JPS59232656A - 冶金容器 - Google Patents
冶金容器Info
- Publication number
- JPS59232656A JPS59232656A JP59104879A JP10487984A JPS59232656A JP S59232656 A JPS59232656 A JP S59232656A JP 59104879 A JP59104879 A JP 59104879A JP 10487984 A JP10487984 A JP 10487984A JP S59232656 A JPS59232656 A JP S59232656A
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- JP
- Japan
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- metallurgical
- solenoid
- container
- magnetic detector
- metallurgical vessel
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- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D23/00—Casting processes not provided for in groups B22D1/00 - B22D21/00
- B22D23/06—Melting-down metal, e.g. metal particles, in the mould
- B22D23/10—Electroslag casting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
- B22D27/02—Use of electric or magnetic effects
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/60—Heating arrangements wherein the heating current flows through granular powdered or fluid material, e.g. for salt-bath furnace, electrolytic heating
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- Furnace Details (AREA)
- Continuous Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、′「B流(直流または交流)の作用で金属溶
湯を凝固させる冶金容器に関する。
湯を凝固させる冶金容器に関する。
従来技術
造塊および連続鋳造においてできるだけ均v1な組織を
得るため、複数のコイルの磁界の作用で金属浴Bを凝固
させることは既に公知である。
得るため、複数のコイルの磁界の作用で金属浴Bを凝固
させることは既に公知である。
これらのコイルは互いに関係して電流を供給されるので
、例えは移動磁界等が生じ、それにより清耐が鋳型に対
して運動ゼしめられる。この場合著量がvl型の縦軸線
のまイっりに回転せしめられるか、または溶温か軸線方
向に流れ、逆方間にIIJ−び流れJjJるように、コ
イルを配置?′ンするこ七ができる。
、例えは移動磁界等が生じ、それにより清耐が鋳型に対
して運動ゼしめられる。この場合著量がvl型の縦軸線
のまイっりに回転せしめられるか、または溶温か軸線方
向に流れ、逆方間にIIJ−び流れJjJるように、コ
イルを配置?′ンするこ七ができる。
m流で操業される冶金炉において、撹拌コイルをを設け
ることも公知である。これらの撹拌二フィルは、t9融
過程用の電流によって生ずる磁界を重ねる。
ることも公知である。これらの撹拌二フィルは、t9融
過程用の電流によって生ずる磁界を重ねる。
浴融を行なう電流によって、既に述べたように磁界が形
成されて、同様に溶飄の凝固に影響を及ぼすことがある
。ν1型に関して非対称な磁界が形成されると、それに
よりとの範囲に溶(’=4かあるかに応して、凝固状態
にある俗間が異なる動きをし、したがって異なる冷却を
受ける。
成されて、同様に溶飄の凝固に影響を及ぼすことがある
。ν1型に関して非対称な磁界が形成されると、それに
よりとの範囲に溶(’=4かあるかに応して、凝固状態
にある俗間が異なる動きをし、したがって異なる冷却を
受ける。
vi型中における溶湯の凝固エリ1間中特に熱が発11
され、同様に金属溶賜が補給されると、少なくとも熱に
よる流れが生じて、非対称磁界により偏向されることを
考慮せねばならない。このような非対称磁界は例えばエ
レク1−ロスラク再俗融の際生ずることがあり、その際
鉛塊全イ本をfIJ俗尉する必要はなく、まずγ■型へ
俗間も入れ、電極によりいわゆる先端加熱のみを行なう
ことができる。上述した非動aV磁界はアーク炉廚でも
生ずることがある。
され、同様に金属溶賜が補給されると、少なくとも熱に
よる流れが生じて、非対称磁界により偏向されることを
考慮せねばならない。このような非対称磁界は例えばエ
レク1−ロスラク再俗融の際生ずることがあり、その際
鉛塊全イ本をfIJ俗尉する必要はなく、まずγ■型へ
俗間も入れ、電極によりいわゆる先端加熱のみを行なう
ことができる。上述した非動aV磁界はアーク炉廚でも
生ずることがある。
発W]の目的
本発明の課顆は、冶金容器を形成するため所望の特冗の
磁界を可能にする装置を提供ずろことである。
磁界を可能にする装置を提供ずろことである。
これまで浴耐流用給tie導線の特カニの配:1〆9に
、よつて、特に対称に整”えられた磁界を得ることだけ
が求められた。しかし電流の戻りが管状導体により精確
に同軸的に行なわれず、溶勘から充分大きく離れて設け
られていない1つまた復数の導体によって行なわれる(
票同軸電流戻り)ときには、前述の努力も一般に見込み
がない。
、よつて、特に対称に整”えられた磁界を得ることだけ
が求められた。しかし電流の戻りが管状導体により精確
に同軸的に行なわれず、溶勘から充分大きく離れて設け
られていない1つまた復数の導体によって行なわれる(
票同軸電流戻り)ときには、前述の努力も一般に見込み
がない。
特に浴温の近くに戻り導体を設けることによって、甚だ
しい横磁界が溶門中に生ずる可能性がある。精確に同i
1t+I+的な管状戻り導体でも、大抵の場合存在する
接触個所の老化またはYυれによって、迄触抵抗が相違
し、同軸通′1じが行なわれなくなる。隣接する炉また
は装置にノ、(因するかまたは冶金容器の近くにある強
磁性利得によって生ずる横磁界は、従来の装置ではさら
に問題となる。
しい横磁界が溶門中に生ずる可能性がある。精確に同i
1t+I+的な管状戻り導体でも、大抵の場合存在する
接触個所の老化またはYυれによって、迄触抵抗が相違
し、同軸通′1じが行なわれなくなる。隣接する炉また
は装置にノ、(因するかまたは冶金容器の近くにある強
磁性利得によって生ずる横磁界は、従来の装置ではさら
に問題となる。
目的を達するための手段
本発明による冶金容器は、大体において常磁性または反
磁性月利からなりかつ場合によっては水冷される閉した
周壁と、場合によっては電流の供給に用いられる底板等
と、給電されるソレノイドとをもち、この冶金饗器内で
少なくとも一部電流の作用で金属溶易が凝固せしめられ
、冶金容器が特に導電スラグの抵抗加熱による電極の再
溶融用鋳型として使用され、場合によっては鋳塊の成長
に応してもち上げ可能てあり、本発明による特徴として
、互いに無関係に給電可能な多数のソレノイドが冶金容
器のまわりに設けられ、電流により生ずる磁界の磁力線
にλ・」しなるべく接平面をなし特にR)全容器に対し
はば接平面をなしてこの冶金容器のまオつりに設む寸ら
れている磁気険知閤を介して、ソレノイドの給電が制御
される。
磁性月利からなりかつ場合によっては水冷される閉した
周壁と、場合によっては電流の供給に用いられる底板等
と、給電されるソレノイドとをもち、この冶金饗器内で
少なくとも一部電流の作用で金属溶易が凝固せしめられ
、冶金容器が特に導電スラグの抵抗加熱による電極の再
溶融用鋳型として使用され、場合によっては鋳塊の成長
に応してもち上げ可能てあり、本発明による特徴として
、互いに無関係に給電可能な多数のソレノイドが冶金容
器のまわりに設けられ、電流により生ずる磁界の磁力線
にλ・」しなるべく接平面をなし特にR)全容器に対し
はば接平面をなしてこの冶金容器のまオつりに設む寸ら
れている磁気険知閤を介して、ソレノイドの給電が制御
される。
このような装置1′1により、所望のいかなる(赳チ“
Vも生ずることができ、同時に例えは7t)金寄;州の
軸線に対しt直角な方向における(磁界を冗4−に4目
殺することができる。磁気倹・知ホトはそのつセ存在す
る磁界を7111定し、例えば完全な相殺が望まれると
きには、適当な相殺回路を介してソし・ノイlくの給電
が行fJ fiつれて、逆の磁界が牛する、多数のソレ
ノイドにより、Ill殺磁界の強さを小さくすることが
できるのて、特に零′青密なI[1役を行なうことがで
きる。これは、磁界の強さがソレノイドからの距離の2
東で減少するので、特に有利である。
Vも生ずることができ、同時に例えは7t)金寄;州の
軸線に対しt直角な方向における(磁界を冗4−に4目
殺することができる。磁気倹・知ホトはそのつセ存在す
る磁界を7111定し、例えば完全な相殺が望まれると
きには、適当な相殺回路を介してソし・ノイlくの給電
が行fJ fiつれて、逆の磁界が牛する、多数のソレ
ノイドにより、Ill殺磁界の強さを小さくすることが
できるのて、特に零′青密なI[1役を行なうことがで
きる。これは、磁界の強さがソレノイドからの距離の2
東で減少するので、特に有利である。
本発明の別の特徴によれば、少なくとも凝固する溶ル♂
が流れる冶金容器の範囲の「萄さにソレノイドが設けら
れている。それによりちょうと相殺すべき範囲が最高の
強さの磁界をとるのを可能にする特に簡単な装置が得ら
れる。
が流れる冶金容器の範囲の「萄さにソレノイドが設けら
れている。それによりちょうと相殺すべき範囲が最高の
強さの磁界をとるのを可能にする特に簡単な装置が得ら
れる。
ソレノイドの軸線が1tXJ塊中における電流の流れ方
向に対してほは直角に配置i、:iされていると、横磁
界のイ・11段に役だつ特に良好な装置が与えらizる
3、 磁気検知器となるべくソレノイドが冶金容器のまオつり
に設けられた保持外に設けられ、この保持体がν1塊の
形成方向に沿って移動可能であると、単一の装置で連続
的に相殺を行なうことができる。
向に対してほは直角に配置i、:iされていると、横磁
界のイ・11段に役だつ特に良好な装置が与えらizる
3、 磁気検知器となるべくソレノイドが冶金容器のまオつり
に設けられた保持外に設けられ、この保持体がν1塊の
形成方向に沿って移動可能であると、単一の装置で連続
的に相殺を行なうことができる。
各(磁気検知器が少なくとも1つのソレノイドを制御す
る固有の制御装置に接続されていると、製鋼上場におけ
る特に粗暴な操業状態を一8慮して故障のない操業を長
時間にわたっても保シ+l) する特に強固な装置が与
えられる。
る固有の制御装置に接続されていると、製鋼上場におけ
る特に粗暴な操業状態を一8慮して故障のない操業を長
時間にわたっても保シ+l) する特に強固な装置が与
えられる。
磁気倹知閤が、場合によっては制イlJ1装置1〆jと
!I、に、ソレノイド特にその軸線なるべくそり) 7
J #I、中心に設けられていると、名)に揚所をIi
EJ −f Z)装]4が与えられ、同時に特に良好
なAt1l >1糸、′、■きる:得ることができる。
!I、に、ソレノイド特にその軸線なるべくそり) 7
J #I、中心に設けられていると、名)に揚所をIi
EJ −f Z)装]4が与えられ、同時に特に良好
なAt1l >1糸、′、■きる:得ることができる。
本発明によれば、磁気倹931品として;l;−Jし切
」果素子を使用することかでき、こび−)素−fGこJ
二ζ〕簡11′!、なブリッジ回路を介して特(こJ’
J−Uf 2J J・II↑々h1行なオつれる。
」果素子を使用することかでき、こび−)素−fGこJ
二ζ〕簡11′!、なブリッジ回路を介して特(こJ’
J−Uf 2J J・II↑々h1行なオつれる。
磁気検知器と制ζ141装置か固(jσ) M”; 1
:IJ装;1′・f 1:j ムこ水冷装置をもつよう
にすること力へてき、そ1’Lζこよりその特に良好な
温度制御力’ ?j/J J) 4 L /l:]σ)
−(−1場合によっては検知器と制イju装;1・“t
をンt′i金M’+十□1:σ)すぐ近くに設むづるこ
とができる。個々σ)゛ルノイドカ臂白全容器のまわり
に環状に設hj ”、+ J+で、重なり合っていると
、磁界の特に艮if 1.s 4’ll 2々を行なう
ことができる。
:IJ装;1′・f 1:j ムこ水冷装置をもつよう
にすること力へてき、そ1’Lζこよりその特に良好な
温度制御力’ ?j/J J) 4 L /l:]σ)
−(−1場合によっては検知器と制イju装;1・“t
をンt′i金M’+十□1:σ)すぐ近くに設むづるこ
とができる。個々σ)゛ルノイドカ臂白全容器のまわり
に環状に設hj ”、+ J+で、重なり合っていると
、磁界の特に艮if 1.s 4’ll 2々を行なう
ことができる。
ソレノイドが小さいはと、磁界σ) li!I恰l(よ
そイ1だけ精確に行なわれる。少なくとも2列のソレノ
イドが上下に設けられて、特に釘利に作用できることが
わかった。
そイ1だけ精確に行なわれる。少なくとも2列のソレノ
イドが上下に設けられて、特に釘利に作用できることが
わかった。
ソレノイドが上下に設けられ、磁気検知器が容器IB綿
線上あると、1灸知詔の特に障害のない配臆が与えられ
る。
線上あると、1灸知詔の特に障害のない配臆が与えられ
る。
磁界を側脚するために、個々のソレノイドが冶金容器の
外形に一部一致する形状をもち、したがってソレノイド
により冶金容器からL:距離にある包絡面が形成されて
いると特に有利である。
外形に一部一致する形状をもち、したがってソレノイド
により冶金容器からL:距離にある包絡面が形成されて
いると特に有利である。
ソもノイドが揺動可能に設qづられていることによって
、磁界をさらに制領することができる。
、磁界をさらに制領することができる。
相82電流によってソレノイドに生ずる磁界は、一般に
ソレノイド内では充分均一である。しかし極端な使用に
対しては、ソレノイ1−の個々の巻回を而」―に適当に
分布することによって、均一な相殺(磁51゛fを生ず
ることも可能である。特に磁気検知t3のまわりに要領
る1つのがさいf1加コイルによって、この検知器の範
囲における相殺磁界を強めるかまたは弱めることができ
るので、装閥を不安定にすることなく、全体とじて平均
して精確な相殺が行なわれる。この手段により不均一な
相殺磁界でも、平均して相殺が行なわれる。
ソレノイド内では充分均一である。しかし極端な使用に
対しては、ソレノイ1−の個々の巻回を而」―に適当に
分布することによって、均一な相殺(磁51゛fを生ず
ることも可能である。特に磁気検知t3のまわりに要領
る1つのがさいf1加コイルによって、この検知器の範
囲における相殺磁界を強めるかまたは弱めることができ
るので、装閥を不安定にすることなく、全体とじて平均
して精確な相殺が行なわれる。この手段により不均一な
相殺磁界でも、平均して相殺が行なわれる。
実施例
図面により本発明を以下に訂細に説明する。
第1図において、底板1上には既に一部形成された鋳塊
2があり、このν4 !lu 2は水冷さねZ)もち上
げ可能なり1を3により形成される。ν+I(lJ3内
にはスラグ浴4があり、害浴融すべき電f+!li5が
このスラグ浴4へ入り込んでいる。スラグ浴4の下には
金属温湯6がある。7I型3は凝固する溶湯6の範囲の
外側に保持f木7をもち、この味持体7が多数のソレノ
イドとそれらにイ・I hlsする磁気検知器とを筺持
している。14は市、諒である。
2があり、このν4 !lu 2は水冷さねZ)もち上
げ可能なり1を3により形成される。ν+I(lJ3内
にはスラグ浴4があり、害浴融すべき電f+!li5が
このスラグ浴4へ入り込んでいる。スラグ浴4の下には
金属温湯6がある。7I型3は凝固する溶湯6の範囲の
外側に保持f木7をもち、この味持体7が多数のソレノ
イドとそれらにイ・I hlsする磁気検知器とを筺持
している。14は市、諒である。
第2図に示?l−保持体7は二11(壁構にl□て、冷
却ム1体用の流入J’tj Fv”6 ’ご片0および
流上(X石″15?1片84・もっている。[呆持体7
は3列て上下に、没は−れて重なり合うことのできる多
数のンレノイ1−団をもっている。これらのソレノイド
I(+は、νf型3の形成に合わされた保持体7の形状
に応じて形成されているか、または鋳型3に対してほは
接平面をなすことがてきる。ソレノイド10の中心には
磁気検知器11が設けられ、阻子すべき磁界に形声を及
はすイヌ4加的tよソIツメイドを検知器11のまわり
に設けることができ、上下に配茶される検知器 は保持
体のI母線上にある。
却ム1体用の流入J’tj Fv”6 ’ご片0および
流上(X石″15?1片84・もっている。[呆持体7
は3列て上下に、没は−れて重なり合うことのできる多
数のンレノイ1−団をもっている。これらのソレノイド
I(+は、νf型3の形成に合わされた保持体7の形状
に応じて形成されているか、または鋳型3に対してほは
接平面をなすことがてきる。ソレノイド10の中心には
磁気検知器11が設けられ、阻子すべき磁界に形声を及
はすイヌ4加的tよソIツメイドを検知器11のまわり
に設けることができ、上下に配茶される検知器 は保持
体のI母線上にある。
特に第3図かられかるように、検知器11は電子回路を
もつ回路板12上に取付りられている。
もつ回路板12上に取付りられている。
ソレノイド10はM線13のまわりに揺1liIJ F
p能にすることもできる。検知器11としてホール効果
素子または砒・×5び動抵抗素子またはその他の適当な
(磁界強さ検知器を設けることができる。
p能にすることもできる。検知器11としてホール効果
素子または砒・×5び動抵抗素子またはその他の適当な
(磁界強さ検知器を設けることができる。
′電子回路は第4図に示されている。ホール効果素子1
1は1Lj (lli! 111から抵抗1ぜlおよび
li2を介して一定電流を(」(給される1、ホール効
果素子IIが磁界の作用を受けると、イ菖号が僧都用の
増幅オf+Vlへ達する。増幅されたこの信号は、差形
成器l)において、増咄器■2の抵J’j’i R3お
よびR4により規定される目標イlσと比軸さねる。差
形成器1〕から出る信号はjl、9装置V43において
増幅されて、トランジスタT l−T 4をもつ第1の
ブ1ノツジ辺へ供、給される。抵抗R5は調整時flの
比例成分を決定し、コンデン→ノC1は積分成分を決定
する。増幅器v4によりトランジスタ゛I5〜T8をも
つ第2のブリッジ辺か、第1σ)ブ1ノ゛ンジ辺に対し
て逆位相で1lill 11される。そね4こよζ)ソ
レノイドSは、ホール効果素子11かCろ1」1.ζ)
f、。
1は1Lj (lli! 111から抵抗1ぜlおよび
li2を介して一定電流を(」(給される1、ホール効
果素子IIが磁界の作用を受けると、イ菖号が僧都用の
増幅オf+Vlへ達する。増幅されたこの信号は、差形
成器l)において、増咄器■2の抵J’j’i R3お
よびR4により規定される目標イlσと比軸さねる。差
形成器1〕から出る信号はjl、9装置V43において
増幅されて、トランジスタT l−T 4をもつ第1の
ブ1ノツジ辺へ供、給される。抵抗R5は調整時flの
比例成分を決定し、コンデン→ノC1は積分成分を決定
する。増幅器v4によりトランジスタ゛I5〜T8をも
つ第2のブリッジ辺か、第1σ)ブ1ノ゛ンジ辺に対し
て逆位相で1lill 11される。そね4こよζ)ソ
レノイドSは、ホール効果素子11かCろ1」1.ζ)
f、。
号と目標値との比較により決定される’+lj piを
11、給される。抵4冗1り6およびR7はブIJ ゛
ンジσ)λ1利、動作を可能にし、抵抗R8〜pH)i
、tブIJ ゛ンシσ)il’。
11、給される。抵4冗1り6およびR7はブIJ ゛
ンジσ)λ1利、動作を可能にし、抵抗R8〜pH)i
、tブIJ ゛ンシσ)il’。
力電王範囲を広げる。
第5図には家(塊2が示され、これlfi −F?lI
ljむ寸示すソレノイド10により包すIIされてl
J)る。(1妙界の制御は全く異なるやり力で行なうこ
と力)できる。例えばaで丞すようにν1塊2に(L1
8〜¥ )JI f、Uいか、または1)で示すように
υI塊軸保でLIM lj’g フッ’下を向くか、ま
たはしで示すようにνf塊1ql+ K:’夛て磁界が
上を向くか、dに示すように磁界力):IIjll、、
的に上を向くか、eに示すようGこ(磁界力X111
% ’\向くか、またはfで示すように中心から5tb
iイb向外力を向くように、制頒を行なうこさができる
。
ljむ寸示すソレノイド10により包すIIされてl
J)る。(1妙界の制御は全く異なるやり力で行なうこ
と力)できる。例えばaで丞すようにν1塊2に(L1
8〜¥ )JI f、Uいか、または1)で示すように
υI塊軸保でLIM lj’g フッ’下を向くか、ま
たはしで示すようにνf塊1ql+ K:’夛て磁界が
上を向くか、dに示すように磁界力):IIjll、、
的に上を向くか、eに示すようGこ(磁界力X111
% ’\向くか、またはfで示すように中心から5tb
iイb向外力を向くように、制頒を行なうこさができる
。
ソレノイドは制1811装置と共に直接ν1型に設ける
か、実施例に示すように保持体に設けることができる。
か、実施例に示すように保持体に設けることができる。
第6図は対称に配にtされた2つの仄り導体15の4流
によって生ずるIi′I!を界を示している。これから
明らかにわかるように、磁力線は清流表面を通ってν1
塊2へ侵入している。本発明による装置によって例えば
磁界の水平成分を完全に相段して、冶金過h1中におけ
る望ましくない影響が生じないようにすることができる
。
によって生ずるIi′I!を界を示している。これから
明らかにわかるように、磁力線は清流表面を通ってν1
塊2へ侵入している。本発明による装置によって例えば
磁界の水平成分を完全に相段して、冶金過h1中におけ
る望ましくない影響が生じないようにすることができる
。
第1図はエレクトロスラグ再溶融装置i”!の眼り1b
立面図、第2図は水冷保持体の斜硯図、第3図は検知器
をもつソレノイドの正面図、第4図はソレノイドへの給
電を調整する″IJL子回路のIX続図、第5図はおこ
り得る磁界を示す立面図、第6図は2つの対称な”I’
ll流jyり尋体により牛する磁界を示す平面図である
。 1・・・底板、2・・・&f塊、3 冶金容器(鋳型
)、4・・・スラグ浴、5・・・電極、6・・ 金属溶
湯、7・・・保持体、1F+・・ソレノイド、11・・
・磁気検知器。 (ファウ・ニー・1リエ−) −、八 代 理 人 弁 理 士 中 平
治−1、ミ、゛□(、−
立面図、第2図は水冷保持体の斜硯図、第3図は検知器
をもつソレノイドの正面図、第4図はソレノイドへの給
電を調整する″IJL子回路のIX続図、第5図はおこ
り得る磁界を示す立面図、第6図は2つの対称な”I’
ll流jyり尋体により牛する磁界を示す平面図である
。 1・・・底板、2・・・&f塊、3 冶金容器(鋳型
)、4・・・スラグ浴、5・・・電極、6・・ 金属溶
湯、7・・・保持体、1F+・・ソレノイド、11・・
・磁気検知器。 (ファウ・ニー・1リエ−) −、八 代 理 人 弁 理 士 中 平
治−1、ミ、゛□(、−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 l 冶金容器が、大体において常磁性または反磁性(2
利からなりかつ場合によっては水冷される閉じた周壁と
、場合によっては電流の供給に用いられる底板等と、給
′市されるソレノイドとをもち、この冶金容器内で少な
′くとも一部電流の作用で金属溶湯が凝固せしめられる
ものにわいて、互いに111(関係に給′市可能な多数
のソレノイド(10)が冶金容器(3)のまわりに設け
られ、電流により生ずる磁界の磁力線に対しなるべく接
平1fijをなし特に冶金容器(3)に対しほぼJt平
面をなしてこの冶金容器(3)のまわりに設けられてい
る磁気検知器(目)を介して、ソレノイド(10)の給
電が制御されることを特徴とする、高融点合金例えばニ
ッケル合金、銅等の冶金容器。 2 少なくとも凝固する溶湯が流れる冶金容器(3)の
範囲の2石さにソレノイド (10)が設けられている
ことを特徴とする特11請求の範囲第1項に記載の冶金
d器6. 3 ソレノイド(10)の1lul線かνf塊中におけ
る電飾の流れ方向に対してほぼnmに配置されているこ
とを特徴とする特、〆1.請求の範囲第1項または第2
項に記載の冶金W i+′1i a4 磁気検知器(1
1)か冶金容器(()の、1わりに設けられた保持体(
7)に設Rらイ1、この保持体(7)かνに塊(2)の
jヒ成方向に沿って移動可能であることを特徴とする
+l、li酌請求の範囲第1項に記:kV)の冶金容器
9.5 保持体(7)にイマ1加的にソレノ・イ1〜
(1〈λンが設けられていることを特徴とする。 ’M
+、Yl’ 、11°。 求の範囲第4項に記、1表の冶金容器4.6 各磁気検
知器(11)か少なくとも1つのソレノイドを制御する
固有の制イ1]1装置に+Ej X+、”bされている
ことを特徴とする特1〆j’ jl’i求の1lffi
囲第1項または第4 J(−4に記載の冶金晋沿;1.
7 磁気検知i<4(II)が、場合によっては制御装
置ご共に、ソレノイド(10)特にその軸線なるべくそ
の対称中心に設けられていることを特徴とする特¥1請
求の範囲第1項または第6項に記載の冶金@器。 8 磁気検知器(11)がポール効果素子であることを
特徴とする特許請求の範囲第1項または第6項に記載の
冶金容器。 9 磁気検知器(]1)と制御装置が固有の冷却装j除
特に水冷装置をもっていることを特徴とする特許請求の
範囲第6項または第7項に記載の冶全容+gj。 lO個々のソレノイド(1o)力冒台金容器(3)のま
わりに環状に設けられて、重なり合っていることを特徴
とする特¥1−請求の範囲第】項ないし第3項のいずれ
か1つに記載の冶金容器。 ++ 少なくとも2列のソレノイド(1o)が上下に
設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
ないし第3項のいずれが1つまたは第10項に記載の冶
金容器。 12 ソレノイド(10)が上下に設けられ、磁気検
知器(11)が容器母線」二にあることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載のγ白 全容2G0 13 個々のソレノイドが冶金容器(3)の外形に一
部一致する形状をもち、したがってソレノイド(10)
により冶金容器から等距艷にある包絡面が形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項
および第10項ないし第12項のいずれか1つに一;載
の冶金容器。 14 ソレノイド(10)が揺動可能に設けられてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第3項
および第10項ないし第1:3項のいずれか1つに記載
の冶金容器。 15 磁気検知器がそれを直接包囲する付加的なソレ
ノイドをもっていることを特徴とする特π1請求の範囲
第+ j)jないし第31:riおよび第10項ないし
第14項のいずれか1つに記i1.uの冶金容器。
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- 1984-05-25 JP JP59104879A patent/JPS59232656A/ja active Pending
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