JPS5928567A - 被膜形成方法 - Google Patents
被膜形成方法Info
- Publication number
- JPS5928567A JPS5928567A JP13874482A JP13874482A JPS5928567A JP S5928567 A JPS5928567 A JP S5928567A JP 13874482 A JP13874482 A JP 13874482A JP 13874482 A JP13874482 A JP 13874482A JP S5928567 A JPS5928567 A JP S5928567A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- coating layer
- evaporation source
- vacuum
- vapor deposition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/021—Cleaning or etching treatments
- C23C14/022—Cleaning or etching treatments by means of bombardment with energetic particles or radiation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、被膜形成方法に係゛す、金属基板に連続的
に物理蒸着法（以下ＰＶＤ法という）によって被膜を形
成する方法の改良に関するものである。
に物理蒸着法（以下ＰＶＤ法という）によって被膜を形
成する方法の改良に関するものである。
従来から被膜形成方法として知られているＰＶＩ）法は
真空蒸着、イオンブレーティング、スバツ”クリングの
８種類に大別される。そしてこれらは実際的な手法が異
なるだけでなく、得られるコーティング被）漠の緒特性
にも差異がある。即ち、コーティング条件にもよるが、
一般的にみるとコーティング速度は真空蒸着が最も速く
て、次いでイオンブレーティング、スパッタリングの順
である。
真空蒸着、イオンブレーティング、スバツ”クリングの
８種類に大別される。そしてこれらは実際的な手法が異
なるだけでなく、得られるコーティング被）漠の緒特性
にも差異がある。即ち、コーティング条件にもよるが、
一般的にみるとコーティング速度は真空蒸着が最も速く
て、次いでイオンブレーティング、スパッタリングの順
である。
またコーティング被膜と基板との密着性およびコーティ
ング）関硬度は、イオンブレーティング、スパッタリン
グ、真空蒸着の順である。
ング）関硬度は、イオンブレーティング、スパッタリン
グ、真空蒸着の順である。
このような緒特性の相異を巧みに使いわけながら現在で
はＰＶＩ）法はあらゆる分野で使われている。
はＰＶＩ）法はあらゆる分野で使われている。
一方近年、１）Ｖｌ）法の生産性を高めるため、基板が
金属板状のものについては、リーフ１／ｌｏリ−１ｖ方
式、いわゆる連続ＰＶＤ法によるコーティングの検討が
なされ、一部ではａｉｒ−ｔ○−ａｉｒ 方式も実用化
が始まっている。
金属板状のものについては、リーフ１／ｌｏリ−１ｖ方
式、いわゆる連続ＰＶＤ法によるコーティングの検討が
なされ、一部ではａｉｒ−ｔ○−ａｉｒ 方式も実用化
が始まっている。
しかるに前述の如くコーティング法によって被膜の緒特
性が異なることから、前記連続ＰＶＤ方法においては、
何らかの特性を犠牲にしなければならない場合があｐ、
最近のＩＣ基板の如き多特性を要求されるものについて
は、追従が困難である。
性が異なることから、前記連続ＰＶＤ方法においては、
何らかの特性を犠牲にしなければならない場合があｐ、
最近のＩＣ基板の如き多特性を要求されるものについて
は、追従が困難である。
−またこれら要求を満たすべく多層コーティングを施こ
そうとした場合、処理室が増加したシ、蒸発源を複数に
するなど設備の複数化を招くばかシか、設備費が膨大な
ものとなる欠点を有している。
そうとした場合、処理室が増加したシ、蒸発源を複数に
するなど設備の複数化を招くばかシか、設備費が膨大な
ものとなる欠点を有している。
この発明は上記問題点を解決し、巻取シ弐ＰＹＤ法にお
いて、設備的制約を変更することなく、即ち、従来の単
一の蒸発源を１０いてイオンブレーティング、真空蒸着
を連続的に行なうことを可能にするものである。
いて、設備的制約を変更することなく、即ち、従来の単
一の蒸発源を１０いてイオンブレーティング、真空蒸着
を連続的に行なうことを可能にするものである。
次にこの発明の方法を図面に晶づいて説明する。
図面はこの発明の方法を実施するに使用する巻取弐ＰＶ
Ｄ装置の一例を示したものであシ、金属基板テープ１は
サブライリー／Ｌ／２から送りロー／Ｌ／３によシ送り
出され、イオンボンバード領域４において表面ｂ１つ浄
されたのち、被覆処理室１１に入り、まず高周波コイ／
Ｌ１５によシイオン化された蒸発粒子１２が金属紙板テ
ープ１の下面に被覆され、次いで高周波コイ／Ｉ１５の
影響を殆んどまたは全く受けない１０の蒸発源による蒸
発粒子１３が連続的に真空蒸着によってさきのイオンブ
レーティング被覆層８の下面に析出することによシ、金
属基板テープ１の密着性良好な被覆層８および軟質の真
空蒸着層９を簡便かつ容、易に形成することができる。
Ｄ装置の一例を示したものであシ、金属基板テープ１は
サブライリー／Ｌ／２から送りロー／Ｌ／３によシ送り
出され、イオンボンバード領域４において表面ｂ１つ浄
されたのち、被覆処理室１１に入り、まず高周波コイ／
Ｌ１５によシイオン化された蒸発粒子１２が金属紙板テ
ープ１の下面に被覆され、次いで高周波コイ／Ｉ１５の
影響を殆んどまたは全く受けない１０の蒸発源による蒸
発粒子１３が連続的に真空蒸着によってさきのイオンブ
レーティング被覆層８の下面に析出することによシ、金
属基板テープ１の密着性良好な被覆層８および軟質の真
空蒸着層９を簡便かつ容、易に形成することができる。
乙の後被覆層８．９を有する金属基板テープ１は冷却ゾ
ーン６を通って冷却され巻取り一ル７に巻取られるもの
である。
ーン６を通って冷却され巻取り一ル７に巻取られるもの
である。
この装置による被膜形成において蒸発粒子がイオン化す
るのはイオン化Ｍ、極の内側または電子ビームの走査線
上にほぼ限定されることからイオン化電極の形伏、位置
を変化させることによシ有効蒸着面積のうちの一部分に
到達する蒸発粒子のみをイオン化し、その部分のみをイ
オンブレーティングとし、他の部分は通常の真空蒸着と
することができ、基板である金属テープをこれらの上を
順次走行させることによシ簡単に被覆膜の物性を制御す
ることができるのである。
るのはイオン化Ｍ、極の内側または電子ビームの走査線
上にほぼ限定されることからイオン化電極の形伏、位置
を変化させることによシ有効蒸着面積のうちの一部分に
到達する蒸発粒子のみをイオン化し、その部分のみをイ
オンブレーティングとし、他の部分は通常の真空蒸着と
することができ、基板である金属テープをこれらの上を
順次走行させることによシ簡単に被覆膜の物性を制御す
ることができるのである。
この発明の方法は図の如きイオンブレーティング−真空
蒸着だけでなく真空蒸着−イオンブレーティングとする
ととも可能であシ、壕だイオン化電極を複数個設けるこ
とによシ、イオンブレーティング−真空蒸着−イオンブ
レーティングなど様々な被覆を連続的に得ることが可能
である。
蒸着だけでなく真空蒸着−イオンブレーティングとする
ととも可能であシ、壕だイオン化電極を複数個設けるこ
とによシ、イオンブレーティング−真空蒸着−イオンブ
レーティングなど様々な被覆を連続的に得ることが可能
である。
従ってこの発明により巻取式ＰＶＤ方法において従来の
単一被覆を単一蒸発源を用いてイオンブレーティング、
真空蒸着層を任意に複数層設けることも可能である。
単一被覆を単一蒸発源を用いてイオンブレーティング、
真空蒸着層を任意に複数層設けることも可能である。
なお、蒸発粒子をイオン化する方法としては、一般に用
いられている電子ビーム照射法、高周波励起法、直流電
界法のどの方法によっても可能で、またこれらを併用す
ることもできる。
いられている電子ビーム照射法、高周波励起法、直流電
界法のどの方法によっても可能で、またこれらを併用す
ることもできる。
この発明の、方法によって金属基板テープ下面にイオン
プレーディング層、真空蒸着層を析出形成せしめたもの
は半導体集積回路装置におりるリードフレームとして有
用である。
プレーディング層、真空蒸着層を析出形成せしめたもの
は半導体集積回路装置におりるリードフレームとして有
用である。
以下この発明を実施例によシ詳細に説明する。
実施例
板厚約０．１２５−１板幅約２５−のＦｅ−４２％Ｎ１
合金テープを第１図に示す装置を用いて片面全面に４．
０μｍのＡＩ！被覆を行った。この被覆の条゛件は、Ａ
ｒガス圧５Ｘ１０ ’ＴＯｒｒの真空の被覆処理室１
１にてまず高周波励起コイ／Ｉ１５にょるＡＪのイオン
粒子１２を被覆したイオンブレーティング層０．８μｍ
１次いで蒸発源１ｏによるＡＩ！の蒸発粒子１３を真空
蒸着にて蒸着層３．２μｍの被覆を順次行った。
合金テープを第１図に示す装置を用いて片面全面に４．
０μｍのＡＩ！被覆を行った。この被覆の条゛件は、Ａ
ｒガス圧５Ｘ１０ ’ＴＯｒｒの真空の被覆処理室１
１にてまず高周波励起コイ／Ｉ１５にょるＡＪのイオン
粒子１２を被覆したイオンブレーティング層０．８μｍ
１次いで蒸発源１ｏによるＡＩ！の蒸発粒子１３を真空
蒸着にて蒸着層３．２μｍの被覆を順次行った。
ここで、イオンブレーティングｍを−ｏ、ｓμｍとした
のは、１．０ｐｍを超えると第２層である真空蒸Ｍ届と
しての特性効果が十分に発揮されないためである。
のは、１．０ｐｍを超えると第２層である真空蒸Ｍ届と
しての特性効果が十分に発揮されないためである。
なお、イオンプレーディング層に関しては、本装置での
有効蒸着面積がａｏｏｘａｏｏ−であることから、高周
波励起は蒸発源中心から１２０鵡の距離にコイル径６０
−１出方１８．５６ＭＨｚ、 ２００Ｗによυ行った。
有効蒸着面積がａｏｏｘａｏｏ−であることから、高周
波励起は蒸発源中心から１２０鵡の距離にコイル径６０
−１出方１８．５６ＭＨｚ、 ２００Ｗによυ行った。
この実施例で得たサンプルは半導体集積回路装置のリー
ドフレームとして真空蒸着のみの被膜およびイオングレ
ーティングのみの被膜と比較して基板−被膜間の密着性
およびワイヤーボンデイング性の総合評価ですぐれた特
性が認められた。
ドフレームとして真空蒸着のみの被膜およびイオングレ
ーティングのみの被膜と比較して基板−被膜間の密着性
およびワイヤーボンデイング性の総合評価ですぐれた特
性が認められた。
以」ユからこの発明によシ巻取り式ＰＶＤ方法にてイオ
ングレーディング、真空蒸着の再被覆膜の特長的諸特性
を単一蒸発源を有する一般の設備を簡単に改造すること
により容易に多層化することが可能となシ、設備コスト
の増大や複雑化を招くことなくすぐれた被膜を形成する
ことができるのである。
ングレーディング、真空蒸着の再被覆膜の特長的諸特性
を単一蒸発源を有する一般の設備を簡単に改造すること
により容易に多層化することが可能となシ、設備コスト
の増大や複雑化を招くことなくすぐれた被膜を形成する
ことができるのである。
図面はこの発明の方法を実施するに用いる巻取式ＰＶＤ
装置の１例を示す工程図である。 ■・・・金属基板テープ ２・・・サブフイリーｐ
５・・φ高周波コイ／ｌ／８・・・イオンブレーティン
グ層 ９・・・真空蒸着層 ＩＯ・・・蒸発源Ｎ’
ｉ’ｉ’ｌ−出願人 住友電気工業株式会社代理人
弁理士和ＩＩＪ 唱
装置の１例を示す工程図である。 ■・・・金属基板テープ ２・・・サブフイリーｐ
５・・φ高周波コイ／ｌ／８・・・イオンブレーティン
グ層 ９・・・真空蒸着層 ＩＯ・・・蒸発源Ｎ’
ｉ’ｉ’ｌ−出願人 住友電気工業株式会社代理人
弁理士和ＩＩＪ 唱
Claims (2)
- （１）可撓性を有する長尺の金属基板に被膜を連続的に
気４１１コーティングする方法において、単一の蒸発源
からの蒸発粒子の一部をイメーン化してイオンブレーテ
ィングによる被膜層と真空蒸着による被膜層との二層ま
たはそれ以上を連続して形成せしめることを特徴とする
被膜形成方法。 - （２）蒸発粒子のイオン化を高周波励起法、直流電界法
または電子ビーム照射法にて行うことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の被膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13874482A JPS5928567A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 被膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13874482A JPS5928567A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 被膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5928567A true JPS5928567A (ja) | 1984-02-15 |
Family
ID=15229158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13874482A Pending JPS5928567A (ja) | 1982-08-09 | 1982-08-09 | 被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5928567A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60159166A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-20 | Hitachi Cable Ltd | Ａｌ蒸着膜の製造法 |
| US6294479B1 (en) | 1992-05-21 | 2001-09-25 | Nissin Electric Co., Ltd | Film forming method and apparatus |
| EP1622215A1 (en) * | 2003-04-28 | 2006-02-01 | Sumitomo Titanium Corporation | Negative electrode for lithium secondary cell, lithium secondary cell employing the negative electrode, film deposition material b used for forming negative electrode, and process for producing negative electrode |
| CN104831527A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-08-12 | 嘉兴中科奥度新材料有限公司 | 芳纶纤维或无纬织物表面全包覆复合离子镀纳米金属工艺及其制品 |
-
1982
- 1982-08-09 JP JP13874482A patent/JPS5928567A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60159166A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-20 | Hitachi Cable Ltd | Ａｌ蒸着膜の製造法 |
| US6294479B1 (en) | 1992-05-21 | 2001-09-25 | Nissin Electric Co., Ltd | Film forming method and apparatus |
| EP1622215A1 (en) * | 2003-04-28 | 2006-02-01 | Sumitomo Titanium Corporation | Negative electrode for lithium secondary cell, lithium secondary cell employing the negative electrode, film deposition material b used for forming negative electrode, and process for producing negative electrode |
| EP1622215A4 (en) * | 2003-04-28 | 2009-07-22 | Osaka Titanium Technologies Co | NEGATIVE ELECTRODE FOR LITHIUM ACCUMULATOR, LITHIUM ACCUMULATOR HAVING THIS NEGATIVE ELECTRODE, FILM DEPOSITION MATERIAL FOR MAKING A NEGATIVE ELECTRODE, AND METHOD FOR MANUFACTURING NEGATIVE ELECTRODE |
| CN104831527A (zh) * | 2015-03-31 | 2015-08-12 | 嘉兴中科奥度新材料有限公司 | 芳纶纤维或无纬织物表面全包覆复合离子镀纳米金属工艺及其制品 |
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