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carbon
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正 岩井
久幸 水野
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Ube Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、ケイ素含有物質と炭素の混合物を高温で塩
素と反応させて四塩化ケイ素を製造する方法の改良に関
するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION This invention relates to an improved process for producing silicon tetrachloride by reacting a mixture of silicon-containing materials and carbon with chlorine at high temperatures.

四塩化ケイ素は、種々の有機ケイ素化合物の合成原料と
して、また微細シリカ、高純度合成石英、炭化ケイ素、
窒化ケイ素などの合成原料として有用である。
Silicon tetrachloride is used as a raw material for the synthesis of various organosilicon compounds, as well as fine silica, high-purity synthetic quartz, silicon carbide,
It is useful as a raw material for the synthesis of silicon nitride, etc.

四塩化ケイ素の製造方法としては、(1)炭化ケイ素、
フェロシリコンなどを高温で塩素と反応させる方法、(
2)ケイ素含有物質と炭素の混合物、例えばケイ石と活
性炭とを混合した混合物、ケイ酸植物の炭化物などを高
温で塩素と反応させる方法などが知られている。
As a method for producing silicon tetrachloride, (1) silicon carbide,
A method of reacting ferrosilicon etc. with chlorine at high temperature, (
2) A method is known in which a mixture of a silicon-containing substance and carbon, such as a mixture of silica stone and activated carbon, or a charcoal of a silicic acid plant, is reacted with chlorine at high temperature.

しかしながら、前記(1)の方法では原料の炭化ケイ素
、フェロシリコンなどの製造に多量の電力を必要とし、
原料の価格が非常に高いという欠点がある。
However, the method (1) above requires a large amount of electricity to produce the raw materials such as silicon carbide and ferrosilicon.
The disadvantage is that the cost of raw materials is very high.

また前記2)の方法では、ある程度の収率で四塩化ケイ
素を製造しようとすると、塩素との反応を1200℃を
越える非常に高い温度で行なわなければならないという
大きな欠点がある。
In addition, the method 2) has a major drawback in that the reaction with chlorine must be carried out at a very high temperature exceeding 1200° C. if silicon tetrachloride is to be produced with a certain yield.

この発明者らは、これらの実情に鑑み、従来法、特に前
記(2)の方法を改良することを目的として鋭意研究を
行なった結果、従来ケイ素含有物質と炭素の混合物を塩
素と反応させていたのに代えて、該混合物にホウ素化合
物を含有させて塩素と反応させると、従来よりもはるか
に低い反応温度で、かつ高収率で四塩化ケイ素を製造で
きることを知り、この発明に到達した。
In view of these circumstances, the inventors conducted intensive research with the aim of improving the conventional methods, especially the method (2) above, and found that conventionally a mixture of silicon-containing substances and carbon was reacted with chlorine. The inventors discovered that silicon tetrachloride could be produced at a much lower reaction temperature and in a higher yield than conventional methods by containing a boron compound in the mixture and reacting it with chlorine instead, and arrived at this invention. .

この発明は、ケイ素含有物質と炭素の混合物を高温で塩
素と反応させて四塩化ケイ素を製造する方法において、
該混合物に混合物中のケイ素1グラム原子に対してホウ
素が0.03〜2グラム原子になるようにホウ素化合物
を含有させることを特徴とする四塩化ケイ素の製造方法
に関するものである。
The present invention provides a method for producing silicon tetrachloride by reacting a mixture of a silicon-containing substance and carbon with chlorine at high temperature.
The present invention relates to a method for producing silicon tetrachloride, characterized in that the mixture contains a boron compound in an amount of 0.03 to 2 gram atoms of boron per 1 gram atom of silicon in the mixture.

この発明において、炭素としては、活性炭、コークス、
カーボンブラック、クラファイトなどを挙げることがで
きる。
In this invention, carbon includes activated carbon, coke,
Examples include carbon black and graphite.

またケイ素含有物質としては、(1)ケイ石、シリカフ
ラワー(フェロシリコン製造時に副生ずるSiO□を多
量に含む物質)、フライアッシュ(微粉炭燃焼時に煙道
、集塵器などから採取されるSiO2を多量に含む微小
な灰の粒子)、シリカゾルなどや、(2)ケイ酸植物の
炭化物、例えばイネ、ムギなどの籾殻やワラ、笹の葉、
トウモロコシの葉やクキなどを300〜1300°Cで
炭化させた炭化物などを挙げることができる。
In addition, silicon-containing substances include (1) silica stone, silica flour (a substance containing a large amount of SiO□, which is a by-product during the production of ferrosilicon), and fly ash (SiO2, which is collected from flues and dust collectors during pulverized coal combustion). (2) carbonized silicic acid plants such as rice and wheat husks and straw, bamboo leaves,
Examples include charred materials made by carbonizing corn leaves, corn leaves, etc. at 300 to 1300°C.

ケイ酸植物の炭化物をケイ素含有物質として使用する場
合は、炭化物中に無定形の炭素が含まれており、それ自
体炭素との混合物になっているので、あえて炭素を混合
する必要はない。
When using silicic acid plant carbide as a silicon-containing substance, the carbide contains amorphous carbon and is itself a mixture with carbon, so there is no need to intentionally mix carbon.

またケイ素含有物質と炭素とを混合する場合は、ケイ素
含有物質および炭素の両者はできるだけ微細な粉末、好
ましくは粒径100μ以下の粉末にして使用するのがよ
い。
Further, when a silicon-containing substance and carbon are mixed, both the silicon-containing substance and carbon are preferably used in the form of powder as fine as possible, preferably powder with a particle size of 100 μm or less.

また炭素は結晶化したものより、無定形の炭素を使用し
た方が、塩素との反応をより低温で実施でき、四塩化ケ
イ素の収率も高くなるので好ましい。
Further, it is preferable to use amorphous carbon rather than crystallized carbon because the reaction with chlorine can be carried out at a lower temperature and the yield of silicon tetrachloride can be increased.

この発明において、ホウ素化合物としては、三酸化ニホ
ウ素、ホウ酸、四ホウ酸ナトIJウム、四ホウ酸カリウ
ムなどを挙げることができる。
In this invention, examples of the boron compound include diboron trioxide, boric acid, sodium tetraborate, potassium tetraborate, and the like.

ホウ素化合物は、ケイ素含有物質と炭素の混合物中のケ
イ素1グラム原子に対してホウ素が0.03〜2グラム
原子、好ましくは0.05〜1原子、さらに好ましくは
0906〜0.8原子になるように含有させる必要があ
る。
The boron compound contains 0.03 to 2 gram atoms of boron per gram atom of silicon in the mixture of silicon-containing material and carbon, preferably 0.05 to 1 atom, and more preferably 0.906 to 0.8 atoms. It is necessary to contain it as follows.

ホウ素化合物の量が少なすぎると含有させたことによる
効果の発現が十分でなくまたあまり多すぎると三塩化ホ
ウ素の副生量が多くなるので適当でない。
If the amount of the boron compound is too small, the effect of its inclusion will not be sufficiently expressed, and if it is too large, the amount of boron trichloride by-product will increase, which is not appropriate.

ホウ素化合物を混合物中のケイ素1グラム原子に対して
ホウ素が前記範囲の量になるように含有させて塩素と反
応させることによって、従来よりもはるかに低い反応温
度および短い反応時間で、かつ高収率で四塩化ケイ素を
製造することが可能になる。
By containing a boron compound in an amount within the above range per gram atom of silicon in the mixture and reacting it with chlorine, the reaction temperature and reaction time are much lower than conventional methods, and the yield is high. It becomes possible to produce silicon tetrachloride at a high rate.

ホウ素化合物を含有させる方法は、特に制限されない。The method of incorporating the boron compound is not particularly limited.

代表的な方法としては、(1)ケイ素含有物質、炭素お
よびホウ素化合物の三者を同時に、あるいは任意の順序
で混合する方法、(2)ケイ素含有物質と炭素とを混合
して成形した成形物、ケイ酸植物の炭化物などをホウ素
化合物の水溶液に浸漬してホウ素化合物を含浸させる方
法などを挙げることができる。
Typical methods include (1) mixing a silicon-containing substance, carbon, and a boron compound simultaneously or in any order, and (2) forming a molded product by mixing a silicon-containing substance and carbon. Examples include a method in which a carbide of a silicic acid plant is immersed in an aqueous solution of a boron compound to impregnate it with a boron compound.

上述の(1)の方法において混合操作は湿式で行なって
も、また乾式で行ってもよい。
In the above method (1), the mixing operation may be performed wet or dry.

この発明において、ホウ素化合物を含有させた混合物を
塩素と反応させるにあたっては、粉末状で塩素と反応さ
せても、成形物に成形して塩素と反応させてもよい。
In this invention, when reacting a mixture containing a boron compound with chlorine, it may be reacted with chlorine in powder form or may be formed into a molded article and reacted with chlorine.

しかし成形物に成形して塩素と反応させた方が反応を円
滑に進行させることができるので好ましい。
However, it is preferable to mold it into a molded product and react it with chlorine because the reaction can proceed smoothly.

成形物の形状は球状、柱状、破砕粒状などいずれでもよ
く、その形状は特に制限されない。
The shape of the molded product may be spherical, columnar, crushed granule, etc., and the shape is not particularly limited.

また成形する際は、バインダーとして、例えば水、ポリ
エチレングリコール、トリエチレングリコール、でんぷ
ん、ゼラチン、セルロース、シリカゾルなどを使用して
もさしつかえない。
Further, when molding, for example, water, polyethylene glycol, triethylene glycol, starch, gelatin, cellulose, silica sol, etc. may be used as the binder.

また成形は、従来公知の成形機、例えば押出成形機、打
錠成形機、転勤造粒機などいずれの成形機で行なっても
よい。
Further, the molding may be carried out using any conventionally known molding machine, such as an extrusion molding machine, a tablet molding machine, and a transfer granulator.

この発明を実施するにあたって、ホウ素化合物を含有さ
せた混合物中の炭素の量は特に制限されないが、高収率
で四塩化ケイ素を製造するためには、一般には混合物中
のケイ素およびホウ素がそれぞれの塩化物を形成する場
合に還元剤として必要な化学量論量の1〜5モル倍に調
節するのが適当である。
In carrying out this invention, the amount of carbon in the mixture containing the boron compound is not particularly limited, but in order to produce silicon tetrachloride in high yield, generally silicon and boron in the mixture are When forming a chloride, it is appropriate to adjust the amount to 1 to 5 times the stoichiometric amount of the reducing agent.

炭素の量が少なすぎると四塩化ケイ素の収率が低下し、
また過度に多くしても多くしたことによる利点はないの
で、炭素の量は前記範囲の量にするのが適当である。
If the amount of carbon is too small, the yield of silicon tetrachloride will decrease,
Furthermore, since there is no advantage to increasing the amount of carbon excessively, it is appropriate to keep the amount of carbon within the above range.

またホウ素化合物を含有させた混合物中に水が含まれて
いたり、塩素との反応中に水が生成したりすると、四塩
化ケイ素の収率が低下するので、塩素との反応を行なう
前に混合物を加熱脱水処理して塩素との反応に供するの
が好ましい。
In addition, if water is contained in the mixture containing the boron compound or if water is generated during the reaction with chlorine, the yield of silicon tetrachloride will decrease. It is preferable to subject it to heat dehydration treatment and to react with chlorine.

加熱脱水処理は、一般にはアルゴン、ヘリウム、窒素す
どの不活性ガス雰囲気下に、または減圧下に150〜1
000℃で行なうのが適当である。
The heat dehydration treatment is generally carried out under an inert gas atmosphere such as argon, helium, or nitrogen, or under reduced pressure at 150 to 1
It is suitable to carry out at 000°C.

ホウ素化合物を含有させた混合物と塩素との反応は、塩
素と混合物とを十分に接触させることができればいかな
る方法で行なってもよいが、−1には混合物の充填層に
塩素ガスを流通させながら行なう。
The reaction between the mixture containing a boron compound and chlorine may be carried out by any method as long as the chlorine and the mixture can be brought into sufficient contact. Let's do it.

塩素ガスは高純度のものを使用しても、不活性ガス、例
えばアルゴン、ヘリウム、窒素などで希釈して使用して
もよい。
The chlorine gas may be of high purity or may be diluted with an inert gas such as argon, helium, nitrogen, etc.

塩素と反応させる際の反応温度は、これがあまり低すぎ
ると反応が十分に進行せず、また過度に高くしても高く
したことによる利点は特になく経済的ではないので、一
般には400〜1200℃、好ましくは450〜100
0℃が適当である。
The reaction temperature when reacting with chlorine is generally 400 to 1200°C, because if it is too low, the reaction will not proceed sufficiently, and if it is too high, there is no particular advantage and it is not economical. , preferably 450-100
0°C is suitable.

前記温度で塩素との反応を行なうと、反応は円滑に進行
し、四塩化ケイ素がガス状で生成する。
When the reaction with chlorine is carried out at the above temperature, the reaction proceeds smoothly and silicon tetrachloride is produced in gaseous form.

反応時間は、反応温度、塩素供給量などによっても異な
るが、一般には0.5〜5時間である。
The reaction time varies depending on the reaction temperature, the amount of chlorine supplied, etc., but is generally 0.5 to 5 hours.

生成した四塩化ケイ素の回収は、それ自体公知の方法、
例えば凝縮、蒸留などによって容易に行なうことができ
る。
The produced silicon tetrachloride can be recovered by a method known per se.
For example, this can be easily carried out by condensation, distillation, etc.

この発明は、固定床、移動床、流動床などいずれの反応
方式でも実施することができる。
This invention can be carried out using any reaction method such as fixed bed, moving bed, or fluidized bed.

次に実施例および比較例を示す、。Next, Examples and Comparative Examples will be shown.

実施例 1〜6 活性炭粉末(比表面積950 rrl/jj )、シリ
カフラワー(平均粒径2μ、5IO2として91.5重
量係含有)およびホウ酸〔H3BO〕を第1表に記載の
量秤量して乳鉢で混合した後、打錠成形機で直径10m
m、高さ10mvtの柱状のペレットに成形し、ペレッ
トを160℃で1昼夜乾燥した。
Examples 1 to 6 Activated carbon powder (specific surface area 950 rrl/jj), silica flour (average particle size 2μ, containing 91.5 weight coefficient as 5IO2) and boric acid [H3BO] were weighed in the amounts listed in Table 1. After mixing in a mortar, it is made into a tablet with a diameter of 10 m using a tablet forming machine.
The pellets were molded into columnar pellets with a height of 10 mvt and a height of 10 mvt, and the pellets were dried at 160° C. for one day and night.

次いでペレットを内径25朋のアルミナ製反応管に充填
し、ヘリウムを流通させながら700°Cで1時間加熱
脱水処理した後、第1表に記載の反応温度で塩素ガスを
110 ml/ m i nの流量で1.5時間反応管
に流してペレットを反応させ、反応管出口からのガスを
ドライアイス・メタノールトラツで冷却、液化させて捕
集し、捕集物を蒸留して四塩化ケイ素を得た。
Next, the pellets were filled into an alumina reaction tube with an inner diameter of 25 mm, and heated and dehydrated at 700°C for 1 hour while circulating helium, and then chlorine gas was added at 110 ml/min at the reaction temperature listed in Table 1. The pellets are reacted by flowing the pellets through the reaction tube for 1.5 hours at a flow rate of Obtained.

四塩化ケイ素の収量および収率は第1表のとおりであっ
た。
The yield and yield of silicon tetrachloride were as shown in Table 1.

比較例 1 ホウ酸を混合しなかったほかは、実施例1と同様にして
四塩化ケイ素を製造した。
Comparative Example 1 Silicon tetrachloride was produced in the same manner as in Example 1, except that boric acid was not mixed.

その結果は第1表に示す。The results are shown in Table 1.

実施例 7 実施例1のシリカフラワーにかえてケイ石(SiO□と
して95.’7重量係含有)5.6,9を使用し、また
バイダーとしてシリカッ゛ル〔SiO2として30重量
係含有〕3gを使用したほかは、実施例1と同様にして
四塩化ケイ素を製造した。
Example 7 Instead of the silica flour of Example 1, silica stone (containing 95.7% by weight as SiO□) 5.6,9 was used, and 3 g of silica stone (containing 30% by weight as SiO2) was used as a binder. Silicon tetrachloride was produced in the same manner as in Example 1, except that .

その結果は第1表に示す。The results are shown in Table 1.

実施例 8 実施例1のホウ酸にかえて四ホウ酸ナトリウム(Na
2 B407・10H20) 1.19を使用し、反応
温度を500℃にかえたほかは、実施例1と同様にして
四塩化ケイ素を製造した。
Example 8 Sodium tetraborate (Na
Silicon tetrachloride was produced in the same manner as in Example 1, except that 2B407・10H20) 1.19 was used and the reaction temperature was changed to 500°C.

その結果は第1表に示す。The results are shown in Table 1.

比較例 2 ホウ酸を使用せず、ケイ石の使用量を6.4gにしたほ
かは、実施例7と同様にして四塩化ケイ素を製造した。
Comparative Example 2 Silicon tetrachloride was produced in the same manner as in Example 7, except that boric acid was not used and the amount of silica stone used was 6.4 g.

その結果は第1表に示す。なお、比較例2では、S i
CIJ 4の生成量が少ないため、捕集物を蒸留せずに
捕集物に水を加え、捕集物中のS t C14を加水分
解にして蒸発乾固し、700℃で2時間空気雰囲気下で
加熱してSiO□として秤量し、S r C14に換算
してS t C14の収量および収率を求めた。
The results are shown in Table 1. Note that in Comparative Example 2, S i
Since the amount of CIJ 4 produced was small, water was added to the collected material without distilling it, S t C14 in the collected material was hydrolyzed and evaporated to dryness, and the mixture was incubated at 700°C for 2 hours in an air atmosphere. The mixture was heated at a lower temperature and weighed as SiO□, and converted into S r C14 to determine the yield and yield of S t C14.

実施例 9 籾殻20gをヘリウム雰囲気下、500℃で2時間加熱
して炭化させ、籾殻の炭化物を得た。
Example 9 20 g of rice husk was carbonized by heating at 500° C. for 2 hours in a helium atmosphere to obtain a carbide of rice husk.

籾殻の炭化物8gを、80℃の水500m1にホウ酸〔
H3BO3〕409を溶解させたホウ酸水溶液に30分
間浸漬して炭化物にホウ酸を含浸させた後、160°C
で1昼夜乾燥して、ホウ酸が担持されている炭化物8.
57gを得た。
8 g of rice husk charcoal was added to 500 ml of water at 80°C with boric acid [
After impregnating the carbide with boric acid by immersing it in a boric acid aqueous solution in which H3BO3]409 was dissolved, it was heated to 160°C.
8. Dry for one day and night to obtain a carbide supporting boric acid.
57g was obtained.

なお、この炭化物中のSiは21.9重量係で、Bは1
.0重量嚢であった。
In addition, Si in this carbide has a weight ratio of 21.9, and B has a weight coefficient of 1.
.. The weight of the bag was 0.

次いでホウ酸が担持されている炭化物(B/5i=0.
25、原子比)7.59を秤量し、これを内径251r
r71Lのアルミナ製反応管に充填し、ヘリウムを流通
させながら450℃で1時間加熱脱水処理した後、ヘリ
ウムにかえて塩素ガスを110m4/minの流量で流
し、450℃で1時間反応を行ない、反応我出口からの
ガスをドライアイス・メタノールトラップで冷却、液化
させて捕集し、捕集物を蒸留して四塩化ケイ素10.1
を得た。
Next, a carbide carrying boric acid (B/5i=0.
25, atomic ratio) 7.59, and put this into an inner diameter of 251r.
After filling an r71L alumina reaction tube and heating and dehydrating it at 450°C for 1 hour while flowing helium, chlorine gas was flowed in place of helium at a flow rate of 110m4/min, and the reaction was carried out at 450°C for 1 hour. The gas from the reaction outlet is cooled, liquefied and collected in a dry ice/methanol trap, and the collected material is distilled to obtain silicon tetrachloride 10.1
I got it.

なお四塩化ケイ素の収率は61モル/%であった。Note that the yield of silicon tetrachloride was 61 mol/%.

比較例 3 ホウ酸を担持させなかったほかは、実施例9と同様にし
て四塩化ケイ素を製造した。
Comparative Example 3 Silicon tetrachloride was produced in the same manner as in Example 9, except that boric acid was not supported.

その結果、四塩化ケイ素の収量は6.2gで、収率は3
5モル係であった。
As a result, the yield of silicon tetrachloride was 6.2 g, and the yield was 3.
It was in charge of 5 moles.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 ケイ素含有物質と炭素の混合物を高温で塩素と反応
させて四塩化ケイ素を製造する方法において、該混合物
に混合物中のケイ素1グラム原子に対してホウ素が0.
03〜2グラム原子になるようにホウ素化合物を含有さ
せることを特徴とする四塩化ケイ素の製造方法。
1. A method for producing silicon tetrachloride by reacting a mixture of a silicon-containing substance and carbon with chlorine at high temperature, wherein the mixture contains 0.00% boron per gram atom of silicon in the mixture.
1. A method for producing silicon tetrachloride, which comprises containing a boron compound in an amount of 0.3 to 2 gram atoms.
JP8088980A 1980-06-17 1980-06-17 Method for producing silicon tetrachloride Expired JPS5934128B2 (en)

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