JPS5927072Y2 - 高電圧半導体整流器 - Google Patents
高電圧半導体整流器Info
- Publication number
- JPS5927072Y2 JPS5927072Y2 JP2839077U JP2839077U JPS5927072Y2 JP S5927072 Y2 JPS5927072 Y2 JP S5927072Y2 JP 2839077 U JP2839077 U JP 2839077U JP 2839077 U JP2839077 U JP 2839077U JP S5927072 Y2 JPS5927072 Y2 JP S5927072Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- high voltage
- semiconductor rectifier
- voltage semiconductor
- stack
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
この考案は高電圧半導体整流器に係り、特に電力用ダイ
オード又はサイリスタ等の電力用半導体素子を多数直列
接続して構成する高電圧半導体整流器に関するものであ
る。
オード又はサイリスタ等の電力用半導体素子を多数直列
接続して構成する高電圧半導体整流器に関するものであ
る。
一般に、高電圧半導体整流器は複数個の電力用半導体素
子及びその付属品を一体として金属ケース内に組立て、
その金属ケースを多数上下方向に積重ねた構成となって
いる。
子及びその付属品を一体として金属ケース内に組立て、
その金属ケースを多数上下方向に積重ねた構成となって
いる。
この場合、金属ケースは回路の適当な電位に固定してお
くことが必要であり、通常はケース内に含まれる素子の
スタック中の適当な電位を持つ導伝部と電気的に接続さ
れている。
くことが必要であり、通常はケース内に含まれる素子の
スタック中の適当な電位を持つ導伝部と電気的に接続さ
れている。
第1図は従来の油入り型の高電圧半導体整流器の1例を
示す。
示す。
この図において、タンクケース1内には金属ケース2A
ないし2Dが上下方向に積重ねられた状態で収納されて
いる。
ないし2Dが上下方向に積重ねられた状態で収納されて
いる。
これら各金属ケースは、絶縁物3を介して相互に絶縁さ
れるとともに、タンクケース1からも絶縁されている。
れるとともに、タンクケース1からも絶縁されている。
そして、各金属ケース内には、直列に接続されたサイリ
スクスタック4A、4Bが収納されており、それらサイ
リスクスタックの中間点と金属ケースとが接続されてい
る。
スクスタック4A、4Bが収納されており、それらサイ
リスクスタックの中間点と金属ケースとが接続されてい
る。
金属ケース2A内のサイリスクスタックのカソード側は
端子Kに引き出され、金属ケース2Dのサイリスクスタ
ックのアノード側は端子Aに引き出される。
端子Kに引き出され、金属ケース2Dのサイリスクスタ
ックのアノード側は端子Aに引き出される。
また、各金属ケース2Aないし2Dはタンクケース1と
の間にそれぞれ浮遊容量5ないし8を有している。
の間にそれぞれ浮遊容量5ないし8を有している。
第2図は第1図の電気的等価回路を示す。
この場合、端子Aが大地に対して高く、Kが大地と同電
位の場合であって、各スタックはそれに相当する抵抗9
及びコンデンサ10で表わされる。
位の場合であって、各スタックはそれに相当する抵抗9
及びコンデンサ10で表わされる。
従って、高電圧半導体整流器全体は、電気的に、抵抗9
及びコンデンサ10の直列回路が複数個直列接続され、
かつ、数個所において浮遊容量5ないし8により接地さ
れた電気回路で表わされる。
及びコンデンサ10の直列回路が複数個直列接続され、
かつ、数個所において浮遊容量5ないし8により接地さ
れた電気回路で表わされる。
この図において、最上段及び最下段金属ケース2A、2
Dはタンクケース1と対向する面積が他の金属ケース2
B、2Cよりも広いので、浮遊容量5,8は浮遊容量6
.7よりも大きなものとなる。
Dはタンクケース1と対向する面積が他の金属ケース2
B、2Cよりも広いので、浮遊容量5,8は浮遊容量6
.7よりも大きなものとなる。
このため、端子Aとタンクケース1との間に高電圧が印
加された場合には、金属ケース2D内のサイリスクスタ
ック4Bの分担電圧がサイリスクスタック4Aよりのそ
れよりも大きくなり、両者の分担電圧がアンバランスと
なる。
加された場合には、金属ケース2D内のサイリスクスタ
ック4Bの分担電圧がサイリスクスタック4Aよりのそ
れよりも大きくなり、両者の分担電圧がアンバランスと
なる。
このアンバランスは浮遊容量8の値が大きくなればなる
ほど激しくなるので、第1図のような構成では分担電圧
のアンバランスによリ、耐圧特性が低下し、好ましくな
いことがわかる。
ほど激しくなるので、第1図のような構成では分担電圧
のアンバランスによリ、耐圧特性が低下し、好ましくな
いことがわかる。
第3図の構成では、各ケース2Aないし2Dをサイリス
クスタックのカソード側に接続している。
クスタックのカソード側に接続している。
この場合は、端子Aが大地に対して高く、Kが大地電位
となった時、ケース2D内のサイリスクスタックが過大
な電圧を分担することになる。
となった時、ケース2D内のサイリスクスタックが過大
な電圧を分担することになる。
逆に、端子Aが大地電位、Kが大地に対し高い場合には
、そのサイリスクスタックが過少な電圧しが分担しない
ことになり、他のスタックへのストレスを増加させる不
都合を生ずる。
、そのサイリスクスタックが過少な電圧しが分担しない
ことになり、他のスタックへのストレスを増加させる不
都合を生ずる。
また、第4図のような構成として、金属ケース2Dの接
続を端子A側に移した場合には、金属ケース2A、2B
間、2B、20間、2C92D間でアンバランスとなる
ので好ましくない。
続を端子A側に移した場合には、金属ケース2A、2B
間、2B、20間、2C92D間でアンバランスとなる
ので好ましくない。
この考案は上記の不都合を除去し、各半導体素子のスタ
ックに加わる電圧の分担がほぼ等しくなるようにして、
耐圧性能の向上を図った高電圧半導体整流器を提供しよ
うとするものである。
ックに加わる電圧の分担がほぼ等しくなるようにして、
耐圧性能の向上を図った高電圧半導体整流器を提供しよ
うとするものである。
以下、この考案に係る高電圧半導体整流器の実施例を図
面に従って説明する。
面に従って説明する。
第5図において、最上段の金属ケース2A、及び最下段
の金属ケース2Dとタンクケース1との間にシールド板
20.21が設置される。
の金属ケース2Dとタンクケース1との間にシールド板
20.21が設置される。
これらのシールド板20.21は導伝体であって、各金
属ケース内のスタックの対応する端子に、Aと同電位と
なるように電気的に接続される。
属ケース内のスタックの対応する端子に、Aと同電位と
なるように電気的に接続される。
なお22 、23は各シールド板とタンクケース1との
間の浮遊容量であり、その他の部材の構成は第1図と同
様となっている。
間の浮遊容量であり、その他の部材の構成は第1図と同
様となっている。
上記実施例の構成によれば、金属ケース2A、2Dの大
地に対する浮遊容量5,8はシールド板20゜21で夫
々遮蔽されることになり、この結果、中間のケース2B
、2Cの浮遊容量6,7の容量と実質的に同程度となる
。
地に対する浮遊容量5,8はシールド板20゜21で夫
々遮蔽されることになり、この結果、中間のケース2B
、2Cの浮遊容量6,7の容量と実質的に同程度となる
。
すなわち、上下端のスタックを含むケース電位は中間の
それらと同一の関係となり、交流電圧及びサージ電圧の
分担電圧がアンバランスとなることはなくなる。
それらと同一の関係となり、交流電圧及びサージ電圧の
分担電圧がアンバランスとなることはなくなる。
なお、上記実施例では、油入り式を例にとったが、他の
構成、例えば気中絶縁方式等にも適用可能であることは
言うまでもない。
構成、例えば気中絶縁方式等にも適用可能であることは
言うまでもない。
成上の様に、この考案によれば高電圧分担を適正化し、
耐圧性能の向上を図った高電圧半導体整流器を得る。
耐圧性能の向上を図った高電圧半導体整流器を得る。
第1図は従来の高電圧半導体整流器の1例を示す側面図
、第2図はその等価回路図、第3図及び第4図は従来の
高電圧半導体整流器の他の例を示す側面図、第5図はこ
の考案に係る高電圧半導体整流器の実施例を示す側面図
である。 1・・・・・・タンクケース、2A〜2D・・・・・・
金属ケース、3・・・・・・絶縁物、4A、4B・・・
・・・サイリスクスタック、20.21・・・・・・シ
ールド板。
、第2図はその等価回路図、第3図及び第4図は従来の
高電圧半導体整流器の他の例を示す側面図、第5図はこ
の考案に係る高電圧半導体整流器の実施例を示す側面図
である。 1・・・・・・タンクケース、2A〜2D・・・・・・
金属ケース、3・・・・・・絶縁物、4A、4B・・・
・・・サイリスクスタック、20.21・・・・・・シ
ールド板。
Claims (1)
- 複数個の電力用半導体素子の直列接続から戊るスタック
とその付属物とを一体とした構成体を、絶縁物を介して
多段に積重ねた構造の高電圧半導体整流器において、最
上段の構成体の上部及び最下段の構成体の下部にシール
ド板を設け、それらのシールド板と整流器の端子とを接
続したことを特徴とする高電圧半導体整流器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2839077U JPS5927072Y2 (ja) | 1977-03-09 | 1977-03-09 | 高電圧半導体整流器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2839077U JPS5927072Y2 (ja) | 1977-03-09 | 1977-03-09 | 高電圧半導体整流器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS53126473U JPS53126473U (ja) | 1978-10-07 |
JPS5927072Y2 true JPS5927072Y2 (ja) | 1984-08-06 |
Family
ID=28874274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2839077U Expired JPS5927072Y2 (ja) | 1977-03-09 | 1977-03-09 | 高電圧半導体整流器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5927072Y2 (ja) |
-
1977
- 1977-03-09 JP JP2839077U patent/JPS5927072Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS53126473U (ja) | 1978-10-07 |
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