JPS5928628A - 光による温度センサ - Google Patents
光による温度センサInfo
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- JPS5928628A JPS5928628A JP57138702A JP13870282A JPS5928628A JP S5928628 A JPS5928628 A JP S5928628A JP 57138702 A JP57138702 A JP 57138702A JP 13870282 A JP13870282 A JP 13870282A JP S5928628 A JPS5928628 A JP S5928628A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は光を用いて温度を測定するものであり、さらに
詳しくは、旋光能の温度依存性を利用して温度測定を行
うものである。
詳しくは、旋光能の温度依存性を利用して温度測定を行
うものである。
光による物理量の計測については、半導体レーザ、発光
ダイオード光ファイバー等の進歩により多方面での研究
開発が進められている。その中でも光による温度測定は
、電磁的ノイズの大きい環境にある物体の温度を正確に
測定するために有効な手段である。光による温度測定の
方法としては、半導体の基礎吸収端付近での光吸収の変
化を利用するもの、光学結晶の複屈折の温度依存性を利
用するもの、さらに干渉計の光路長の変化による光強度
の変化を利用するものなどがある。いづれの測定法も一
長一短がある。特に電磁的ノイズが問題となる変電所や
高電圧送電線等の近辺においてケーブル、ｌ・ランス等
の温度を測定する場合は、温度センサは絶縁物すなわち
誘電体のみで構成されていることが必要条件となる。こ
の意味で光学結晶の複屈折を利用するか、干渉計を利用
する方法は有効ではあるが、前者は感度、安定性とも良
好な光学結晶が無く、後者は機構が複雑で振動等に弱い
という欠点を有しており、いずれも実用化に到っていな
い。
ダイオード光ファイバー等の進歩により多方面での研究
開発が進められている。その中でも光による温度測定は
、電磁的ノイズの大きい環境にある物体の温度を正確に
測定するために有効な手段である。光による温度測定の
方法としては、半導体の基礎吸収端付近での光吸収の変
化を利用するもの、光学結晶の複屈折の温度依存性を利
用するもの、さらに干渉計の光路長の変化による光強度
の変化を利用するものなどがある。いづれの測定法も一
長一短がある。特に電磁的ノイズが問題となる変電所や
高電圧送電線等の近辺においてケーブル、ｌ・ランス等
の温度を測定する場合は、温度センサは絶縁物すなわち
誘電体のみで構成されていることが必要条件となる。こ
の意味で光学結晶の複屈折を利用するか、干渉計を利用
する方法は有効ではあるが、前者は感度、安定性とも良
好な光学結晶が無く、後者は機構が複雑で振動等に弱い
という欠点を有しており、いずれも実用化に到っていな
い。
本発明は以」二の点を改良した光温度センサを提供する
ものである。さらに詳しくは光学結晶の有する旋光能の
温度依存性を利用するものである。
ものである。さらに詳しくは光学結晶の有する旋光能の
温度依存性を利用するものである。
まず以下にその原理を述べる。
図１において、■は旋光能（ρｄ６ｇ ／ｒｒｕｎ ）
を有する光学結晶であり、その長さを１！（ｍ）とする
。
を有する光学結晶であり、その長さを１！（ｍ）とする
。
光源からの入射光２を偏光子８によって直線偏光４・と
じ、光学結晶に入射させると結晶を出た光５は検光子６
の偏光方向とある有限の角θだけ回転′した直線偏光と
なっている。このとき θ−ρｌ（ｄｅｇ） （１）
で表わされる。検光子を出た光７をホトディテクター８
で受光すると、その電気的出力ＶｏｕｔはＶｏｕｔ ＝
Ｖｏ ｃｏｓ２θ （２）で表わ
される。
じ、光学結晶に入射させると結晶を出た光５は検光子６
の偏光方向とある有限の角θだけ回転′した直線偏光と
なっている。このとき θ−ρｌ（ｄｅｇ） （１）
で表わされる。検光子を出た光７をホトディテクター８
で受光すると、その電気的出力ＶｏｕｔはＶｏｕｔ ＝
Ｖｏ ｃｏｓ２θ （２）で表わ
される。
ここでＶｏ は有限の定数であり、光強度ホトディテ
クタの感度等で決まるものである。
クタの感度等で決まるものである。
さて、ある基準温度Ｔｏでの旋光能をρ０とし、θ０＝
ρｏｌ（３） とすると、未知の温度Ｔでのθは、旋光能の温度系数を
ｋとすると、 θ＝ρｏｌ Ｉ ］、＋ｋ （Ｔ−Ｔｏ） ｌ
（４）で与えられる。従って、 Ｖｏｕｔ ＝ Ｖｏ ｃｏｓ２ （ｐｏＩ！［１＋ｋ
（Ｔ−Ｔｏ） ）、１３ （５）となる。しかるにこ
のままではＶｏｕｔ は温度変化分（Ｔ−Ｔｏ）
に比例しないので温度センサとしては使用てきない。
ρｏｌ（３） とすると、未知の温度Ｔでのθは、旋光能の温度系数を
ｋとすると、 θ＝ρｏｌ Ｉ ］、＋ｋ （Ｔ−Ｔｏ） ｌ
（４）で与えられる。従って、 Ｖｏｕｔ ＝ Ｖｏ ｃｏｓ２ （ｐｏＩ！［１＋ｋ
（Ｔ−Ｔｏ） ）、１３ （５）となる。しかるにこ
のままではＶｏｕｔ は温度変化分（Ｔ−Ｔｏ）
に比例しないので温度センサとしては使用てきない。
そこで、ρｏｌ ＝ （２ｎ−）−１）（ｎ＝０．ｌ
−２・・・の整数）（６）となるように結晶長を設定す
ると、 Ｖｏｕｔ ＝−Ｖｏ （Ｎ−ｃｏｓ ［２ρｏｌ＋２ρ
ｏｌ！ｋ （Ｔ−Ｔｏ） ｌ：］■ ＝−Ｖｏ（１４ｓ ｉｎ ［２ρｏｌｋ （Ｔ−Ｔｏ）
ｌ〕（７）（付けはｎが０ 、２ 、４．・・・のと
き（ハ）、ｎが１゜３．５．・・・のとき（ト））とな
る。温度変化による旋光能の変化量、 ｍ ＝＝ ２ρｏ７７ｋ （Ｔ−Ｔｏ）
（８）が小さい時は近似的に、 Ｖｏｕｔ ＝ −Ｖｏ （ｌ〒ｍ ）
（９）て表わされ、図２に示すようにＶｏｕｔ を知
ることによりｍすなわち温度Ｔを知ることができる。
−２・・・の整数）（６）となるように結晶長を設定す
ると、 Ｖｏｕｔ ＝−Ｖｏ （Ｎ−ｃｏｓ ［２ρｏｌ＋２ρ
ｏｌ！ｋ （Ｔ−Ｔｏ） ｌ：］■ ＝−Ｖｏ（１４ｓ ｉｎ ［２ρｏｌｋ （Ｔ−Ｔｏ）
ｌ〕（７）（付けはｎが０ 、２ 、４．・・・のと
き（ハ）、ｎが１゜３．５．・・・のとき（ト））とな
る。温度変化による旋光能の変化量、 ｍ ＝＝ ２ρｏ７７ｋ （Ｔ−Ｔｏ）
（８）が小さい時は近似的に、 Ｖｏｕｔ ＝ −Ｖｏ （ｌ〒ｍ ）
（９）て表わされ、図２に示すようにＶｏｕｔ を知
ることによりｍすなわち温度Ｔを知ることができる。
このように旋光能によって温度測定を行うことは、その
原理が単純なため構造が簡単で、安定性の良い安価な温
度センサを供給するものであるが、光学結晶としては旋
光能が大きく、その温度系数も大であるとともに化学的
にも物理的にも安定であることが要求される。
原理が単純なため構造が簡単で、安定性の良い安価な温
度センサを供給するものであるが、光学結晶としては旋
光能が大きく、その温度系数も大であるとともに化学的
にも物理的にも安定であることが要求される。
旋光能を利用した温度センサとしては、水晶を用いた例
が報告されているが、（例えば、Ａ、Ｊ。
が報告されているが、（例えば、Ａ、Ｊ。
Ｒｏｇｅｒｓ ； ＡＰＰＬＩＥＤ ０ＰＴＩＣ５Ｖ
ｏ Ｉ 、 ２１ 、 ）ｒ５ （１９８２）Ｐ２
Ｓ５）、水晶の旋光能の温度依存性が１．３４Ｘ１０”
”’／°Ｃと小さく、±２°Ｃの精度しか得られていな
い。
ｏ Ｉ 、 ２１ 、 ）ｒ５ （１９８２）Ｐ２
Ｓ５）、水晶の旋光能の温度依存性が１．３４Ｘ１０”
”’／°Ｃと小さく、±２°Ｃの精度しか得られていな
い。
また水晶は自然複屈折を有するため、光軸を特別な方向
に正確に合わせる必要があり、これが故に機械的振動等
により光軸がずれてセンサとしての安定度が悪くなると
いう欠点がある。
に正確に合わせる必要があり、これが故に機械的振動等
により光軸がずれてセンサとしての安定度が悪くなると
いう欠点がある。
本発明者らは上記の欠点を改善すべく種々の光学結晶の
旋光能について調べた結果ビスマス・シリコン・オキサ
イド（Ｂ１１５ ＳｉＯｇｏ ）（以下ＢＳＯと略記ス
ル）とビスマス・ゲルマニウムオキサイド（ＢｉｔｇＧ
ｅＯｇｏ） （以下ＢＧＯと略記する）が旋光能及びそ
の温度依存性ともに水晶より大であることを見い出し、
これを温度センサ用として用いることを発明した。たと
えば波長ｅ ａ ａ ｍ、ｒｎの光に対して、水晶の旋
光能はｌ ８．７ ｄｅｇ ／ｍｘ テあり、ＢＳＯ、
ＢＧＯのそれは２２°／収 と太きい。さらに温度依存
性は水晶の場合が１．３４． Ｘ １０−４ ／°Ｃテ
あり、ＢＳＯ，ＢＧＯｔ７） ソレハ３．７ Ｘ １０
−４／”Ｃと約８倍の大きさである。
旋光能について調べた結果ビスマス・シリコン・オキサ
イド（Ｂ１１５ ＳｉＯｇｏ ）（以下ＢＳＯと略記ス
ル）とビスマス・ゲルマニウムオキサイド（ＢｉｔｇＧ
ｅＯｇｏ） （以下ＢＧＯと略記する）が旋光能及びそ
の温度依存性ともに水晶より大であることを見い出し、
これを温度センサ用として用いることを発明した。たと
えば波長ｅ ａ ａ ｍ、ｒｎの光に対して、水晶の旋
光能はｌ ８．７ ｄｅｇ ／ｍｘ テあり、ＢＳＯ、
ＢＧＯのそれは２２°／収 と太きい。さらに温度依存
性は水晶の場合が１．３４． Ｘ １０−４ ／°Ｃテ
あり、ＢＳＯ，ＢＧＯｔ７） ソレハ３．７ Ｘ １０
−４／”Ｃと約８倍の大きさである。
すなわち、ＢＳＯ，ＢＧＯを用いることにより感度が水
晶を用いた場合の３倍もしくは測定精度が３倍のセンサ
を構成できることとなる。またＢＳＯ，ＢＧＯともに自
然複屈折を有しないため光軸について特別の配慮は不要
である。
晶を用いた場合の３倍もしくは測定精度が３倍のセンサ
を構成できることとなる。またＢＳＯ，ＢＧＯともに自
然複屈折を有しないため光軸について特別の配慮は不要
である。
以下に本発明の二、三の実施例を述べる。
実施例１゜
ＢＳＯ結晶を
（’０１ ＝−（１０）
Ｉ
すなわち、ｌ ＝ ２．０４−５ ｍｘの長さに切断し
、両端面を光学研摩したのち、図１の構成でＢＳＯ結晶
のみをペルチェ素子によって−２０’Ｃ〜８０ ’Ｃま
での範囲で温度変化し、ＶｏｕｔとＢＳＯの温度との関
係を測定した。用いた光源は光出力を安定化したＨｅ
−Ｎｅ Ｉフープである。図３■はその測定結果であり
、±ｌ’ｃ以内の良い再現性を得ることができた。
、両端面を光学研摩したのち、図１の構成でＢＳＯ結晶
のみをペルチェ素子によって−２０’Ｃ〜８０ ’Ｃま
での範囲で温度変化し、ＶｏｕｔとＢＳＯの温度との関
係を測定した。用いた光源は光出力を安定化したＨｅ
−Ｎｅ Ｉフープである。図３■はその測定結果であり
、±ｌ’ｃ以内の良い再現性を得ることができた。
実施例２゜
次により実用的な構成の一例として、第４・図に示すよ
うに出力の安定した発光ダイオード（波長８７０Ｍ）の
光ヲ光ファイバ９で導びきロッドレンズｌＯで平行光束
とし、偏光・ビームスプリッタ−１で直線偏光とし、Ｂ
ＳＯ結晶１を通し、さらに検光ビームスプリッタ−２を
通した後、ロッドレンズ、光ファイバを通してホトディ
テクタまで導ひく温度センサを製作した。この波長での
ＢＳＯの旋光能は１Ｏ１５°／ｒｕＬであるので結晶長
は４．２８６ｍとした。センサ部全体の形状は約（ｉ
ｍｙｎ、〆×２Ｑｍｘｌ に収まり非常に小型化できた
。感度・分解能については旋光能の温度係数が８７０肌
でも６３３ｒｕＬでの値とほとんど同じであり前述の実
施例と同じ±１°Ｃの特性を得た。
うに出力の安定した発光ダイオード（波長８７０Ｍ）の
光ヲ光ファイバ９で導びきロッドレンズｌＯで平行光束
とし、偏光・ビームスプリッタ−１で直線偏光とし、Ｂ
ＳＯ結晶１を通し、さらに検光ビームスプリッタ−２を
通した後、ロッドレンズ、光ファイバを通してホトディ
テクタまで導ひく温度センサを製作した。この波長での
ＢＳＯの旋光能は１Ｏ１５°／ｒｕＬであるので結晶長
は４．２８６ｍとした。センサ部全体の形状は約（ｉ
ｍｙｎ、〆×２Ｑｍｘｌ に収まり非常に小型化できた
。感度・分解能については旋光能の温度係数が８７０肌
でも６３３ｒｕＬでの値とほとんど同じであり前述の実
施例と同じ±１°Ｃの特性を得た。
実施例３゜
さらに分解能を上げるためにＢＳＯの長さを長くして１
２，８５７ｍ とし、室温での旋光角θｏ−一πとし
たセンサを製作した。図３０に測定結果を示す。
２，８５７ｍ とし、室温での旋光角θｏ−一πとし
たセンサを製作した。図３０に測定結果を示す。
■に比べて約３倍の感度向上がみられ、測定精度も±０
．３°Ｃを達成した。
．３°Ｃを達成した。
実施例４゜
図５はさらに再現性良く測定を行うための一構成図であ
る。つまり結晶を出た光を複像プリズム１２’を通すこ
とにより、偏光子１１と同じ方向の偏波面の光１３と、
これと直交する偏波面の光１４とに分割し、それぞれを
光ファイバでホトディテクタに導びき出力ＶＡ、 ＶＢ
を得たとすると、（９）式％式％（２ となる。従って、 を電気回路によって求めることにより、各光学部品の透
過率や光源の強度等に依存する係数ＶＯに無関係に温度
を知ることができるため長時間安定した測定が可能とな
る。
る。つまり結晶を出た光を複像プリズム１２’を通すこ
とにより、偏光子１１と同じ方向の偏波面の光１３と、
これと直交する偏波面の光１４とに分割し、それぞれを
光ファイバでホトディテクタに導びき出力ＶＡ、 ＶＢ
を得たとすると、（９）式％式％（２ となる。従って、 を電気回路によって求めることにより、各光学部品の透
過率や光源の強度等に依存する係数ＶＯに無関係に温度
を知ることができるため長時間安定した測定が可能とな
る。
実際図５の構造（ＢＳＯ長は１２．８５７ｉＪで光源強
度を人為的に±５０％変動させてみたが、電気回路によ
る０３式の演算により±０，８°Ｃの測定精度が確保さ
れた。
度を人為的に±５０％変動させてみたが、電気回路によ
る０３式の演算により±０，８°Ｃの測定精度が確保さ
れた。
以上のように本発明はＢＳＯの旋光能が太ぎく、かつそ
の温度依存性が太ぎいことより、高感度・高精度かつ安
定で構造の簡単な温度センサを提供するものであり、全
部品が誘電体で構成され℃いるとともに光を用いている
ため、電磁的ノイズに以上はＢＳＯの実施例であるが、
ＢＧＯ結晶も旋光能についてはＢＳＯと全く同じ特性を
有しており、上記と全く同じ特性が得られた。
の温度依存性が太ぎいことより、高感度・高精度かつ安
定で構造の簡単な温度センサを提供するものであり、全
部品が誘電体で構成され℃いるとともに光を用いている
ため、電磁的ノイズに以上はＢＳＯの実施例であるが、
ＢＧＯ結晶も旋光能についてはＢＳＯと全く同じ特性を
有しており、上記と全く同じ特性が得られた。
実施例５゜
図６はさらに別の構成を示すものであり、特に高電圧下
や高電界下でＢＳＯの電気光学効果によって発生する光
の変調効果を打消すものであり、所定の結晶長ｌを２分
割し、かつ、結晶１６を光の進光方向を軸として結晶１
５に対して光学軸を図中のＸ ｌ ｙ輔９０°回転させ
て電気光学効果を打消すものである。
や高電界下でＢＳＯの電気光学効果によって発生する光
の変調効果を打消すものであり、所定の結晶長ｌを２分
割し、かつ、結晶１６を光の進光方向を軸として結晶１
５に対して光学軸を図中のＸ ｌ ｙ輔９０°回転させ
て電気光学効果を打消すものである。
実際に４．２８６ａｍのＢＳＯを２．１４：１ｍに２分
割し、かつ一方を９０°回転して図６の温度センサを製
作したところ、２ＫＶ／ｃ１ｎ の高電界中においても
何ら測定値の変動を示さなかった。またこのように電気
光学効果を打消すためには結晶１６の光の入射面と出射
面が逆になるよう１８０° 前後の向きを変えてもよい
。
割し、かつ一方を９０°回転して図６の温度センサを製
作したところ、２ＫＶ／ｃ１ｎ の高電界中においても
何ら測定値の変動を示さなかった。またこのように電気
光学効果を打消すためには結晶１６の光の入射面と出射
面が逆になるよう１８０° 前後の向きを変えてもよい
。
実施例６゜
図７はさらにＢＳＯ、ＢＧＯの有するファラデー効果を
打消して強磁界中や大電流近辺での温度測定を安定に行
うものである。
打消して強磁界中や大電流近辺での温度測定を安定に行
うものである。
ここで結晶１５を右旋光のＢＳＯとすれば結晶１６’は
左旋光のＢＳＯであり、結晶長は同一である。
左旋光のＢＳＯであり、結晶長は同一である。
１７はλ／２ 板であり、位相差πを与えるものである
。
。
λ／２板が無い場合は、旋光能は右旋光と左旋光で打消
してしまい、ファラデー効果による偏波面の回転は倍加
される。
してしまい、ファラデー効果による偏波面の回転は倍加
される。
λ／２板を入れた場合について、図８．９を用いて説明
する。
する。
図８は旋光能に関する説明図であり、ｙ軸は波長板のフ
ァースト軸、Ｘ軸はスロー軸とする。図７で偏光子の偏
光方向はｙ軸に設定しである。図８（、）のように結晶
１５でθ１ だけ旋光能をうけ、λ／２板１７を通るこ
とにより、図８（ｂ）のようにｙ軸の逆向けの方へθ１
だけ回転した直線偏光となり、結晶１６’を通ること
により左旋光θｌ をうけ図８（Ｃ）のように合計２０
１の旋光能をうけるため、図４と同じ動作を行う。
ァースト軸、Ｘ軸はスロー軸とする。図７で偏光子の偏
光方向はｙ軸に設定しである。図８（、）のように結晶
１５でθ１ だけ旋光能をうけ、λ／２板１７を通るこ
とにより、図８（ｂ）のようにｙ軸の逆向けの方へθ１
だけ回転した直線偏光となり、結晶１６’を通ること
により左旋光θｌ をうけ図８（Ｃ）のように合計２０
１の旋光能をうけるため、図４と同じ動作を行う。
一方フアラデー効果については、図９（ａ）のように結
晶１５でθ２ だけの変化をうけたとすると、λ／２板
を通ると図９（ｂ）のように逆の方向に０２ だけ回転
したことになる。ファラデー効果はＢＳＯが右旋光であ
るか、左旋光であるかに関係す＜、磁界の向きと光の進
行方向のみで決まるから、結晶１６’によるファラデー
効果は図９（Ｃ）のように完全に打消される。
晶１５でθ２ だけの変化をうけたとすると、λ／２板
を通ると図９（ｂ）のように逆の方向に０２ だけ回転
したことになる。ファラデー効果はＢＳＯが右旋光であ
るか、左旋光であるかに関係す＜、磁界の向きと光の進
行方向のみで決まるから、結晶１６’によるファラデー
効果は図９（Ｃ）のように完全に打消される。
実際図７の構成の温度十ンサーを製作して２，０００Ｇ
ａｕｓｓの磁界中での温度測定を行ったところ、何ら精
度の劣化をもたらさず、本構成の効果が確認された。
ａｕｓｓの磁界中での温度測定を行ったところ、何ら精
度の劣化をもたらさず、本構成の効果が確認された。
さらに図７において、結晶１５と１６′の光学軸を９０
°ずらすことにより磁界のみならず電界の影響も全くう
けない温度センサを作ることができた。
°ずらすことにより磁界のみならず電界の影響も全くう
けない温度センサを作ることができた。
以」二、述べた如く、本発明によれば、旋光能及びその
温度依存性とも大きく、かつ安定しているＢｉ１２５ｉ
Ｏｐｏ又はＢｉ１２ Ｇｅ０ｐｏにおけるその旋光能の
では全く問題が無く、感度安定性にも優れ、機構も簡単
な温度七ンサーが得られることになる。
温度依存性とも大きく、かつ安定しているＢｉ１２５ｉ
Ｏｐｏ又はＢｉ１２ Ｇｅ０ｐｏにおけるその旋光能の
では全く問題が無く、感度安定性にも優れ、機構も簡単
な温度七ンサーが得られることになる。
図１は旋光能による温度測定原理図を、図２は温度と検
出出力の図を、図３、■は長さ２．０４５１１ＭのＢＳ
Ｏを用いた温度センサの特性、図３■は長さ１２．８５
７闘、のＢＳＯを用いた温度センサの特性を、図４は光
ファイバロッドレンズ偏検光子と組み合わせた本発明の
一構成図を、図５は光源等の変動を打消すための本発明
の一構成図を、図６は電界の影響を打消すための本発明
の一構成図を、図７は磁界の影響を打消すための本発明
の一構成図を、図８は図７の構成での旋光能とλ／２板
との関係を、図９は図７の構成でのファラデー効果とλ
／２板との関係を示す図である。 図中、 ■・・・電気光学結晶 ２・・・入射光 ３・・・偏光子 ４・・・直線偏光 ５・・・旋光能をうけた直線偏光 ６・・・検光子 ７・・・出力光 ８・・・ホトデイテクク ９・・・光ファイバ ＩＯ・・・ロッドレンズ １１・・・偏光ビームスブリツク １２・・・検光ビームスブリック １２′・・・複像プリズム １３・・・偏光子と同じ方向の偏波面を有する光１４・
・・・偏光子と直交する方向の偏波面を有する光 １５・・・光学結晶 １６・・・１５と光学軸が９０°を成すように配置され
た光学結晶 １６′・・・１５と陽対の旋光能を有する光学結晶１７
・・・λ／２板 牙８図 （ａ） （ｂ） ｙ （ｏＬ （ｂ） １６２− （ｃ） （ｃ） ■
出出力の図を、図３、■は長さ２．０４５１１ＭのＢＳ
Ｏを用いた温度センサの特性、図３■は長さ１２．８５
７闘、のＢＳＯを用いた温度センサの特性を、図４は光
ファイバロッドレンズ偏検光子と組み合わせた本発明の
一構成図を、図５は光源等の変動を打消すための本発明
の一構成図を、図６は電界の影響を打消すための本発明
の一構成図を、図７は磁界の影響を打消すための本発明
の一構成図を、図８は図７の構成での旋光能とλ／２板
との関係を、図９は図７の構成でのファラデー効果とλ
／２板との関係を示す図である。 図中、 ■・・・電気光学結晶 ２・・・入射光 ３・・・偏光子 ４・・・直線偏光 ５・・・旋光能をうけた直線偏光 ６・・・検光子 ７・・・出力光 ８・・・ホトデイテクク ９・・・光ファイバ ＩＯ・・・ロッドレンズ １１・・・偏光ビームスブリツク １２・・・検光ビームスブリック １２′・・・複像プリズム １３・・・偏光子と同じ方向の偏波面を有する光１４・
・・・偏光子と直交する方向の偏波面を有する光 １５・・・光学結晶 １６・・・１５と光学軸が９０°を成すように配置され
た光学結晶 １６′・・・１５と陽対の旋光能を有する光学結晶１７
・・・λ／２板 牙８図 （ａ） （ｂ） ｙ （ｏＬ （ｂ） １６２− （ｃ） （ｃ） ■
Claims (5)
- （１）旋光性の結晶としてビスマス・シリコン・オキサ
イド（Ｂｉ １ｇｓｉｏｇｏ ） もしくはビスマス
・ゲルマニウム・オキサイド（Ｂｔ １２Ｇｅ０２ｏ
） を用い、温度変化による旋光能の変化量から該旋
光性の結晶の置かれている場所における温度を検出する
ことを特徴とする光による温度センサ。 - （２）光ファイバ、ロッドレンズ、偏光子、旋光性結晶
、検光子、ロッドレンズ光ファイバをこの順に配置した
ことを特徴とする特許請求範囲第１項記載の光による温
度センサ - （３）検光子によって分割された互に直交する２つの偏
波面を有する出力光を検出し、この２出力の差と和の比
をとることにより温度変化を測定することを特徴とする
第１項もしくは第２項記載の光による温度センサ。 - （４）同一の光路長を有する旋光性の結晶を電気光学効
果を打ち消すように光学軸を配置したことを特徴とする
第１項乃至第８項記載の光による温度センサ。 - （５）同一の光路長を有する左旋光と右旋光の結晶を各
々１個用いて、その間にλ／２板を挿入したことを特徴
とする第１項乃至第４項記載の光による温度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57138702A JPS5928628A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 光による温度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57138702A JPS5928628A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 光による温度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928628A true JPS5928628A (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=15228125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57138702A Pending JPS5928628A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 光による温度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928628A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62102902A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-13 | フセソユズニ ナウチノ−イススレドバテルスキ インストルメンタルニ インステイテユト | 高硬度被覆物を有する切削工具 |
| US5496424A (en) * | 1992-10-07 | 1996-03-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hydrogen absorbing alloy and process for preparing same |
| EP0900925A1 (en) | 1997-09-02 | 1999-03-10 | Tanaka Kogyo Co., Ltd. | Two-cycle engine |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP57138702A patent/JPS5928628A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62102902A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-13 | フセソユズニ ナウチノ−イススレドバテルスキ インストルメンタルニ インステイテユト | 高硬度被覆物を有する切削工具 |
| US5496424A (en) * | 1992-10-07 | 1996-03-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Hydrogen absorbing alloy and process for preparing same |
| EP0900925A1 (en) | 1997-09-02 | 1999-03-10 | Tanaka Kogyo Co., Ltd. | Two-cycle engine |
| US5911202A (en) * | 1997-09-02 | 1999-06-15 | Tanaka Kogyo Co., Ltd. | Two-cycle engine |
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