JPS59232656A - 冶金容器 - Google Patents
冶金容器Info
- Publication number
- JPS59232656A JPS59232656A JP59104879A JP10487984A JPS59232656A JP S59232656 A JPS59232656 A JP S59232656A JP 59104879 A JP59104879 A JP 59104879A JP 10487984 A JP10487984 A JP 10487984A JP S59232656 A JPS59232656 A JP S59232656A
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- Japan
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- metallurgical
- solenoid
- container
- magnetic detector
- metallurgical vessel
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- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D23/00—Casting processes not provided for in groups B22D1/00 - B22D21/00
- B22D23/06—Melting-down metal, e.g. metal particles, in the mould
- B22D23/10—Electroslag casting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22D—CASTING OF METALS; CASTING OF OTHER SUBSTANCES BY THE SAME PROCESSES OR DEVICES
- B22D27/00—Treating the metal in the mould while it is molten or ductile ; Pressure or vacuum casting
- B22D27/02—Use of electric or magnetic effects
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/60—Heating arrangements wherein the heating current flows through granular powdered or fluid material, e.g. for salt-bath furnace, electrolytic heating
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- Furnace Details (AREA)
- Continuous Casting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、′「Ｂ流（直流または交流）の作用で金属溶
湯を凝固させる冶金容器に関する。
湯を凝固させる冶金容器に関する。
従来技術
造塊および連続鋳造においてできるだけ均ｖ１な組織を
得るため、複数のコイルの磁界の作用で金属浴Ｂを凝固
させることは既に公知である。
得るため、複数のコイルの磁界の作用で金属浴Ｂを凝固
させることは既に公知である。
これらのコイルは互いに関係して電流を供給されるので
、例えは移動磁界等が生じ、それにより清耐が鋳型に対
して運動ゼしめられる。この場合著量がｖｌ型の縦軸線
のまイっりに回転せしめられるか、または溶温か軸線方
向に流れ、逆方間にＩＩＪ−び流れＪｊＪるように、コ
イルを配置？′ンするこ七ができる。
、例えは移動磁界等が生じ、それにより清耐が鋳型に対
して運動ゼしめられる。この場合著量がｖｌ型の縦軸線
のまイっりに回転せしめられるか、または溶温か軸線方
向に流れ、逆方間にＩＩＪ−び流れＪｊＪるように、コ
イルを配置？′ンするこ七ができる。
ｍ流で操業される冶金炉において、撹拌コイルをを設け
ることも公知である。これらの撹拌二フィルは、ｔ９融
過程用の電流によって生ずる磁界を重ねる。
ることも公知である。これらの撹拌二フィルは、ｔ９融
過程用の電流によって生ずる磁界を重ねる。
浴融を行なう電流によって、既に述べたように磁界が形
成されて、同様に溶飄の凝固に影響を及ぼすことがある
。ν１型に関して非対称な磁界が形成されると、それに
よりとの範囲に溶（’＝４かあるかに応して、凝固状態
にある俗間が異なる動きをし、したがって異なる冷却を
受ける。
成されて、同様に溶飄の凝固に影響を及ぼすことがある
。ν１型に関して非対称な磁界が形成されると、それに
よりとの範囲に溶（’＝４かあるかに応して、凝固状態
にある俗間が異なる動きをし、したがって異なる冷却を
受ける。
ｖｉ型中における溶湯の凝固エリ１間中特に熱が発１１
され、同様に金属溶賜が補給されると、少なくとも熱に
よる流れが生じて、非対称磁界により偏向されることを
考慮せねばならない。このような非対称磁界は例えばエ
レク１−ロスラク再俗融の際生ずることがあり、その際
鉛塊全イ本をｆＩＪ俗尉する必要はなく、まずγ■型へ
俗間も入れ、電極によりいわゆる先端加熱のみを行なう
ことができる。上述した非動ａＶ磁界はアーク炉廚でも
生ずることがある。
され、同様に金属溶賜が補給されると、少なくとも熱に
よる流れが生じて、非対称磁界により偏向されることを
考慮せねばならない。このような非対称磁界は例えばエ
レク１−ロスラク再俗融の際生ずることがあり、その際
鉛塊全イ本をｆＩＪ俗尉する必要はなく、まずγ■型へ
俗間も入れ、電極によりいわゆる先端加熱のみを行なう
ことができる。上述した非動ａＶ磁界はアーク炉廚でも
生ずることがある。
発Ｗ］の目的
本発明の課顆は、冶金容器を形成するため所望の特冗の
磁界を可能にする装置を提供ずろことである。
磁界を可能にする装置を提供ずろことである。
これまで浴耐流用給ｔｉｅ導線の特カニの配：１〆９に
、よつて、特に対称に整”えられた磁界を得ることだけ
が求められた。しかし電流の戻りが管状導体により精確
に同軸的に行なわれず、溶勘から充分大きく離れて設け
られていない１つまた復数の導体によって行なわれる（
票同軸電流戻り）ときには、前述の努力も一般に見込み
がない。
、よつて、特に対称に整”えられた磁界を得ることだけ
が求められた。しかし電流の戻りが管状導体により精確
に同軸的に行なわれず、溶勘から充分大きく離れて設け
られていない１つまた復数の導体によって行なわれる（
票同軸電流戻り）ときには、前述の努力も一般に見込み
がない。
特に浴温の近くに戻り導体を設けることによって、甚だ
しい横磁界が溶門中に生ずる可能性がある。精確に同ｉ
１ｔ＋Ｉ＋的な管状戻り導体でも、大抵の場合存在する
接触個所の老化またはＹυれによって、迄触抵抗が相違
し、同軸通′１じが行なわれなくなる。隣接する炉また
は装置にノ、（因するかまたは冶金容器の近くにある強
磁性利得によって生ずる横磁界は、従来の装置ではさら
に問題となる。
しい横磁界が溶門中に生ずる可能性がある。精確に同ｉ
１ｔ＋Ｉ＋的な管状戻り導体でも、大抵の場合存在する
接触個所の老化またはＹυれによって、迄触抵抗が相違
し、同軸通′１じが行なわれなくなる。隣接する炉また
は装置にノ、（因するかまたは冶金容器の近くにある強
磁性利得によって生ずる横磁界は、従来の装置ではさら
に問題となる。
目的を達するための手段
本発明による冶金容器は、大体において常磁性または反
磁性月利からなりかつ場合によっては水冷される閉した
周壁と、場合によっては電流の供給に用いられる底板等
と、給電されるソレノイドとをもち、この冶金饗器内で
少なくとも一部電流の作用で金属溶易が凝固せしめられ
、冶金容器が特に導電スラグの抵抗加熱による電極の再
溶融用鋳型として使用され、場合によっては鋳塊の成長
に応してもち上げ可能てあり、本発明による特徴として
、互いに無関係に給電可能な多数のソレノイドが冶金容
器のまわりに設けられ、電流により生ずる磁界の磁力線
にλ・」しなるべく接平面をなし特にＲ）全容器に対し
はば接平面をなしてこの冶金容器のまオつりに設む寸ら
れている磁気険知閤を介して、ソレノイドの給電が制御
される。
磁性月利からなりかつ場合によっては水冷される閉した
周壁と、場合によっては電流の供給に用いられる底板等
と、給電されるソレノイドとをもち、この冶金饗器内で
少なくとも一部電流の作用で金属溶易が凝固せしめられ
、冶金容器が特に導電スラグの抵抗加熱による電極の再
溶融用鋳型として使用され、場合によっては鋳塊の成長
に応してもち上げ可能てあり、本発明による特徴として
、互いに無関係に給電可能な多数のソレノイドが冶金容
器のまわりに設けられ、電流により生ずる磁界の磁力線
にλ・」しなるべく接平面をなし特にＲ）全容器に対し
はば接平面をなしてこの冶金容器のまオつりに設む寸ら
れている磁気険知閤を介して、ソレノイドの給電が制御
される。
このような装置１′１により、所望のいかなる（赳チ“
Ｖも生ずることができ、同時に例えは７ｔ）金寄；州の
軸線に対しｔ直角な方向における（磁界を冗４−に４目
殺することができる。磁気倹・知ホトはそのつセ存在す
る磁界を７１１１定し、例えば完全な相殺が望まれると
きには、適当な相殺回路を介してソし・ノイｌくの給電
が行ｆＪ ｆｉつれて、逆の磁界が牛する、多数のソレ
ノイドにより、Ｉｌｌ殺磁界の強さを小さくすることが
できるのて、特に零′青密なＩ［１役を行なうことがで
きる。これは、磁界の強さがソレノイドからの距離の２
東で減少するので、特に有利である。
Ｖも生ずることができ、同時に例えは７ｔ）金寄；州の
軸線に対しｔ直角な方向における（磁界を冗４−に４目
殺することができる。磁気倹・知ホトはそのつセ存在す
る磁界を７１１１定し、例えば完全な相殺が望まれると
きには、適当な相殺回路を介してソし・ノイｌくの給電
が行ｆＪ ｆｉつれて、逆の磁界が牛する、多数のソレ
ノイドにより、Ｉｌｌ殺磁界の強さを小さくすることが
できるのて、特に零′青密なＩ［１役を行なうことがで
きる。これは、磁界の強さがソレノイドからの距離の２
東で減少するので、特に有利である。
本発明の別の特徴によれば、少なくとも凝固する溶ル♂
が流れる冶金容器の範囲の「萄さにソレノイドが設けら
れている。それによりちょうと相殺すべき範囲が最高の
強さの磁界をとるのを可能にする特に簡単な装置が得ら
れる。
が流れる冶金容器の範囲の「萄さにソレノイドが設けら
れている。それによりちょうと相殺すべき範囲が最高の
強さの磁界をとるのを可能にする特に簡単な装置が得ら
れる。
ソレノイドの軸線が１ｔＸＪ塊中における電流の流れ方
向に対してほは直角に配置ｉ、：ｉされていると、横磁
界のイ・１１段に役だつ特に良好な装置が与えらｉｚる
３、 磁気検知器となるべくソレノイドが冶金容器のまオつり
に設けられた保持外に設けられ、この保持体がν１塊の
形成方向に沿って移動可能であると、単一の装置で連続
的に相殺を行なうことができる。
向に対してほは直角に配置ｉ、：ｉされていると、横磁
界のイ・１１段に役だつ特に良好な装置が与えらｉｚる
３、 磁気検知器となるべくソレノイドが冶金容器のまオつり
に設けられた保持外に設けられ、この保持体がν１塊の
形成方向に沿って移動可能であると、単一の装置で連続
的に相殺を行なうことができる。
各（磁気検知器が少なくとも１つのソレノイドを制御す
る固有の制御装置に接続されていると、製鋼上場におけ
る特に粗暴な操業状態を一８慮して故障のない操業を長
時間にわたっても保シ＋ｌ） する特に強固な装置が与
えられる。
る固有の制御装置に接続されていると、製鋼上場におけ
る特に粗暴な操業状態を一８慮して故障のない操業を長
時間にわたっても保シ＋ｌ） する特に強固な装置が与
えられる。
磁気倹知閤が、場合によっては制イｌＪ１装置１〆ｊと
！Ｉ、に、ソレノイド特にその軸線なるべくそり） ７
Ｊ ＃Ｉ、中心に設けられていると、名）に揚所をＩｉ
ＥＪ −ｆ Ｚ）装］４が与えられ、同時に特に良好
なＡｔ１ｌ ＞１糸、′、■きる：得ることができる。
！Ｉ、に、ソレノイド特にその軸線なるべくそり） ７
Ｊ ＃Ｉ、中心に設けられていると、名）に揚所をＩｉ
ＥＪ −ｆ Ｚ）装］４が与えられ、同時に特に良好
なＡｔ１ｌ ＞１糸、′、■きる：得ることができる。
本発明によれば、磁気倹９３１品として；ｌ；−Ｊし切
」果素子を使用することかでき、こび−）素−ｆＧこＪ
二ζ〕簡１１′！、なブリッジ回路を介して特（こＪ’
Ｊ−Ｕｆ ２Ｊ Ｊ・ＩＩ↑々ｈ１行なオつれる。
」果素子を使用することかでき、こび−）素−ｆＧこＪ
二ζ〕簡１１′！、なブリッジ回路を介して特（こＪ’
Ｊ−Ｕｆ ２Ｊ Ｊ・ＩＩ↑々ｈ１行なオつれる。
磁気検知器と制ζ１４１装置か固（ｊσ） Ｍ”； １
：ＩＪ装；１′・ｆ １：ｊ ムこ水冷装置をもつよう
にすること力へてき、そ１’Ｌζこよりその特に良好な
温度制御力’ ？ｊ／Ｊ Ｊ） ４ Ｌ ／ｌ：］σ）
−（−１場合によっては検知器と制イｊｕ装；１・“ｔ
をンｔ′ｉ金Ｍ’＋十□１：σ）すぐ近くに設むづるこ
とができる。個々σ）゛ルノイドカ臂白全容器のまわり
に環状に設ｈｊ ”、＋ Ｊ＋で、重なり合っていると
、磁界の特に艮ｉｆ １．ｓ ４’ｌｌ ２々を行なう
ことができる。
：ＩＪ装；１′・ｆ １：ｊ ムこ水冷装置をもつよう
にすること力へてき、そ１’Ｌζこよりその特に良好な
温度制御力’ ？ｊ／Ｊ Ｊ） ４ Ｌ ／ｌ：］σ）
−（−１場合によっては検知器と制イｊｕ装；１・“ｔ
をンｔ′ｉ金Ｍ’＋十□１：σ）すぐ近くに設むづるこ
とができる。個々σ）゛ルノイドカ臂白全容器のまわり
に環状に設ｈｊ ”、＋ Ｊ＋で、重なり合っていると
、磁界の特に艮ｉｆ １．ｓ ４’ｌｌ ２々を行なう
ことができる。
ソレノイドが小さいはと、磁界σ） ｌｉ！Ｉ恰ｌ（よ
そイ１だけ精確に行なわれる。少なくとも２列のソレノ
イドが上下に設けられて、特に釘利に作用できることが
わかった。
そイ１だけ精確に行なわれる。少なくとも２列のソレノ
イドが上下に設けられて、特に釘利に作用できることが
わかった。
ソレノイドが上下に設けられ、磁気検知器が容器ＩＢ綿
線上あると、１灸知詔の特に障害のない配臆が与えられ
る。
線上あると、１灸知詔の特に障害のない配臆が与えられ
る。
磁界を側脚するために、個々のソレノイドが冶金容器の
外形に一部一致する形状をもち、したがってソレノイド
により冶金容器からＬ：距離にある包絡面が形成されて
いると特に有利である。
外形に一部一致する形状をもち、したがってソレノイド
により冶金容器からＬ：距離にある包絡面が形成されて
いると特に有利である。
ソもノイドが揺動可能に設ｑづられていることによって
、磁界をさらに制領することができる。
、磁界をさらに制領することができる。
相８２電流によってソレノイドに生ずる磁界は、一般に
ソレノイド内では充分均一である。しかし極端な使用に
対しては、ソレノイ１−の個々の巻回を而」―に適当に
分布することによって、均一な相殺（磁５１゛ｆを生ず
ることも可能である。特に磁気検知ｔ３のまわりに要領
る１つのがさいｆ１加コイルによって、この検知器の範
囲における相殺磁界を強めるかまたは弱めることができ
るので、装閥を不安定にすることなく、全体とじて平均
して精確な相殺が行なわれる。この手段により不均一な
相殺磁界でも、平均して相殺が行なわれる。
ソレノイド内では充分均一である。しかし極端な使用に
対しては、ソレノイ１−の個々の巻回を而」―に適当に
分布することによって、均一な相殺（磁５１゛ｆを生ず
ることも可能である。特に磁気検知ｔ３のまわりに要領
る１つのがさいｆ１加コイルによって、この検知器の範
囲における相殺磁界を強めるかまたは弱めることができ
るので、装閥を不安定にすることなく、全体とじて平均
して精確な相殺が行なわれる。この手段により不均一な
相殺磁界でも、平均して相殺が行なわれる。
実施例
図面により本発明を以下に訂細に説明する。
第１図において、底板１上には既に一部形成された鋳塊
２があり、このν４ ！ｌｕ ２は水冷さねＺ）もち上
げ可能なり１を３により形成される。ν＋Ｉ（ｌＪ３内
にはスラグ浴４があり、害浴融すべき電ｆ＋！ｌｉ５が
このスラグ浴４へ入り込んでいる。スラグ浴４の下には
金属温湯６がある。７Ｉ型３は凝固する溶湯６の範囲の
外側に保持ｆ木７をもち、この味持体７が多数のソレノ
イドとそれらにイ・Ｉ ｈｌｓする磁気検知器とを筺持
している。１４は市、諒である。
２があり、このν４ ！ｌｕ ２は水冷さねＺ）もち上
げ可能なり１を３により形成される。ν＋Ｉ（ｌＪ３内
にはスラグ浴４があり、害浴融すべき電ｆ＋！ｌｉ５が
このスラグ浴４へ入り込んでいる。スラグ浴４の下には
金属温湯６がある。７Ｉ型３は凝固する溶湯６の範囲の
外側に保持ｆ木７をもち、この味持体７が多数のソレノ
イドとそれらにイ・Ｉ ｈｌｓする磁気検知器とを筺持
している。１４は市、諒である。
第２図に示？ｌ−保持体７は二１１（壁構にｌ□て、冷
却ム１体用の流入Ｊ’ｔｊ Ｆｖ”６ ’ご片０および
流上（Ｘ石″１５？１片８４・もっている。［呆持体７
は３列て上下に、没は−れて重なり合うことのできる多
数のンレノイ１−団をもっている。これらのソレノイド
Ｉ（＋は、νｆ型３の形成に合わされた保持体７の形状
に応じて形成されているか、または鋳型３に対してほは
接平面をなすことがてきる。ソレノイド１０の中心には
磁気検知器１１が設けられ、阻子すべき磁界に形声を及
はすイヌ４加的ｔよソＩツメイドを検知器１１のまわり
に設けることができ、上下に配茶される検知器 は保持
体のＩ母線上にある。
却ム１体用の流入Ｊ’ｔｊ Ｆｖ”６ ’ご片０および
流上（Ｘ石″１５？１片８４・もっている。［呆持体７
は３列て上下に、没は−れて重なり合うことのできる多
数のンレノイ１−団をもっている。これらのソレノイド
Ｉ（＋は、νｆ型３の形成に合わされた保持体７の形状
に応じて形成されているか、または鋳型３に対してほは
接平面をなすことがてきる。ソレノイド１０の中心には
磁気検知器１１が設けられ、阻子すべき磁界に形声を及
はすイヌ４加的ｔよソＩツメイドを検知器１１のまわり
に設けることができ、上下に配茶される検知器 は保持
体のＩ母線上にある。
特に第３図かられかるように、検知器１１は電子回路を
もつ回路板１２上に取付りられている。
もつ回路板１２上に取付りられている。
ソレノイド１０はＭ線１３のまわりに揺１ｌｉＩＪ Ｆ
ｐ能にすることもできる。検知器１１としてホール効果
素子または砒・×５び動抵抗素子またはその他の適当な
（磁界強さ検知器を設けることができる。
ｐ能にすることもできる。検知器１１としてホール効果
素子または砒・×５び動抵抗素子またはその他の適当な
（磁界強さ検知器を設けることができる。
′電子回路は第４図に示されている。ホール効果素子１
１は１Ｌｊ （ｌｌｉ！ １１１から抵抗１ぜｌおよび
ｌｉ２を介して一定電流を（」（給される１、ホール効
果素子ＩＩが磁界の作用を受けると、イ菖号が僧都用の
増幅オｆ＋Ｖｌへ達する。増幅されたこの信号は、差形
成器ｌ）において、増咄器■２の抵Ｊ’ｊ’ｉ Ｒ３お
よびＲ４により規定される目標イｌσと比軸さねる。差
形成器１〕から出る信号はｊｌ、９装置Ｖ４３において
増幅されて、トランジスタＴ ｌ−Ｔ ４をもつ第１の
ブ１ノツジ辺へ供、給される。抵抗Ｒ５は調整時ｆｌの
比例成分を決定し、コンデン→ノＣ１は積分成分を決定
する。増幅器ｖ４によりトランジスタ゛Ｉ５〜Ｔ８をも
つ第２のブリッジ辺か、第１σ）ブ１ノ゛ンジ辺に対し
て逆位相で１ｌｉｌｌ １１される。そね４こよζ）ソ
レノイドＳは、ホール効果素子１１かＣろ１」１．ζ）
ｆ、。
１は１Ｌｊ （ｌｌｉ！ １１１から抵抗１ぜｌおよび
ｌｉ２を介して一定電流を（」（給される１、ホール効
果素子ＩＩが磁界の作用を受けると、イ菖号が僧都用の
増幅オｆ＋Ｖｌへ達する。増幅されたこの信号は、差形
成器ｌ）において、増咄器■２の抵Ｊ’ｊ’ｉ Ｒ３お
よびＲ４により規定される目標イｌσと比軸さねる。差
形成器１〕から出る信号はｊｌ、９装置Ｖ４３において
増幅されて、トランジスタＴ ｌ−Ｔ ４をもつ第１の
ブ１ノツジ辺へ供、給される。抵抗Ｒ５は調整時ｆｌの
比例成分を決定し、コンデン→ノＣ１は積分成分を決定
する。増幅器ｖ４によりトランジスタ゛Ｉ５〜Ｔ８をも
つ第２のブリッジ辺か、第１σ）ブ１ノ゛ンジ辺に対し
て逆位相で１ｌｉｌｌ １１される。そね４こよζ）ソ
レノイドＳは、ホール効果素子１１かＣろ１」１．ζ）
ｆ、。
号と目標値との比較により決定される’＋ｌｊ ｐｉを
１１、給される。抵４冗１り６およびＲ７はブＩＪ ゛
ンジσ）λ１利、動作を可能にし、抵抗Ｒ８〜ｐＨ）ｉ
、ｔブＩＪ ゛ンシσ）ｉｌ’。
１１、給される。抵４冗１り６およびＲ７はブＩＪ ゛
ンジσ）λ１利、動作を可能にし、抵抗Ｒ８〜ｐＨ）ｉ
、ｔブＩＪ ゛ンシσ）ｉｌ’。
力電王範囲を広げる。
第５図には家（塊２が示され、これｌｆｉ −Ｆ？ｌＩ
ｌｊむ寸示すソレノイド１０により包すＩＩされてｌ
Ｊ）る。（１妙界の制御は全く異なるやり力で行なうこ
と力）できる。例えばａで丞すようにν１塊２に（Ｌ１
８〜￥ ）ＪＩ ｆ、Ｕいか、または１）で示すように
υＩ塊軸保でＬＩＭ ｌｊ’ｇ フッ’下を向くか、ま
たはしで示すようにνｆ塊１ｑｌ＋ Ｋ：’夛て磁界が
上を向くか、ｄに示すように磁界力）：ＩＩｊｌｌ、、
的に上を向くか、ｅに示すようＧこ（磁界力Ｘ１１１
％ ’＼向くか、またはｆで示すように中心から５ｔｂ
ｉイｂ向外力を向くように、制頒を行なうこさができる
。
ｌｊむ寸示すソレノイド１０により包すＩＩされてｌ
Ｊ）る。（１妙界の制御は全く異なるやり力で行なうこ
と力）できる。例えばａで丞すようにν１塊２に（Ｌ１
８〜￥ ）ＪＩ ｆ、Ｕいか、または１）で示すように
υＩ塊軸保でＬＩＭ ｌｊ’ｇ フッ’下を向くか、ま
たはしで示すようにνｆ塊１ｑｌ＋ Ｋ：’夛て磁界が
上を向くか、ｄに示すように磁界力）：ＩＩｊｌｌ、、
的に上を向くか、ｅに示すようＧこ（磁界力Ｘ１１１
％ ’＼向くか、またはｆで示すように中心から５ｔｂ
ｉイｂ向外力を向くように、制頒を行なうこさができる
。
ソレノイドは制１８１１装置と共に直接ν１型に設ける
か、実施例に示すように保持体に設けることができる。
か、実施例に示すように保持体に設けることができる。
第６図は対称に配にｔされた２つの仄り導体１５の４流
によって生ずるＩｉ′Ｉ！を界を示している。これから
明らかにわかるように、磁力線は清流表面を通ってν１
塊２へ侵入している。本発明による装置によって例えば
磁界の水平成分を完全に相段して、冶金過ｈ１中におけ
る望ましくない影響が生じないようにすることができる
。
によって生ずるＩｉ′Ｉ！を界を示している。これから
明らかにわかるように、磁力線は清流表面を通ってν１
塊２へ侵入している。本発明による装置によって例えば
磁界の水平成分を完全に相段して、冶金過ｈ１中におけ
る望ましくない影響が生じないようにすることができる
。
第１図はエレクトロスラグ再溶融装置ｉ”！の眼り１ｂ
立面図、第２図は水冷保持体の斜硯図、第３図は検知器
をもつソレノイドの正面図、第４図はソレノイドへの給
電を調整する″ＩＪＬ子回路のＩＸ続図、第５図はおこ
り得る磁界を示す立面図、第６図は２つの対称な”Ｉ’
ｌｌ流ｊｙり尋体により牛する磁界を示す平面図である
。 １・・・底板、２・・・＆ｆ塊、３ 冶金容器（鋳型
）、４・・・スラグ浴、５・・・電極、６・・ 金属溶
湯、７・・・保持体、１Ｆ＋・・ソレノイド、１１・・
・磁気検知器。 （ファウ・ニー・１リエ−） −、八 代 理 人 弁 理 士 中 平
治−１、ミ、゛□（、−
立面図、第２図は水冷保持体の斜硯図、第３図は検知器
をもつソレノイドの正面図、第４図はソレノイドへの給
電を調整する″ＩＪＬ子回路のＩＸ続図、第５図はおこ
り得る磁界を示す立面図、第６図は２つの対称な”Ｉ’
ｌｌ流ｊｙり尋体により牛する磁界を示す平面図である
。 １・・・底板、２・・・＆ｆ塊、３ 冶金容器（鋳型
）、４・・・スラグ浴、５・・・電極、６・・ 金属溶
湯、７・・・保持体、１Ｆ＋・・ソレノイド、１１・・
・磁気検知器。 （ファウ・ニー・１リエ−） −、八 代 理 人 弁 理 士 中 平
治−１、ミ、゛□（、−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｌ 冶金容器が、大体において常磁性または反磁性（２
利からなりかつ場合によっては水冷される閉じた周壁と
、場合によっては電流の供給に用いられる底板等と、給
′市されるソレノイドとをもち、この冶金容器内で少な
′くとも一部電流の作用で金属溶湯が凝固せしめられる
ものにわいて、互いに１１１（関係に給′市可能な多数
のソレノイド（１０）が冶金容器（３）のまわりに設け
られ、電流により生ずる磁界の磁力線に対しなるべく接
平１ｆｉｊをなし特に冶金容器（３）に対しほぼＪｔ平
面をなしてこの冶金容器（３）のまわりに設けられてい
る磁気検知器（目）を介して、ソレノイド（１０）の給
電が制御されることを特徴とする、高融点合金例えばニ
ッケル合金、銅等の冶金容器。 ２ 少なくとも凝固する溶湯が流れる冶金容器（３）の
範囲の２石さにソレノイド （１０）が設けられている
ことを特徴とする特１１請求の範囲第１項に記載の冶金
ｄ器６． ３ ソレノイド（１０）の１ｌｕｌ線かνｆ塊中におけ
る電飾の流れ方向に対してほぼｎｍに配置されているこ
とを特徴とする特、〆１．請求の範囲第１項または第２
項に記載の冶金Ｗ ｉ＋′１ｉ ａ４ 磁気検知器（１
１）か冶金容器（（）の、１わりに設けられた保持体（
７）に設Ｒらイ１、この保持体（７）かνに塊（２）の
ｊヒ成方向に沿って移動可能であることを特徴とする
＋ｌ、ｌｉ酌請求の範囲第１項に記：ｋＶ）の冶金容器
９．５ 保持体（７）にイマ１加的にソレノ・イ１〜
（１〈λンが設けられていることを特徴とする。 ’Ｍ
＋、Ｙｌ’ 、１１°。 求の範囲第４項に記、１表の冶金容器４．６ 各磁気検
知器（１１）か少なくとも１つのソレノイドを制御する
固有の制イ１］１装置に＋Ｅｊ Ｘ＋、”ｂされている
ことを特徴とする特１〆ｊ’ ｊｌ’ｉ求の１ｌｆｆｉ
囲第１項または第４ Ｊ（−４に記載の冶金晋沿；１．
７ 磁気検知ｉ＜４（ＩＩ）が、場合によっては制御装
置ご共に、ソレノイド（１０）特にその軸線なるべくそ
の対称中心に設けられていることを特徴とする特￥１請
求の範囲第１項または第６項に記載の冶金＠器。 ８ 磁気検知器（１１）がポール効果素子であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項または第６項に記載の
冶金容器。 ９ 磁気検知器（］１）と制御装置が固有の冷却装ｊ除
特に水冷装置をもっていることを特徴とする特許請求の
範囲第６項または第７項に記載の冶全容＋ｇｊ。 ｌＯ個々のソレノイド（１ｏ）力冒台金容器（３）のま
わりに環状に設けられて、重なり合っていることを特徴
とする特￥１−請求の範囲第】項ないし第３項のいずれ
か１つに記載の冶金容器。 ＋＋ 少なくとも２列のソレノイド（１ｏ）が上下に
設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第１項
ないし第３項のいずれが１つまたは第１０項に記載の冶
金容器。 １２ ソレノイド（１０）が上下に設けられ、磁気検
知器（１１）が容器母線」二にあることを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載のγ白 全容２Ｇ０ １３ 個々のソレノイドが冶金容器（３）の外形に一
部一致する形状をもち、したがってソレノイド（１０）
により冶金容器から等距艷にある包絡面が形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項
および第１０項ないし第１２項のいずれか１つに一；載
の冶金容器。 １４ ソレノイド（１０）が揺動可能に設けられてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項
および第１０項ないし第１：３項のいずれか１つに記載
の冶金容器。 １５ 磁気検知器がそれを直接包囲する付加的なソレ
ノイドをもっていることを特徴とする特π１請求の範囲
第＋ ｊ）ｊないし第３１：ｒｉおよび第１０項ないし
第１４項のいずれか１つに記ｉ１．ｕの冶金容器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| AT2004/83 | 1983-06-01 | ||
| AT0200483A AT376459B (de) | 1983-06-01 | 1983-06-01 | Metallurgisches gefaess |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59232656A true JPS59232656A (ja) | 1984-12-27 |
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Family Applications (1)
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| JP59104879A Pending JPS59232656A (ja) | 1983-06-01 | 1984-05-25 | 冶金容器 |
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| JP (1) | JPS59232656A (ja) |
| AT (1) | AT376459B (ja) |
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| IN (1) | IN161203B (ja) |
| ZA (1) | ZA843577B (ja) |
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- 1984-05-11 ZA ZA843577A patent/ZA843577B/xx unknown
- 1984-05-14 US US06/610,120 patent/US4578794A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-05-25 EP EP84890095A patent/EP0128132A3/de not_active Withdrawn
- 1984-05-25 JP JP59104879A patent/JPS59232656A/ja active Pending
Patent Citations (1)
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| ATA200483A (de) | 1984-04-15 |
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