JPS593067B2 - コタイサツゾウタイ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 例えば電荷結合素子ＣＣＤを使用した固体撮像体で、イ
ンタラインシフト方式を採ろものの代表 。

的な構成例は第１図に示す通りである。第１図はその原
理的な説明図であつて、共通の半導体基体１上にマトリ
ックス状に配列した夫々１絵素として構成される多数の
受光部２と、水平走査方向における受光部２の数即ち水
平絵素数と同じ数だけ設けられた垂直方向にのびる垂直
シフ５ トレジスタ３と、更に出力端子側に蓄積電荷（
キャリヤ）を転送させるための水平シフトレジスタ４と
から、この固体撮像体１０が構成される。

この固体撮像体１０から撮像出力を得るには、まず各受
光部２で蓄積された光情報に基づく少数１０キャリヤを
一旦垂直ライン毎に、垂直シフトレジスタ３に転送（パ
ラレル転送）し、次いで各垂直シフトレジスタ３により
順次垂直方向に転送（シリアル転送）すると共に、水平
シフトレジスタ４を通じてその蓄積キャリヤを１水平走
査毎に読出１５す。このようにすれば、水平シフトレジ
スタ４の出力端子に目的の撮像出力を得ることができる
。ここで、受光部２の垂直列と垂直シフトレジスタ３と
は交互に空間配置されているから、この転送方式を一般
にはインタラインシフト（又はインフ０ タライントラ
ンスフア）方式と称するものである。なお、第１図に示
されろ複数の矢印はキャリヤの転送方向を示すが、イン
タレース的な走査方式を採用する場合では、破線矢印が
或る偶数フィールドでの転送を示すことになる。依つて
、奇数フッ５ イールドでは実線矢印のみ転送される。
なお、第１図に示した固体撮像体において、その水平走
査方向に関して奇数番目の絵素を２ａとし、偶数番目の
絵素を２ｂとする。又、奇数番目の水平走査線を５ａで
、偶数番目のそれを５ｂでＥＯ示す。６はゲート領域を
示す。

これは各絵素２に蓄えられたキャリヤを読出し、この読
出されたキャリヤを所望とするときに垂直のシフトレジ
スタ３に転送するために設けられたものであろ。この場
合キャリヤ読出し方向は転送方向ａと直交する１５方向
、つまり水平走査方向である。ところで、上述した垂直
シフトレジスタ３にはキャリヤを夫々水平シフトレジス
タ４側に転送するため転送用の電極が設けられ、これら
電極に夫夫所望とする転送信号が供給される。

以下説明する例は２相クロック方式である。それがため
、電極は例えば第２図で示すように設けられる。この図
はキヤリヤ転送方向ａを切断面とするものであつて、第
１の電極φ１と第２の電極φ２とが転送方向ａに向つて
順次交互に配されるが、これら電極φ１，φ２は夫々転
送用電極φ１Ｔ，φ２Ｔと蓄積用電極φ１Ｓ，φ２Ｓと
から構成される。従つて、まず蓄積用電極φ１Ｓ．φ２
Ｓは基体１の主平面１ａ上にＳｉＯ２等の絶縁層１１を
介して被着形成される。これに対し、転送用電極φ１Ｔ
，φ２Ｔは絶縁層１１の厚みを更に厚くした上で、しか
も前後する電極φ１Ｓ，φ２Ｓの一部を含むようにその
配置関係が選定された状態で被着形成される。なお、絶
縁層１１の厚みを異ならせたのは、夫夫の電極によつて
形成されるポテンシヤルウエルに差を与えるためである
。

従つて、電極φ１，φ２に印加される転送信号のレベル
（電圧）に差を与えれば、例えば図に示すような転送方
向ａに向つて順次そのウエルが深くなる階段状の連続し
たポテンシヤルウエル１２を形成でき、キヤリヤを矢印
ａ方向つまり転送方向ａに確実に転送できるようになる
。

これら電極φ１，φ２と各絵素２との相対的な位置関係
は、第３図で示すように転送及び蓄積の各電極と夫々対
向するような位置に絵素２が配される。

ポテンシヤルウエル１２との関係を第２図ＡＢに示す。
従つて、例えば奇数番目の絵素２ａに蓄えられたキヤリ
ヤはゲート電極６下の領域（特に図示せず）を通じて読
出されたのち、夫々蓄積電極φ１Ｓ，φ２Ｓ直下のウエ
ルに蓄えられる。ところで、垂直シフトレジスタ３の実
際の大きさは数μ〜数１０μと極めて小さく、しかも転
送方向ａの長さはその巾よりもずつと短かいので、電極
φ１，φ２を取着する際のマスク合せに誤差が生ずると
、その誤差による影響が強くあられれる。例えば、第２
図Ｃで示すように転送方向ａに対し、ΔＴだけずれて電
極が取着された場合には、ポテンシヤルウエル１２と絵
素２との関係は同図ＡとＣとの関係に等しい。そのため
、蓄積電極φ１Ｓ，φ２Ｓ直下のウエルに転送されるべ
きキヤリヤは異なる蓄積電極φ２Ｔ，φ１Ｔ直下のウエ
ルに転送されてしまう。すなわち、誤つた転送がなされ
る致命的な欠点が生ずる。又、転送電極φ１Ｔ，φ２Ｔ
とゲート電極６とは絶縁層１１の厚みを同じくするばか
りでなく、夫々同一レベルの信号で駆動されるを普通と
するから、キヤリヤの転送中、誤つてこのキヤリヤがゲ
ート領域側に再注入されるおそれもある。

このような誤つた転送及びキヤリヤの再注入はいずれも
画質の劣化につながる。本発明はこのような点を考慮し
、特に各絵素２に蓄えられたキヤリヤを読出すにあつて
、その読出し方向をキヤリヤ転送方向と同じく垂直方向
とすることによつて、上述の欠点を一掃したものである
。

以下図面を参照して本発明を説明するも、この固体撮像
体は従来とは全く異る絵素配列パターンをとる。

まず、この基本パターンを第４図を用いて説明する。す
なわち、この固体撮像体１０は、各垂直列に配された絵
素群の夫々が夫々の垂直シフトレジスタを利用するので
はなく、隣り合う絵素群で１本の垂直シフトレジスタを
使用する如く共用する構成である。それがため、垂直シ
フトレジスタ３は２本の絵素群の間に配され、夫々の絵
素群で得たキヤリヤをこの１本の垂直シフトレジスタ３
で転送するようにしている。又、これら複数の絵素にあ
つては、垂直シフトレジスタ３に関してジグザグパター
ン状に配列される。

図の例ではインターレース走査方式を採用しているため
、夫々２個の絵素を１組としてこれがジグザグに配列さ
れる。そして、絵素の省略された領域を含むように垂直
シフトレジスタ３の領域が拡大される。

なお、この領域が拡大された部分をシフトレジスタ３の
拡大部３Ａと呼称すれば、これら拡大部３Ａも又ジグザ
グパターンとなる。

ここで、拡大部３Ａで夫々囲まれるシフトレジスタ３の
領域を狭隘部３Ｂとしよう。第４図において、８はチャ
ンネルストッパーの領域で、垂直シフトレジスタ３及び
複数の絵素２を夫々取りかこむように形成されている。

テヤンネルストソパ一８の領域内には絵素２の余剰キヤ
リヤを流すためのオーバーフロードレイン領域９が設け
られるも、この領域９の導電型式は基体１のそれとは異
る導電型式をとり、従つて、基体１がＮ型なら領域９は
ｐ＋型に選定される。チヤンネルストツパ一８はＮ＋で
ある。このように固体撮像体１０を構成すれば、その詳
細な説明は省略するも、まず、第１に絵素数及び垂直シ
フトレジスタ３の数を夫々従来の２／３程度にしても、
垂直相関を利用することによつて画質は殆んど劣化しな
い。

そのため、解像度を劣化させることなく構成の簡略化を
図りうるものである。第２は垂直シフトレジスタ３の面
積を拡大できるから、その詳細な説明は割愛するも、キ
ヤリャ転送効率を格段に向上できる特徴を有する。本発
明による固体撮像体はこのようなジグザグパターンの固
体撮像体を母体とし、これを更に発展させたものであつ
て、絵素の配置及びこれら絵素のキヤリヤ転送が特徴あ
る部分である。第５図以下を参照して本発明による固体
撮像体を説明するも、第６図は第５図に示した固体撮像
体１０の各部における縦断面図、第７図は同様にその横
断面図を夫々示し、依つて以下の説明ではこれら断面図
を含めた上で本発明の構成等を詳細に説明しよう。

まず、固体撮像体１０の概略から説明を付記するも、第
５図において右下りの斜線の施された領域は垂直シフト
レジスタ３の領域を示し、図のように拡大部３Ａと狭隘
部３Ｂとから構成され、拡大部３Ａはジグザグに配列さ
れるは云うまでもない。

そして、これら複数の拡大部３Ａと対向して夫々複数の
絵素が配列形成されるも、本発明では以下述べるような
状態に絵素が配列されるものである。なお、以下説明す
る例では絵素２ａをＳＡｌとし、他方の絵素２ｂをＳＡ
２とする。本発明では夫々の絵素ＳＡｌ，ＳＡ２に蓄え
られたキャリヤは水平走査方向ではなく、垂直走査方向
に転送される。

一方の絵素ＳＡｌから説明するも、この絵素ＳＡｌのキ
ヤリヤの読出し方向はキヤリヤ転送方向ａと並行ではあ
るがその向きは反対である。

それがため、ゲート領域ＳＴｌは絵素ＳＡｌと拡大部３
Ａとの間で、しかもこの拡大部３Ａの水平走査方向と並
行な側面１４側に位置するようにして形成されるもので
ある。他方の絵素ＳＡ２のキヤリヤの読出し方向は上述
とは反対にキヤリヤ転送方向ａと同一方向である。ＳＴ
２はゲート領域を示す。そして、これら絵素ＳＡｌとＳ
Ａ２の間及び垂直シフトレジスタ３との間にはチャンネ
ルストッパー８Ｂが形成される。

このテヤンネルストソパー８Ｂは、垂直シフトレジスタ
３とほぼ平行になされた主チャンネルストッパー８Ａか
ら延びた補助チヤンネルストツパ一で、その平面形状は
Ｔ字状をなす。これら主及び補助よりなるチャンネルス
トッパー８の全領域を左下がりの斜線で示す。なお、主
チヤンネルストッパ一８Ａ内に破線をもつて図示した半
導体領域はオーバーフロードレイン領域９を示し、この
領域９と複数の絵素ＳＡｌ，ＳＡ２との間に設けられた
領域０Ｇ１，０Ｇ２は余剰キヤリヤをこの領域９に流す
ためのゲートである。このように、絵素ＳＡｌ，ＳＡ２
及びチヤンネルストツパ一８の位置関係を選定すると共
に、キヤリヤの読出し方向を転送方向ａと同じくすれば
、キヤリヤを垂直シフトレジスタ３に転送する場合、そ
の転送領域を如何なる条件のもとにおいても固定するこ
とができる。

ところで、ゲート領域ＳＴｌ，ＳＴ２に設けられる電極
はこのゲート領域ＳＴｌ，ＳＴ２に接する電極φ１，φ
２と共通になされるも、これら電極で形成される領域に
あつて、蓄積領域φ１Ｓ，φ２Ｓと転送領域φ１Ｔ，φ
２Ｔとは夫々絶縁層の厚みを異にしているは前述した通
りであるが、ゲート領域ＳＴｌ，ＳＴ２との関係は、第
６図で示すようにゲート領域に隣接する領域、すなわち
この例では蓄積領域φ１Ｓ，φ２Ｓに形成されるウエル
よりもゲート領域ＳＴｌ，ＳＴ２に形成されるウエルの
方が浅くなるように絶縁層１１の厚みが選定される。

従つて、この例ではゲート領域ＳＴｌ，ＳＴ２の絶縁層
１１の方が厚い。こうすることにより、キヤリャの再注
入を防止している。なお、第５図以下の説明では、電極
φ１，φ２の構成は２層構成とすることなく、１層構成
をとつた場合である。

そのため、夫々の電極φ１Ｔ〜φ２Ｓを電極領域φ１Ｔ
〜φ２Ｓとして説明する。次に、本発明による固体撮像
体１０のキヤリヤ蓄積及びその転送方法の概略を説明す
る。まず、第８図は第５図の−線上の断面図で、キヤリ
ヤの蓄積状態を示す。この例ではインターレース走査方
式の構成例であるから、一方の絵素ＳＡｌの光量に応じ
たキヤリヤを転送する場合につき説明を付記しよう。絵
素ＳＡｌ，ＳＡ２にキヤリヤを蓄積するには例えば、同
図Ａのようなポテンシヤルウエル１２が得られるように
各電極に加える信号の電位関係を選ぶ。こうすれば、絵
素ＳＡｌ，ＳＡ２共にキヤリヤが誘起されるから、次の
瞬間同図Ｂで示す如くポテンシヤルウエル１２を変更す
ることによつて、絵素ＳＡｌのキヤリヤはゲート領域Ｓ
Ｔｌを通じて蓄積領域φ１Ｓ下に蓄えられる。この場合
、ゲート領域ＳＴｌには電極φ１Ｔ，φ１Ｓと同じ電極
電圧が印加されるため、ゲート領域ＳＴｌのポテンシヤ
ルは絵素ＳＡｌのポテンシヤルより深くなり、従つて絵
素ＳＡｌのキヤリヤは電極φ１Ｓ側に転送される。

しかし、他方のゲート領域ＳＴ２には電極φ２Ｔφ２Ｓ
と同じ電圧が印加されるため、ゲート領域ＳＴ２のポテ
ンシヤルは絵素ＳＡ２のポテンシヤルよりも浅く、その
ため絵素ＳＡ２のキヤリヤは電極φ２Ｓ側には転送され
ない。

蓄積領域φ１Ｓ下に蓄えられたキヤリヤは水平走査周期
で水平シフトレジスタ４側に転送される。

第９図はこの転送状態を示し、第８図Ｂの状態は第９図
Ａの状態と等価であるから、各蓄積領域φ１Ｓに蓄えら
れたキヤリヤは、同図Ａのポテンシヤルウエル１２の状
態より同図Ｂのポテンシヤルに変えれば、矢印で示すよ
うに次の蓄積領域φ２Ｓに転送される。従つて、この動
作を繰り返えせば、水平シフトレジスタ４にキヤリヤを
転送できるものである。なお、垂直シフトレジスタ３に
設けられる電極φ１，φ２の形成位置は次の如く定める
。

すなわち、狭隘部３Ｂ上に取着される電極は第２の電極
φ２であり、しかも、この狭隘部３Ｂには転送領域φ２
Ｔが位置するように選定される。この場合、補助ナヤン
ネルストソパ一８Ｂにあつて、レジスタ３と並行な領域
１６の転送方向ａにおける前縁１６ａと、第２の電極φ
２の前縁すなわち、転送領域φ２Ｔの前縁１７とが少く
とも一致するようにその位置関係が選定されるものであ
る。

次に、これらの電極選定条件を満足する電極形成の一例
を示すに、第５図に示す例のうち狭隘部３Ｂの長さＬＮ
よりも、転送領域３Ｂの長さＬＴの方が長くなされた場
合の一例を、第１０図Ａにその拡大平面図をもつて示す
。

従つて、その断面図は同図Ｂで示すようになる。ここで
、第１及び第２の電極φ１，φ２には夫々所望とする転
送信号が供給されるから、この転送信号に基づくポテン
シヤルウエル１２は夫々の領域φ１Ｓ．φ１Ｔ，φ２Ｓ
，φ２Ｔに対応して１点鎖線で図示する如く階段状のウ
エルとして得られるは前述した通りである。

しかし、狭隘部３Ｂに形成されるウエルは正規の深さよ
りΔＷａだけ浅くなるので、ここのウエルは破線図示の
如くなる。その理由は以下述べる通りである。すなわち
、固体撮像体１０の設計上、狭隘部３Ｂの巾（転送方向
ａと垂直な方向を指す）は非常に狭く（一例として１０
μｍ程度）ならざるを得ず、しかも、この巾方向には夫
々チャンネルストッパー８が存在するので、このテヤン
ネルストンパ一の影響で、狭隘部３Ｂの直下に形成され
るべきポテンシヤルウエル１２の深さが設計値より浅く
なつてしまう。

今、ΔＷａだけ浅くなつたものとすれば、このポテンシ
ヤルΔＷａは通常、絶縁層１１の厚みの違いに基づくポ
テンシヤル差Δｔよりも大きくなる可能性がある。とこ
ろで、電極φ１，φ２に供給される転送信号のレベル差
を選ぶことによつて、電極φ１直下に生成されるウエル
と、電極φ２直下に生成されるウエルとのポテンシヤル
差ΔＷｃは任意に変えることができる。

そこで、今少くともΔＷｃ〉ΔＷａとなるように転送信
号のレベルを選定したものとすれば、ΔＷａだけ浅くな
つたウエルによつても、転送方向ａに向つてそのウエル
は順次深くなるようになるから、例えば第１の電極φ１
における蓄積領域φ１Ｓにキヤリヤが蓄えられていた場
合には、このキヤリヤを他方の蓄積領域φ２Ｓまで確実
に転送できるようになる。

すなわち、電極関係をこのように選定すれば、狭隘部３
Ｂの影響を受けることなくキヤリヤの転送を行いうる。

狭隘部３Ｂの影響を受けないでキヤリヤ転送が可能な電
極関係は、第１０図の例のほかにも考えられる。

第１１図及び第１２図に夫々他の例を示すも、第１１図
の例は狭隘部３Ｂの全長ＬＮに亘つて転送領域φ２Ｔの
長さＬＴが選定された場合であり、第１２図の実施例は
ＬＮ＞ＬＴに選定した場合の実施例である。これらの実
施例におけるポテンシヤルウエル１２は第１１図Ｂ及び
第１２図Ｂに夫々示すようになるから、キヤリヤの転送
は可能である。要するに、補助チャンネルストッパー８
Ｂの並行領域１６における前縁１６ａと、第２の電極φ
２における転送領域φ２Ｔの前縁１７とが一致するよう
に、転送領域φ２Ｔの位置関係を選定しさえすればよく
、この転送領域φ２Ｔの長さＬＴには無関係である。次
に、このような条件を満足しない場合の転送状態を第１
３図及び第１４図を夫々用いて説明しよう。

まず、第１３図Ａで示すように、狭隘部３Ｂに第１の電
極φ１の蓄積領域φ１Ｓを位置させた場合には、そのポ
テンシヤルウエル１２は第１４図Ａで示す如くなり、キ
ヤリヤは転送できない。

第１３図Ｂは第２の電極φ２における転送領域φ２Ｔの
前縁１７が領域１６の前縁１６ａより手前に位置するよ
うに選定した場合で、このようにすると、第１４図Ｂか
らも明らかなように、拡大部３Ａ直下の転送領域φ２Ｔ
が存する部分は浅くならないが、狭隘部３Ｂ直下のウエ
ルが浅くなるからキヤリヤは転送できなくなる。第１３
図Ｂの設例とは逆に転送領域φ２Ｔの前縁１７が狭隘部
３Ｂの内部に存する如く選定されている第１３図Ｃの場
合には、そのポテンシヤルウエル１２は第１４図Ｃに示
す如くなるから、前の場合と同様にキヤリヤの転送は行
なえなくなる。

ところで、以上のように構成された固体撮像体１０を利
用して映像信号を得る場合の一例を次に説明する。第５
図の例はインターレース走査を考慮した構成になつてい
るので、例えば奇数フイールドでは、５ａの偶数番目の
水平走査線上に位置する絵素が存在する″垂直例では、
１Ｈ（Ｈは１水平走査期間）前の、つまり５ａの奇数第
目の水平走査線上に位置する絵素のうち奇数番目の絵素
の情報を使用する必要がある。偶数フイールドにおいて
も同様である。そのため、この固体撮像体１０から撮像
出力を得るにあつてはその回路系を第１５図で示すよう
に構成すればよい。

図において、２１は被写体、２２は光学レンズ系、２３
は１Ｈの遅延回路、２４は１絵素毎に反転するスイッチ
で、現時点の光情報と、１Ｈ前の光情報を１絵素毎に交
互に読み出し、１Ｈの時間内に２Ｈ分の光情報を得るこ
とにより、固体撮像体上の絵素が存在しない部分の絵素
を補つている。通常は垂直相関があるので、このような
信号処理を施しても画像は殆んど劣化しない。但し、従
来の水平走査方向における絵素数の２／３程度にその絵
素数を選ぶならば十分満足しうる画質を得ることができ
る。又、図においては省略するが、絵素の空間的位置合
せのため、１Ｈ毎に閏絵素分の遅延が行なわれる。カラ
ー像を取扱う場合の一例を第１６図において説明するも
、本例では上述した構成の固体撮像体が３個使用され、
夫々の前面にはＲ．Ｇ，Ｂの単色フイルタ２５Ｒ−２５
Ｂが配され、被写体２１の所望とした色分解像がこれら
固体撮像体１０Ｒ〜１０Ｂで撮像される。

なお、２６ａ，２６ｂはハーフミラー、２７ａ，２７ｂ
はミラーである。色分解像と固体撮像体１０Ｒ〜１０Ｂ
との相対的位置関係は夫々に関して一γＨ（γＨは水平
走査方向における絵素の配列ピンチである）だけ水平走
査方向にずれるように選ばれ、従つて位相的には１２０
にの位相差をもつて色分解像が投影される。

夫々の固体撮像体１０Ｒ〜１０Ｂから得られる撮像出力
は１絵素ずつ順次交互に読出され、これらは加算器２８
を通じてカットオフ周波数が２Ｍ田程度のローパスフイ
ルタ２９に供給される。

フイルタ２９を介在させるのは後述する構成と相俟つて
垂直方向の解像度を劣化させないようにするためで、解
像度に影響を及ぼす低域成分は信号処理しないように構
成している。フイルタ出力は帯域の制限されない合成出
力と共に減算器３０に供給され、高域成分のみ取出した
のち、１Ｈだけ遅延させ（３１はその遅延回路を示す）
、そののち上述した合成出力と共に加算器３２に加えら
れる。

従つて、この加算出力には演算処理系を通さない低域成
分が含まれることになるが、以上のようにして得た加算
出力は５．０ｂのカットオフ周波数になされたローパス
フイルタ３３に供給され、変調成分（直流成分）が取出
される。一方、この加算出力はバンドパスフイルタ３４
を通じたのち所望の復調軸（検波軸）をもつた復調器３
５Ａ，３５Ｂに供給され、色成分が復調さＧ＋Ｂれる。

例えば、復調器３５ＡよりＲ一なる成分を他方の復調器
３５ＢよりＧ−Ｂなる成分を夫々復調できるから、これ
ら成分と先に説明した変調成分とを後段のマトリックス
回路３６に供給することにより、夫々の端子３６ａ〜３
６ｃから所望とする例えばＮＴＳＣ方式の輝度信号Ｙ及
び色差信号Ｒ−Ｙ，Ｂ−Ｙを得ることができるものであ
る。

以上説明したように本発明では、垂直シフトレジスタ３
を共用し、絵素２をジグザグに配列して構成すると共に
、絵素２に蓄えられたキヤリヤの読出し方向を水平走査
方向ではなく）転送方向ａと同じ垂直走査方向に選んだ
ものである。

従つて、本発明では巾広の側面１４側から夫々の電極φ
１，φ２にキヤリヤが転送できるようになるため、マス
クずれによる影響が少い。そして、本例ではキヤリヤの
読出し方向を更に奇数番目と偶数番目の絵素では反対に
選定したものである。このようにすれば、絵素ＳＡｌ，
ＳＡ２間にテヤンネルストソパ一８Ｂが介在されること
になり、しかも電極φ１，φ２は順次交互に連続して配
列形成されてはいるものの、電極φ１とφ２との関連性
は従来装置よりも弱いので、マスクずれ等によつて電極
形成位置が変動しても、上述した理由と共に誤つた領域
にキヤリヤが転送されるようなおそれは全くない。

すなわち、誤つた転送を確実に除去しうる特徴を有する
。又、この例では奇数番目の絵素ＳＡｌと偶数番目の絵
素ＳＡ２とはチヤンネルストッパ一８によつて完全に分
離されるため、隣接絵素との分離が確実となり、解像度
の向上を図り得るものである。

そして、第５図で示すようにゲート電極ＳＡｌ，ＳＡ２
と各電極φ１，φ２との関係にあつて、ゲート電極ＳＡ
ｌ，ＳＡ２と転送電極φ１Ｔ，φ２Ｔとを分離し、しか
も各絶縁層１１の厚みを第６図で示すように形成する場
合では、夫々のポテンシヤルウエル１２は階段状になる
ので、キヤリヤが再注入されるおそれは全くない。その
ため、画質の向上を図りうるものである。なお、上述し
た実施例ではインターレースを考えて固体撮像体１０を
構成した例であるが、インターレース走査方式を採らな
い固体撮像体にも適用できるは云うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の固体撮像体の一例を示す平面図、第２図
はその一部の縦断面図及びこれと絵素との関係を示す図
、第３図は第１図の一部の拡大平面図、第４図は本発明
の原理的説明に供する固体撮像体の一例を示す図、第５
図は本発明による固体撮像体の一例を示す平面図、第６
図はその縦断面図、第７図は同様に横断面図、第８図及
び第９図は夫々キヤリヤの転送状態を示す断面図、第１
０図〜第１４図は夫々キヤリヤ転送の説明に供する要部
の平面図及びその断面図、第１５図及び第１６図は夫々
信号処理系の一例を示す系統図である。 １０は固体撮像体、２，２ａ，２ｂ及びＳＡｌ，ＳＡ２
は絵素、３は垂直の、４は水平の各シフトレジスタ、８
，８Ａ，８Ｂはチャンネルストッパー、９はオーバーフ
ロードレイン、３Ａは拡大部、３Ｂは狭隘部、φ１，φ
２は第１及び第２の電極、φ１Ｔ，φ２Ｔはその転送領
域、φ１Ｓ．φ２Ｓは蓄積領域、１２はポテンシヤルウ
エル、ａは転送方向である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 水平及び垂直方向に沿つて夫々所定のピッチをもつ
   て設けられた複数の絵素と、垂直方向に延びる複数のシ
   フトレジスタとを有する固体撮像体において、上記絵素
   は上記シフトレジスタに関してジグザグパターンとなる
   ように配列されると共に、上記複数のシフトレジスタの
   夫々は信号の転送方向に沿つて幅広の拡大部と、幅狭の
   狭隘部が交互にジグザグ状に配されてなり、上記絵素に
   蓄えられた電荷は上記絵素と上記垂直シフトレジスタの
   拡大部との間に設けられたゲートを介して上記垂直シフ
   トレジスタの転送方向と同一方向に読出され、読出され
   たこの電荷は上記垂直シフトレジスタによつて転送する
   ようになされたことを特徴とする固体撮像体。