JPS5933667B2 - 白金又は白金−パラジウム合金の無電解メツキ浴 - Google Patents
白金又は白金−パラジウム合金の無電解メツキ浴Info
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- JPS5933667B2 JPS5933667B2 JP19058782A JP19058782A JPS5933667B2 JP S5933667 B2 JPS5933667 B2 JP S5933667B2 JP 19058782 A JP19058782 A JP 19058782A JP 19058782 A JP19058782 A JP 19058782A JP S5933667 B2 JPS5933667 B2 JP S5933667B2
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
- C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、金属又は非金属表面に白金又は白金−パラジ
ウム合金を無電解メッキするためのヒドラジン型メッキ
浴に関し、特に浴液の安定性が優れ、白金又は白金一パ
ラジウム合金の利用率が高く且つ操作温度が低い新規な
メッキ浴に関する。
ウム合金を無電解メッキするためのヒドラジン型メッキ
浴に関し、特に浴液の安定性が優れ、白金又は白金一パ
ラジウム合金の利用率が高く且つ操作温度が低い新規な
メッキ浴に関する。
白金の無電解メッキに関する公知文献は少ない。一般に
行われる無電解メッキ法から類推するならば、白金塩類
とヒドラジン、水素化ホウ素塩、アルキルアミンボラン
、次亜リン酸塩、ホルマリン等から選択される還元剤と
からなる浴液が考えられる。しかし、白金イオンの還元
は他金属の場合に比べて比較的速かに進むために浴液の
安定性が悪い。
行われる無電解メッキ法から類推するならば、白金塩類
とヒドラジン、水素化ホウ素塩、アルキルアミンボラン
、次亜リン酸塩、ホルマリン等から選択される還元剤と
からなる浴液が考えられる。しかし、白金イオンの還元
は他金属の場合に比べて比較的速かに進むために浴液の
安定性が悪い。
このため、上記のいずれの組み合わせにおいても、被メ
ッキ体表面に選択的にメッキ層を成長させることが困難
であると思われる。例えば、上記の還元剤の内で、水素
化ホウ素塩は還元力が強過ぎるため白金の還元が進み過
ぎて浴中に析出（即ち自己分解）してしまうので、反応
抑制のための安定化剤を加える必要があるが、この場合
の適当な安定化剤は見当らない。
ッキ体表面に選択的にメッキ層を成長させることが困難
であると思われる。例えば、上記の還元剤の内で、水素
化ホウ素塩は還元力が強過ぎるため白金の還元が進み過
ぎて浴中に析出（即ち自己分解）してしまうので、反応
抑制のための安定化剤を加える必要があるが、この場合
の適当な安定化剤は見当らない。
また、アルキルアミンボラン型の浴液は確かに安定であ
り自己分解が少ないが、還元温度が高く７０〜８０℃で
遂行される。このため、適用可能なプラスチックスの範
囲が狭く、また高温によるアンモニアの蒸発量が多くて
操業面からも好ましくないという欠点がある。また、次
亜リン酸塩及びホルマリンについては、還元力が弱いた
め高温で行なう必要があるが、高温にした場合は自己分
解が激しく、この自己分解を抑える安定化剤も見当らな
い。しかしながら、還元剤としてヒドラジンを用いる場
合については、従来他の金属のメッキに用いられている
浴液をそのまま白金に適用することは、浴液の安定性が
極めて悪いため不可能であるが、白金イオンの形態、安
定化剤等を選択することにより、浴液の安定性を改善出
来る可能性があると思われる。本発明者は、白金のヒド
ラジン型浴液の安定性を改善するため、種々の白金イオ
ン錯体及び共存安定化剤について鋭意研究した結果、特
に白金をニトロ錯塩又はニトロアンミン錯塩として用い
且つ安定化剤としてヒドロキシルアミン塩を使用した場
合には、浴液の安定性が著しく向上すること、この場合
選択析出性が著しく高められ、白金の利用率が９５％以
上であり極めて高く且つメッキ温度は６０℃以下の低温
で出来ること及びホウ素塩を含まないためメッキ層が硬
化することなく接着強度が大きいこと、更に上記白金錯
塩と、パラジウムのニトロ錯塩又はニトロアンミン錯塩
とを同時に用いた場合には白金−パラジウム合金が同様
にメツキ出来ることを見出し、本発明を完成するに至つ
た。
り自己分解が少ないが、還元温度が高く７０〜８０℃で
遂行される。このため、適用可能なプラスチックスの範
囲が狭く、また高温によるアンモニアの蒸発量が多くて
操業面からも好ましくないという欠点がある。また、次
亜リン酸塩及びホルマリンについては、還元力が弱いた
め高温で行なう必要があるが、高温にした場合は自己分
解が激しく、この自己分解を抑える安定化剤も見当らな
い。しかしながら、還元剤としてヒドラジンを用いる場
合については、従来他の金属のメッキに用いられている
浴液をそのまま白金に適用することは、浴液の安定性が
極めて悪いため不可能であるが、白金イオンの形態、安
定化剤等を選択することにより、浴液の安定性を改善出
来る可能性があると思われる。本発明者は、白金のヒド
ラジン型浴液の安定性を改善するため、種々の白金イオ
ン錯体及び共存安定化剤について鋭意研究した結果、特
に白金をニトロ錯塩又はニトロアンミン錯塩として用い
且つ安定化剤としてヒドロキシルアミン塩を使用した場
合には、浴液の安定性が著しく向上すること、この場合
選択析出性が著しく高められ、白金の利用率が９５％以
上であり極めて高く且つメッキ温度は６０℃以下の低温
で出来ること及びホウ素塩を含まないためメッキ層が硬
化することなく接着強度が大きいこと、更に上記白金錯
塩と、パラジウムのニトロ錯塩又はニトロアンミン錯塩
とを同時に用いた場合には白金−パラジウム合金が同様
にメツキ出来ることを見出し、本発明を完成するに至つ
た。
即ち本発明は、（ａ）白金のニトロ錯塩若しくは（及び
）ニトロアンミン錯塩又はこれ（これら）とパラジウム
のニトロ錯塩若しくは（及び）ニトロアンミン錯塩、（
ｂ）ヒドロキシルアミン塩、並びに（ｃ）ヒドラジンを
含有し、ＰＨｌＯ〜１３であることを特徴とする白金又
は白金一パラジウム合金の無電解メツキ浴に係る。
）ニトロアンミン錯塩又はこれ（これら）とパラジウム
のニトロ錯塩若しくは（及び）ニトロアンミン錯塩、（
ｂ）ヒドロキシルアミン塩、並びに（ｃ）ヒドラジンを
含有し、ＰＨｌＯ〜１３であることを特徴とする白金又
は白金一パラジウム合金の無電解メツキ浴に係る。
本発明における白金二トロ錯塩又は白金二トロアンミン
錯塩としては、例えばＫ２〔Ｐｔ（ＮＯ２）４〕，Ｎａ
２〔Ｐｔ（ＮＯ２）４，（ＮＨ３）２Ｐｔ（ＮＯ２）２
等の結晶をアンモニア水に溶解して使用するか、又は白
金のアンミン錯塩若しくはクロロアンミン錯塩の溶液に
亜硝酸のアルカリ金属塩等の塩をアンモニア水中で反応
させて得たものを使用する。
錯塩としては、例えばＫ２〔Ｐｔ（ＮＯ２）４〕，Ｎａ
２〔Ｐｔ（ＮＯ２）４，（ＮＨ３）２Ｐｔ（ＮＯ２）２
等の結晶をアンモニア水に溶解して使用するか、又は白
金のアンミン錯塩若しくはクロロアンミン錯塩の溶液に
亜硝酸のアルカリ金属塩等の塩をアンモニア水中で反応
させて得たものを使用する。
しかし、浴液中の共存イオンがメツキ条件に影響を与え
ることが多いので、メツキの品質管理の面から考えると
、できるだけ純結晶を用いるのが好ましい。結晶を用い
る場合は、通常１種を用いるが、２種以上を用いても差
し支えない。白金−パラジウム合金をメツキする場合に
は、上記白金錯塩とパラジウムニトロ錯塩又は（及び）
パラジウムニトロアンミン錯塩の結晶とをアンモ[ャA水
に溶解して用いるか、又は白金のアンミン錯塩若しくは
クロロアンミン錯塩とパラジウムのアンミン錯塩若しく
はクロロアンミン錯塩の溶液に亜硝酸塩をアンモニア水
中で反応させて得たものを用いる。
ることが多いので、メツキの品質管理の面から考えると
、できるだけ純結晶を用いるのが好ましい。結晶を用い
る場合は、通常１種を用いるが、２種以上を用いても差
し支えない。白金−パラジウム合金をメツキする場合に
は、上記白金錯塩とパラジウムニトロ錯塩又は（及び）
パラジウムニトロアンミン錯塩の結晶とをアンモ[ャA水
に溶解して用いるか、又は白金のアンミン錯塩若しくは
クロロアンミン錯塩とパラジウムのアンミン錯塩若しく
はクロロアンミン錯塩の溶液に亜硝酸塩をアンモニア水
中で反応させて得たものを用いる。
上記パラジウム錯塩としては、例えばＫ２〔Ｐｄ（ＮＯ
２）４〕，Ｎａ２〔Ｐｄ（ＮＯ２）４〕，（ＮＨ３）２
Ｐｄ（ＮＯ２）２等の結晶を挙げることが出来る。結晶
を用いる場合は、これらの少くとも１種を用いる。白金
−パラジウム合金をメツキする際の白金とパラジウムと
の金属としてのモル比は、通常白金１モルに対してパラ
ジウム０．１〜１．５モル程度である。本発明において
使用するヒドロキシルアミン塩としては、水溶性の塩例
えば塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩等が好ましい。
２）４〕，Ｎａ２〔Ｐｄ（ＮＯ２）４〕，（ＮＨ３）２
Ｐｄ（ＮＯ２）２等の結晶を挙げることが出来る。結晶
を用いる場合は、これらの少くとも１種を用いる。白金
−パラジウム合金をメツキする際の白金とパラジウムと
の金属としてのモル比は、通常白金１モルに対してパラ
ジウム０．１〜１．５モル程度である。本発明において
使用するヒドロキシルアミン塩としては、水溶性の塩例
えば塩酸塩、硫酸塩、硝酸塩等が好ましい。
本発明におけるヒドラジンとしては、水溶液の伏態でヒ
ドラジンとなるもの、例えばヒドラジンの水和物、塩酸
塩、硫酸塩等が好適に使用できる。
ドラジンとなるもの、例えばヒドラジンの水和物、塩酸
塩、硫酸塩等が好適に使用できる。
本発明の浴液組成としては、白金又は白金−パラジウム
の濃度が５×１０−４〜５×１０−２Ｍ／ｌ（白金の場
合、０．１〜１０９／ｌ）好ましくは２，５×１０−３
〜２．５×１０−２Ｍ／ｌ（白金の場合、０．５〜５９
／ｌ）、ヒドロキシルアミンが０．００１４〜０．７Ｍ
／ｌ（塩酸塩の場合、０，１〜５０９／ｌ）好ましくは
０．００１４〜０．０１４Ｍ／ｌ（塩酸塩の場合、０．
１〜１９／ｌ）及びヒドラジンを０．００３〜１．５Ｍ
／ｌ（一水和物の場合、０．１５〜７５９／ｌ）好まし
くは０．００３〜０．３Ｍ／ｌ（一水和物の場合、０．
１５〜１５９／ｌ）である。本発明においては上記組成
の浴液を、アンモニア水又はアルカリ性ＰＨ緩衝液によ
り、ＰＨｌＯ〜１３好ましくは１１〜１２の範囲に調製
して使用する。ＰＨが１３以上になると還元速度が速く
なり自己分解し易くなる。
の濃度が５×１０−４〜５×１０−２Ｍ／ｌ（白金の場
合、０．１〜１０９／ｌ）好ましくは２，５×１０−３
〜２．５×１０−２Ｍ／ｌ（白金の場合、０．５〜５９
／ｌ）、ヒドロキシルアミンが０．００１４〜０．７Ｍ
／ｌ（塩酸塩の場合、０，１〜５０９／ｌ）好ましくは
０．００１４〜０．０１４Ｍ／ｌ（塩酸塩の場合、０．
１〜１９／ｌ）及びヒドラジンを０．００３〜１．５Ｍ
／ｌ（一水和物の場合、０．１５〜７５９／ｌ）好まし
くは０．００３〜０．３Ｍ／ｌ（一水和物の場合、０．
１５〜１５９／ｌ）である。本発明においては上記組成
の浴液を、アンモニア水又はアルカリ性ＰＨ緩衝液によ
り、ＰＨｌＯ〜１３好ましくは１１〜１２の範囲に調製
して使用する。ＰＨが１３以上になると還元速度が速く
なり自己分解し易くなる。
またＰＨが１０より低いと還元速度が小さくなリメツキ
時間が長くなる。ヒドロキシルアミンが０．００１５Ｍ
／ｌ未満になると浴液の安定性が悪くなり、また０．７
Ｍ／ｌを越えるとメツキ層の成長を極端に抑えるので好
ましくない。斯くして作成された本発明メツキ浴に、予
め活性化処理を経た被メツキ体を浸漬すると、室温〜６
０℃程度好ましくは３０〜５０℃の温度で、接触的に還
元反応が進行し、良質の白金又は白金一パラジウム合金
メツキ層が成長する。メツキ温度が室温より低いとメツ
キが進行しにくくなる。また、メツキ温度が６００Ｃを
越えると自己分解が起こり始める。上記温度範囲内では
メツキは良好に進行し、その際の浴液中の白金又は白金
−パラジウムの反応率は９５〜９８％に達し、浴液中で
の自己分解あるいは反応容器壁への析出は全く起らない
。メツキ時間は被メツキ体の形伏にもよるので一定では
ないが、例えば約２μｍの白金メツキ層を得る場合の例
を述べれば１．５〜２時間という短時間である。本発明
のメツキ浴においては、前記白金錯塩自体が著しく安定
であり（前記パラジウム錯塩も同様）、ヒドロキシルア
ミン塩が加わるとさらに安定な錯体を形成し自己分解は
ほとんど抑えられる。
時間が長くなる。ヒドロキシルアミンが０．００１５Ｍ
／ｌ未満になると浴液の安定性が悪くなり、また０．７
Ｍ／ｌを越えるとメツキ層の成長を極端に抑えるので好
ましくない。斯くして作成された本発明メツキ浴に、予
め活性化処理を経た被メツキ体を浸漬すると、室温〜６
０℃程度好ましくは３０〜５０℃の温度で、接触的に還
元反応が進行し、良質の白金又は白金一パラジウム合金
メツキ層が成長する。メツキ温度が室温より低いとメツ
キが進行しにくくなる。また、メツキ温度が６００Ｃを
越えると自己分解が起こり始める。上記温度範囲内では
メツキは良好に進行し、その際の浴液中の白金又は白金
−パラジウムの反応率は９５〜９８％に達し、浴液中で
の自己分解あるいは反応容器壁への析出は全く起らない
。メツキ時間は被メツキ体の形伏にもよるので一定では
ないが、例えば約２μｍの白金メツキ層を得る場合の例
を述べれば１．５〜２時間という短時間である。本発明
のメツキ浴においては、前記白金錯塩自体が著しく安定
であり（前記パラジウム錯塩も同様）、ヒドロキシルア
ミン塩が加わるとさらに安定な錯体を形成し自己分解は
ほとんど抑えられる。
このため本発明メツキ浴は、被メツキ体が浸漬されない
場合には長時間にわたつて自已分解することなく極めて
優れた安定性を有する。本発明メツキ浴が適用できる対
象としては、金属、例えば銅、ニツケル、鉄、それらの
合金、チタン、タンタル等の電子部品あるいは電極材料
等の工業材料等が挙げられる。
場合には長時間にわたつて自已分解することなく極めて
優れた安定性を有する。本発明メツキ浴が適用できる対
象としては、金属、例えば銅、ニツケル、鉄、それらの
合金、チタン、タンタル等の電子部品あるいは電極材料
等の工業材料等が挙げられる。
また、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合
体（ＡＢＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、カーボネート樹脂
等の合成樹脂、ガラス、セラミツクス等、通常の無電解
メツキが可能な材質に対して適用できる。また、カチオ
ン交換膜に白金を接合して使用される水素あるいは酸素
製造水電解槽のユニツトセルの製造に応用できる。
体（ＡＢＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、カーボネート樹脂
等の合成樹脂、ガラス、セラミツクス等、通常の無電解
メツキが可能な材質に対して適用できる。また、カチオ
ン交換膜に白金を接合して使用される水素あるいは酸素
製造水電解槽のユニツトセルの製造に応用できる。
本発明メツキ浴はこの種の接合体の製造において、従来
のアルキルアミンボラン型のメツキ浴に比べて膜の汚染
が少ない点でより優れている。いずれの場合も、被メツ
キ体については予め活性化処理を行つておくのが好まし
い。
のアルキルアミンボラン型のメツキ浴に比べて膜の汚染
が少ない点でより優れている。いずれの場合も、被メツ
キ体については予め活性化処理を行つておくのが好まし
い。
金属の場合は、表面清浄後、パラジウム、白金、ロジウ
ム等の塩類水溶液に浸漬し、必要ならば引続き水素化ホ
ウ素塩水溶液等に浸漬還元処理して活性化した後、本発
明メツキ浴に浸漬する。
ム等の塩類水溶液に浸漬し、必要ならば引続き水素化ホ
ウ素塩水溶液等に浸漬還元処理して活性化した後、本発
明メツキ浴に浸漬する。
高分子材料、ガラス、セラミツクスの場合にも、通常、
これらの表面に銅、ニツケル等の化学メツキを行なう場
合に利用されている表面親水化、増感処理、活性化処理
を行つた後、本発明メツキ浴に浸漬する。また、イオン
交換膜の場合は、表面粗化、清浄処理をした後、膜の極
性に応じてアニオン性又はカチオン性の白金錯イオンを
吸着させ、ついで水素化ホウ素ナトリウム溶液等で還元
して０．５〜２μｍ程度の第一層を接合した後、本発明
メツキ浴に浸漬して成長させる。
これらの表面に銅、ニツケル等の化学メツキを行なう場
合に利用されている表面親水化、増感処理、活性化処理
を行つた後、本発明メツキ浴に浸漬する。また、イオン
交換膜の場合は、表面粗化、清浄処理をした後、膜の極
性に応じてアニオン性又はカチオン性の白金錯イオンを
吸着させ、ついで水素化ホウ素ナトリウム溶液等で還元
して０．５〜２μｍ程度の第一層を接合した後、本発明
メツキ浴に浸漬して成長させる。
本発明メツキ浴によるメツキ層は、例えば水素化ホウ素
塩、ジメチルアミンボラン等を用いて析出させた白金又
は白金−パラジウム合金に比べて、ホウ素を含まないた
めに硬度が低く柔軟性に富み接合強度が大きい。
塩、ジメチルアミンボラン等を用いて析出させた白金又
は白金−パラジウム合金に比べて、ホウ素を含まないた
めに硬度が低く柔軟性に富み接合強度が大きい。
このため電極材料等のメツキに適している。また、膜一
電極接合体の場合のような柔軟性基体へのメツキにも適
している。本発明メツキ浴は、白金又は白金−パラジウ
ム合金のメツキの他に、白金やパラジウムと同様に安定
なニトロ錯塩又はニトロアンミン錯塩を作るイリジウム
、ロジウム等の金属単独又は白金との合金のメツキにも
応用することが出来る。以下、実施例を挙げて本発明を
更に具体的に説明する。
電極接合体の場合のような柔軟性基体へのメツキにも適
している。本発明メツキ浴は、白金又は白金−パラジウ
ム合金のメツキの他に、白金やパラジウムと同様に安定
なニトロ錯塩又はニトロアンミン錯塩を作るイリジウム
、ロジウム等の金属単独又は白金との合金のメツキにも
応用することが出来る。以下、実施例を挙げて本発明を
更に具体的に説明する。
実施例 １
過フルオロカーボンスルホン酸型のカチオン交換膜〔デ
ユポン社製、［ナフイオン１１７」、膜厚７ミル（約０
．１７５ｍ１）〕を用い、直径約８０ｎ円形部分に白金
を接合した。
ユポン社製、［ナフイオン１１７」、膜厚７ミル（約０
．１７５ｍ１）〕を用い、直径約８０ｎ円形部分に白金
を接合した。
膜の前処理には、まず、サンドブラスト粗化を行い、続
いて４Ｎ−Ｈｃｌで煮沸して清浄化後、熱水洗滌した。
いて４Ｎ−Ｈｃｌで煮沸して清浄化後、熱水洗滌した。
処理膜をメツキ用セルに挟み、膜の両側にアンモニア水
中で四塩化白金を煮沸して得た白金アンミン錯塩溶液（
白金５０Ｔｆ９／１００ｍ１）を入れ、室温２時間浸漬
した。
中で四塩化白金を煮沸して得た白金アンミン錯塩溶液（
白金５０Ｔｆ９／１００ｍ１）を入れ、室温２時間浸漬
した。
水洗後、同セルにＰＨｌ２の水素化ホウ素ナトリウム０
．０５％溶液を加え、４０〜６０℃で２時間還元して約
１μｍ厚の白金層を膜の両表面に析出させた。この活性
化膜を下記組成の化学メツキ浴に浸漬した。
．０５％溶液を加え、４０〜６０℃で２時間還元して約
１μｍ厚の白金層を膜の両表面に析出させた。この活性
化膜を下記組成の化学メツキ浴に浸漬した。
浴液は（１）（２）（３）を加温溶解して溶夜とし、つ
いで（４）（５）（６）を加えて調製した。
いで（４）（５）（６）を加えて調製した。
メツキは４０〜５０℃、２時間行い、白金析出量は３Ｔ
ｆ１９／ＣＩＬメツキ厚は約３μｍであつた。
ｆ１９／ＣＩＬメツキ厚は約３μｍであつた。
この間浴液中に析出は起らず、原液中の白金の利用率は
約９８％であつた。実施例 ２ スルホン酸型及びカルボン酸型膜の複合膜（デユポン社
製、「ナフイオン９０１」）を用いそのカルボン酸膜側
に白金を接合した。
約９８％であつた。実施例 ２ スルホン酸型及びカルボン酸型膜の複合膜（デユポン社
製、「ナフイオン９０１」）を用いそのカルボン酸膜側
に白金を接合した。
実施例１と同様に、セルに挟み、白金アンミン錯塩溶液
に浸漬した後、ＰＨｌ２の水素化ホウ素ナトリウム溶液
で還元して第一還元層を作成した後、下記組成の化学メ
ツキ浴に浸漬した。
に浸漬した後、ＰＨｌ２の水素化ホウ素ナトリウム溶液
で還元して第一還元層を作成した後、下記組成の化学メ
ツキ浴に浸漬した。
浴液は（１）（２）（３）を加温溶解して水溶液を得た
後、（４）（５）（６）を加えて調製した。
後、（４）（５）（６）を加えて調製した。
メツキは４０〜４５℃、２時間行い、白金析出量３η／
ｄ１メツキ厚約２．５μｍであつた。
ｄ１メツキ厚約２．５μｍであつた。
この間、浴液中での析出は起らず、原夜中の白金の利用
率は９８％であつた。実施例 ３ 銅板試料（２×４Ｃｒ！Ｌ）をシアン化ナトリウム溶液
で脱脂清浄化処理した後、５％塩化パラジウム、２Ｎ一
塩酸溶夜に室温３０秒間浸漬して活性化した。
率は９８％であつた。実施例 ３ 銅板試料（２×４Ｃｒ！Ｌ）をシアン化ナトリウム溶液
で脱脂清浄化処理した後、５％塩化パラジウム、２Ｎ一
塩酸溶夜に室温３０秒間浸漬して活性化した。
水洗後下記メツキ浴夜（実強例２と同様にして調製した
）に４０′Ｃ、２時間浸漬して約２μｍの白金−パラジ
ウム合金メツキを得た。浴夜中の分解はなく、金属の利
用率はいずれも９６％であつた。
）に４０′Ｃ、２時間浸漬して約２μｍの白金−パラジ
ウム合金メツキを得た。浴夜中の分解はなく、金属の利
用率はいずれも９６％であつた。
実施例 ４
ニツケル試料片（２×４ｃｍ）をアルカリ脱脂し、塩化
ロジウム２９、塩酸１０ｍ１１水１００ｄの溶夜に３０
秒浸漬して活性化した後、水洗し、下記組成の浴液を用
いて４０〜５０℃で２時間、メツキ処理を行つた。
ロジウム２９、塩酸１０ｍ１１水１００ｄの溶夜に３０
秒浸漬して活性化した後、水洗し、下記組成の浴液を用
いて４０〜５０℃で２時間、メツキ処理を行つた。
ニツケル表面に約２μｍ厚の白金メツキ層が得られ、白
金の利用率は９８％であつた。
金の利用率は９８％であつた。
実施例 ５
ＡＢＳ樹脂（日本合成ゴム（株）製）の厚さ２ｍ７７！
の板伏試料（３×４ｃＴｒＬ）に白金メツキを行つた。
の板伏試料（３×４ｃＴｒＬ）に白金メツキを行つた。
試料の前処理は、公知のクロム酸エツチングとキヤタリ
スト浴および活性化浴により活性化を強した。白金メツ
キ浴は実施例１の組成のものを用い、４０〜５０℃、２
時間浸漬して約２μｍのメツキを得た。
スト浴および活性化浴により活性化を強した。白金メツ
キ浴は実施例１の組成のものを用い、４０〜５０℃、２
時間浸漬して約２μｍのメツキを得た。
Claims (1)
- １ （ａ）白金のニトロ錯塩若しくは（及び）ニトロア
ンミン錯塩、又はこれ（これら）とパラジウムのニトロ
錯塩若しくは（及び）ニトロアンミン錯塩、（ｂ）ヒド
ロキシルアミン塩、並びに（ｃ）ヒドラジンを含有し、
ｐＨ１０〜１３であることを特徴とする白金又は白金−
パラジウム合金の無電解メッキ浴。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19058782A JPS5933667B2 (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 白金又は白金−パラジウム合金の無電解メツキ浴 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19058782A JPS5933667B2 (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 白金又は白金−パラジウム合金の無電解メツキ浴 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5980764A JPS5980764A (ja) | 1984-05-10 |
| JPS5933667B2 true JPS5933667B2 (ja) | 1984-08-17 |
Family
ID=16260541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19058782A Expired JPS5933667B2 (ja) | 1982-10-28 | 1982-10-28 | 白金又は白金−パラジウム合金の無電解メツキ浴 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5933667B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
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| WO2014162935A1 (ja) * | 2013-04-05 | 2014-10-09 | メタローテクノロジーズジャパン株式会社 | 無電解白金めっき液、及び同めっき液を用いる無電解白金めっき方法 |
-
1982
- 1982-10-28 JP JP19058782A patent/JPS5933667B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5980764A (ja) | 1984-05-10 |
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