JPS592294A - Test method of memory device - Google Patents
Test method of memory deviceInfo
- Publication number
- JPS592294A JPS592294A JP57093895A JP9389582A JPS592294A JP S592294 A JPS592294 A JP S592294A JP 57093895 A JP57093895 A JP 57093895A JP 9389582 A JP9389582 A JP 9389582A JP S592294 A JPS592294 A JP S592294A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- address
- memory
- fault
- counter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/0703—Error or fault processing not based on redundancy, i.e. by taking additional measures to deal with the error or fault not making use of redundancy in operation, in hardware, or in data representation
- G06F11/0751—Error or fault detection not based on redundancy
- G06F11/0763—Error or fault detection not based on redundancy by bit configuration check, e.g. of formats or tags
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1076—Parity data used in redundant arrays of independent storages, e.g. in RAID systems
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、メモリ装置の試験方式に係わシ、特にアドレ
ス系、ランク系の障害検出を行う試験方式に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a test method for a memory device, and particularly to a test method for detecting address-related and rank-related failures.
メモリ装置は、大別してそこに蓄積するデータ系と、そ
のデータをどのアドレスに蓄積させるがを決めるアドレ
ス系とによシ構成されている。そ置を占めており、この
メモリ装置の信頼度は、極めて重要であシ、その障害に
対して異當が生じていることが、速やかに検出されるこ
とが要望されている。A memory device is roughly divided into a data system for storing data therein, and an address system for determining in which address the data is stored. The reliability of this memory device is extremely important, and it is desired to promptly detect that something is wrong with the fault.
かかるメモリ装置の従来の試験を第1図に示す。 A conventional test of such a memory device is shown in FIG.
即ち、制御装置からのデータ(パリティピットr含む)
は、書込データ線DAよシ送られくる。That is, data from the control device (including parity pit r)
is sent from the write data line DA.
又、そのデータを蓄積するメモ!JMEM上のアドレス
は、アドレス線ADを介して制御装置より送られてくる
。Also, a memo to accumulate that data! The address on JMEM is sent from the control device via address line AD.
このとき、アドレスセレクタSEはアドレス線ADを選
択し、上記データを制御装置によシ指定されたアドレス
に蓄積する。次に、メモ17 M、 E Mに蓄積され
たデータは、セレクタSFで、カウンタCTを選択し、
そのカウンタCTの示す値に従りて、順次読出データ線
上に読出される0この様にして読出されたデータは、そ
の都度パリティeチェック回路CHでチェックされる。At this time, the address selector SE selects the address line AD and stores the data at the address specified by the control device. Next, the data stored in memo 17M and EM is stored by selecting counter CT with selector SF.
According to the value indicated by the counter CT, the data read out in this manner is checked by the parity e check circuit CH each time.
モこて、データ系に障害が発生しているときはこのパリ
ティ・チェック回路CHで検出できるが、アドレス系、
例えば、制御装置#ii、を含むアドレス線上の障害、
戒はカウンタCT、 もしくは、図示せざるが、アドレ
スデコーダ等に障害が発生していても、その検出はでき
ない。例えは、カウンタCTに障害が発生した場合、2
度読出されるアドレス、1度も読出されないアドレスが
生じるものの、パリティ・チェック回路CH″′Cはエ
ラーが検出されない。When a failure occurs in the data system, it can be detected by this parity check circuit CH, but the address system,
For example, a fault on the address line containing control device #ii,
Even if a failure occurs in the counter CT or, although not shown, in the address decoder, it cannot be detected. For example, if a failure occurs in the counter CT, 2
Although there are addresses that are read once and addresses that are never read, the parity check circuit CH'''C does not detect any error.
本発明は、かかる欠点を改善し、データ系の障害ばもと
よシ、アドレス系に除害が発生していても、その検出が
容易にできるようにすることを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to improve such drawbacks and to make it possible to easily detect failures in the data system or removal of damage in the address system.
本発明は、上記目的を達成するため、エラーチェックビ
ットを付加した1ワ一ド分のブータラ機数のメモリに分
割して蓄積し、かつ最初に書込指定したアドレスのデー
タと他のアドレスのデータとを異ならしめて蓄損し、デ
ータ読出し時には、データエラーチェック全行い、かつ
、最初に書込指定されたアドレスのデータが読出された
とき、書込時のデータと照合するようにしたものである
。In order to achieve the above object, the present invention divides and stores the memory of one word worth of booter machines with an error check bit added, and stores the data of the address specified for writing first and the data of other addresses. The data is stored and lost, and when data is read, all data error checks are performed, and when the data at the address specified for writing is first read, it is compared with the data at the time of writing. .
第2図は、本発明の一実施例を示すものであり、第3図
は、その実施例におけるメモリのデータとアドレス関係
の一例を示したものである。FIG. 2 shows an embodiment of the present invention, and FIG. 3 shows an example of the relationship between memory data and addresses in the embodiment.
図中、第1ヅIと同一符号は同一機能を示し、メモリM
EMI 、 MEfv12 kl夫々6ピツ11成であ
シ、メモリM、EM1には、ビットb1〜b6+メモリ
IVIEM2にはビットb1〜b11とパリティPTI
ピントとし、b、〜bllとPTで1ワード構成として
いる。これら多重化したメモリMEMI、MEM2は、
当然、同一アドレスが指定されてデータの■込み、軌出
しが行われるものであシ、ぞの読出し用のカウンタCT
I、 Cr2は、夫々個別に設置するか、通常同期して
動作している。In the figure, the same reference numerals as those in the first part indicate the same functions, and the memory M
EMI, MEfv12 kl each has 6 bits and 11 bits, memory M and EM1 have bits b1 to b6 + memory IVIEM2 has bits b1 to b11 and parity PTI.
One word consists of focus, b, ~bll, and PT. These multiplexed memories MEMI and MEM2 are
Of course, the same address is specified and the data is loaded and tracked, and the counter CT for reading is used.
I and Cr2 are installed individually or normally operate in synchronization.
かかるメモリ装置において、データ系に障害が発生した
場合、パリティ−チェック回路CHで検出できることは
、従来と同じである。そこで、アドレス系に障害が発生
した場合の試験について以下詳細に述べる。In such a memory device, if a failure occurs in the data system, it can be detected by the parity check circuit CH, as in the past. Therefore, a test performed when a failure occurs in the address system will be described in detail below.
例えば、メモリMEMIのアドレス0には、6ビツト中
″′1”の値を偶数個含むデータを、又、メモリMEM
2のアドレスOKは、6ビツト中″1”の値を奇数個含
むデータを制御装置から書込む0゛そして、逆にメモリ
MEMIのアドレス0以外の全アドレスには、夫々”1
”の値を奇数個含むデータを、メモリMEM2のアドレ
スO以外の全アドレスには、1”の値を偶数個含むデー
タを制御lA置から書込む。これらデータは、メモリM
EMI、 MP;M2のアドレス0以外では、上記条件
を満せば、それぞれ異なったデータを書込んでもよいが
、簡単化の為には、同一データを書込んでも差しつかえ
ない。For example, address 0 of memory MEMI contains data containing an even number of ``'1'' values out of 6 bits;
Address 2 OK is 0, in which data containing an odd number of 1's out of 6 bits is written from the control device;
Data containing an odd number of ``1'' values is written to all addresses other than address O of the memory MEM2 from the control 1A location. These data are stored in memory M
EMI, MP; At addresses other than 0 of M2, different data may be written as long as the above conditions are satisfied, but for simplification, the same data may be written.
この例を示したのが第3図であシ、メモI) MEMI
のアドレス0、即ち、0000には101000″のデ
ータが、又、メモリMEM2のアドレス0には0011
01’のデータが書込まれる。それ以外のアドレスにお
いては、メモリMEMIには、データ゛100000″
が、又、メモリMEM2には、データ″001010″
が書込まれる。ここで、カウンタに障害が発生した場合
全溝えると、例えば、カウンタCTIの最下位ビットが
′1″にスタックしたと仮定する。This example is shown in Figure 3 (Note I) MEMI
Address 0, that is, 0000, contains data 101000'', and address 0 of memory MEM2 contains data 0011.
Data of 01' is written. At other addresses, the memory MEMI contains data "100000".
However, the memory MEM2 has data "001010"
is written. Here, it is assumed that if a fault occurs in the counter, the least significant bit of the counter CTI is stuck at '1' if all the counters are cleared.
この場合、第3図に示すメモリMEM2のアドレス0が
読出されるとき、メモリMEMIではアドレス1、即ち
、アドレス0001が読出され、パリティ中チェック回
路CHによるチェック結果がエラーになシ障害が検出で
きる0かかるスタックは、カウンタCTIの最下位ビッ
トだけでなく、どのビット位置で発生していても同じで
ある。次に、カウンタCT1の最下位ピットが0″にス
タックした場合、第3図で示すメモリMEM2の2番目
のアドレス(即ちアドレス1)のデータを読出した場合
、メモリMEMIでは1番目のアドレス(即ちアドレス
0)のデータが読出され、パリティ令チェック回路CH
により障害検出ができる。In this case, when address 0 of the memory MEM2 shown in FIG. 3 is read out, address 1, that is, address 0001, is read out in the memory MEMI, and the check result by the parity check circuit CH shows no error, so that a fault can be detected. The stack of zeros is the same regardless of whether it occurs at any bit position, not just at the least significant bit of the counter CTI. Next, when the lowest pit of the counter CT1 is stuck at 0'' and the data at the second address (i.e. address 1) of the memory MEM2 shown in FIG. The data at address 0) is read out, and the parity instruction check circuit CH
Faults can be detected by
との0”スタックについても、カウンタCTIの最下位
ビットだけに限らずどのピント位置がスタックしていて
も、メモリME■のアドレス0とメモリM EM2のア
ドレス0以外のデータの組合せが読出される場合が生じ
、パリティ・チェック回路CHで障害検出ができる。か
かる障害は、カラ・ンタCTIとCT2が逆になっても
同じである。Regarding the 0'' stack, the combination of data other than address 0 of the memory ME and address 0 of the memory MEM2 is read out, regardless of which focus position is stacked, not just the least significant bit of the counter CTI. If a fault occurs, the parity check circuit CH can detect the fault.Such a fault is the same even if the color data CTI and CT2 are reversed.
この様に、カウンタCTI、CT2のいずれかに障害が
発生してもその検出がシ」能である。In this way, even if a failure occurs in either counter CTI or CT2, it can be easily detected.
あり、上記の如く、いずれかのカウンタの障害が検出で
きれば充分である。Yes, and as described above, it is sufficient if a failure in any one of the counters can be detected.
又、かかる障害が、アドレスデコーダで生じても上記と
同じことにより検出できる。更に、制御装置からの゛ア
ドレス自体が障害になった場合の検出においては、メモ
リMEMI 、 MEM2の任意のアドレスに任意のデ
ータ’kW込み、しかる後、残りの全アドレスに、その
データとは異なるデータを畳込む。この場合のデータは
、一番先のアドレスに1込んだデータと異なっていれは
、残りの全アドレスに夫々異なるデータを書込んでもよ
いが、簡単のためには、その残シの全アドレスに同一デ
ータ全竹込んでもよい。そして、この後、最初にブータ
ラ1込んだアドレスからデータをんn出し、最初pこ曹
込んだデータと照合する。Further, even if such a failure occurs in the address decoder, it can be detected by the same method as described above. Furthermore, when detecting a failure in the address itself from the control device, any data 'kW' is placed in any address of the memory MEMI or MEM2, and then all remaining addresses are filled with data different from that data. Convolve the data. In this case, if the data is different from the data written to the first address, different data may be written to all remaining addresses, but for simplicity, it is better to write different data to all remaining addresses. The same data may include all bamboo. After this, the data is extracted from the address where the booter was first loaded and compared with the data that was initially loaded.
例えば、メモ’JMEMI、MEM2には、そのアドレ
ス0よりj−に第3図に示すデータ′fr:沓込ん/ど
後、カウンタC’l’l、CT2で最初に続出されたデ
ーアドレスのデータはメモりI質11. MhlVI2
に−込む時点で昼込まれている。かかる動作によジ、も
し、市1j…引装置からのJ旨尾アドレスにスタックが
あれば、最初に誓込まiシたデータは、残りの全アドレ
スへ書込まれたデータ中のどオし〃・によυjμ直され
ておシ、照合回路M A ’l’から不一致の出力が得
られ、障害検出さtしる。For example, in the memo 'JMEMI, MEM2, from address 0 to j-, the data shown in FIG. Memories I quality 11. MhlVI2
By the time I got there, it was already midday. Due to this operation, if there is a stack at the address J from the device, the data written first will be lost among the data written to all remaining addresses.・When υjμ is corrected, a mismatched output is obtained from the matching circuit M A 'l', and a fault is detected.
〔9G頃jの効果〕
以上の如く、本発明によれば、アドレス系、データ糸い
ずれに障害が発生していても、七〇障畜が速やかに検出
でき、しかも、その検出手段もケ雑な回路を必要とせず
、極めて有効なものである)[Effects around 9G] As described above, according to the present invention, even if a fault occurs in either the address system or the data thread, 70 faults can be quickly detected, and the detection means are also complicated. (It is extremely effective and does not require any circuitry.)
第1図は従来例、第2図は本発明の一実施例。
第3図は第2図におけるメモリ内のデータの詳細を示す
図である。
図中、MEMはメモリ、SEはアドレスセレクタ、CT
はカウンタ、CHUパリティ・チェック回路、MATは
照合回路、LATはラッチ回路である。
亮1図FIG. 1 shows a conventional example, and FIG. 2 shows an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing details of data in the memory in FIG. 2. In the figure, MEM is a memory, SE is an address selector, and CT
is a counter, CHU is a parity check circuit, MAT is a verification circuit, and LAT is a latch circuit. Ryo 1 figure
Claims (1)
複数のメモリに分割して蓄積し、かつ、最初に書込指定
したアドレスのデータと、他のアドレスのデータとを異
ならしめて蓄積し、データ読出し時には、データエラm
−チェック全行ない、かつ、最初に書込指定されたアド
レスのデータが読出されたとき、畳込時のデータと照合
するようにしたことを特徴とするメモリ装置の試験方式
。Data for one word with error check pits is divided and stored in multiple memories, and the data at the address specified for writing is stored differently from the data at other addresses, and when reading data, , data error m
- A test method for a memory device characterized in that when all checks are performed and data at an address designated for writing first is read, it is compared with data at the time of convolution.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57093895A JPS592294A (en) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | Test method of memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57093895A JPS592294A (en) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | Test method of memory device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS592294A true JPS592294A (en) | 1984-01-07 |
Family
ID=14095213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57093895A Pending JPS592294A (en) | 1982-06-01 | 1982-06-01 | Test method of memory device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS592294A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4694031A (en) * | 1985-02-19 | 1987-09-15 | Ube Industries, Ltd. | Surface treated-glass fiber-reinforced polypropylene composition |
JPH03160538A (en) * | 1989-11-20 | 1991-07-10 | Fujitsu Ltd | Memory check system |
DE4411445B4 (en) * | 1993-04-02 | 2005-04-28 | Nok Corp | Rubber laminated metallic plate |
JP2008046979A (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Fujitsu Ltd | Memory controller and control method |
-
1982
- 1982-06-01 JP JP57093895A patent/JPS592294A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4694031A (en) * | 1985-02-19 | 1987-09-15 | Ube Industries, Ltd. | Surface treated-glass fiber-reinforced polypropylene composition |
JPH03160538A (en) * | 1989-11-20 | 1991-07-10 | Fujitsu Ltd | Memory check system |
DE4411445B4 (en) * | 1993-04-02 | 2005-04-28 | Nok Corp | Rubber laminated metallic plate |
JP2008046979A (en) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Fujitsu Ltd | Memory controller and control method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101558452B (en) | Method and device for reconfiguration of reliability data in flash eeprom storage pages | |
US3735105A (en) | Error correcting system and method for monolithic memories | |
US9984766B1 (en) | Memory protection circuitry testing and memory scrubbing using memory built-in self-test | |
US6320804B2 (en) | Integrated semiconductor memory with a memory unit a memory unit for storing addresses of defective memory cells | |
JPS592294A (en) | Test method of memory device | |
JP3725786B2 (en) | Function test method of memory cell of integrated semiconductor memory | |
JPS6011952A (en) | Semiconductor memory device with error correcting means | |
CN117037884B (en) | Fuse unit used in memory array, processing method thereof and memory array | |
JPS5899841A (en) | Address controlling system of partially mounted control memory | |
KR0121094B1 (en) | The method of memory system | |
JPS6051142B2 (en) | Logging error control method | |
JPS607822B2 (en) | Memory malfunction detection method | |
JPH04111032A (en) | Multiplexed storage device | |
JPH06110721A (en) | Memory controller | |
JPS60549A (en) | Memory testing system | |
JPS58501606A (en) | Device for detecting, correcting and recording 1-bit memory read errors | |
JP2008269115A (en) | Memory check device and memory check method | |
JPS58115699A (en) | Memory board test system | |
JPS60222944A (en) | Memory parity error processing system | |
JPS6233811B2 (en) | ||
JPS6223336B2 (en) | ||
JPS6035695B2 (en) | Memory test method | |
JPH036760A (en) | Ram fault processing system | |
JPS58103040A (en) | Microprogram controller | |
JPS63118953A (en) | System for detecting parity abnormality |