JPS59215035A - 光メモリ媒体 - Google Patents
光メモリ媒体Info
- Publication number
- JPS59215035A JPS59215035A JP58087628A JP8762883A JPS59215035A JP S59215035 A JPS59215035 A JP S59215035A JP 58087628 A JP58087628 A JP 58087628A JP 8762883 A JP8762883 A JP 8762883A JP S59215035 A JPS59215035 A JP S59215035A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- distribution
- information recording
- recording layer
- refractive index
- track
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0045—Recording
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光メモリ媒体において、その面振れによる不都
合を解消してディスク回転数金高めると共にメモリ装置
の簡略化を達成した高精度の光メモリ媒体に関する。
合を解消してディスク回転数金高めると共にメモリ装置
の簡略化を達成した高精度の光メモリ媒体に関する。
光メモリ媒体およびそのメモリ装置は従来、第１図に示
す構造のものが知られている。即ちガラス、もしくはプ
ラスチックから成るディスク状基体１の上に例えはＴｏ
もしくはＴｅを含む合金から成る情報記録層２が形成さ
れ光デイスク媒体３が構成される。またこのディスク媒
体３に情報を記録し、再生するメモリ装置は光源１１（
多くは半導体レーザ）およびその駆動電源９、コリメー
タレンズ１２、偏光ビームスプリッタ−１３、磁波長板
１４、集光レンズ１５、光検出器用集光レン−ｅ１６、
ナイフェツジ１７．４分割光検出器１８、およびディス
ク回転装置１９より構成されている。上記構成において
ディスク媒体３を回転装置１９に装着し回転せしめると
情報記録層２は上下動しく以下面振れと称す）、その値
は多くは±１００μｍ程度である。このため、集光レン
ズ１５によシ集光されたビームの焦点位置１０が常に情
報記録層２を照射するよう、面振れに追従して集光レン
ズ１６が上下動するような自動焦点機構が線用されてい
る。この自動焦点機構は、集光レンズ、集光レンズを吊
るスプリング駆動電磁石から構成されておシ、追従周波
数限界は集光レンズの重量”、スプリングの性能（形状
、弾性定数など）により決定され、現状では周波数限界
は１００ ：Ｅ（ｚ以下である。従って面振れ周波数と
して３倍の高調波まで考慮すると、ディスク媒体の回転
数としては１８００ ｒｐｍ程度、データ転送速度とし
ては約１０ ＭＨｚ程度が限界とされている。ところが
ディジタルメモリとしては２０ ＭＨｚ以上の転送速度
が望まれておシ、従来の自動焦点機構を用いている光デ
イスクメモリ媒体、およびそのメモリ装置では、転送速
度を大幅に向上させるのは非常に困難である。
す構造のものが知られている。即ちガラス、もしくはプ
ラスチックから成るディスク状基体１の上に例えはＴｏ
もしくはＴｅを含む合金から成る情報記録層２が形成さ
れ光デイスク媒体３が構成される。またこのディスク媒
体３に情報を記録し、再生するメモリ装置は光源１１（
多くは半導体レーザ）およびその駆動電源９、コリメー
タレンズ１２、偏光ビームスプリッタ−１３、磁波長板
１４、集光レンズ１５、光検出器用集光レン−ｅ１６、
ナイフェツジ１７．４分割光検出器１８、およびディス
ク回転装置１９より構成されている。上記構成において
ディスク媒体３を回転装置１９に装着し回転せしめると
情報記録層２は上下動しく以下面振れと称す）、その値
は多くは±１００μｍ程度である。このため、集光レン
ズ１５によシ集光されたビームの焦点位置１０が常に情
報記録層２を照射するよう、面振れに追従して集光レン
ズ１６が上下動するような自動焦点機構が線用されてい
る。この自動焦点機構は、集光レンズ、集光レンズを吊
るスプリング駆動電磁石から構成されておシ、追従周波
数限界は集光レンズの重量”、スプリングの性能（形状
、弾性定数など）により決定され、現状では周波数限界
は１００ ：Ｅ（ｚ以下である。従って面振れ周波数と
して３倍の高調波まで考慮すると、ディスク媒体の回転
数としては１８００ ｒｐｍ程度、データ転送速度とし
ては約１０ ＭＨｚ程度が限界とされている。ところが
ディジタルメモリとしては２０ ＭＨｚ以上の転送速度
が望まれておシ、従来の自動焦点機構を用いている光デ
イスクメモリ媒体、およびそのメモリ装置では、転送速
度を大幅に向上させるのは非常に困難である。
本発明は上記技術背景下において、光ディスクの面振れ
による不都合を解消してディスク回転数を高めると共に
メモリ装置の簡略化を達成したものであり、その構成は
、透明基体の一方の面に所定の屈折率分布を有するトラ
ック形成層が設けられると共に、該透明基体の他方の面
に情報記録層が設けられることを特徴とする。
による不都合を解消してディスク回転数を高めると共に
メモリ装置の簡略化を達成したものであり、その構成は
、透明基体の一方の面に所定の屈折率分布を有するトラ
ック形成層が設けられると共に、該透明基体の他方の面
に情報記録層が設けられることを特徴とする。
以下に本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。第２
図に本発明に係る光メモリ媒体の断面構造を示す。基体
２１はガラス、プラスチック等の材質からなる透明基体
であり円板状をなしている。該基体２１の一方の面、例
えば下面に所定の屈折率分布を有するトラック２４の形
成されたトラック形成層２２が設けられている。
図に本発明に係る光メモリ媒体の断面構造を示す。基体
２１はガラス、プラスチック等の材質からなる透明基体
であり円板状をなしている。該基体２１の一方の面、例
えば下面に所定の屈折率分布を有するトラック２４の形
成されたトラック形成層２２が設けられている。
また該基体２１の上面には情報記録層２３が形成されて
いる。ここで上記トラック２４の屈折率分布はガウス型
あるいは自乗分布に近い分布型であｐ１平行ビーム２６
を情報記録層２３に照射する際、上記屈折率分布による
レンズ効果によシ平行ビーム２６は面振れがあっても情
報記録層２３に集光される。
いる。ここで上記トラック２４の屈折率分布はガウス型
あるいは自乗分布に近い分布型であｐ１平行ビーム２６
を情報記録層２３に照射する際、上記屈折率分布による
レンズ効果によシ平行ビーム２６は面振れがあっても情
報記録層２３に集光される。
次に実施例によシ上記光メモリ媒体の具体的な製造手順
とその再生について説明する。
とその再生について説明する。
基体２１紘直径３０画のガラス円板でｓｂ、その厚みは
１．５ｍとした。このガラス円板の一つの面に厚さ２μ
ｍのＡｓｎｏＳｅ＋ｏＳ＋ｏＧｅ１ｏ 薄膜を高周波
スパッタリング法によ多積層してトラック形成層２２を
形成した。このＡｓ４゜５ｅ１ｏＳ４ｏＧｅ、ｏ薄膜は
吸収端（約５０００人）付近の光を照射すると構造変化
を生じ、それに伴って屈折率が増大することが知られて
おシ、その詳細は例えばＡｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓ
１８巻３号３９３頁（１９７９）に記載されている。
１．５ｍとした。このガラス円板の一つの面に厚さ２μ
ｍのＡｓｎｏＳｅ＋ｏＳ＋ｏＧｅ１ｏ 薄膜を高周波
スパッタリング法によ多積層してトラック形成層２２を
形成した。このＡｓ４゜５ｅ１ｏＳ４ｏＧｅ、ｏ薄膜は
吸収端（約５０００人）付近の光を照射すると構造変化
を生じ、それに伴って屈折率が増大することが知られて
おシ、その詳細は例えばＡｐｐｌｉｅｄ ０ｐｔｉｃｓ
１８巻３号３９３頁（１９７９）に記載されている。
尚赤外光（７ｏｏｏＸ以上）には全く感光されない。以
上の性質を利用し、前記基体２１上にトラック形成層２
２が積層された円板を回転装置に装着し、約１．５μ径
に集束されたアルゴンイオンレーザ（波長：４８８０人
）を照射しながら回転装置を直線運動させると、スフ９
イラル状のトラック２４が形成される。
上の性質を利用し、前記基体２１上にトラック形成層２
２が積層された円板を回転装置に装着し、約１．５μ径
に集束されたアルゴンイオンレーザ（波長：４８８０人
）を照射しながら回転装置を直線運動させると、スフ９
イラル状のトラック２４が形成される。
ところでレンズで集束された光の強度分布は一般にガウ
ス型分布を有しておシ、前記の方法で形成したトラック
も第３図に示すようにガウス型の屈折率分布を示すこと
になる。次に基体２１のトラック形成層を形成した面と
反対側の面に情報記録層２３として真空蒸着法によ１１
Ａｓ１ＯＴ’ｅＱＧを形成し本発明の光メモリ媒体、
Ｅ製造した。尚以上示したガウス型の屈折率分布を有す
るトラック形成法の他に、トラックを形成する際、集光
レンズに円形の開口スリットを重ねガウス分布の裾を遮
光することによ９自乗分布に近い屈折率分布のトラック
２４を形成することができた。
ス型分布を有しておシ、前記の方法で形成したトラック
も第３図に示すようにガウス型の屈折率分布を示すこと
になる。次に基体２１のトラック形成層を形成した面と
反対側の面に情報記録層２３として真空蒸着法によ１１
Ａｓ１ＯＴ’ｅＱＧを形成し本発明の光メモリ媒体、
Ｅ製造した。尚以上示したガウス型の屈折率分布を有す
るトラック形成法の他に、トラックを形成する際、集光
レンズに円形の開口スリットを重ねガウス分布の裾を遮
光することによ９自乗分布に近い屈折率分布のトラック
２４を形成することができた。
次に、半導体レーザ（波長： ５３ｏｏＡ、出力＠ １
５ ｍＷ ） ｆ コ！ｊ メータレンズ、リレーレン
ズ系（図中省略）によシ約５μｍ径の平行ビーム２６と
し、回転装置に装着した本発明の光メモリ媒体のトラッ
ク２４を照射した。回転数は３６００ ｒｐｍとした。
５ ｍＷ ） ｆ コ！ｊ メータレンズ、リレーレン
ズ系（図中省略）によシ約５μｍ径の平行ビーム２６と
し、回転装置に装着した本発明の光メモリ媒体のトラッ
ク２４を照射した。回転数は３６００ ｒｐｍとした。
ディスク状の光メモリ媒体の面振れ線約１５０μｍであ
ったが、トラックかがウス分布、もしくは自乗分布の屈
折率を有するため、そのレンズ効果によ９面振れがあっ
ても平行ビーム２６は情報記録層２３に集光され、約２
μｍ径のビット列２５を形成でき、２５ Ｍｂｉｔ／ａ
の情報を記録できた。半導体レーザの出力を５ ｍＷと
し記録した情報を再生したところ、 ２５ Ｍｂｉｔ／
ａの信号のエンベロープはほぼ平坦であシ、平行ビーム
２６は面振れが１５０μｍあっても、情報記録層２３で
均一に集光されていることが確認できた。
ったが、トラックかがウス分布、もしくは自乗分布の屈
折率を有するため、そのレンズ効果によ９面振れがあっ
ても平行ビーム２６は情報記録層２３に集光され、約２
μｍ径のビット列２５を形成でき、２５ Ｍｂｉｔ／ａ
の情報を記録できた。半導体レーザの出力を５ ｍＷと
し記録した情報を再生したところ、 ２５ Ｍｂｉｔ／
ａの信号のエンベロープはほぼ平坦であシ、平行ビーム
２６は面振れが１５０μｍあっても、情報記録層２３で
均一に集光されていることが確認できた。
以上説明したように本発明の光メモリ媒体は、基体の一
つの面に、すなわち平行な記録再生レーザビームを照射
する側の面にレンズ作用を有するトラックが形成され、
その集光点が常に情報記録層にあるため、メモリ媒体が
上下動しても情報記録層に情報を高精度に記録し、さら
に再生できる。したがって従来用いられている自動焦点
機構を必要としないため、ディスク回転数を著しく増す
ことができ、それに伴ない情報の転送速度を大幅に向上
することができる利点がある。さらに本発明のメモリ媒
体を用いることによυメモリ装置を簡易化でき、廉価化
、信頼性の向上を図ることが可能になるという種々の利
点がある。
つの面に、すなわち平行な記録再生レーザビームを照射
する側の面にレンズ作用を有するトラックが形成され、
その集光点が常に情報記録層にあるため、メモリ媒体が
上下動しても情報記録層に情報を高精度に記録し、さら
に再生できる。したがって従来用いられている自動焦点
機構を必要としないため、ディスク回転数を著しく増す
ことができ、それに伴ない情報の転送速度を大幅に向上
することができる利点がある。さらに本発明のメモリ媒
体を用いることによυメモリ装置を簡易化でき、廉価化
、信頼性の向上を図ることが可能になるという種々の利
点がある。
第１図は従来の光メモリ媒体およびメモリ装置の構成図
、第２図は本発明の光メモリ媒体の概略断面図、第３図
は本発明に係る光メモリ媒体のトラック形成層の屈折率
分布を示す説明図。 図中、 １は基体 ２は情報記録層 ３は光デイスク媒体 ９は駆動電源 １０は集光ビームの焦点位置 １１は光源 １２はコリメータレンズ １３は偏光ビームスノリツタ １４は磁波長板 １５は集光レンズ １６は光検出器用集光レンズ １７はナイフェツゾ １８は４分割光検出器 １９はディスク回転装置 ２１は基体 ２２はトラック形成層 ２３は情報記録層 ２４はトラック ２５はビット列 ２６は平行ビームである。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 元方 土部（他１名）ｒ＾Ｎ１
、第２図は本発明の光メモリ媒体の概略断面図、第３図
は本発明に係る光メモリ媒体のトラック形成層の屈折率
分布を示す説明図。 図中、 １は基体 ２は情報記録層 ３は光デイスク媒体 ９は駆動電源 １０は集光ビームの焦点位置 １１は光源 １２はコリメータレンズ １３は偏光ビームスノリツタ １４は磁波長板 １５は集光レンズ １６は光検出器用集光レンズ １７はナイフェツゾ １８は４分割光検出器 １９はディスク回転装置 ２１は基体 ２２はトラック形成層 ２３は情報記録層 ２４はトラック ２５はビット列 ２６は平行ビームである。 特許出願人 日本電信電話公社 代理人弁理士 元方 土部（他１名）ｒ＾Ｎ１
Claims (1)
- 透明基体の一方の面に所定の屈折率分布を有するトラッ
ク形成層が設けられると共に、該透明基体の他方の面に
情報記録層が設けられることを特命とする光メモリ媒体
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58087628A JPS59215035A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 光メモリ媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58087628A JPS59215035A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 光メモリ媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215035A true JPS59215035A (ja) | 1984-12-04 |
Family
ID=13920237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58087628A Pending JPS59215035A (ja) | 1983-05-20 | 1983-05-20 | 光メモリ媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215035A (ja) |
-
1983
- 1983-05-20 JP JP58087628A patent/JPS59215035A/ja active Pending
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