JPS59226454A - 光電子増倍管 - Google Patents
光電子増倍管Info
- Publication number
- JPS59226454A JPS59226454A JP59106322A JP10632284A JPS59226454A JP S59226454 A JPS59226454 A JP S59226454A JP 59106322 A JP59106322 A JP 59106322A JP 10632284 A JP10632284 A JP 10632284A JP S59226454 A JPS59226454 A JP S59226454A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dynode
- photocathode
- photomultiplier tube
- anode
- tube according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J43/00—Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
- H01J43/04—Electron multipliers
- H01J43/06—Electrode arrangements
- H01J43/16—Electrode arrangements using essentially one dynode
Landscapes
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
- Image-Pickup Tubes, Image-Amplification Tubes, And Storage Tubes (AREA)
- Sanitary Device For Flush Toilet (AREA)
- Electrophonic Musical Instruments (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は透明窓上に堆積された光電子放出材料の薄層か
ら成る光電陰極を具える光電子増倍管に関するものであ
る。
ら成る光電陰極を具える光電子増倍管に関するものであ
る。
粒子加速器に使用される検出器はlO〜106程度の利
得で動作する各別のダイノードを具える光電子増倍管の
モザイクと関連するシンチレータを一般に具えている。
得で動作する各別のダイノードを具える光電子増倍管の
モザイクと関連するシンチレータを一般に具えている。
前記光電子増倍管は数千ガウスに達し得る強い磁界の存
在のために磁界に感応してエネルギー分解能が著しく低
くなる。前記光電子増倍管から前記磁界の影響を取り除
くためには、これら光電子増倍管を加速器のすぐ近くか
ら遠く離して保持し、それらの光電陰極をシンチレータ
に光導体を介して結合する必要があり、この場合には重
大な分解能の低下が生じる。実際には、検出装置の分解
能を改善するために光電子増倍管の代りに光電池を使用
することが増えてきており、これは光電池はその軸線に
対する磁界の角度が所定の状態では存在する強い磁界に
不感応になるという考えに基づいている。しかし、この
場合には光電子増倍管の場合と異なり、光電陰極の信号
の増倍作用を殆んど光電池の外部の装置によって行なわ
なければならない。この外部増幅装置で実現すべき高い
増幅レベルは重大なノイズの問題を生ずる。
在のために磁界に感応してエネルギー分解能が著しく低
くなる。前記光電子増倍管から前記磁界の影響を取り除
くためには、これら光電子増倍管を加速器のすぐ近くか
ら遠く離して保持し、それらの光電陰極をシンチレータ
に光導体を介して結合する必要があり、この場合には重
大な分解能の低下が生じる。実際には、検出装置の分解
能を改善するために光電子増倍管の代りに光電池を使用
することが増えてきており、これは光電池はその軸線に
対する磁界の角度が所定の状態では存在する強い磁界に
不感応になるという考えに基づいている。しかし、この
場合には光電子増倍管の場合と異なり、光電陰極の信号
の増倍作用を殆んど光電池の外部の装置によって行なわ
なければならない。この外部増幅装置で実現すべき高い
増幅レベルは重大なノイズの問題を生ずる。
本発明の目的は所定の状態で数千ガウスの磁界に不感応
であるという光電池の利点を有すると共に光電陰極信号
を5〜80倍に増幅し得る光電子増幅管2提供すること
にある。この増幅率は外部増幅装置を一層有効に使用す
るのに十分なものである。
であるという光電池の利点を有すると共に光電陰極信号
を5〜80倍に増幅し得る光電子増幅管2提供すること
にある。この増幅率は外部増幅装置を一層有効に使用す
るのに十分なものである。
本発明は透明窓上に堆積された光電子放出材料の薄層か
ら成る光電陰極を具える光電子増幅管において、当該光
電子増幅管は前記光電陰極を略々取り囲む周面上に位置
する金属面の形態をなし内表面上に二次電子放出材料の
層を有するダイノードと、該ダイノードの表面と略々同
形であって該ダイノードの表面に平行にそれから小距離
部して配置された金属格子から成る陽極とを具えること
を特徴とする。
ら成る光電陰極を具える光電子増幅管において、当該光
電子増幅管は前記光電陰極を略々取り囲む周面上に位置
する金属面の形態をなし内表面上に二次電子放出材料の
層を有するダイノードと、該ダイノードの表面と略々同
形であって該ダイノードの表面に平行にそれから小距離
部して配置された金属格子から成る陽極とを具えること
を特徴とする。
斯る構造では、光電陰極から出た電子は、強い磁界によ
り進路が強く妨害されても・磁界の向きが光電陰極の平
面にあまり平行でなければ大部分がダイノードの金属表
面上に到達する。陽極による光電子の直接捕集は、陽極
の格子の透過率を充分に大きく、例えば80〜90%に
すること、ができるために小さい。前記光電子はダイノ
ードにおいて二次電子を放出させ、これら二次電子が最
も高い電位にある@極により最終的に捕集される。
り進路が強く妨害されても・磁界の向きが光電陰極の平
面にあまり平行でなければ大部分がダイノードの金属表
面上に到達する。陽極による光電子の直接捕集は、陽極
の格子の透過率を充分に大きく、例えば80〜90%に
すること、ができるために小さい。前記光電子はダイノ
ードにおいて二次電子を放出させ、これら二次電子が最
も高い電位にある@極により最終的に捕集される。
尚・本発明光電子増倍管のダイノード及び陽極が磁界に
より大きな力を受けないようにするために、これら素子
は非磁性材料で実現するのが好適である。
より大きな力を受けないようにするために、これら素子
は非磁性材料で実現するのが好適である。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図面は高磁界に不感応にした本発明光電子増倍管の一実
施例の断面図であり、1 ’Lは絶縁ケース14により
周縁18で封止された透明窓12上に堆積された光電子
放出材料の薄層から成る光電陰極である。この光電陰極
11は基準電位V。(例えばoV)にされる。図面に示
すように、光電子増倍管は光電陰極11を略々取り囲む
周面16上に位置する金属面の形態のダイノード15か
ら成る単一の増幅段を具える。このダイノード15はそ
の内面17上に二次電子放出材料、例えば酸化ベリリウ
ム、酸化マグネシウム又はアルカリアンチモンの層を有
する。図に示すように、ダイノード15に略々同形の金
属格子から成る陽極18が絶縁プレース80によってダ
イノード15と平行にそれから小距離(代表的には0.
5〜1問)離して配置される。この陽極の格子は80〜
90%の。
施例の断面図であり、1 ’Lは絶縁ケース14により
周縁18で封止された透明窓12上に堆積された光電子
放出材料の薄層から成る光電陰極である。この光電陰極
11は基準電位V。(例えばoV)にされる。図面に示
すように、光電子増倍管は光電陰極11を略々取り囲む
周面16上に位置する金属面の形態のダイノード15か
ら成る単一の増幅段を具える。このダイノード15はそ
の内面17上に二次電子放出材料、例えば酸化ベリリウ
ム、酸化マグネシウム又はアルカリアンチモンの層を有
する。図に示すように、ダイノード15に略々同形の金
属格子から成る陽極18が絶縁プレース80によってダ
イノード15と平行にそれから小距離(代表的には0.
5〜1問)離して配置される。この陽極の格子は80〜
90%の。
透過率を示すように実現する。ダイノード15は基準電
位■ より高い電位v0、例えば400〜700■にす
ると共に、陽極18はダイノードの電位v1より高い電
位v2、例えば800〜1400Vにする。
位■ より高い電位v0、例えば400〜700■にす
ると共に、陽極18はダイノードの電位v1より高い電
位v2、例えば800〜1400Vにする。
ダイノード15は光電陰極11を包囲するため、光電陰
極11により放出された光電子の大部分は、磁界Bによ
るこれら光電子の進路への妨害にもかかわらず、光電陰
極11の法線に対する磁界の角度θが10000ガウス
に達し得る磁界に対しては70〜800を越えなければ
ダイノード16に到達する。この磁界角度の限界値は光
電陰極をダイノードを構成する面の内部に入り込ませる
ことによって増大させることができる。
極11により放出された光電子の大部分は、磁界Bによ
るこれら光電子の進路への妨害にもかかわらず、光電陰
極11の法線に対する磁界の角度θが10000ガウス
に達し得る磁界に対しては70〜800を越えなければ
ダイノード16に到達する。この磁界角度の限界値は光
電陰極をダイノードを構成する面の内部に入り込ませる
ことによって増大させることができる。
図示の実施例では光電陰極は円形である。この場合には
ダイノード15及び陽極18を構成する面は光電陰極1
1の軸線19と一致する共通の軸線を有する回転面とす
るのが好適である。図に示すように、これら回転面は円
錐形とすることができ、この場合には良好な剛性を有す
る陽極18の格子が得ることができる。
ダイノード15及び陽極18を構成する面は光電陰極1
1の軸線19と一致する共通の軸線を有する回転面とす
るのが好適である。図に示すように、これら回転面は円
錐形とすることができ、この場合には良好な剛性を有す
る陽極18の格子が得ることができる。
ダイノード15及び陽極18は非磁性材料、例えばベリ
リウム、銅、又は非磁性1noxで実現してこれらに力
が及ぼされないようにするのが有利である。
リウム、銅、又は非磁性1noxで実現してこれらに力
が及ぼされないようにするのが有利である。
最後に、光電陰極11の光電子放出材料はSbK、OB
のようなアンチモンとアルカリ金属の合金とすることが
できる。この場合にはアンチモンの蒸発源20をダイツ
ートド5を構成する面の内部に、光電陰極11と対向す
るよう配置すると共にアルカリ金属(ここではCs及び
K)の蒸発源21.22をダイノード15?i!構成す
る面の外部に配置する。ダイノード16には孔232設
けてアルカリ金員の蒸気が光電陰極に到達し得るように
する。
のようなアンチモンとアルカリ金属の合金とすることが
できる。この場合にはアンチモンの蒸発源20をダイツ
ートド5を構成する面の内部に、光電陰極11と対向す
るよう配置すると共にアルカリ金属(ここではCs及び
K)の蒸発源21.22をダイノード15?i!構成す
る面の外部に配置する。ダイノード16には孔232設
けてアルカリ金員の蒸気が光電陰極に到達し得るように
する。
本発明は円錐形のダイノード15及び@極18を具える
図示の実施例に限定されるものでなく、他の形状、特に
球形2円筒形等のダイノード及び陽極を用いて実施する
こともできる。
図示の実施例に限定されるものでなく、他の形状、特に
球形2円筒形等のダイノード及び陽極を用いて実施する
こともできる。
図面は本発明光電子増倍管の一実施例の断面図である。
11・・・光電陰極 12・・・透明窓14・・
・絶縁ケース 15・・・ダイノード16・・・
光電陰極を囲む局面 17・・・ダイノードの内面 18・・・陽極 19・・・軸線20・・・
アンチモン蒸発源
・絶縁ケース 15・・・ダイノード16・・・
光電陰極を囲む局面 17・・・ダイノードの内面 18・・・陽極 19・・・軸線20・・・
アンチモン蒸発源
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 L 透明窓上に堆積された光電子放出材料の薄層から成
る光電陰極を具える光電子増信管において、当該光−電
−子−増倍管は、前記光電陰極を略々取り囲む周面上に
位置する金属面の形態をなしその内面に二次電子放出材
料の層を有するダイノードと、該ダイノードの表面と略
々同形であって該ダイノードの表面に平行にそれから小
距離離して配置された金属格子から成る陽極とを具える
ことを特徴とする光電子増倍管。 λ 特許請求の範囲1記載の光電子増倍管において前記
ダイノードと前記陽極から成る単一の増幅段を具えるこ
とを特徴とする光電子増倍管。 & 特許請求の範囲l又は2記載の光電子増倍管におい
て、前記光電陰極は円形であり、前記ダイオード及び陽
極を構成する表面は前記光電陰極の軸線と一致する共通
の軸線を有する回転面であることを特徴とする光電子増
倍管。 賑 特許請求の範囲8記載の一/C電子増倍管において
、前記回転面は円錐であることご特徴とする光電子増信
管。 翫 特許請求の範囲1〜4の何れかに記載の光電子増倍
管において、前記ダイノード及びアノードは非磁性材料
で製造されていることを特徴とする光電子増倍管O a 特許請求の範囲lN5の何れかに記載の光電子増幅
管において、前記光電陰極の光電子放出材料はアンチモ
ンとアルカリ金属の合金であり、アンチモンの蒸発源が
前記ダイノードを構成する表面の内部に配置され、前記
アルカリ金属の蒸発源が前記ダイノードを構成する表面
の外部に配置され、前記ダイノードには前記アルカリ金
属の蒸気が光電陰極に到達し得るように孔が設けられて
いることを特徴とする光電子増倍管。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR8308620 | 1983-05-25 | ||
FR8308620A FR2546663B1 (fr) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | Tube photomultiplicateur a une dynode insensible aux champs magnetiques eleves |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59226454A true JPS59226454A (ja) | 1984-12-19 |
JPH0381257B2 JPH0381257B2 (ja) | 1991-12-27 |
Family
ID=9289154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59106322A Granted JPS59226454A (ja) | 1983-05-25 | 1984-05-25 | 光電子増倍管 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4623785A (ja) |
JP (1) | JPS59226454A (ja) |
FR (1) | FR2546663B1 (ja) |
GB (1) | GB2146169B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5210403A (en) * | 1991-05-22 | 1993-05-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detecting device with a photocathode being inclined to a light incident surface |
WO2000044030A1 (fr) * | 1999-01-19 | 2000-07-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplicateur |
JP2013124876A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 光計測装置 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2641900B1 (fr) * | 1989-01-17 | 1991-03-15 | Radiotechnique Compelec | Tube photomultiplicateur comportant une grande premiere dynode et un multiplicateur a dynodes empilables |
JP3518880B2 (ja) * | 1992-06-11 | 2004-04-12 | 浜松ホトニクス株式会社 | 反射型アルカリ光電面および光電子増倍管 |
US5633562A (en) * | 1993-02-02 | 1997-05-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Reflection mode alkali photocathode, and photomultiplier using the same |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL52096C (ja) * | 1937-10-28 | |||
US2407906A (en) * | 1942-08-27 | 1946-09-17 | Rca Corp | Low velocity television transmitting apparatus |
NL143880B (nl) * | 1947-12-19 | Pilkington Brothers Ltd | Werkwijze voor het zuiveren van een gesmolten tinbad van een drijfglasinstallatie, en inrichting voor het uitvoeren van deze werkwijze. | |
GB745811A (en) * | 1951-03-27 | 1956-03-07 | Emi Ltd | Improvements relating to electron multipliers |
GB741365A (en) * | 1952-05-27 | 1955-11-30 | Emi Ltd | Improvements in or relating to electron multipliers |
US3395306A (en) * | 1966-01-17 | 1968-07-30 | Itt | Dynode structure for an electron multiplier device |
US3688145A (en) * | 1970-10-08 | 1972-08-29 | Donald K Coles | Light detector having wedge-shaped photocathode and accelerating grid structure |
-
1983
- 1983-05-25 FR FR8308620A patent/FR2546663B1/fr not_active Expired
-
1984
- 1984-05-17 US US06/611,264 patent/US4623785A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-05-21 GB GB08412966A patent/GB2146169B/en not_active Expired
- 1984-05-25 JP JP59106322A patent/JPS59226454A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5210403A (en) * | 1991-05-22 | 1993-05-11 | Hamamatsu Photonics K.K. | Radiation detecting device with a photocathode being inclined to a light incident surface |
WO2000044030A1 (fr) * | 1999-01-19 | 2000-07-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplicateur |
US6538376B1 (en) | 1999-01-19 | 2003-03-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Photomultiplier tube |
JP2013124876A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Hamamatsu Photonics Kk | 光計測装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2546663B1 (fr) | 1985-07-12 |
US4623785A (en) | 1986-11-18 |
GB2146169A (en) | 1985-04-11 |
GB2146169B (en) | 1986-09-24 |
GB8412966D0 (en) | 1984-06-27 |
JPH0381257B2 (ja) | 1991-12-27 |
FR2546663A1 (fr) | 1984-11-30 |
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