JPS59221661A - セラミツクス接合部の欠陥検査法 - Google Patents
セラミツクス接合部の欠陥検査法Info
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- JPS59221661A JPS59221661A JP58096599A JP9659983A JPS59221661A JP S59221661 A JPS59221661 A JP S59221661A JP 58096599 A JP58096599 A JP 58096599A JP 9659983 A JP9659983 A JP 9659983A JP S59221661 A JPS59221661 A JP S59221661A
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- thermal stress
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/14—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object using acoustic emission techniques
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- G—PHYSICS
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はセラミックス接合部の欠陥検査法に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
セラミックス製品は高温領域における高強度、高耐蝕性
および軽量である等の利点を有しており、近年のセラミ
ックス製品技術の発展に伴い各分野において金属製品と
置き換えることが研究されている。
および軽量である等の利点を有しており、近年のセラミ
ックス製品技術の発展に伴い各分野において金属製品と
置き換えることが研究されている。
しかして、このようなセラミックス製品は、セラミック
ス粉末を注型、圧縮成型あるいは射出成型した後焼結さ
れるが、大型製品については複数の成形体を焼結時に接
合することにより、所定の形状に成型することも行われ
ている。
ス粉末を注型、圧縮成型あるいは射出成型した後焼結さ
れるが、大型製品については複数の成形体を焼結時に接
合することにより、所定の形状に成型することも行われ
ている。
また電子機器部品や封着部品等においては、セラミック
ス焼結体と金属部材とを接合させて製造されるものが多
い。
ス焼結体と金属部材とを接合させて製造されるものが多
い。
このようなセラミックス製品においては、接合条件や接
合操作が不適切であった場合には、接合部界面に接合不
良によるボイド、介在物、不整等の欠陥が生じることが
ある。
合操作が不適切であった場合には、接合部界面に接合不
良によるボイド、介在物、不整等の欠陥が生じることが
ある。
一般に、セラミックスは金属に比較して脆性が゛ 大き
く、特に異質の素材を接合させた接合部では、微細な欠
陥も破壊の原因となり得るため、セラミックス製品の接
合部の欠陥を非破壊的に検出する検査方法の確立が望ま
れている。
く、特に異質の素材を接合させた接合部では、微細な欠
陥も破壊の原因となり得るため、セラミックス製品の接
合部の欠陥を非破壊的に検出する検査方法の確立が望ま
れている。
金属製品の溶接部または接合部に対しては、このような
非破壊検査方法として超音波パルス法（以下ＬＩＴ法と
略す）、アコースティックエミッション法（以下ＡＥ法
と略す）等が用いられている。
非破壊検査方法として超音波パルス法（以下ＬＩＴ法と
略す）、アコースティックエミッション法（以下ＡＥ法
と略す）等が用いられている。
しかしながら、このような金属製品に用いられている方
法をそのままセラミックス製品の接合部の検査に適用す
ることは、セラミックスと金属との脆性等の性質や形状
が違うため困難な場合が多い。
法をそのままセラミックス製品の接合部の検査に適用す
ることは、セラミックスと金属との脆性等の性質や形状
が違うため困難な場合が多い。
すなわち金属製品の接合部にお（プる検査対象とする亀
裂寸法は、通常匝のオーダー、介在物にあっては１オー
ダー低い程度で充分であるのに対して、セラミックス製
品の接合部の場合には検査対象となる亀裂寸法はこれよ
り微細な範囲Ｑものまで対象とする必要があり、また対
象となるセラミックス製品の接合部は平面または曲面等
単純形状の他に複雑な接合面をもつ一体成形品もある。
裂寸法は、通常匝のオーダー、介在物にあっては１オー
ダー低い程度で充分であるのに対して、セラミックス製
品の接合部の場合には検査対象となる亀裂寸法はこれよ
り微細な範囲Ｑものまで対象とする必要があり、また対
象となるセラミックス製品の接合部は平面または曲面等
単純形状の他に複雑な接合面をもつ一体成形品もある。
このような複雑接合面の場合、ＵＴ法では超音波の入反
射特性が複雑となって欠陥の検出は回向となり、ＵＴ法
適用は困難となる。また、このように複雑接合面になる
と機械的に応力を印加することも困難であり、機械的応
力印加によるＡＥ法の適用も困難となる。
射特性が複雑となって欠陥の検出は回向となり、ＵＴ法
適用は困難となる。また、このように複雑接合面になる
と機械的に応力を印加することも困難であり、機械的応
力印加によるＡＥ法の適用も困難となる。
［発明の目的］
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、セラミッ
クス焼結体の接合部またはセラミックス焼結体と金属部
材の接合部に１１５ける欠陥の検出が可能な検査方法を
提供することを目的とする。
クス焼結体の接合部またはセラミックス焼結体と金属部
材の接合部に１１５ける欠陥の検出が可能な検査方法を
提供することを目的とする。
［発明の概要］
すなわち本発明のセラミックス接合部の欠陥検査法は、
セラミックス焼結体の接合部またはセラミックス焼結体
と金属部材との接合部を局部的に加熱して該接合部に熱
応力を印加する第１の工程と、前記加熱工程における前
記接合部からの弾性波放出を検出する第２の工程とを具
備することを特徴としている。
セラミックス焼結体の接合部またはセラミックス焼結体
と金属部材との接合部を局部的に加熱して該接合部に熱
応力を印加する第１の工程と、前記加熱工程における前
記接合部からの弾性波放出を検出する第２の工程とを具
備することを特徴としている。
本発明に８３ける接合部の局部的加熱は、例えば次のよ
うな手段により行なわれる。
うな手段により行なわれる。
すなわちセラミックス焼結体どうしの接合部の場合には
、例えばレーザビームやレンズ、反射鏡専の光学系によ
り紋った熱線を接合部に照射して走査するか、あるいは
鎖部に金属板を当接し、もしくは金Ｂ面を、形成して誘
導加熱によりこれらの金属板もしくは金属面を急速加熱
することにより行なわれる。またセラミックス焼結体と
金属部材との接合部の場合には、レーザビーム等の照射
やあるいは金属部月例から例えば誘導加熱により加熱し
て金属部材を加熱することににり行なわれる。
、例えばレーザビームやレンズ、反射鏡専の光学系によ
り紋った熱線を接合部に照射して走査するか、あるいは
鎖部に金属板を当接し、もしくは金Ｂ面を、形成して誘
導加熱によりこれらの金属板もしくは金属面を急速加熱
することにより行なわれる。またセラミックス焼結体と
金属部材との接合部の場合には、レーザビーム等の照射
やあるいは金属部月例から例えば誘導加熱により加熱し
て金属部材を加熱することににり行なわれる。
さらに導電セラミックスの場合や接合部に導電性の接合
媒体を用いた場合には直接誘導加熱することもできる。
媒体を用いた場合には直接誘導加熱することもできる。
なお、レーザビーム等により特定の方向から加熱する場
合には後述するように走査位置に対応した弾性波放出（
ＡＥ）を検出することができるので、欠陥位置の推定が
可能となる利点がある。
合には後述するように走査位置に対応した弾性波放出（
ＡＥ）を検出することができるので、欠陥位置の推定が
可能となる利点がある。
さらに本発明において、検出対象としている破壊の芽と
なる亀裂の進展は最初の昇温過程における引張応力によ
り生じ、かつ亀裂の進展は圧縮応力よりも引張応力によ
り生じ易いから、良好な検出感度を得ることができる。
なる亀裂の進展は最初の昇温過程における引張応力によ
り生じ、かつ亀裂の進展は圧縮応力よりも引張応力によ
り生じ易いから、良好な検出感度を得ることができる。
本発明にａ３ける加熱は急速に行なうことが好ましく、
熱応力を衝撃的に印加することにより、ざらにＡＥの発
生を促進させることができるしかして本発明におい°Ｃ
は、ＡＥ発生数（Ｎ）Ｊ３よび単位時間当たりのＡＥ発
生数（ｄＮ／ｄｔ）を測定対象とし、その結果から亀裂
進展が推定される。しかしながらＮは測定時間等にも関
係するため、絶対的な指ではなく、これに対して（ｄＮ
／ｄｔ）は亀裂進展を特徴づりる欠陥の形状、大きさ等
に関係するパラメータとなるので、これを用いて接合部
の良否を判定できる。
熱応力を衝撃的に印加することにより、ざらにＡＥの発
生を促進させることができるしかして本発明におい°Ｃ
は、ＡＥ発生数（Ｎ）Ｊ３よび単位時間当たりのＡＥ発
生数（ｄＮ／ｄｔ）を測定対象とし、その結果から亀裂
進展が推定される。しかしながらＮは測定時間等にも関
係するため、絶対的な指ではなく、これに対して（ｄＮ
／ｄｔ）は亀裂進展を特徴づりる欠陥の形状、大きさ等
に関係するパラメータとなるので、これを用いて接合部
の良否を判定できる。
なお、一般に金属部材はセラミックス焼結体に比べて線
膨張係数が犬ぎいため、この場合にはセラミックス焼結
体と金属部材との接合部では特に大きい熱応力が印加さ
れ、またセラミックス焼結体どうしの接合部の場合でも
、セラミックス焼結体は金属等に比べ熱伝導率が小さい
ため、局部的加熱により大きい熱応力を印加づることが
できる。
膨張係数が犬ぎいため、この場合にはセラミックス焼結
体と金属部材との接合部では特に大きい熱応力が印加さ
れ、またセラミックス焼結体どうしの接合部の場合でも
、セラミックス焼結体は金属等に比べ熱伝導率が小さい
ため、局部的加熱により大きい熱応力を印加づることが
できる。
なお、レーザビームや光学系で絞った熱線を使用する場
合には、接合部のさらに一部のみを加熱することができ
るから、接合部をレーザビームや熱線で走査しつつＡＥ
検出を行なうことにより、どの領域でＡＥが発生したか
を判断することができる。このようにどの領域に欠陥が
あるのかを検出できれば、どの領域が機械的に弱いかの
判断をすることができ、さらには製造工程へのフィード
バックが可能となる。
合には、接合部のさらに一部のみを加熱することができ
るから、接合部をレーザビームや熱線で走査しつつＡＥ
検出を行なうことにより、どの領域でＡＥが発生したか
を判断することができる。このようにどの領域に欠陥が
あるのかを検出できれば、どの領域が機械的に弱いかの
判断をすることができ、さらには製造工程へのフィード
バックが可能となる。
なおＡＥ検出は、通常行なわれるように直接または導波
路を介してセラミックス焼結体に装着したＡＥセンサを
用いて行なうことができる。
路を介してセラミックス焼結体に装着したＡＥセンサを
用いて行なうことができる。
異種セラミックス焼結体間の接合部や、メタライズ層を
有するセラミックス焼結体と金属部材との接合部の場合
は、ヤング率等のパラメーター値が基体のセラミックス
焼結体と接合されたセラミックス焼結体および金属部材
とで異なるが、この場合でも接合部の微少剥離または崩
壊によると考えられるＡＥ発生が明瞭に認められ、この
ＡＥの発生状況からセラミックス焼結体と同様の手法に
より接合部の欠陥を検出することが可能である。
有するセラミックス焼結体と金属部材との接合部の場合
は、ヤング率等のパラメーター値が基体のセラミックス
焼結体と接合されたセラミックス焼結体および金属部材
とで異なるが、この場合でも接合部の微少剥離または崩
壊によると考えられるＡＥ発生が明瞭に認められ、この
ＡＥの発生状況からセラミックス焼結体と同様の手法に
より接合部の欠陥を検出することが可能である。
［発明の実施例］
以下本発明の実施例についＣ説明する。
実施例１
内径１００關、外径１２０１ｍ、高さ１５０部の円筒状
Ｓｉ ３Ｎ＋の仮焼体の端面を突き合わせて１７５０℃
で２時間焼結して接合さＵだ。
Ｓｉ ３Ｎ＋の仮焼体の端面を突き合わせて１７５０℃
で２時間焼結して接合さＵだ。
次にこの試料を第２図にブＬ１ツク図で示す非破壊検査
装置にセットし、ＡＥを測定した。
装置にセットし、ＡＥを測定した。
第１図に示すＡＥ表装置は、熱応力印加装置１どして炭
酸ガスレーザ（東京芝浦電気株式会社製ＬＡＣ−５５４
（商品名）、定格出力３ｋＷ、ビーム直径４０關、スポ
ット直径０．５ｉｉ）を用い、この炭酸ガスレーザの照
射窓と接合部が対向するよう試料２を配置する。この試
料２は３ｉｓＮ４からなる導波路３にシリコーン油膜等
を介して装着され、この導波路３の端部に配置されたＡ
Ｅセンサ４により／’ｌが検出される。このＡＥセンサ
４からの信号は増幅器５、検波器６を経てＡＥ信号処理
装置７に至りＡ１三信号として記録される。
酸ガスレーザ（東京芝浦電気株式会社製ＬＡＣ−５５４
（商品名）、定格出力３ｋＷ、ビーム直径４０關、スポ
ット直径０．５ｉｉ）を用い、この炭酸ガスレーザの照
射窓と接合部が対向するよう試料２を配置する。この試
料２は３ｉｓＮ４からなる導波路３にシリコーン油膜等
を介して装着され、この導波路３の端部に配置されたＡ
Ｅセンサ４により／’ｌが検出される。このＡＥセンサ
４からの信号は増幅器５、検波器６を経てＡＥ信号処理
装置７に至りＡ１三信号として記録される。
この実施例において増幅器５は、プリアンプ（’１０
ｄＢ）５ａ 、フィルタ（ｂ Ｏｋｌ＋７． Ａイバス
フィルタ）５ｂ１メインアンプ（５０ｄＢ）５ｃからな
り、ＡＥセンサ４からの信号はプリアンプ５ａ、フィル
タ５ｂ１メインアンプ５Ｃを経て検波器６にに入力され
る。
ｄＢ）５ａ 、フィルタ（ｂ Ｏｋｌ＋７． Ａイバス
フィルタ）５ｂ１メインアンプ（５０ｄＢ）５ｃからな
り、ＡＥセンサ４からの信号はプリアンプ５ａ、フィル
タ５ｂ１メインアンプ５Ｃを経て検波器６にに入力され
る。
また実施例１においてＡ Ｅ （８月処理装置７は、デ
ィスクリミネータ（しきい値０．５Ｖ）７ａ 。
ィスクリミネータ（しきい値０．５Ｖ）７ａ 。
ＡＥカウンタ７ｂ、記録計７０からなり、検波器６を経
て入力された信号はディスクリミネータ７ａでノイズが
除去され、事象パルスに変換され、ＡＥカウンタ７ｂを
経て記録計７０に時間の関数として記録される。この記
録からＡ２発生率（ｄＮ／ｄｔ）を求める。
て入力された信号はディスクリミネータ７ａでノイズが
除去され、事象パルスに変換され、ＡＥカウンタ７ｂを
経て記録計７０に時間の関数として記録される。この記
録からＡ２発生率（ｄＮ／ｄｔ）を求める。
５個の試料２について試料を回転させることにより△Ｔ
〜５００にとなるよう接合部をレーザビームで走査した
。その測定結果をＮｒ １表に示す。
〜５００にとなるよう接合部をレーザビームで走査した
。その測定結果をＮｒ １表に示す。
（以下余白）
表中計測位置１〜８は試料を内周面方向に８等分した領
域を示している。また、へＥ発生数は走査時間内に発生
したＡＥの総数、ｄＮ／ｄｔは連続的にＡＥが発生した
ときに着目して求めた値である。
域を示している。また、へＥ発生数は走査時間内に発生
したＡＥの総数、ｄＮ／ｄｔは連続的にＡＥが発生した
ときに着目して求めた値である。
第１表から明らかなように、試料ＮＯ，１４からはＡＥ
が検出されず亀裂等の内部欠陥、表面近傍の欠陥等のな
いことがｉｌｌ定される。試料Ｎ００２．３．５からは
ＡＥが検出され、従って試料Ｎ Ｏ。
が検出されず亀裂等の内部欠陥、表面近傍の欠陥等のな
いことがｉｌｌ定される。試料Ｎ００２．３．５からは
ＡＥが検出され、従って試料Ｎ Ｏ。
２．３．５のＡ Ｅ検出部には内部欠陥の存在すること
が推定される。
が推定される。
実施例２
１０１ｍＸ３０龍Ｘ ５０ ｉ＋ｍの３ｉ ３Ｎ＜焼結
体を１３００℃で１０時間加熱して酸化処理した後、１
０７８℃でその片面に厚さ０．２關の銅箔を接合させ、
さらに８５０℃のＮ２雰囲気中でＡｇろうを用いてこの
面に２０１１＋１Ｘ３０詐×５０顛のＣｒ−ＭＯ鋼（Ｓ
ＣＭ−４３５１−１）を接合させて試料とした。
体を１３００℃で１０時間加熱して酸化処理した後、１
０７８℃でその片面に厚さ０．２關の銅箔を接合させ、
さらに８５０℃のＮ２雰囲気中でＡｇろうを用いてこの
面に２０１１＋１Ｘ３０詐×５０顛のＣｒ−ＭＯ鋼（Ｓ
ＣＭ−４３５１−１）を接合させて試料とした。
次にこの試料を第１図に示したＡＥ測定装置の熱応力印
加装置１を誘導加熱＠置に代えてＡＥを測定した。試料
をこの誘導加熱装置の誘導コイル内に位置するようにし
、３個の試料についてＣｒ−ＭＯ鋼を１分間で５００℃
まで昇温させＡＥを測定した。その測定結果を第２表に
示す。ＡＥ発生数はこの１分間内に発生したＡＥの総数
、ｄＮ／ｄｔは連続的にＡＥが発生したときに着目して
求めた値である。
加装置１を誘導加熱＠置に代えてＡＥを測定した。試料
をこの誘導加熱装置の誘導コイル内に位置するようにし
、３個の試料についてＣｒ−ＭＯ鋼を１分間で５００℃
まで昇温させＡＥを測定した。その測定結果を第２表に
示す。ＡＥ発生数はこの１分間内に発生したＡＥの総数
、ｄＮ／ｄｔは連続的にＡＥが発生したときに着目して
求めた値である。
第２表から明らかなように、試料Ｎ０１１および試料Ｎ
ｏ、３からはＡＥが検出されず、亀裂等の内部欠陥、表
面近傍の欠陥等のないことが推定される。また試料Ｎｏ
、２からはＡＥが検出され、従って試料Ｎ００２には内
部欠陥の存在することが推定される。
ｏ、３からはＡＥが検出されず、亀裂等の内部欠陥、表
面近傍の欠陥等のないことが推定される。また試料Ｎｏ
、２からはＡＥが検出され、従って試料Ｎ００２には内
部欠陥の存在することが推定される。
このＡＥ発生と亀裂存在との対応なＭｉ認するために試
料Ｎ０８１ないし試料Ｎ０１３の３ｉ ３Ｎｓ部分を２
龍厚に裁断し、この切断面を目視および光学顕微鏡で観
察した。
料Ｎ０８１ないし試料Ｎ０１３の３ｉ ３Ｎｓ部分を２
龍厚に裁断し、この切断面を目視および光学顕微鏡で観
察した。
この結果、八Ｅが発生した試料のみに亀裂が存在し、Ａ
Ｅが発生しなかった試料の接合面には亀裂が存在しない
ことが認められた。
Ｅが発生しなかった試料の接合面には亀裂が存在しない
ことが認められた。
実施例３
第２図に示すように、回転軸８ａの接合部に円錐状の凸
部を形成した直径２０龍の３ｉ ３Ｎ４製ターボチヤー
ジヤロータ８と一端にこの凸部に嵌合する四部を形成し
た同径の円柱状ＳＣＭ製シャフト９とを実施例２ど同一
方法ににり各部材の突部と凹部とを突き合わせて接合し
、金属シャフト付き一体型セラミックスターボチレージ
ャーロータを製造しＣ試料とした。
部を形成した直径２０龍の３ｉ ３Ｎ４製ターボチヤー
ジヤロータ８と一端にこの凸部に嵌合する四部を形成し
た同径の円柱状ＳＣＭ製シャフト９とを実施例２ど同一
方法ににり各部材の突部と凹部とを突き合わせて接合し
、金属シャフト付き一体型セラミックスターボチレージ
ャーロータを製造しＣ試料とした。
次にこの試料を第１図に示したＡＥ測定装置の熱応力印
加装置１を１５０Ｗのタングステンランプに代えてＡＥ
を測定した。試料はこのタングステンランプから２０１
ｍはなして配置し、タングステンランプに９Ａの電流を
通電して試料を昇温させＡＥを測定した。その測定結果
を第３図に示す。
加装置１を１５０Ｗのタングステンランプに代えてＡＥ
を測定した。試料はこのタングステンランプから２０１
ｍはなして配置し、タングステンランプに９Ａの電流を
通電して試料を昇温させＡＥを測定した。その測定結果
を第３図に示す。
同図において、初めの１分間におけるスケールオーバー
は接合部における層間剥離によるものであり、この実施
例からも接合部の欠陥検出にＡＥ検出が有効であること
がわかる。
は接合部における層間剥離によるものであり、この実施
例からも接合部の欠陥検出にＡＥ検出が有効であること
がわかる。
以上水した本発明の実施例では、ＡＥ発生のみを検出対
象としたが、例えば潜在亀裂の形状推定等の必要に応じ
、第４図に示すように、ＡＥｉ幅ソータ１０、波形記録
器１１、周波数分析器１２を接続してＡＥの振幅分布、
ＡＥ波形その周波数分析を行なうこともできる。基本桶
或は第２図に示す実施例と同様とし、プリアンプ５ａか
らの出力をΔＦ振幅ソータ’ｌ０Ａ３よび波形記録器１
１に入力する。さらに波形記録器１１からの出力は周波
数分析器１２に入力される。
象としたが、例えば潜在亀裂の形状推定等の必要に応じ
、第４図に示すように、ＡＥｉ幅ソータ１０、波形記録
器１１、周波数分析器１２を接続してＡＥの振幅分布、
ＡＥ波形その周波数分析を行なうこともできる。基本桶
或は第２図に示す実施例と同様とし、プリアンプ５ａか
らの出力をΔＦ振幅ソータ’ｌ０Ａ３よび波形記録器１
１に入力する。さらに波形記録器１１からの出力は周波
数分析器１２に入力される。
以上のＪ−うに構成される測定系により、先に示したＡ
Ｅ測測定らのＡＥ振幅分布、ＡＥ波形その周波数分析を
行なうことによりセラミックスどうしまたは金属との接
合部の良否の判定の参考に供することができる。
Ｅ測測定らのＡＥ振幅分布、ＡＥ波形その周波数分析を
行なうことによりセラミックスどうしまたは金属との接
合部の良否の判定の参考に供することができる。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば２、セラミックス接
合部に熱応力を用いてＡＥの発生を測定することにより
、最終セラミックス接合体における良否を判定すること
ができるので、セラミックス製品の製品歩留りが向上し
、かつ欠陥品を除去することにより生産性を向上させる
ことができる。
合部に熱応力を用いてＡＥの発生を測定することにより
、最終セラミックス接合体における良否を判定すること
ができるので、セラミックス製品の製品歩留りが向上し
、かつ欠陥品を除去することにより生産性を向上させる
ことができる。
第１図は本発明の詳細な説明ターるためのブロック図、
第２図は本発明の一実施例に用いたターボテ１ｒ−ジ１
フーロータシ１フフトのＷ１面図、第３図はそのＡＥ発
生状態を示すグラフ、第４図は本発明の他の実施例を説
明づ゛るためのブ【コック図である。 １・・・・・・・・・・・・熱応力印加装置２・・・・
・・・・・・・・試 料 ４・・・・・・・・・・・・Ａ Ｅ ｔンサ代理人弁理
士 須 山 佐 − 第１図 第２図
第２図は本発明の一実施例に用いたターボテ１ｒ−ジ１
フーロータシ１フフトのＷ１面図、第３図はそのＡＥ発
生状態を示すグラフ、第４図は本発明の他の実施例を説
明づ゛るためのブ【コック図である。 １・・・・・・・・・・・・熱応力印加装置２・・・・
・・・・・・・・試 料 ４・・・・・・・・・・・・Ａ Ｅ ｔンサ代理人弁理
士 須 山 佐 − 第１図 第２図
Claims (3)
- （１）セラミックス焼結体の接合部またはセラミックス
焼結体と金属部材との接合部を局部的に加熱して該接合
部に熱応力を印加する第１の工程と、前記加熱工程にお
ける前記接合部からの弾性波放出を検出する第２の工程
とを具備づることを特徴とする接合部のセラミックス接
合部の欠陥検査法。 - （２）第１の工程において、セラミックス焼結体の接合
部にレーザビームまたは赤外線、熱線を照射し該照射部
を局部的に加熱して熱応力を印加する特許請求の範囲第
１項記載のセラミックス接合部の欠陥検査法。 - （３）第１の工程において、セラミックス焼結体と金属
部材との接合部に金属部材の誘導加熱により熱応力を印
加する特許請求の範囲第１項記載のセラミックス接合部
の欠陥検査法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096599A JPS59221661A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | セラミツクス接合部の欠陥検査法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096599A JPS59221661A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | セラミツクス接合部の欠陥検査法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59221661A true JPS59221661A (ja) | 1984-12-13 |
| JPH0522867B2 JPH0522867B2 (ja) | 1993-03-30 |
Family
ID=14169341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58096599A Granted JPS59221661A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | セラミツクス接合部の欠陥検査法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59221661A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003066016A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-05 | Toshiba Corp | 構造物欠陥深さ測定方法 |
| RU2494389C1 (ru) * | 2012-04-06 | 2013-09-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный горный университет" (МГГУ) | Способ контроля качества материала образца методом акустической эмиссии |
| RU2775159C1 (ru) * | 2021-11-16 | 2022-06-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Акустико-эмиссионный способ контроля изменения устойчивости обработанного твердеющими веществами грунтового массива |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5547695A (en) * | 1978-09-19 | 1980-04-04 | Takeda Chem Ind Ltd | Pyrazole phosphate, its preparation, and insecticide and miticide |
| JPS5682444A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-06 | Hitachi Ltd | Defect detector in jointed part of zirconium alloy material and dissimilar metal |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP58096599A patent/JPS59221661A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5547695A (en) * | 1978-09-19 | 1980-04-04 | Takeda Chem Ind Ltd | Pyrazole phosphate, its preparation, and insecticide and miticide |
| JPS5682444A (en) * | 1979-12-10 | 1981-07-06 | Hitachi Ltd | Defect detector in jointed part of zirconium alloy material and dissimilar metal |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003066016A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-05 | Toshiba Corp | 構造物欠陥深さ測定方法 |
| RU2494389C1 (ru) * | 2012-04-06 | 2013-09-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный горный университет" (МГГУ) | Способ контроля качества материала образца методом акустической эмиссии |
| RU2775159C1 (ru) * | 2021-11-16 | 2022-06-28 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Акустико-эмиссионный способ контроля изменения устойчивости обработанного твердеющими веществами грунтового массива |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0522867B2 (ja) | 1993-03-30 |
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