JPS59221660A - Ａｅ検出装置 - Google Patents
Ａｅ検出装置Info
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- JPS59221660A JPS59221660A JP58096598A JP9659883A JPS59221660A JP S59221660 A JPS59221660 A JP S59221660A JP 58096598 A JP58096598 A JP 58096598A JP 9659883 A JP9659883 A JP 9659883A JP S59221660 A JPS59221660 A JP S59221660A
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- Japan
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- ceramic
- unsintered
- molded body
- signal
- thermal stress
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- Pending
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N29/00—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object
- G01N29/14—Investigating or analysing materials by the use of ultrasonic, sonic or infrasonic waves; Visualisation of the interior of objects by transmitting ultrasonic or sonic waves through the object using acoustic emission techniques
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明はセラミックス製品のＡＥ検出装置に関する。
［発明の技術的背景とその問題点］
セラミックス製品は高温領域にＪ３ける高張度、高耐蝕
性および軽量である等の利点を有してＪ３す、近年のセ
ラミックス製品技術の発展に伴い各分野において金属製
品と置き換えることが研究されている。
性および軽量である等の利点を有してＪ３す、近年のセ
ラミックス製品技術の発展に伴い各分野において金属製
品と置き換えることが研究されている。
しかしＣ１一般にセラミックスは金属に比較して脆性が
大きく微細な欠陥も破壊の原因となり得るため、セラミ
ックス製品の亀裂等の欠陥、特に破壊の芽となり易い表
面近傍の欠陥を非破壊的に検出する検査方法の確立が望
まれ”Ｃいる。
大きく微細な欠陥も破壊の原因となり得るため、セラミ
ックス製品の亀裂等の欠陥、特に破壊の芽となり易い表
面近傍の欠陥を非破壊的に検出する検査方法の確立が望
まれ”Ｃいる。
金属製品の分野では、このような非破壊検査方法として
超音波パルス法（以下Ｕ゛［法と略す）、アコースティ
ックエミッション法（以下ＡＥ法と略す）等が用いられ
−Ｃいる。
超音波パルス法（以下Ｕ゛［法と略す）、アコースティ
ックエミッション法（以下ＡＥ法と略す）等が用いられ
−Ｃいる。
しかしながら、このような金属製品に用いられている方
法をそのままセラミックス製品の検査に適用することは
、セラミックスと金属の例えば前述した脆性等の基本的
性質が違うため困難である。
法をそのままセラミックス製品の検査に適用することは
、セラミックスと金属の例えば前述した脆性等の基本的
性質が違うため困難である。
例えば金属製品における検査対象とする亀裂寸法は、籠
のオーダで充分であるのに対して、セラミックス製品の
場合には検査対象となる亀裂寸法はこれより微細な範囲
のものまで対象とする必要がある。また対象となるセラ
ミックス製品は根状、円筒状等の単純形状の他に、例え
ばターボチャージャーロータ等の複雑外形の一体成形品
もある。
のオーダで充分であるのに対して、セラミックス製品の
場合には検査対象となる亀裂寸法はこれより微細な範囲
のものまで対象とする必要がある。また対象となるセラ
ミックス製品は根状、円筒状等の単純形状の他に、例え
ばターボチャージャーロータ等の複雑外形の一体成形品
もある。
このような複雑外形の場合、Ｕｌ−法では超音波の入反
射特性が複雑となって、欠陥の検出は非常に困難となり
ＵＴ法の適用は困難であり、またこのように複雑外形に
なると機械的に応力を印加することも困難であり、機械
的応力印加によるＡＥ法の適用も困難となる。
射特性が複雑となって、欠陥の検出は非常に困難となり
ＵＴ法の適用は困難であり、またこのように複雑外形に
なると機械的に応力を印加することも困難であり、機械
的応力印加によるＡＥ法の適用も困難となる。
［発明の目的Ｊ
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、加熱速痘
の著しく高い赤外線集光装置を使用することによりセラ
ミックス焼結体または未焼結セラミックス成形体につい
てのＡＥ法の適用を可能にし、もってセラミックス製品
の微却１な欠陥についても検出を可能としたセラミック
ス製品のＡＥ検出装置を提供することを目的とする。
の著しく高い赤外線集光装置を使用することによりセラ
ミックス焼結体または未焼結セラミックス成形体につい
てのＡＥ法の適用を可能にし、もってセラミックス製品
の微却１な欠陥についても検出を可能としたセラミック
ス製品のＡＥ検出装置を提供することを目的とする。
［発明の概要］
リーなわら本発明のセラミックス製品のＡＥ検出装置は
、セラミックス焼結体または未焼結セラミックス成形体
を赤外線の集光により加熱し表面に急峻な熱勾配を形成
させて熱応力を印加する第１の工程と、前記加熱工程に
おける前記セラミックス焼結体または未焼結セラミック
ス成形体からの弾性波放出を検出する第２の工程とを具
備することを特徴としている。
、セラミックス焼結体または未焼結セラミックス成形体
を赤外線の集光により加熱し表面に急峻な熱勾配を形成
させて熱応力を印加する第１の工程と、前記加熱工程に
おける前記セラミックス焼結体または未焼結セラミック
ス成形体からの弾性波放出を検出する第２の工程とを具
備することを特徴としている。
本発明に使用りる赤外線集光装置は、熱源の背面に凹面
鏡を配置し、任意の空間に焦点を結ばせるようにした装
置で、熱源と凹面鏡の複数組を使用して各凹面鏡の反射
赤外線を空間上の同一位置に集中させることにより短時
間で被加熱体を１０００℃以上の高温まで昇温させるこ
とを可能にした装置である。
鏡を配置し、任意の空間に焦点を結ばせるようにした装
置で、熱源と凹面鏡の複数組を使用して各凹面鏡の反射
赤外線を空間上の同一位置に集中させることにより短時
間で被加熱体を１０００℃以上の高温まで昇温させるこ
とを可能にした装置である。
本発明においては、セラミックス焼結体または最終焼結
前の例えばバインダーを脱脂さ「た脱脂体、仮焼体等に
ついて機械的応力を用いず、赤外線集光装置による急速
加熱によりセラミックス焼結体または未焼結セラミック
ス成形体の表面または一部に熱応力を加え弾性波放出（
ＡＥ）を検出することによりセラミックス製品の良否を
判定覆る。このように急速加熱による熱応力を用いれば
、機械的に外力を加えることが困難な脱脂体あるいは仮
焼体のような未焼結セラミックス成形体についても、さ
らには複雑外形のものについてもＡＥ検出を行なうこと
ができる。
前の例えばバインダーを脱脂さ「た脱脂体、仮焼体等に
ついて機械的応力を用いず、赤外線集光装置による急速
加熱によりセラミックス焼結体または未焼結セラミック
ス成形体の表面または一部に熱応力を加え弾性波放出（
ＡＥ）を検出することによりセラミックス製品の良否を
判定覆る。このように急速加熱による熱応力を用いれば
、機械的に外力を加えることが困難な脱脂体あるいは仮
焼体のような未焼結セラミックス成形体についても、さ
らには複雑外形のものについてもＡＥ検出を行なうこと
ができる。
本発明においては、赤外線集光装置の加熱により熱応力
を加えるセラミックス製品中の破壊の芽となる亀裂の進
展は、この加熱過程において未焼結セラミックス成形体
中に生じる。
を加えるセラミックス製品中の破壊の芽となる亀裂の進
展は、この加熱過程において未焼結セラミックス成形体
中に生じる。
すなわち赤外線集光装置による加熱過程においては、加
熱される表面の温度が急速に高くなるため、セラミック
ス焼結体または未焼結セラミックス成形体内部に引張り
応力が生じ、この引張り応力によって脆性の大ぎいセラ
ミックス焼結体または未焼結セラミックス成形体中に潜
在する亀裂が進展するのである。
熱される表面の温度が急速に高くなるため、セラミック
ス焼結体または未焼結セラミックス成形体内部に引張り
応力が生じ、この引張り応力によって脆性の大ぎいセラ
ミックス焼結体または未焼結セラミックス成形体中に潜
在する亀裂が進展するのである。
なｄ３後述するように温度差６丁は、一般に敬白に以上
必要であるため、冷却では−２７３にと限界があり、所
望の温度差を得ることができない。
必要であるため、冷却では−２７３にと限界があり、所
望の温度差を得ることができない。
このような極低温にすると未焼結Ｌラミックス成形体の
性質が変ってしまうことも考えられかつセラミックス焼
結体または未焼結セラミックス成形体内部に圧縮応力が
かかることになるが、このような圧縮応力では引張り応
力に比べ十分な亀裂の進展が期待できない。
性質が変ってしまうことも考えられかつセラミックス焼
結体または未焼結セラミックス成形体内部に圧縮応力が
かかることになるが、このような圧縮応力では引張り応
力に比べ十分な亀裂の進展が期待できない。
従って冷却によっては亀裂進展により発生するＡＥの測
定が困難である。
定が困難である。
なお耐火物の測定にＡＥ検出を用いることが研究されて
おり、（Ｑｇｎｅｕｐｏｒｙ、 ＮＯ，３，ＰＰ、 ４
７−５０． Ｍａｒｃｈ、 １９８２）このｈ法では一
旦温度を１０００℃程度まで上臂させ、低速度で降温さ
けるとぎに生じるＡＥを検出して耐熱性の検査を行なっ
ている。
おり、（Ｑｇｎｅｕｐｏｒｙ、 ＮＯ，３，ＰＰ、 ４
７−５０． Ｍａｒｃｈ、 １９８２）このｈ法では一
旦温度を１０００℃程度まで上臂させ、低速度で降温さ
けるとぎに生じるＡＥを検出して耐熱性の検査を行なっ
ている。
これに対して本発明において、検出対象としている破壊
の芽となる亀裂の進展は赤外線の集光による急速昇温過
程における引張応力により生じるのであって、この昇温
過程におけるＡＥの発生を検出する。
の芽となる亀裂の進展は赤外線の集光による急速昇温過
程における引張応力により生じるのであって、この昇温
過程におけるＡＥの発生を検出する。
しかし、て本発明においＣは、ＡＥ発生数（Ｎ）および
単位時間当たりのＡＥ発生数（ｄＮ／ｄｔ）を測定対象
とし、その結果から亀裂進展が推定される。しかしなが
らＮは測定時間等にも関係するため、絶対的なｍではな
く、これに対して（ｄＮ／ｄｔ）は亀裂進展を特徴づけ
る欠陥の形状、大きさ等に関係するパラメータとなるの
で、これを用いて後述の如く等価亀裂寸法を求めること
ができる。
単位時間当たりのＡＥ発生数（ｄＮ／ｄｔ）を測定対象
とし、その結果から亀裂進展が推定される。しかしなが
らＮは測定時間等にも関係するため、絶対的なｍではな
く、これに対して（ｄＮ／ｄｔ）は亀裂進展を特徴づけ
る欠陥の形状、大きさ等に関係するパラメータとなるの
で、これを用いて後述の如く等価亀裂寸法を求めること
ができる。
なおＡＥ検出は、通常行なわれるように直接または導波
路を介して未焼結セラミックス成形体に装着したＡ Ｅ
ｔンサを用いて行なうことができる。
路を介して未焼結セラミックス成形体に装着したＡ Ｅ
ｔンサを用いて行なうことができる。
熱応力σ丁の大きさは次式（１）で算出される値【代表
させることができる。
させることができる。
σ丁＝ＫＥ ΔＴ／（１−ν）・・・・・・（１）Ｋ
：熱膨張係数 Ｅ：ヤング率 シ：ボアッソン比 ΔＴ：温度差 またグリフイスモデルの亀裂を想定し、潜在亀裂長を２
８としたときの破壊応力σｆは次式（２）％式％ （２） ： 従って熱応力を印加する際の温度差６丁は、（１）、（
２）式より検出を望む潜在亀裂長２ａに応じて次式（３
）の範囲〇選ぶことが望ましい。
：熱膨張係数 Ｅ：ヤング率 シ：ボアッソン比 ΔＴ：温度差 またグリフイスモデルの亀裂を想定し、潜在亀裂長を２
８としたときの破壊応力σｆは次式（２）％式％ （２） ： 従って熱応力を印加する際の温度差６丁は、（１）、（
２）式より検出を望む潜在亀裂長２ａに応じて次式（３
）の範囲〇選ぶことが望ましい。
ΔＴＪａ２に＋ ｃ （１−ν）／ＹＫＥ・・・・・
・・・・（３） となる。
・・・・（３） となる。
一般にｍ裂成長に伴い、亀裂成長速度に依存するＡＥが
発生ずることは３ｉ ３Ｎ＋等においてもすでに知られ
ている（ト１． １ｗａｓａｋｉ、 Ｍ、 Ｉｚｕｍ
ｉａｎｄ Ｋ、 ０ｈｔａ、”、Ａ、ｃｏｕｓｔ
ｉｃ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｕｒｉｎｇｔｌ）ｃ
ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｃｒａｃｋ ｇｒｏｗ
ｔｈ ｉｎ Ｓｉ ３ Ｎ、 ａｎｄ
Ａぷ２０３ ” 、Ｐｒｏｃ、ｏｆ ｔｉｌｅ ６
ｔｈ Ｉ ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｃｏｕｓｔ
ｉｃ ［ｍ１ｓｓｉｏｎ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ、 ３ｕ
ｓｏｎｏ、Ｊ ａｐａｎ １９８２以下引用文献−１
）。
発生ずることは３ｉ ３Ｎ＋等においてもすでに知られ
ている（ト１． １ｗａｓａｋｉ、 Ｍ、 Ｉｚｕｍ
ｉａｎｄ Ｋ、 ０ｈｔａ、”、Ａ、ｃｏｕｓｔ
ｉｃ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｕｒｉｎｇｔｌ）ｃ
ｐｒｏｃｅｓｓ ｏｆ ｃｒａｃｋ ｇｒｏｗ
ｔｈ ｉｎ Ｓｉ ３ Ｎ、 ａｎｄ
Ａぷ２０３ ” 、Ｐｒｏｃ、ｏｆ ｔｉｌｅ ６
ｔｈ Ｉ ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ａｃｏｕｓｔ
ｉｃ ［ｍ１ｓｓｉｏｎ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ、 ３ｕ
ｓｏｎｏ、Ｊ ａｐａｎ １９８２以下引用文献−１
）。
ＡＥ発生１ ｄＮ／ｄｔ、亀裂成長速度ｖｃ、応力拡大
係数に＋、印加応力σとの間には以下の関係がある。
係数に＋、印加応力σとの間には以下の関係がある。
ｄＮ／ｄｔ−βＶｃ・・・・・・（４）β＝ ｄＮ／ｄ
ｓ−ｄｓ／ｄａ ｄＮ／ｄｓ：単位破面増によるＡＥ発生率ｄｓ／ ｄａ
：亀裂長さａの増加による破面増加率 Ｖｃ＝α（Ｋ＋ ／Ｋｏ ）” −−（５）ＫＯ＝規格
化定数（＝ＩＭＮｍヅ２） Ｋ＋ ＝ＹａＪａ −−（６） α、β、ｎの等の値はＤ ｕｂｌｅ Ｔ ｏｒｓｉｏ
ｎ法等を用いるＡＥ観測から測定された値より求まるも
のであり、共通のＡ Ｅ ｉｌ測条性下では月利定数と
見ることができる。
ｓ−ｄｓ／ｄａ ｄＮ／ｄｓ：単位破面増によるＡＥ発生率ｄｓ／ ｄａ
：亀裂長さａの増加による破面増加率 Ｖｃ＝α（Ｋ＋ ／Ｋｏ ）” −−（５）ＫＯ＝規格
化定数（＝ＩＭＮｍヅ２） Ｋ＋ ＝ＹａＪａ −−（６） α、β、ｎの等の値はＤ ｕｂｌｅ Ｔ ｏｒｓｉｏ
ｎ法等を用いるＡＥ観測から測定された値より求まるも
のであり、共通のＡ Ｅ ｉｌ測条性下では月利定数と
見ることができる。
ｄＮ／ｄｔおよびΔ丁は本検査方法により得られる値で
あり、この値および式（４）、（５）、（６）を用い、
セラミックス製品における欠陥の等価亀裂寸法ａｅを次
式（７）により求めることができる。
あり、この値および式（４）、（５）、（６）を用い、
セラミックス製品における欠陥の等価亀裂寸法ａｅを次
式（７）により求めることができる。
Ｊ２０Ｑ＋ｏ ａｓ ＝ （２／ ２＋ｎ ） （
Ｊ２０（＋＋ｏ （ｄＮ／ｄｔ） ＋１２０（１１０
（（Ｇ （ΔＴ） ） ） ・−−−−・（７）Ｇ （
ΔＴ）＝（１／２πα） （ｄＮ／ｄｓ）−’（ＫＥ
／（１−ν）ｋｏ）″１ ΔＴ−”式（７）により、Ｓ
ｉ ３Ｎ４材で得られている値（引用文献−１参考） α−１，４ｘｌＯ” （ｍ／ｓ ）、ｎ ＝２１、ｄ
Ｎ／ｄｓ＝８．２Ｘ１０’ （ｍ ’ ）を用いたｄ
Ｎ／ｄｔ−ａｅの関係を、Δ丁をパラメータとして第１
図に示す。
Ｊ２０（＋＋ｏ （ｄＮ／ｄｔ） ＋１２０（１１０
（（Ｇ （ΔＴ） ） ） ・−−−−・（７）Ｇ （
ΔＴ）＝（１／２πα） （ｄＮ／ｄｓ）−’（ＫＥ
／（１−ν）ｋｏ）″１ ΔＴ−”式（７）により、Ｓ
ｉ ３Ｎ４材で得られている値（引用文献−１参考） α−１，４ｘｌＯ” （ｍ／ｓ ）、ｎ ＝２１、ｄ
Ｎ／ｄｓ＝８．２Ｘ１０’ （ｍ ’ ）を用いたｄ
Ｎ／ｄｔ−ａｅの関係を、Δ丁をパラメータとして第１
図に示す。
これらの関係式は、例えば脱脂体、仮焼体のような未焼
結セラミックス成形体についてもそのまま適用すること
が可能である。
結セラミックス成形体についてもそのまま適用すること
が可能である。
したがってセラミックス製品にかかる実際の使用下での
応力によるＡＥ発生率と未焼結レラミックス成形体に加
える圧力下での亀裂進展によるＡＥ発生率との相関関係
を予め求めておくことにより未焼結セラミックス成形体
の等価亀裂寸法ａｅからセラミックス製品の良否判定を
行なうことができる。
応力によるＡＥ発生率と未焼結レラミックス成形体に加
える圧力下での亀裂進展によるＡＥ発生率との相関関係
を予め求めておくことにより未焼結セラミックス成形体
の等価亀裂寸法ａｅからセラミックス製品の良否判定を
行なうことができる。
すなわち、加わる応力の下で急速破壊の芽となるセラミ
ックス焼結体または未焼結セラミックス成形体の許容等
価亀裂寸法をａｌとすれば、未焼結セラミックス成形体
のＡＥ発生がないもの、もしくはあったとしてもａｅ
＜ ａｌなる関係を満足するものを良品と判断し、この
条件を満足しないものを不良品と判断するのである。
ックス焼結体または未焼結セラミックス成形体の許容等
価亀裂寸法をａｌとすれば、未焼結セラミックス成形体
のＡＥ発生がないもの、もしくはあったとしてもａｅ
＜ ａｌなる関係を満足するものを良品と判断し、この
条件を満足しないものを不良品と判断するのである。
［発明の実施例コ
以下本発明の実施例につい°Ｃ説明する。
実施例
ポリスチレン系樹脂バインダー１００重缶部当たり４０
０重量部のＳ＋３Ｎ４粉末を均一に混練りした組成物に
より、ターボチャ−ジャ−ロータを射出成形し、これを
Ｎ２雰囲気下で５℃／時間にて５００℃まで加熱昇温し
て脱脂し、ターボヂャージャー日−タの１１；２脂体を
製造した。
０重量部のＳ＋３Ｎ４粉末を均一に混練りした組成物に
より、ターボチャ−ジャ−ロータを射出成形し、これを
Ｎ２雰囲気下で５℃／時間にて５００℃まで加熱昇温し
て脱脂し、ターボヂャージャー日−タの１１；２脂体を
製造した。
次にこのターボテ１フージＶ−ロータの１１（２脂体を
第２図にブロック図で示す非破壊検査装置にセットし、
ＡＥを測定した。
第２図にブロック図で示す非破壊検査装置にセットし、
ＡＥを測定した。
第２図に示ず実施例では、熱応力印加装Ｍ１として赤外
線集光装置を用い、この赤外線集光装置内の焦点に位置
するようにターボテ１１−ジャーロータ２を配置する。
線集光装置を用い、この赤外線集光装置内の焦点に位置
するようにターボテ１１−ジャーロータ２を配置する。
このターボチャージャーロータ２はＳｉ：＋Ｎ＋かうな
る導波路３にシリコーン油膜等を介して装着され、この
導波路３の端部に配置されたＡＥセンザ４によりＡＥが
検出される。
る導波路３にシリコーン油膜等を介して装着され、この
導波路３の端部に配置されたＡＥセンザ４によりＡＥが
検出される。
このＡＥセンザ４からの信号は増幅器５、検波器６を経
てＡ［信号処理装置７に至りＡＥ倍信号して記録される
。
てＡ［信号処理装置７に至りＡＥ倍信号して記録される
。
この実施例にＪ３いて増幅器５は、プリアンプ（４０ｄ
Ｂ）５ａ 、フィルタ（５０ｋ１１７． Ａイパスフィ
ルタ）５ｂ、メインアンプ（５０ｄＢ）５ｃからなり、
ＡＥセンザ４からの信号はプリアンプ５ａ、フィルタ５
ｂ、メインアンプ５Ｇを経て検波器６にに入力される。
Ｂ）５ａ 、フィルタ（５０ｋ１１７． Ａイパスフィ
ルタ）５ｂ、メインアンプ（５０ｄＢ）５ｃからなり、
ＡＥセンザ４からの信号はプリアンプ５ａ、フィルタ５
ｂ、メインアンプ５Ｇを経て検波器６にに入力される。
また実施例においてＡＥ信号処理装置７は、ディスクリ
ミネータ（しきい値０．５Ｖ）７ａ 、ＡＥカウンタ７
ｂ、記録計７０からなり、検波器６を経て入力された信
号はディスクリミネータ７ａでノイズが除去され、事象
パルスに変換され、ＡＥカウンタ７ｂを経て記録ηｔ７
ｃＭ時間の関数として記録される。この記録からへＥ発
′生率（ｄＮ／ｄむ）を求める。
ミネータ（しきい値０．５Ｖ）７ａ 、ＡＥカウンタ７
ｂ、記録計７０からなり、検波器６を経て入力された信
号はディスクリミネータ７ａでノイズが除去され、事象
パルスに変換され、ＡＥカウンタ７ｂを経て記録ηｔ７
ｃＭ時間の関数として記録される。この記録からへＥ発
′生率（ｄＮ／ｄむ）を求める。
３個のターボテ１１−シレーロータ２についてΔＴ〜５
００Ｋｆ設定し、その測定結果を次表に示す。加熱は３
分間にわたって行ない、ＡＥ発生数はこの３分間内に発
生したＡＥの総数、ｄＮ ／ｄｉは連続的にＡＥが発生
したどきに着目して求めた値である。
００Ｋｆ設定し、その測定結果を次表に示す。加熱は３
分間にわたって行ない、ＡＥ発生数はこの３分間内に発
生したＡＥの総数、ｄＮ ／ｄｉは連続的にＡＥが発生
したどきに着目して求めた値である。
上表から明らかなように、試料３からは八Ｆが検出され
ず、亀裂等の内部欠陥、表面近傍の欠陥等のないことが
推定される。また試料１および試料２からはＡＥが検出
され、従って試料１および試料２には内部欠陥の存在す
ることが推定される。
ず、亀裂等の内部欠陥、表面近傍の欠陥等のないことが
推定される。また試料１および試料２からはＡＥが検出
され、従って試料１および試料２には内部欠陥の存在す
ることが推定される。
このＡＥ発生と亀裂存在との対応を確認するために試料
コないし試料３を切断し、この切断面を目視および光学
顕微鏡で観察した。
コないし試料３を切断し、この切断面を目視および光学
顕微鏡で観察した。
この結果、ＡＥが発生した試料のみに亀裂が存在し、Ａ
Ｅが発生しなかった領域には亀裂が存在しないことが認
められた。
Ｅが発生しなかった領域には亀裂が存在しないことが認
められた。
以上水した本発明の実施例では、ＡＥ発生のみを検出対
象としたが、例えば潜在亀裂の形状推定等の必要に応じ
、第３図に示すように、ＡＥ振幅ソータ８、波形記録器
９、周波数分析器１０を接続してＡＥの振幅分布、ＡＥ
波形その周波数分析を行なうこともできる。基本構成は
第２図に示す実施例と同様とし、プリアンプ５ａからの
出力をＡＥ振幅ソータ８および波形記録器９に入力する
。
象としたが、例えば潜在亀裂の形状推定等の必要に応じ
、第３図に示すように、ＡＥ振幅ソータ８、波形記録器
９、周波数分析器１０を接続してＡＥの振幅分布、ＡＥ
波形その周波数分析を行なうこともできる。基本構成は
第２図に示す実施例と同様とし、プリアンプ５ａからの
出力をＡＥ振幅ソータ８および波形記録器９に入力する
。
さらに波形記録器９からの出力は周波数分析器１０に入
ノＪされる。
ノＪされる。
以上のように構成される測定系により、先に示したＡＥ
測測定らＡＥ振幅分布、ＡＥ波形その周波数分析を行な
うことによりセラミックス焼結体または未焼結セラミッ
クス成形体の良否の判定の参考に供することができる。
測測定らＡＥ振幅分布、ＡＥ波形その周波数分析を行な
うことによりセラミックス焼結体または未焼結セラミッ
クス成形体の良否の判定の参考に供することができる。
Ｌ発明の効果コ
以上説明したように本発明によれば、赤外線集光装置の
加熱による熱応力を用いてＡＥ発生・を測定することに
より、良否を判定することができるので、セラミックス
製品の信頼性を向上させることができる。
加熱による熱応力を用いてＡＥ発生・を測定することに
より、良否を判定することができるので、セラミックス
製品の信頼性を向上させることができる。
第１図はａｅ （ｄＮ／ｄｔ）曲線図、第２図は本
発明の詳細な説明するだめのブロック図、第３図は本発
明の他の実施例を説明するためのブロック図である。 １・・・・・・・・・・・・熱応力印加装置２・・・・
・・・・・・・・ターボテ１１−ジャーロータ４・・・
・・・・・・・・・ＡＥセンサ代理人弁理士 須
山 佐 − 第 １１Ａ ｄＮ／／ｄｔ ＜５ｅｃ−’ ） 第２図 １ト
発明の詳細な説明するだめのブロック図、第３図は本発
明の他の実施例を説明するためのブロック図である。 １・・・・・・・・・・・・熱応力印加装置２・・・・
・・・・・・・・ターボテ１１−ジャーロータ４・・・
・・・・・・・・・ＡＥセンサ代理人弁理士 須
山 佐 − 第 １１Ａ ｄＮ／／ｄｔ ＜５ｅｃ−’ ） 第２図 １ト
Claims (3)
- （１）セラミックス焼結体または未焼結セラミックス成
形体の表面またはその一部を赤外線の集光により加熱し
て熱応力を印加する第１の工程と、前記加熱工程におけ
る前記セラミックス焼結体または未焼結セラミックス成
形体からの弾性波放出を検出するｄｘ ２の工程とを具
備ツることを特徴とするセラミックス製品のＡＥ検出装
置。 - （２）未焼結セラミックス成形体はＪ］５２脂体Ｃある
特許請求の範囲第１項記載のセラミックス製品のＡＥ検
出装置。 - （３）未焼結ヒラミックス成形体は仮焼体である特許請
求の範囲第１項記載のセラミックス製品のＡＥ検出装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096598A JPS59221660A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | Ａｅ検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58096598A JPS59221660A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | Ａｅ検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59221660A true JPS59221660A (ja) | 1984-12-13 |
Family
ID=14169317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58096598A Pending JPS59221660A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | Ａｅ検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59221660A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015215978A (ja) * | 2014-05-08 | 2015-12-03 | 大阪瓦斯株式会社 | 固体酸化物形燃料電池、及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4988742A (ja) * | 1972-12-26 | 1974-08-24 | ||
| JPS5547695A (en) * | 1978-09-19 | 1980-04-04 | Takeda Chem Ind Ltd | Pyrazole phosphate, its preparation, and insecticide and miticide |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP58096598A patent/JPS59221660A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4988742A (ja) * | 1972-12-26 | 1974-08-24 | ||
| JPS5547695A (en) * | 1978-09-19 | 1980-04-04 | Takeda Chem Ind Ltd | Pyrazole phosphate, its preparation, and insecticide and miticide |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015215978A (ja) * | 2014-05-08 | 2015-12-03 | 大阪瓦斯株式会社 | 固体酸化物形燃料電池、及びその製造方法 |
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