JPS5925903A - 真空しや断器用接触子材料の製造方法 - Google Patents
真空しや断器用接触子材料の製造方法Info
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- JPS5925903A JPS5925903A JP12869483A JP12869483A JPS5925903A JP S5925903 A JPS5925903 A JP S5925903A JP 12869483 A JP12869483 A JP 12869483A JP 12869483 A JP12869483 A JP 12869483A JP S5925903 A JPS5925903 A JP S5925903A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/24—After-treatment of workpieces or articles
- B22F3/26—Impregnating
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
真空遮断器用接触子材料としてはすでに約40ないし6
0.%のクロムを含むCrCu複合月オ′・トが良いこ
とが分かつている。この材料によれば、成分の銅が十分
な電気伝導度および熱伝導度を保証し、一方、基拐のク
ロムがアークによる消耗を減らし斗だタングステンに比
較して低い2173に+7)融点によって有害な熱市子
放出の危険を除く。そのほかにクロムは接触子のW+
5に性を著しく低減し、・1〜かも良好なブラタ−性を
有する。 CrCu複合相料の製造に対しては、Cr−Cu系に混
合ギャップがあるため、40ないし60係というクロム
含有歇の所望の濃度範囲においては、粉末冶金法だけが
考慮される。最も普通には、りaノ、粉末またはCrC
u粉末混合物から圧縮体を作成し、圧縮体の空孔が焼結
後、溶けた銅によって充てんされる+5法が最も普通に
行なわれている。 そのような焼結溶浸法も普通の公知の粉末冶金法も、ク
ロムの酸化傾向のために制1i111するのが困朝1で
ある。特1・こ、個々の粒子面のぶれ性か悪いこと、ま
だは不働態膜が形成されることによる空孔欠陥9険があ
る。この空孔欠陥ま−だは溶 浸欠陥が5ないし50 n m種度の大きさで存在する
場合でも、これらの欠陥によって遮断特性を害するおそ
れがある。実際上は、それから遮断能力にあるばらつき
幅が生ずる。 他の公知の方法では、例えば純粋のり「コム粉末からな
るか、または・焼結の際の敵相を得るために一つ且たは
複数の別の粉末添加物がクロム粉末に混合された金属粉
末の圧縮1だは注ぎ込みにより多孔質の中1用生12い
勿が作られる。それに)売く高−東空あるいは純粋な保
護ガス中での1573にないし1773r(の温1−T
に゛おける焼結により、粉末核の間に所望の焼結ブリッ
ジが形成され、その結果基イオ強lWは十昇し、焼結過
8後の多孔質焼結中間生成物の問題のない取扱いか可能
となる。別の工程(こおいて中間生成物は溶浸型の中に
入れられるか溶侵台の上に載せられ、被覆物または基台
と17で空孔容積に相応する鼠の溶浸金属、この場合は
胴かf・]加され、そして再び高真空中あるい(は、純
粋な保護ガス中で溶浸金1属の融点μ上に加熱される。 そ1〜で毛管力によって多孔質の基材に溶浸が起こる。 しかしながら、Cr−Cu複合祠孝−1製4のンvめの
−1−述の溶浸法によっては、慎東な作業方法にも拘ら
ず、完全に欠陥のない溶浸fd得られない。それは木7
1的に次の三つの理由に基づくものである。 焼結工程および溶浸工程の間の炉の装人憤えの際、強い
rツタ活性のり
0.%のクロムを含むCrCu複合月オ′・トが良いこ
とが分かつている。この材料によれば、成分の銅が十分
な電気伝導度および熱伝導度を保証し、一方、基拐のク
ロムがアークによる消耗を減らし斗だタングステンに比
較して低い2173に+7)融点によって有害な熱市子
放出の危険を除く。そのほかにクロムは接触子のW+
5に性を著しく低減し、・1〜かも良好なブラタ−性を
有する。 CrCu複合相料の製造に対しては、Cr−Cu系に混
合ギャップがあるため、40ないし60係というクロム
含有歇の所望の濃度範囲においては、粉末冶金法だけが
考慮される。最も普通には、りaノ、粉末またはCrC
u粉末混合物から圧縮体を作成し、圧縮体の空孔が焼結
後、溶けた銅によって充てんされる+5法が最も普通に
行なわれている。 そのような焼結溶浸法も普通の公知の粉末冶金法も、ク
ロムの酸化傾向のために制1i111するのが困朝1で
ある。特1・こ、個々の粒子面のぶれ性か悪いこと、ま
だは不働態膜が形成されることによる空孔欠陥9険があ
る。この空孔欠陥ま−だは溶 浸欠陥が5ないし50 n m種度の大きさで存在する
場合でも、これらの欠陥によって遮断特性を害するおそ
れがある。実際上は、それから遮断能力にあるばらつき
幅が生ずる。 他の公知の方法では、例えば純粋のり「コム粉末からな
るか、または・焼結の際の敵相を得るために一つ且たは
複数の別の粉末添加物がクロム粉末に混合された金属粉
末の圧縮1だは注ぎ込みにより多孔質の中1用生12い
勿が作られる。それに)売く高−東空あるいは純粋な保
護ガス中での1573にないし1773r(の温1−T
に゛おける焼結により、粉末核の間に所望の焼結ブリッ
ジが形成され、その結果基イオ強lWは十昇し、焼結過
8後の多孔質焼結中間生成物の問題のない取扱いか可能
となる。別の工程(こおいて中間生成物は溶浸型の中に
入れられるか溶侵台の上に載せられ、被覆物または基台
と17で空孔容積に相応する鼠の溶浸金属、この場合は
胴かf・]加され、そして再び高真空中あるい(は、純
粋な保護ガス中で溶浸金1属の融点μ上に加熱される。 そ1〜で毛管力によって多孔質の基材に溶浸が起こる。 しかしながら、Cr−Cu複合祠孝−1製4のンvめの
−1−述の溶浸法によっては、慎東な作業方法にも拘ら
ず、完全に欠陥のない溶浸fd得られない。それは木7
1的に次の三つの理由に基づくものである。 焼結工程および溶浸工程の間の炉の装人憤えの際、強い
rツタ活性のり
【′jム基イ」の場合には薄い酸化物皮
膜または化学的に吸着されたガス皮膜に1、? 、l、
l; JA表面が析しく被覆され、それがmけた容どジ
金属とのM3れを困911tにする。熱力学的lc即由
かE)、この酸fヒ過程(・」、高!X空によひ純粋な
保護tfスス中さえ、4′Ji 000 Kより低いと
ころてオー(Ate−起こる。なぜなら経済的に使用で
きるような炉においてな」、I Q ” 1111)
以(:の酸素外1(二が得られないからである。この現
象の結果として、微小や洞に−jひ空孔の形であられれ
る溶U欠陥が生(′る。 焼結過程とそれに結び付いて生ずる焼S、1.]゛リッ
ジの形成によって、溶はプ切容浸金属が全然向ill。 ないか不完全に到達するだけの、入りにくいり)+、孔
領誠が得られる。それによつ−C1例えば炭素のような
還元゛吻質を、溶けた溶浸金属相を介して基利命属にも
たらず可能性も制約され、その結果焼結グリッジ形成に
基づくこの残留空孔領域中に残留酸化物が(r、在12
、それが接触子利料のしゃ断能力を害する。 固い焼結ブリッジの硬直化作用により、基、(4の−9
形にλ・jする可能性li著しく低減される。銅あるい
なよその合金によって浸透されたクロム基(4が、溶け
/こ溶浸金属の溶浸温度から冷却される場合、クロトお
よび銅の間の異なる熱膨張の/こめに、暴利金属および
溶浸金属の共通のつりあった収縮によって吸収すること
のできない容積不足があられれる。この公知の現象d、
同様に欠陥部および光学顕微鏡て観桜できない微小空孔
に導き、それが高負荷遮断責務に対する4g料の品質を
劣化させることがあり得る。 これらの障害を除去することが研究されてきた。 すなわち、例えばクロム粉末および銅粉末を混合り、そ
れによってクロム粉の直接の接触が広範囲に行われない
ようにし、つづく焼結過程において変形を妨げる離れ割
れの焼結ブリッジが全く形成されないか、まだに[ご〈
僅か形成されるようにすることができる。この;挿漬工
程がクロl−粒子の立体障害を打消すとしても、そのよ
うな月X・1によっては十分な遮断能力をイ!Iること
かできない。その原因は通常約500ppmの酸素不純
物を含む銅粉末とゲッタ活性のクロム粉末との間の相互
作用である。すてに1273により低温で、すなわち1
000′Cですでに、C1120解離を使用する場合、
酸化しやすいクロム粉末が酸化される。クロムの高い酸
化熱のために、安定な表面酸化物が形成され、それは普
通の真空脱ガスではもはや除去することができない。 〔発明の開示〕 それ数本発明の目的ij:、36kVまでの1吏用電圧
と30 kA以」二の遮断電流の真空高圧用遮断器の要
求を満足し、」二連の欠陥源ならびに付加的に高い酸素
含有量の銅粉末の使用が礒けられるクロトど銅とからj
j’iる高性能接触子材料を製造することかり能な方θ
てを得ることにある。 本発明によればこの目的は、クロム粉末を脱ガスされた
7−(!+の中に注き込み、そのクロム粉末上に低酸素
の銅からなる片を置き、つづいて型を多孔質の許て閉じ
、それからその型を高真空炉中で室温において10’m
bより低い圧力に達する寸て脱ガスし、その後炉温を銅
の融点よりドのできるだけ高い温度に高め、との炉温を
10’mbより低い一定の炉内圧力が得られる寸で一定
に保持し、つづいて中間冷却なしに炉温を銅の融点の一
ヒエ00にないし200にの最終値までさらに高め、こ
の温度をクロム粉末混合物中に含まれる多孔部分が溶け
た銅によって完全に満されるまで保持することによって
達1戊される。 銅の融点のすぐ下におかれる炉温6−」1、工業的に実
施されろ場合には1273K(+5O−−20K)に選
ぶことができる。炉はこの温度に約1時間保持され、そ
の際炉内圧力は10−5mbの範囲に得られ右利である
。銅の融点より一1二に保持する時間は20ないし30
分が有利である。 本発明の方法に対しては、アルミノサーミツク1だは電
解的に作られプこクロムを使用することができる。第一
の方υその場合、゛クロム粉末は50μ+nないし20
0μ夏1】の粒子分布を持っているのが望外しく、とり
わけ少くとも150μInの成分を持つたものが庁利で
ある。第二の方法の場合(l′cに、粒−子の大きさd
、それ以下、すなわち25μ+11より[;の範囲にお
くことができる。 芥だ、グラファイトから1戊るイ乍業り朝を月jいるの
か有利なことが分った。それは溶けた銅に炭素か少畦溶
けており、それ故溶融相における移送を介してクロム酸
化不純物に対する還元剤とし2て用いられるからである
。 本発明にも・いては、強度を高める焼結過秤か安定な・
焼結ブリッジの形成によって行なわれるのて(d、なぐ
、型の中に注き込まれたクロノ・〕分末から出発する点
て特に有利である。炉の装入切替や焼結中間生成物の付
加的操作なしに、注き込んだ粉末の多孔容積(d溶けた
銅て完全に満たすことができ、その結果実用上孔部のな
い保合材料か得られる。 〔発明の実施例〕 次pc本発明を実施例について詳細に説明する。 500 p +)+11の最大酸素含有量を持ちアルミ
ノサーミソクに作られたクロムを使用する場合、少くと
も150μmの成分を持つ粒子の大きさのクロム粉末を
、予め脱ガスされた黒鉛型の中に充てんする。るつは(
dl、例えVコ、s 5+nm (7) 71径ど25
Q 111m ノ長さを持ち、約180 mmの高さ
寸てりD ly粉末で満たされている。クロム粉末の上
に塊状の低酸素銅片を置き、それかるつほの残りの内芥
積をイ′1(にi’Cずようにする。そのるつほを多孔
質の黒鉛薔て閑さし、高真空炉中て先ず室府、で10
’+111)の域、すなわち10 ml)より低い
ところに達する省て脱ガスする。つついて加熱を始める
が、それ(l、1、圧力が10 ’ +111)以上
に劉ると常に中断する。約1273K(+50に、−2
0K)の温度において、すなわLO)全回の酸l!、改
(” S 、、、−1+356+<、 )よりトのl晶
1隻において、本来の脱ガスγ、旧廷に達し、この温度
を1時間、し、かL2少なくとも1.0 ml)より
低い炉内圧力に丙ひ達する斗で保1−11する。つづい
て中間冷却な1.に霊1uを、銅の融点より1.00
Kないし200に上にある最、終値までさらに高める。 そのγ1情度は例えば14731(であり、この?晶I
庭におし)て約30分後に(d、注き込まれたクロノ、
中の孔部は溶けた銅で実用上完全に満たされる。 本発明の他の実施例においては、同様に最高5001)
I)Il+の酸素を含有した電解的に作られたクロト
が用いられる。それから作られたり【コム粉末は、この
場合にはアルミノサーミックに作られたクロムより小さ
い、例えば25μmより小さい粒子の大きさ分布を持っ
たものとすることができる。 それ以タトの個々の製造工程は第一の実施例と同様であ
る。 孔部が完全に満たされた後、」二連の両実施例により作
られプこ中間生成物は真空中で冷却される。 冷えた後Cr−Cu複合ブロックは必すな幾何学a面形
状を持った接触子片に分けられる。この月利の顕微境組
織によれば、本発明方トノミによって作られた複合利子
゛Iか、強度を高める焼結ブリッジも、多孔部も実際」
二持たないことが認められる。したがって本発明方法に
よれば、Cr−Cuを基礎にした接触子片を再現性よく
作ることができ、しかもそれは高圧真空しゃ断2;÷に
適しプこ性質を持っている。 Cr−Cuを基礎にして説明した実施例において、公知
の方法で化の元素を添加物として用いることがてきる。 例えば、銅に対する合金成分としてチタン、ジルコニウ
ムを用いると、ゲッタ特性が改善される。また、鉄、コ
バルト、寸だけニッケルをクロム粉末に添加すると、儒
れ性が改善される。
膜または化学的に吸着されたガス皮膜に1、? 、l、
l; JA表面が析しく被覆され、それがmけた容どジ
金属とのM3れを困911tにする。熱力学的lc即由
かE)、この酸fヒ過程(・」、高!X空によひ純粋な
保護tfスス中さえ、4′Ji 000 Kより低いと
ころてオー(Ate−起こる。なぜなら経済的に使用で
きるような炉においてな」、I Q ” 1111)
以(:の酸素外1(二が得られないからである。この現
象の結果として、微小や洞に−jひ空孔の形であられれ
る溶U欠陥が生(′る。 焼結過程とそれに結び付いて生ずる焼S、1.]゛リッ
ジの形成によって、溶はプ切容浸金属が全然向ill。 ないか不完全に到達するだけの、入りにくいり)+、孔
領誠が得られる。それによつ−C1例えば炭素のような
還元゛吻質を、溶けた溶浸金属相を介して基利命属にも
たらず可能性も制約され、その結果焼結グリッジ形成に
基づくこの残留空孔領域中に残留酸化物が(r、在12
、それが接触子利料のしゃ断能力を害する。 固い焼結ブリッジの硬直化作用により、基、(4の−9
形にλ・jする可能性li著しく低減される。銅あるい
なよその合金によって浸透されたクロム基(4が、溶け
/こ溶浸金属の溶浸温度から冷却される場合、クロトお
よび銅の間の異なる熱膨張の/こめに、暴利金属および
溶浸金属の共通のつりあった収縮によって吸収すること
のできない容積不足があられれる。この公知の現象d、
同様に欠陥部および光学顕微鏡て観桜できない微小空孔
に導き、それが高負荷遮断責務に対する4g料の品質を
劣化させることがあり得る。 これらの障害を除去することが研究されてきた。 すなわち、例えばクロム粉末および銅粉末を混合り、そ
れによってクロム粉の直接の接触が広範囲に行われない
ようにし、つづく焼結過程において変形を妨げる離れ割
れの焼結ブリッジが全く形成されないか、まだに[ご〈
僅か形成されるようにすることができる。この;挿漬工
程がクロl−粒子の立体障害を打消すとしても、そのよ
うな月X・1によっては十分な遮断能力をイ!Iること
かできない。その原因は通常約500ppmの酸素不純
物を含む銅粉末とゲッタ活性のクロム粉末との間の相互
作用である。すてに1273により低温で、すなわち1
000′Cですでに、C1120解離を使用する場合、
酸化しやすいクロム粉末が酸化される。クロムの高い酸
化熱のために、安定な表面酸化物が形成され、それは普
通の真空脱ガスではもはや除去することができない。 〔発明の開示〕 それ数本発明の目的ij:、36kVまでの1吏用電圧
と30 kA以」二の遮断電流の真空高圧用遮断器の要
求を満足し、」二連の欠陥源ならびに付加的に高い酸素
含有量の銅粉末の使用が礒けられるクロトど銅とからj
j’iる高性能接触子材料を製造することかり能な方θ
てを得ることにある。 本発明によればこの目的は、クロム粉末を脱ガスされた
7−(!+の中に注き込み、そのクロム粉末上に低酸素
の銅からなる片を置き、つづいて型を多孔質の許て閉じ
、それからその型を高真空炉中で室温において10’m
bより低い圧力に達する寸て脱ガスし、その後炉温を銅
の融点よりドのできるだけ高い温度に高め、との炉温を
10’mbより低い一定の炉内圧力が得られる寸で一定
に保持し、つづいて中間冷却なしに炉温を銅の融点の一
ヒエ00にないし200にの最終値までさらに高め、こ
の温度をクロム粉末混合物中に含まれる多孔部分が溶け
た銅によって完全に満されるまで保持することによって
達1戊される。 銅の融点のすぐ下におかれる炉温6−」1、工業的に実
施されろ場合には1273K(+5O−−20K)に選
ぶことができる。炉はこの温度に約1時間保持され、そ
の際炉内圧力は10−5mbの範囲に得られ右利である
。銅の融点より一1二に保持する時間は20ないし30
分が有利である。 本発明の方法に対しては、アルミノサーミツク1だは電
解的に作られプこクロムを使用することができる。第一
の方υその場合、゛クロム粉末は50μ+nないし20
0μ夏1】の粒子分布を持っているのが望外しく、とり
わけ少くとも150μInの成分を持つたものが庁利で
ある。第二の方法の場合(l′cに、粒−子の大きさd
、それ以下、すなわち25μ+11より[;の範囲にお
くことができる。 芥だ、グラファイトから1戊るイ乍業り朝を月jいるの
か有利なことが分った。それは溶けた銅に炭素か少畦溶
けており、それ故溶融相における移送を介してクロム酸
化不純物に対する還元剤とし2て用いられるからである
。 本発明にも・いては、強度を高める焼結過秤か安定な・
焼結ブリッジの形成によって行なわれるのて(d、なぐ
、型の中に注き込まれたクロノ・〕分末から出発する点
て特に有利である。炉の装入切替や焼結中間生成物の付
加的操作なしに、注き込んだ粉末の多孔容積(d溶けた
銅て完全に満たすことができ、その結果実用上孔部のな
い保合材料か得られる。 〔発明の実施例〕 次pc本発明を実施例について詳細に説明する。 500 p +)+11の最大酸素含有量を持ちアルミ
ノサーミソクに作られたクロムを使用する場合、少くと
も150μmの成分を持つ粒子の大きさのクロム粉末を
、予め脱ガスされた黒鉛型の中に充てんする。るつは(
dl、例えVコ、s 5+nm (7) 71径ど25
Q 111m ノ長さを持ち、約180 mmの高さ
寸てりD ly粉末で満たされている。クロム粉末の上
に塊状の低酸素銅片を置き、それかるつほの残りの内芥
積をイ′1(にi’Cずようにする。そのるつほを多孔
質の黒鉛薔て閑さし、高真空炉中て先ず室府、で10
’+111)の域、すなわち10 ml)より低い
ところに達する省て脱ガスする。つついて加熱を始める
が、それ(l、1、圧力が10 ’ +111)以上
に劉ると常に中断する。約1273K(+50に、−2
0K)の温度において、すなわLO)全回の酸l!、改
(” S 、、、−1+356+<、 )よりトのl晶
1隻において、本来の脱ガスγ、旧廷に達し、この温度
を1時間、し、かL2少なくとも1.0 ml)より
低い炉内圧力に丙ひ達する斗で保1−11する。つづい
て中間冷却な1.に霊1uを、銅の融点より1.00
Kないし200に上にある最、終値までさらに高める。 そのγ1情度は例えば14731(であり、この?晶I
庭におし)て約30分後に(d、注き込まれたクロノ、
中の孔部は溶けた銅で実用上完全に満たされる。 本発明の他の実施例においては、同様に最高5001)
I)Il+の酸素を含有した電解的に作られたクロト
が用いられる。それから作られたり【コム粉末は、この
場合にはアルミノサーミックに作られたクロムより小さ
い、例えば25μmより小さい粒子の大きさ分布を持っ
たものとすることができる。 それ以タトの個々の製造工程は第一の実施例と同様であ
る。 孔部が完全に満たされた後、」二連の両実施例により作
られプこ中間生成物は真空中で冷却される。 冷えた後Cr−Cu複合ブロックは必すな幾何学a面形
状を持った接触子片に分けられる。この月利の顕微境組
織によれば、本発明方トノミによって作られた複合利子
゛Iか、強度を高める焼結ブリッジも、多孔部も実際」
二持たないことが認められる。したがって本発明方法に
よれば、Cr−Cuを基礎にした接触子片を再現性よく
作ることができ、しかもそれは高圧真空しゃ断2;÷に
適しプこ性質を持っている。 Cr−Cuを基礎にして説明した実施例において、公知
の方法で化の元素を添加物として用いることがてきる。 例えば、銅に対する合金成分としてチタン、ジルコニウ
ムを用いると、ゲッタ特性が改善される。また、鉄、コ
バルト、寸だけニッケルをクロム粉末に添加すると、儒
れ性が改善される。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)a)クロム粉末を脱ガスされた型の中に注き込む工
程と、 1))クロム粉末」二に低酸素の銅から成る片を置く工
程と、 0)続いて型を多孔質の蓋で閉じる工程と、d)型を高
真空Xす中で室温において10−4m1)より低い圧力
に達する寸で脱がスする工程と、 e)次いて炉温を銅の融点より士°のてきるたけ高い温
度に高める]1稈と、 1’) +iiJ記炉昌を1.0 ’mb より低
イ一定ノ炉内11カが得られるまて一定に保4”4iす
る工程と、 g)次いで中間冷却なしに、炉?1′l□I’lを銅の
融点より100にないし200 K高い最P (直tて
さらに高め、この温度をりOl、粉末中に含まれる多孔
部分が溶けだ銅によって完全に満たされる寸で一定に保
ト’jする工程とから1戊ることを!庁徴とするクロt
、とtlilとの複合材料から成る真空しゃ断器用接触
子イぢ料の製造方法。 2、特許請求の範囲第1項記載の方法において、工程e
)の炉品力4273に、(+50に、−20K)Tある
ことを特徴どする真空しゃ断器用接触子飼料の製造方法
。 3)特許請求の範囲第1項または第2項記載の方法にお
いて、工程d)およびr)の圧力が10−51111〕
の域にあることを特徴とする真空しゃ断器用接触子イ」
1Fの製造方法。 4)!1〒♂「請求の範囲第1項記載の方法において、
工程f)における保持時間が約1時間であることを特徴
とする真空しゃ断器用接触T−拐料の労、前方1人。 5)牛lIr「請求の範囲第1項記載の方法において、
工程g)における保持時間が20ないし30分であるこ
とを特徴とする真空しゃ断器用接触子材料の製造方法。 6)特許請求の範囲第1項記載の方法において、アルミ
ノサーミツクに作られたクロトを用い、それから得たク
ロム粉末が50μI11ないし200 /J I7+の
粒子の大きさ分布を6することを特徴とする真空しゃ断
器用接触子材料の(製造方法0 7)特許請求の範囲第6項記載の方θ;如おいて、少く
とも150μm1]の成分を持つ粒子の大きさのクロt
・粉末を用いることを特徴とする真空しゃ断器用接触子
材料の製造方法。 8)特許請求の範囲第1項記載の方法において、竜角Y
的に作られたクロムを用い、それからに4+だクロム粉
末が25μm口ないし200μ!1〕の粒子の大きさ分
布を有することを特徴とする方法において、黒鉛から成
る型を用いることf:特徴とする真空しゃ断器剛接f!
yJ:子イ1料α縛直方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2705998B2 (ja) * | 1990-08-02 | 1998-01-28 | 株式会社明電舎 | 電気接点材料の製造方法 |
US5352404A (en) * | 1991-10-25 | 1994-10-04 | Kabushiki Kaisha Meidensha | Process for forming contact material including the step of preparing chromium with an oxygen content substantially reduced to less than 0.1 wt. % |
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1983
- 1983-07-14 JP JP12869483A patent/JPS5925903A/ja active Granted
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4777335A (en) * | 1986-01-21 | 1988-10-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Contact forming material for a vacuum valve |
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Publication number | Publication date |
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JPS6353252B2 (ja) | 1988-10-21 |
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