JPS59223403A - 高分子導光路の製作方法 - Google Patents
高分子導光路の製作方法Info
- Publication number
- JPS59223403A JPS59223403A JP58097930A JP9793083A JPS59223403A JP S59223403 A JPS59223403 A JP S59223403A JP 58097930 A JP58097930 A JP 58097930A JP 9793083 A JP9793083 A JP 9793083A JP S59223403 A JPS59223403 A JP S59223403A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polymer
- substrate
- monomer
- light guide
- gas
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/04—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings formed by bundles of fibres
- G02B6/06—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings formed by bundles of fibres the relative position of the fibres being the same at both ends, e.g. for transporting images
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高分子重合体を用いて、屈折率の高い部分を配
列したいわゆるファイバプレートや分岐導波路等、導光
路素子の製作方法に関する。
列したいわゆるファイバプレートや分岐導波路等、導光
路素子の製作方法に関する。
従来、たとえばファイバプレートを製作するには、特開
昭５７−１２８８０１号などに記載されているように、
感光性の単量体に光ビームを照射し、コア部分のアレイ
を重合、形成した後、クラツディングし全体を固めると
いう方法が採用されていた。このため、微細なパターン
で長いコアが形成された場合、自立ができなく、傾いて
しまい位置が不正確となる等の欠点があった。
昭５７−１２８８０１号などに記載されているように、
感光性の単量体に光ビームを照射し、コア部分のアレイ
を重合、形成した後、クラツディングし全体を固めると
いう方法が採用されていた。このため、微細なパターン
で長いコアが形成された場合、自立ができなく、傾いて
しまい位置が不正確となる等の欠点があった。
本発明はこれらの欠点を解決するため、タララド部分を
先に形成することにより、８次元的ナパターンを有する
導光路を容易に製作できる１１法を開発したものである
。以下図面により本発明の詳細な説明する。
先に形成することにより、８次元的ナパターンを有する
導光路を容易に製作できる１１法を開発したものである
。以下図面により本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明による高分子導光路の製作方法の一例を
示している。窓内に円形または矩形ゾ〕光を通さない部
分を有するフォトマスクｌの丁に基板２を支持棒８で保
持し、容器４内に単量ｆ・；、混合液５を満たす。単量
体混合液には必要に応じて光増感剤や架橋剤や高分子や
溶媒が混合されている。
示している。窓内に円形または矩形ゾ〕光を通さない部
分を有するフォトマスクｌの丁に基板２を支持棒８で保
持し、容器４内に単量ｆ・；、混合液５を満たす。単量
体混合液には必要に応じて光増感剤や架橋剤や高分子や
溶媒が混合されている。
（光感度が低い場合には光増感剤、重合した導光路部分
を溶媒に不溶とするためには架橋剤、重合速度の調整の
ためには高分子、単量体混合１ニコノ粘度調整のために
は、溶媒が混合されている。ン次に容器４の上部から平
行紫りＩ光６を照射すると同時に、基板２をゆっくり下
降させる。このＪうにするとフォトマスク１の窓を通し
て露光された部分の単量体が光重合し１基板２が下降す
るに従い基板２上に穴７のあいた重合物８が形成される
。
を溶媒に不溶とするためには架橋剤、重合速度の調整の
ためには高分子、単量体混合１ニコノ粘度調整のために
は、溶媒が混合されている。ン次に容器４の上部から平
行紫りＩ光６を照射すると同時に、基板２をゆっくり下
降させる。このＪうにするとフォトマスク１の窓を通し
て露光された部分の単量体が光重合し１基板２が下降す
るに従い基板２上に穴７のあいた重合物８が形成される
。
このときマスクの移動、交換を併用することにより、任
意の穴パターンが得られる。基板２の下降はモータ綬と
連動した送り機構につながれた支持棒８により行われる
。必要な長さまで重合し１混合液５から取り出した重合
物８を完全に重合させ１穴７に重合物より屈折率の高い
樹脂を注入し、固化したものを基板２より取りはずし両
表面を研磨する。
意の穴パターンが得られる。基板２の下降はモータ綬と
連動した送り機構につながれた支持棒８により行われる
。必要な長さまで重合し１混合液５から取り出した重合
物８を完全に重合させ１穴７に重合物より屈折率の高い
樹脂を注入し、固化したものを基板２より取りはずし両
表面を研磨する。
第２図は本発明による高分子導光路の製作方法の他の例
を示している。窓内に円形または矩形の光を通さない部
分を有するフォトマスク１′の下に基板２′を支持棒８
′で保持し、容器４１内に単量体混合気体９を満たす。
を示している。窓内に円形または矩形の光を通さない部
分を有するフォトマスク１′の下に基板２′を支持棒８
′で保持し、容器４１内に単量体混合気体９を満たす。
単量体混合気体９には前記と同様の必要に応じて光増感
剤や架橋剤やキャリアガスが混合されている。次に容器
４Ｉの上部から平行紫外光６を照射すると同時に、基板
２Ｉを □をゆっくり下降させる。このようにする
とフォトマスク１の窓を通して露光された部分の単量体
が光重合し、基板２１が下降するに従い、基板ｚ上に１
穴７のあいた重合物８が形成される。
剤や架橋剤やキャリアガスが混合されている。次に容器
４Ｉの上部から平行紫外光６を照射すると同時に、基板
２Ｉを □をゆっくり下降させる。このようにする
とフォトマスク１の窓を通して露光された部分の単量体
が光重合し、基板２１が下降するに従い、基板ｚ上に１
穴７のあいた重合物８が形成される。
このとき、マスクの移動、交換を併用することにより、
任意の穴パターンが得られる。基板２の下降はモータと
連動した送り′機構につながれた支持棒８′により行わ
れる。必要な長さまで重合し、容器４′から取り出した
重合物８を完全に重合させ、穴７に重合物より屈折率の
高い樹脂を注入固化したものを基板２ｒより取りはずし
両表面を研磨するＯ以下、実施例について、具体的に説
明する。
任意の穴パターンが得られる。基板２の下降はモータと
連動した送り′機構につながれた支持棒８′により行わ
れる。必要な長さまで重合し、容器４′から取り出した
重合物８を完全に重合させ、穴７に重合物より屈折率の
高い樹脂を注入固化したものを基板２ｒより取りはずし
両表面を研磨するＯ以下、実施例について、具体的に説
明する。
実施例１
前記第１図の単量体混合液５としてエチルメタクリレー
トモノマ、メチルメタクリレートポリマ、光増感剤のベ
ンゾインエチルエーテルを混合した液を用い、フォトマ
スクとしては１辺が１０闇の正方形の窓に１００μｍφ
の光を通さない円形部分が１０ＸＩ ０個並んだものを
用い〔第８図（ａ）では８×４個の場合を示した）、１
００Ｗ超高臣へ銀打を用いて照射した。その結果第８図
（ａ）に示す形状の重合物を得、完全に固化させ基板か
ら切り離６した後、この人７にフェニルメタクリレート
を注入固化し屈折率差Δｎ＝１１％の導光路アレイを得
た。
トモノマ、メチルメタクリレートポリマ、光増感剤のベ
ンゾインエチルエーテルを混合した液を用い、フォトマ
スクとしては１辺が１０闇の正方形の窓に１００μｍφ
の光を通さない円形部分が１０ＸＩ ０個並んだものを
用い〔第８図（ａ）では８×４個の場合を示した）、１
００Ｗ超高臣へ銀打を用いて照射した。その結果第８図
（ａ）に示す形状の重合物を得、完全に固化させ基板か
ら切り離６した後、この人７にフェニルメタクリレート
を注入固化し屈折率差Δｎ＝１１％の導光路アレイを得
た。
実施例２
前記第２図の単量体混合気体９としてメチルアクリレー
トキャリアガスの窒素を混合したものを用い、フォトマ
スクとしては１辺が１０閣の正方形の窓に２００μｍφ
の光を通さない円形部分が７×７個並んだものを用い〔
第８図中）では８×８個の場合を示した）、５００Ｗ超
高圧水銀灯を用い、溶融石英のレンズ系によるズーム機
構により重合の行われている面に結像させ、第８図中）
に示す形状の重合物を得、完全に固化させ、基板から切
り離した後、この穴７にエポキシ１１Ｍ脂を注入固化し
１屈折率差Δｎ＝６％のテーパー形導光路を得た。
トキャリアガスの窒素を混合したものを用い、フォトマ
スクとしては１辺が１０閣の正方形の窓に２００μｍφ
の光を通さない円形部分が７×７個並んだものを用い〔
第８図中）では８×８個の場合を示した）、５００Ｗ超
高圧水銀灯を用い、溶融石英のレンズ系によるズーム機
構により重合の行われている面に結像させ、第８図中）
に示す形状の重合物を得、完全に固化させ、基板から切
り離した後、この穴７にエポキシ１１Ｍ脂を注入固化し
１屈折率差Δｎ＝６％のテーパー形導光路を得た。
実施例８
前記第１図の単量体混合液５としてエチルメタクリレー
トモノマ、エチルメタクリレートポリマ、光増感剤のベ
ンゾインプロピルエーテルを混合シ、だ液を用い、フォ
トマスクとしては１辺が１０鱈の正方形の窓に２５０μ
ｍφの光を通さない円形部分を有するものを用い、ｇａ
ｏｗキセノンランプで照射しなから１鴎φの円周上を移
動させ、第８図（０）に示すらせん状の重合物を得、完
全に固化させた後、基板から切り離し、穴７にスチレン
を注入固化し、屈折率差Δｎ＝７％の曲がり導光ｖコを
得た。
トモノマ、エチルメタクリレートポリマ、光増感剤のベ
ンゾインプロピルエーテルを混合シ、だ液を用い、フォ
トマスクとしては１辺が１０鱈の正方形の窓に２５０μ
ｍφの光を通さない円形部分を有するものを用い、ｇａ
ｏｗキセノンランプで照射しなから１鴎φの円周上を移
動させ、第８図（０）に示すらせん状の重合物を得、完
全に固化させた後、基板から切り離し、穴７にスチレン
を注入固化し、屈折率差Δｎ＝７％の曲がり導光ｖコを
得た。
実施例４
前記第１図の単量体混合液すとしてシクロ・・キシルメ
タクリレートモノマ、シクロヘキシルメタクリレートポ
リマ、光増感剤のペンゾインニ管ルエーテル、架橋剤の
エチレングリコールジメタクリレートを結合した液を用
いフォトマスクとして１辺が１０”の正方形の窓に８０
μｍφの光を通さない円形部分を有するものを用い、こ
の円形部分が少しずつ移動した８２枚のフォトマスクを
順次交換しながら、１００Ｗ超高圧水銀灯で照射した。
タクリレートモノマ、シクロヘキシルメタクリレートポ
リマ、光増感剤のペンゾインニ管ルエーテル、架橋剤の
エチレングリコールジメタクリレートを結合した液を用
いフォトマスクとして１辺が１０”の正方形の窓に８０
μｍφの光を通さない円形部分を有するものを用い、こ
の円形部分が少しずつ移動した８２枚のフォトマスクを
順次交換しながら、１００Ｗ超高圧水銀灯で照射した。
その結果第８図（（１）に示す形状の重合物を得−完全
に固化させ基板から切り離した後、穴７にベンジ、ルメ
タクリレートを注入固化し、屈折率差Δｎ＝６％の８分
岐導光路を得た。
に固化させ基板から切り離した後、穴７にベンジ、ルメ
タクリレートを注入固化し、屈折率差Δｎ＝６％の８分
岐導光路を得た。
実施例５
前記第２図の単量体混合気体９としてメチルメタクリレ
ート、キャリアガスの窒素、光増感剤の水銀蒸気の混合
したものを用い、フォトマスクとしては４鴎φの窓に５
０μｍφの光を通さない円形部分があるものを用い、基
板のかわりに発光素子１０の発光部分に穴がくるように
位置合わせを行い、紫外レーザ光で照射した。その結果
第８図（ｅ）に示す形状の重合物を得、完全に固化させ
た後、穴にベンジルメタクリレートを注入固化し、屈折
率差Δｌ］＝５％の発光素子付き導光路を得た。
ート、キャリアガスの窒素、光増感剤の水銀蒸気の混合
したものを用い、フォトマスクとしては４鴎φの窓に５
０μｍφの光を通さない円形部分があるものを用い、基
板のかわりに発光素子１０の発光部分に穴がくるように
位置合わせを行い、紫外レーザ光で照射した。その結果
第８図（ｅ）に示す形状の重合物を得、完全に固化させ
た後、穴にベンジルメタクリレートを注入固化し、屈折
率差Δｌ］＝５％の発光素子付き導光路を得た。
以上説明したように、本発明による高分子導光路の製作
方法によれば、微細、かつ立体的形状の導光路を高価な
装置や複雑な工程を要さずに得ることができるという利
点がある。
方法によれば、微細、かつ立体的形状の導光路を高価な
装置や複雑な工程を要さずに得ることができるという利
点がある。
４図面の簡単な説明
）。
）。
第１図は本発明による高分子導光路の一製作方法の説明
図、 第２図は本発明による高分子導光路の他の製作方法の説
明図、 第８図（ａ）〜（ｅ）は本発明による製作方法により製
作した導光路の剥を示す図である。
図、 第２図は本発明による高分子導光路の他の製作方法の説
明図、 第８図（ａ）〜（ｅ）は本発明による製作方法により製
作した導光路の剥を示す図である。
１、ＩＩ・・・フォトマスク、２．２’・・・基板、８
゜８Ｉ・・・支持棒、４．４’・・・容器、５・・・単
量体混合液、６・・・平行紫外光、７・・・穴、８・・
・重合物、９・・・単量体混合気体、１０・・・発光素
子。
゜８Ｉ・・・支持棒、４．４’・・・容器、５・・・単
量体混合液、６・・・平行紫外光、７・・・穴、８・・
・重合物、９・・・単量体混合気体、１０・・・発光素
子。
特許出願人 日本電信電話公社
１３図
Claims (1)
- ｔ 単量体および必要に応じて光増感剤や架橋剤や高分
子や溶媒を混合した液体中に■たは単量体および必要に
応じて光増感剤や架橋剤やキャリアガスの混合気体中に
、上下に一移動する機構を付加した基板を置き、かつ存
、記液体または気体の上面に、円、矩形等、任意の形状
の窓内に円形または矩形の光を通さない部分を有するフ
ォトマスクを配置したυ゛態で、マスク上面から平行光
の紫外線を照射しながら前記基板を徐々に液体または気
体中に？゛降させてゆくことにより１光の照射された部
分の単量体を硬化させて円形または矩形の穴のあいた重
合物を基板上に形成した後、重合物を前記液体または気
体中より取り出し、紫外線を全面露光するかもしくは高
温で放口して完全に重合さすた後、前記重合物よりも屈
折率の高い樹脂を前記重合物中の穴に注入固化した後、
基板よりはずし、この端面を研磨する工程により高屈折
率部分が低屈折率部分に埋め込まれた構造の高分子導光
路を製作することを特徴とする高分子導光路の製作方法
０λ 特許請求の範囲第１項記載の高分子導光路の製作
方法において、紫外線露光時にフォトマスクを移動もし
くは交換することにより１任意の立体的な形状を有する
穴のあいた重合物を基板上に形成することを特徴とする
高分子導光路の製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58097930A JPS59223403A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 高分子導光路の製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58097930A JPS59223403A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 高分子導光路の製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59223403A true JPS59223403A (ja) | 1984-12-15 |
Family
ID=14205389
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58097930A Pending JPS59223403A (ja) | 1983-06-03 | 1983-06-03 | 高分子導光路の製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59223403A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002328247A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Ibiden Co Ltd | 光導波路の形成方法 |
| FR2830976A1 (fr) * | 2001-10-17 | 2003-04-18 | Ge Med Sys Global Tech Co Llc | Grilles anti-diffusantes a faible attenuation et procede de fabrication de telles grilles |
-
1983
- 1983-06-03 JP JP58097930A patent/JPS59223403A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002328247A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Ibiden Co Ltd | 光導波路の形成方法 |
| FR2830976A1 (fr) * | 2001-10-17 | 2003-04-18 | Ge Med Sys Global Tech Co Llc | Grilles anti-diffusantes a faible attenuation et procede de fabrication de telles grilles |
| EP1304703A1 (en) * | 2001-10-17 | 2003-04-23 | GE Medical Systems Global Technology Company LLC | Antiscattering grid and a method of manufacturing such a grid |
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