JPS5930506A - 光デバイス用基板 - Google Patents
光デバイス用基板Info
- Publication number
- JPS5930506A JPS5930506A JP14063782A JP14063782A JPS5930506A JP S5930506 A JPS5930506 A JP S5930506A JP 14063782 A JP14063782 A JP 14063782A JP 14063782 A JP14063782 A JP 14063782A JP S5930506 A JPS5930506 A JP S5930506A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- substrate
- plzt
- film
- light
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光デバイス用の基板に関する。特に、本発明
は、薄膜光デバイス用の基板材料とその構成に関してい
る。
は、薄膜光デバイス用の基板材料とその構成に関してい
る。
従来例の構成とその問題点
従来、光デバイス用の基板として、例えば、Ｌ ｉＮ
ｂ Ｏｓのような圧電性結晶が用いられていた。
ｂ Ｏｓのような圧電性結晶が用いられていた。
ｖ
この場合、例え÷表面を研摩した、Ｌ ｉＷ ｂ Ｏｓ
単結晶基板の表面層に、Ｔｉ金属を拡散させて光導波路
を形成するとともに、例えば１而型電極を同じく上記Ｌ
ｚ Ｎ ｂ Ｏ３単結晶基板の表面に設けて、表面波
トランスデユーサを形成し、上記光４波路を伝搬する光
と、例えば上記表面波トランスデューサで励起した表面
波と相互作用させようとするものである。しかしながら
、この種の基板は、微小光学素子例えば微小レンズ、プ
リズムなどの形成や、半導体素子例えばＧ ａ Ａ ｓ
からなる微小光検出素子の集積化が困難であり、高密度
の光デバイス例えば光ＩＣ用基板としては実用性に欠く
という欠点があった。
単結晶基板の表面層に、Ｔｉ金属を拡散させて光導波路
を形成するとともに、例えば１而型電極を同じく上記Ｌ
ｚ Ｎ ｂ Ｏ３単結晶基板の表面に設けて、表面波
トランスデユーサを形成し、上記光４波路を伝搬する光
と、例えば上記表面波トランスデューサで励起した表面
波と相互作用させようとするものである。しかしながら
、この種の基板は、微小光学素子例えば微小レンズ、プ
リズムなどの形成や、半導体素子例えばＧ ａ Ａ ｓ
からなる微小光検出素子の集積化が困難であり、高密度
の光デバイス例えば光ＩＣ用基板としては実用性に欠く
という欠点があった。
発明の目的
発明者らは、この種の基板に薄膜多層構造を導入するこ
とにより、従来の欠点を除去することに成功し、新規な
光デバイス用基板を発明した。したがって、本発明の目
的は、薄膜多層構造からなる光デバイス用基板の構造と
構成材料を与える。
とにより、従来の欠点を除去することに成功し、新規な
光デバイス用基板を発明した。したがって、本発明の目
的は、薄膜多層構造からなる光デバイス用基板の構造と
構成材料を与える。
発明の構成
以下本発明を、図を用いて説明する。
第１図は、本発明にかかる光デバイス用基板の要部断面
構造を示す。同図において、本発明にかかる光デバイス
用基板は、少なくとも、サファイア（ａ−アルミナ〕あ
るいはスピネル基体１１上に、ＰＬＺＴ［（Ｐｂ、Ｌａ
）（Ｚｒ、Ｔｆ）０３１系薄膜１２と、Ｓｉ、Ｌｉｅの
如き■族半導体薄膜あるいはＧａＡｓ 、 Ｉ ｎ Ｐ
の如きｍ−ｖ族半導体薄膜１３を設けたことを特徴とし
ている。この場合、例えばレーザ光がＰＬＺＴ系薄膜１
２中に導入されると、例えばレーザ光は、ＰＬＺＴ系薄
膜１２から半導体薄膜１３の中を伝搬し、これらの薄膜
中に導波士 光１４を全部させる。
構造を示す。同図において、本発明にかかる光デバイス
用基板は、少なくとも、サファイア（ａ−アルミナ〕あ
るいはスピネル基体１１上に、ＰＬＺＴ［（Ｐｂ、Ｌａ
）（Ｚｒ、Ｔｆ）０３１系薄膜１２と、Ｓｉ、Ｌｉｅの
如き■族半導体薄膜あるいはＧａＡｓ 、 Ｉ ｎ Ｐ
の如きｍ−ｖ族半導体薄膜１３を設けたことを特徴とし
ている。この場合、例えばレーザ光がＰＬＺＴ系薄膜１
２中に導入されると、例えばレーザ光は、ＰＬＺＴ系薄
膜１２から半導体薄膜１３の中を伝搬し、これらの薄膜
中に導波士 光１４を全部させる。
この場合、例えば半導体薄膜１３中に受光素子を形成し
ておくと、ＰＬＺＴ系薄膜１２で形成した薄膜光導波路
中の光を検出できるから、サファイアのような誘電体の
上に形成される新しい光ＩＣが実現し得る。本発明者ら
は、この種の構成において、構成材料をさらに詳ａＫ調
べた結果、新規な構成と構成材料を発見し、これらの発
見に基づいて、さらに有効な光デバイス用基板を発明し
た。
ておくと、ＰＬＺＴ系薄膜１２で形成した薄膜光導波路
中の光を検出できるから、サファイアのような誘電体の
上に形成される新しい光ＩＣが実現し得る。本発明者ら
は、この種の構成において、構成材料をさらに詳ａＫ調
べた結果、新規な構成と構成材料を発見し、これらの発
見に基づいて、さらに有効な光デバイス用基板を発明し
た。
すなわち、第２図に示す如く、通常薄膜先導波路に用い
られる、Ａ ｓ −Ｓ系、 Ａ ５−８−Ｇ ｅ系ある
いはＡｓ−８ＳｅＧｅ 系薄膜２１を、例えばＰＬＺＴ
系薄膜１２上に設けると、導波光１４のＰＬ、ＺＴ系系
膜膜中制御が非常に容易になることを発見した。すなわ
ち、第３図において、Ａｓ−３系。
られる、Ａ ｓ −Ｓ系、 Ａ ５−８−Ｇ ｅ系ある
いはＡｓ−８ＳｅＧｅ 系薄膜２１を、例えばＰＬＺＴ
系薄膜１２上に設けると、導波光１４のＰＬ、ＺＴ系系
膜膜中制御が非常に容易になることを発見した。すなわ
ち、第３図において、Ａｓ−３系。
Ａｓ Ｓ Ｇｅ系あるいはＡｓ−８−８ｅ−Ｇｅ系薄
膜２１０表面に、例えば電子ビームを、線状３１に照射
すると、ＰＬＺＴ系薄膜中の伝搬光１４は、照射の線状
３１に従って導波することを発明者らは発見した。この
現象は、照射によるＡｓ−３系、Ａｓ−８Ｇｅ系あるい
は、Ａｓ −８−８ｅ−Ｇｅ系の薄膜２１の屈折率の変
化に起因する。
膜２１０表面に、例えば電子ビームを、線状３１に照射
すると、ＰＬＺＴ系薄膜中の伝搬光１４は、照射の線状
３１に従って導波することを発明者らは発見した。この
現象は、照射によるＡｓ−３系、Ａｓ−８Ｇｅ系あるい
は、Ａｓ −８−８ｅ−Ｇｅ系の薄膜２１の屈折率の変
化に起因する。
このことは、例えば、Ａ ｓ −Ｓ系、Ａｓ−８Ｇｅ系
あるいはＡｓ−８−８ｅ−Ｇｅ系の薄膜２１の表面に２
次元的に電子ビームを照射し、屈折率を変化させると、
例えば光導波路、集光器、ビームスプリソ＋１％ りなどの微÷光素子が本発明にかかる基板によって容易
に実現できるとともに、必要に応じてこれらの導波光の
検出素子をも乗積化した高密度の誘電体光ＩＣをも実現
できることを意味している。
あるいはＡｓ−８−８ｅ−Ｇｅ系の薄膜２１の表面に２
次元的に電子ビームを照射し、屈折率を変化させると、
例えば光導波路、集光器、ビームスプリソ＋１％ りなどの微÷光素子が本発明にかかる基板によって容易
に実現できるとともに、必要に応じてこれらの導波光の
検出素子をも乗積化した高密度の誘電体光ＩＣをも実現
できることを意味している。
この場合、基体をサファイアあるいはスピネルで構成す
ると、特性の優れた上記ＰＬＺＴ系薄膜や半導体薄膜が
上記基体上にエピタキシャル成長するため、特性の優れ
たＰＬＺＴ系薄膜尤導波路や例えば半導体光検出素子が
上記基体上に集積化できる。さらに、ＰＬＺＴ系薄膜中
の伝搬光１４が半導体薄膜部１３に達しても基体１１と
表面層２１との間に閉じこめられているため、有効に半
導体部で例えば光検出ができることを発明者らは確認し
た。
ると、特性の優れた上記ＰＬＺＴ系薄膜や半導体薄膜が
上記基体上にエピタキシャル成長するため、特性の優れ
たＰＬＺＴ系薄膜尤導波路や例えば半導体光検出素子が
上記基体上に集積化できる。さらに、ＰＬＺＴ系薄膜中
の伝搬光１４が半導体薄膜部１３に達しても基体１１と
表面層２１との間に閉じこめられているため、有効に半
導体部で例えば光検出ができることを発明者らは確認し
た。
これらのＰＬＺＴ系薄膜がＬ ｉ Ｎ ｂ Ｏ３単結晶
以上の大きい電気光学効果を持つことなどをさらに本発
明者らは発見し、この大きい電気光学効果、さらには固
有の圧電特性を利用すると、従来この種の光デバイス用
基板例えばＬｉｒＪｂ○３単結晶基板では実現できない
、各種の光デバイスが実現しうることをも発明者らは確
認した。
以上の大きい電気光学効果を持つことなどをさらに本発
明者らは発見し、この大きい電気光学効果、さらには固
有の圧電特性を利用すると、従来この種の光デバイス用
基板例えばＬｉｒＪｂ○３単結晶基板では実現できない
、各種の光デバイスが実現しうることをも発明者らは確
認した。
この場合、基体として用いるサファイアに、例えば表面
研磨された（０００１）面の単結晶板を用いると（１１
１）面のＰＬＺＴ系薄膜が例えばスハノタ蒸着法でエピ
タキシャル成長する。丑だ、半導体薄膜は、例えばＳｉ
、ＧａＡｓの（１１１）而も、この（ｏｏｏｌ）面に例
えば気相成長法によりエピタキシャル成長する。これら
の半導体薄膜は、通常の半導体プロセスにより、例えば
ｐ −ｎあるいはｐ −ｉ −ｎ構造を形成し、例えば
光検出素子を形成する。
研磨された（０００１）面の単結晶板を用いると（１１
１）面のＰＬＺＴ系薄膜が例えばスハノタ蒸着法でエピ
タキシャル成長する。丑だ、半導体薄膜は、例えばＳｉ
、ＧａＡｓの（１１１）而も、この（ｏｏｏｌ）面に例
えば気相成長法によりエピタキシャル成長する。これら
の半導体薄膜は、通常の半導体プロセスにより、例えば
ｐ −ｎあるいはｐ −ｉ −ｎ構造を形成し、例えば
光検出素子を形成する。
また、スピネルを基体として用いる場合、例えば（１１
１）面のスピネル単結晶板を選ぶと、（０００１）
面のサファイアと同一の結晶面のＰＬＺＴ系薄膜やＳｉ
、ＧａＡｓ薄膜が形成されることを本発明者らは確認し
た。
１）面のスピネル単結晶板を選ぶと、（０００１）
面のサファイアと同一の結晶面のＰＬＺＴ系薄膜やＳｉ
、ＧａＡｓ薄膜が形成されることを本発明者らは確認し
た。
さらに、基体の結晶面を変えると例えばＰＬＺＴ系薄膜
の結晶方位を変化させ得るから、この種の光デバイス用
基板は、例えば光デバイス形成のための電極構成・配置
の自由度が広いという特長もある。なお、この基体は、
ＰＬＺＴ系薄膜と半導体薄膜がエピタキシャル成長す、
ることと、伝搬光がこれらの薄膜中に閉じこめられるた
めに、その屈折率がＰＬＺＴ系薄膜や半導体薄膜の値よ
り小さければよく、ここで示した、サファイアやスピネ
ルに限定されたものではない。また、基体はそノ表０．
１〜０．３μｍ さえ、上記の基体としての必以下本発
明の内容をより深く理解されるために具体的な実施例を
あげて説明する。
の結晶方位を変化させ得るから、この種の光デバイス用
基板は、例えば光デバイス形成のための電極構成・配置
の自由度が広いという特長もある。なお、この基体は、
ＰＬＺＴ系薄膜と半導体薄膜がエピタキシャル成長す、
ることと、伝搬光がこれらの薄膜中に閉じこめられるた
めに、その屈折率がＰＬＺＴ系薄膜や半導体薄膜の値よ
り小さければよく、ここで示した、サファイアやスピネ
ルに限定されたものではない。また、基体はそノ表０．
１〜０．３μｍ さえ、上記の基体としての必以下本発
明の内容をより深く理解されるために具体的な実施例を
あげて説明する。
実施例の説明
厚さ０．３聰の表面（ｍＦ磨された（０００１）面サフ
ァイア基体上の端部を残して、高周波マグネト。
ァイア基体上の端部を残して、高周波マグネト。
ンスパノタにより、厚さ０．４μｍのＰＬＺＴ系薄膜を
蒸着した。この場合、スパッタ用ターゲットの組成は、
ＰＬＺＴ（２Ｂ１０／１００）、スパッタ中のサファイ
ア基体の温度は５８０℃、スパッタ電力は２００Ｗであ
った。蒸着されたＰ Ｌ ＺＴ系薄膜の構造は、（１１
１）面の単結晶であり、屈折率はＨｅ−ＮｅＬ／−ザ（
０，６３μｍ波長）で２．６であった。次に、このＰＬ
ＺＴ系薄膜の表面をマスキングして、上記サファイア基
体の端部に、所謂減圧ＣＶＤ法で厚さ０．５μｍ のＧ
ａ Ａ ｓ薄膜を形成した。この場合、基体温度は６
Ｑ○℃に保った。
蒸着した。この場合、スパッタ用ターゲットの組成は、
ＰＬＺＴ（２Ｂ１０／１００）、スパッタ中のサファイ
ア基体の温度は５８０℃、スパッタ電力は２００Ｗであ
った。蒸着されたＰ Ｌ ＺＴ系薄膜の構造は、（１１
１）面の単結晶であり、屈折率はＨｅ−ＮｅＬ／−ザ（
０，６３μｍ波長）で２．６であった。次に、このＰＬ
ＺＴ系薄膜の表面をマスキングして、上記サファイア基
体の端部に、所謂減圧ＣＶＤ法で厚さ０．５μｍ のＧ
ａ Ａ ｓ薄膜を形成した。この場合、基体温度は６
Ｑ○℃に保った。
蒸着されたＧ ａ Ａ ｓ薄膜は（１１１）而がエピタ
キシャル成長していた。次に、これらの薄膜の」二に、
真空蒸着法で、Ａ３２８３の薄膜を厚さ１μｍ＃、着し
て本発明にかかる光デバイス用基板を形成した。
キシャル成長していた。次に、これらの薄膜の」二に、
真空蒸着法で、Ａ３２８３の薄膜を厚さ１μｍ＃、着し
て本発明にかかる光デバイス用基板を形成した。
−ｎ構造を形成した。
なお、以上の実施例では、Ｐ ＬＺＴ系薄膜の組成とし
テＰ Ｌ Ｚ Ｔ （２８１０／１００ ） ニ）イテ
示したが、スパッタ用のターゲットの組成を変えるだけ
で任意の組成のＰＬＺＴ系薄膜が形成され、光伝搬路と
して用いることができる。また、具体例にあげたへ８２
８３薄膜以外のＡｓ−８−Ｇｅ 系。
テＰ Ｌ Ｚ Ｔ （２８１０／１００ ） ニ）イテ
示したが、スパッタ用のターゲットの組成を変えるだけ
で任意の組成のＰＬＺＴ系薄膜が形成され、光伝搬路と
して用いることができる。また、具体例にあげたへ８２
８３薄膜以外のＡｓ−８−Ｇｅ 系。
Ａｓ−８−８ｅ−Ｇｅ系薄膜もへ８２８３薄膜と同様に
形成でき、頑似の効果が得られた。
形成でき、頑似の効果が得られた。
発明の効果
本発明にかかる光デバイス用基板では、ＰＬＺＴ系薄膜
中を光が伝搬するため、ＰＬＺＴ系薄膜固有の大きい電
気光学効果と、圧電性を利用した音響光学効果１例えば
表面波による光の回折が同時に得られる特長がある。さ
らに、これらの伝搬光の制御は、ＰＬＺＴ系薄膜光薄膜
表面された、例えばＡ ８２３ ａ薄膜への電子ビーム
による照射書きこみで行いうるとともに、例えば伝搬光
の検出が、基体上に集積された半導体光検出素子で可能
であるという特色を本出願の光デバイス用基板は示す。
中を光が伝搬するため、ＰＬＺＴ系薄膜固有の大きい電
気光学効果と、圧電性を利用した音響光学効果１例えば
表面波による光の回折が同時に得られる特長がある。さ
らに、これらの伝搬光の制御は、ＰＬＺＴ系薄膜光薄膜
表面された、例えばＡ ８２３ ａ薄膜への電子ビーム
による照射書きこみで行いうるとともに、例えば伝搬光
の検出が、基体上に集積された半導体光検出素子で可能
であるという特色を本出願の光デバイス用基板は示す。
したがって、この基板を用いると、各種の微小光素子の
集積化が容易になり、各種の薄膜光ＩＣが実現されるか
ら、本発明にがかる光テバイス用基板の工業的価値は高
い。
集積化が容易になり、各種の薄膜光ＩＣが実現されるか
ら、本発明にがかる光テバイス用基板の工業的価値は高
い。
第１図および第２図はそれぞれ本発明にかかる光デバイ
ス用基板の要部断面図、第３図は本発明にかかる光デバ
イス用基板の要部上面図である。 １１・・・・・・基体、１２・・・・・・ＰＬＺＴ系薄
膜、１３・・・・・・半導体薄膜、１４・・・・・・Ａ
ｓ−３系、八ｓ −Ｓ −ＣＡ ｅ系、あるいはＡｓ
−８−８ｓ−Ｇｅ系の薄膜。
ス用基板の要部断面図、第３図は本発明にかかる光デバ
イス用基板の要部上面図である。 １１・・・・・・基体、１２・・・・・・ＰＬＺＴ系薄
膜、１３・・・・・・半導体薄膜、１４・・・・・・Ａ
ｓ−３系、八ｓ −Ｓ −ＣＡ ｅ系、あるいはＡｓ
−８−８ｓ−Ｇｅ系の薄膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）サファイア（ａ−アルミナ）あるいはスピネル基
板上に、Ｐ Ｌ ＺＴ ［（Ｐ ｂ 、 Ｌ ａ ）
（Ｚ ｒ 、 Ｔ Ｉ ）Ｃ）３〕系薄膜と■族半導体
薄膜あるいは■７■族半導体薄膜とを設けたことを特徴
とする光デバイス用基板０ （２） ＰＬＺＴ（（Ｐｂ、Ｌａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ
ａＥ系薄膜薄膜上さらにＡｓ−８系、Ａｓ Ｓ Ｇｅ
系あるいはへ５ＳＳｅ−Ｇｅ系の薄膜を被覆したことを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光デバイス用基
板。 （３）へｓ−８系、八５−８−Ｕｅ系あるいはＡ ｓ
−Ｓ −３ｅ−Ｇｅ系薄膜の屈折率を２次的に変化させ
たことを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光デバ
イス用基板。 （５）サファイア基体を（０００１）簡単結晶板で構成
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光デ
バイス用基板。 （６）スピネル基体を（１１１）簡単結晶板で構成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光デバイ
ス用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14063782A JPS5930506A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 光デバイス用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14063782A JPS5930506A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 光デバイス用基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5930506A true JPS5930506A (ja) | 1984-02-18 |
Family
ID=15273307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14063782A Pending JPS5930506A (ja) | 1982-08-12 | 1982-08-12 | 光デバイス用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5930506A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01196006A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 石英系光導波膜 |
-
1982
- 1982-08-12 JP JP14063782A patent/JPS5930506A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01196006A (ja) * | 1988-02-01 | 1989-08-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 石英系光導波膜 |
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