JPS59212026A - Oscillation circuit for proximity switch - Google Patents

Oscillation circuit for proximity switch

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JPS59212026A
JPS59212026A JP8727283A JP8727283A JPS59212026A JP S59212026 A JPS59212026 A JP S59212026A JP 8727283 A JP8727283 A JP 8727283A JP 8727283 A JP8727283 A JP 8727283A JP S59212026 A JPS59212026 A JP S59212026A
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transistor
circuit
temperature
current
resistor
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JP8727283A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisatoshi Nodera
野寺 久敏
Kenji Ueda
建治 上田
Hiroyuki Yamazaki
博行 山崎
Iichi Hirao
平尾 猪一
Akimitsu Kosugi
小杉 昭光
Fumio Kamiya
神谷 文男
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Omron Corp
Original Assignee
Tateisi Electronics Co
Omron Tateisi Electronics Co
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/94Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the way in which the control signals are generated
    • H03K17/945Proximity switches
    • H03K17/95Proximity switches using a magnetic detector
    • H03K17/952Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils
    • H03K17/9537Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit
    • H03K17/9542Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator
    • H03K17/9547Proximity switches using a magnetic detector using inductive coils in a resonant circuit forming part of an oscillator with variable amplitude

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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

PURPOSE:To perform temperature compensation at a specific rate of currents flowing through a couple of transistors (TR) regardless of the sensitivity adjustment resistance value of an oscillation circuit by providing a temperature compensating resistance which varies said current ratio according to temperature. CONSTITUTION:The proximity switch consists of a sensor 1, oscillation circuit 4, detecting circuit 5, level discriminating circuit 6, output circuit 7, and constant-voltage circuit 8, and TRs 2 and 3 of the oscillation circuit 4 constitute a current mirror circuit. The emitter of the TR2 is connected to the output of the constant-voltage circuit 8 through a resistance R2, and the emitter of the TR3 is connected through a resistance R3 and a temperature compensating resistance (e.g. linear positive temperature coefficient resistance) RT1 having a positive temperature coefficient, so the temperature compensation is carried out at the specific rate regardless of the sensitivity adjustment resistance value R1+VR1.

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)発明の分野 この発明は、物体検出等に使用される近接スイッチの発
振回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (a) Field of the Invention The present invention relates to an oscillation circuit for a proximity switch used for object detection and the like.

ρ)発明の背景 近接スイッチには、検出コイルを含む発振回路を備え9
通常はこの発振回路を発振させておき。
ρ) Background of the Invention A proximity switch includes an oscillation circuit including a detection coil 9
Normally, this oscillation circuit is left in oscillation.

物体が検出コイルに所定距離以上近接すると9発振回路
のコンダクタンスが変化し1発振振幅が減少したりある
いは停止するようにし、この発振振幅減少あるいは発振
停止をレベル弁別により抽出し、これによシ物体の近接
を検出する原理のものがある。この稲の近接スイッチの
発振回路は、温度変化により回路の諸定数が変化し、し
たがってコンダクタンスも変化するので、温度によって
検出精度も変化する。それゆえに9発振回路に温度補償
を行なう必要がある。この温度補償は、従来の典形的な
近接スイッチのように検出コイルと発振回路が一体的に
形成されているものにおいては。
When an object approaches the detection coil for a predetermined distance or more, the conductance of the 9 oscillation circuit changes so that the amplitude of one oscillation decreases or stops, and this decrease in oscillation amplitude or stoppage of oscillation is extracted by level discrimination. There is one based on the principle of detecting the proximity of. In the oscillation circuit of this rice proximity switch, the various constants of the circuit change due to temperature changes, and therefore the conductance also changes, so the detection accuracy also changes depending on the temperature. Therefore, it is necessary to perform temperature compensation on the 9 oscillation circuit. This temperature compensation is not possible in conventional proximity switches where the detection coil and oscillation circuit are integrally formed.

発振回路に設けられる感度調整抵抗に、直列に温度補償
抵抗を接続すればよい。いったん感度が固定されると、
温度変化に対する感度の変化分を温度補償抵抗で逆変化
させて補償すればよい。
A temperature compensation resistor may be connected in series with the sensitivity adjustment resistor provided in the oscillation circuit. Once the sensitivity is fixed,
It is sufficient to compensate for the change in sensitivity to temperature change by inversely changing it using a temperature compensation resistor.

しかしながら、近年開発されつつある検出コイルを含む
センサ部と発振回路の主要部を含む回路部が分離して構
成され1両者間をケーブルで接続するいわゆるアンプ分
離形の近接スイッチでは。
However, in the so-called amplifier-separated type proximity switch that has been developed in recent years, the sensor section including the detection coil and the circuit section including the main part of the oscillation circuit are configured separately and the two are connected by a cable.

感度調整抵抗に、温度補償抵抗を直列接続する方法では
、以下の理由により適正な温度補償を行なうことができ
ない。アンプ分離形の近接スイッチでは、目的に応じ、
各種のセンサが回路部に対し。
In the method of connecting a temperature compensation resistor in series with a sensitivity adjustment resistor, proper temperature compensation cannot be performed for the following reasons. With amplifier-separated proximity switches, depending on the purpose,
Various sensors are attached to the circuit section.

取換え接続されるが、異なるセンサが接続されるとセン
サ内の検出コイルのコンダクタンスも異なるものとなり
、しだがって異なるセンサの接続に対応して2回路部発
掘回路の感度調整抵抗で感度調整が行なわれる。このT
コめ接続されるセンサ毎に感度調整抵抗の抵抗値が異な
るものとてれるの1′、温度補償抵抗を感度調整抵抗回
路に接続しても、感度に対する温度補償抵抗の補償が区
々となり、−率的な補償ができない。
They are connected interchangeably, but if a different sensor is connected, the conductance of the detection coil inside the sensor will also be different, so the sensitivity must be adjusted using the sensitivity adjustment resistor in the excavation circuit of the 2nd circuit section in response to the connection of different sensors. will be carried out. This T
Since the resistance value of the sensitivity adjustment resistor is different for each sensor connected, even if a temperature compensation resistor is connected to the sensitivity adjustment resistor circuit, the compensation of the temperature compensation resistor for the sensitivity will vary. - It is not possible to provide reasonable compensation.

(ハ)発明の目的 この発明の目的は、上記に鑑み、検出コイルのコンダク
タンスがどんな値のものであってモ、シたがって発振回
路の感度調整抵抗値がいかなる値であっても、一定の比
率で温度補償がなされる近接スイッチの発振回路を提供
するにある。
(c) Purpose of the Invention In view of the above, the purpose of the present invention is to maintain a constant value, regardless of the value of the conductance of the detection coil, and therefore, regardless of the value of the sensitivity adjustment resistance of the oscillation circuit. An object of the present invention is to provide an oscillation circuit for a proximity switch that is temperature compensated by the ratio.

に)発明の構成と効果 上記目的を達成する1こめに、この発明の近接スイッチ
の発振回路は、市、流ミラー回路を用い1こ発振回路す
なわちエミッタホロワ接続された第1のトランジスタと
、第2と第6のトランジスタを含み、第2のトランジス
タが前記第1のトランジスタに直列接続され、第3のト
ランジスタが前記第1のトランジスタの出力電流を帰還
する電流ミラー回路と、前記第3のトランジスタによる
帰還電流が与えられる検出コイルとコンデンサからなる
並列共振回路と、前記第1のトランジスタのベース電流
を供給するTコめの回路とを含む発振回路にυいて、電
流ミラー回路に、前記第2と第6のトランジスタに流れ
る電流比率を温度によって変化きせる温度補償抵抗を設
けるようにしている。
B) Structure and Effect of the Invention To achieve the above objects, the oscillation circuit of the proximity switch of the present invention uses a current mirror circuit, that is, a first transistor connected as an emitter follower, and a second transistor connected as an emitter follower. and a current mirror circuit including a sixth transistor, the second transistor is connected in series with the first transistor, and a third transistor feeds back the output current of the first transistor; A current mirror circuit is connected to an oscillation circuit including a parallel resonant circuit consisting of a detection coil and a capacitor to which a feedback current is applied, and a T-column circuit that supplies a base current of the first transistor. A temperature compensating resistor is provided to change the ratio of current flowing through the sixth transistor depending on the temperature.

この発明の近接スイッチの発振回路によれば。According to the oscillation circuit of the proximity switch of this invention.

発振向ll!1!1を構成する電流ミラー(ロ)陥に温
度補償抵抗を設け、温度変化によって回路のゲインが変
化すると、この変化を打消すように温度補償抵抗の抵抗
値が変化し、電流ミラー回路の1対のトランジスタを流
れる電流の比率すなわち市、光帰還比率を変化するもの
であるから、たとえ検出コイルにいかなるものを接続し
感度調整抵抗をとのような値に設定しようとも、−率的
な温度補償をなすことができる。
Oscillation direction ll! A temperature compensation resistor is provided in the current mirror (b) constituting 1!1, and when the gain of the circuit changes due to temperature change, the resistance value of the temperature compensation resistor changes to cancel this change, and the current mirror circuit Since it changes the ratio of current flowing through a pair of transistors, that is, the optical feedback ratio, no matter what is connected to the detection coil and the sensitivity adjustment resistor is set to a value such as Temperature compensation can be made.

(ホ)実施例の説明 以下9図面に示す実施例により、この発明ケさらに詳細
に11明する。
(e) Description of Embodiments The present invention will be explained in further detail with reference to embodiments shown in the following nine drawings.

第1図は、この発明の1実施例を示す近接スイッチの回
路図である。同図に示す近接スイッチは検出コイルLを
内蔵するセンサ1と、このセンサ1がケーブル2により
接続される回路部3とから構成されている。すなわちこ
の近接スイッチは。
FIG. 1 is a circuit diagram of a proximity switch showing one embodiment of the present invention. The proximity switch shown in the figure is composed of a sensor 1 containing a detection coil L, and a circuit section 3 to which the sensor 1 is connected via a cable 2. In other words, this proximity switch.

センサ1と回路部5が分離構成されるいわゆるアンプ分
離形のものである。回路部6は9発振回路4、発振回路
4の発振出力を受けて検波する検波回路5.検波回路5
の出力を受けて基準信号レベルと比較するレベル弁別回
路6.このレベル弁別回路6の出力を受けて物体近接の
有無を示すオン・オフ信号を出力する出力回路7及び各
回路に一定の電源修正を供給する定電圧回路8から構成
されている。なお9は電源供給端、10は出力端。
This is a so-called amplifier separated type in which the sensor 1 and the circuit section 5 are configured separately. The circuit section 6 includes 9 oscillation circuits 4 and a detection circuit 5 that receives the oscillation output of the oscillation circuit 4 and detects the wave. Detection circuit 5
Level discrimination circuit receives the output of and compares it with a reference signal level 6. It is comprised of an output circuit 7 which receives the output of the level discrimination circuit 6 and outputs an on/off signal indicating the presence or absence of an object in the vicinity, and a constant voltage circuit 8 which supplies a constant power supply correction to each circuit. Note that 9 is the power supply end, and 10 is the output end.

11はコモン端である。上記しTコ基本構成は、この実
施例特有のものではなく、高周波発振形の近接スイッチ
として公知のものである。この出願の発明は発振回路に
関するものであり、こ\に示した実施例近接スイッチの
特徴部分発振回路4にあるので、さらに発振回路4の内
部回路接続について説、明する。発振回路4は、コンデ
ンサCとケーブル2を介して接続でれる検出コイルLか
ら々る共振回路を含fJ−電流帰還形の発振回路である
。この発振回路4のトランジスタTR1(第1のトラン
ジスタ)はエミッタが抵抗)tl、感度調整ボリュムV
li1.>介してコモン端11に接続キれ、すなわちエ
ミッタホロワ接続烙れてンリ、11こトランジスタTl
t1のコレクタは、1対のトランジスpT 142 、
 T R3(第2.第5のトランジスタ)の共通接続さ
IるベースとトランジスタT It 2のコレクタに接
続これている。トランジスタ’ra2゜1゛R3は電流
ミラー1陥を構成し、トランジスタTR7のエミッタは
抵抗R2を介して、壕TこトランジスタT I(、3の
エミッタは抵抗器6と正の温度係数を持つ温度補償抵抗
(1ことえばりニア正温度係数抵抗器)It’rtを経
てそれぞわ定電圧回路8の出力すなわ′c)電源Vに接
続されている。ζらに。
11 is a common end. The basic configuration of the T-coupler described above is not unique to this embodiment, but is well known as a high frequency oscillation type proximity switch. The invention of this application relates to an oscillation circuit, and since the characteristic part of the proximity switch shown here is the oscillation circuit 4, the internal circuit connections of the oscillation circuit 4 will be further explained and explained. The oscillation circuit 4 is an fJ-current feedback type oscillation circuit including a resonant circuit from a detection coil L connected to a capacitor C via a cable 2. The emitter of the transistor TR1 (first transistor) of this oscillation circuit 4 is a resistor) tl, the sensitivity adjustment volume V
li1. >Connect to the common end 11 through the transistor Tl, that is, the emitter follower connection.
The collector of t1 is a pair of transistors pT 142 ,
The commonly connected base of T R3 (second and fifth transistors) is connected to the collector of transistor T It 2. The transistor 'ra2゜1'R3 constitutes a current mirror 1, and the emitter of the transistor TR7 is connected to the trench T through the resistor R2. They are each connected to the output of the constant voltage circuit 8, i.e. 'c), to the power supply V via a compensation resistor (one word near positive temperature coefficient resistor) It'rt. To ζ et al.

トランジスタTR3のコレクタが検出コイルLとコンデ
ンサか10なる共振回路の信号導出端Aに接続されてい
る011コ箪源■とコモン端11間には。
The collector of the transistor TR3 is connected to the signal output terminal A of the resonant circuit consisting of the detection coil L and the capacitor 10.

トランジスタTR4,抵抗R4,R5及び応差付加用の
ボリウムVR2の直列接続回路が接続されている。トラ
ンジスタTR4のエミッタは、検波回路5のトランジス
タTR8のベースに接続され検波回路5に発振回路40
発振出力が供給されるようになっている011こ抵抗R
4と几5の接続端はトランジスタTyt1のベースに接
続きれ、抵抗R4と抵抗R5及びボリュウムVR2でト
ランジスタT几4のエミッタ電圧が分圧式れ、トランジ
スタT几1のベースに供給されるようになっている。応
差付加ボリュウムVR2の中点端子とコモン端11間に
、トランジスタTR7を接続し、トランジスタTR7F
!!オンすることにより応差を付加するようにしている
。トランジスタTR7はレベル弁別回路6よりの信号に
応答してオン・オフきれる。
A series connection circuit including a transistor TR4, resistors R4 and R5, and a volume VR2 for adding hysteresis is connected. The emitter of the transistor TR4 is connected to the base of the transistor TR8 of the detection circuit 5, and the detection circuit 5 is connected to the oscillation circuit 40.
The 011 resistor R to which the oscillation output is supplied
The connection terminal between Tyt4 and Tyt5 is connected to the base of transistor Tyt1, and the emitter voltage of transistor Tyt4 is divided by resistor R4, resistor R5, and volume VR2, and is supplied to the base of transistor Tyt1. ing. A transistor TR7 is connected between the center terminal of the hysteresis volume VR2 and the common terminal 11, and a transistor TR7F
! ! By turning it on, hysteresis is added. Transistor TR7 can be turned on and off in response to a signal from level discrimination circuit 6.

トランジスタTR4に適宜な電、流を流すためにトラン
ジスタTR4のベース・コレクタ間には抵抗R6が接続
さ1.ζらにトランジスタTI’t4のベースと共振回
路の接続点A間に、トランジスタT R5s T Rb
のダーリントン接続と抵抗R7の直列回路、またこの直
列回路に並列に交流バイパス用のコンデンサC1が接続
されている。
A resistor R6 is connected between the base and collector of the transistor TR4 in order to allow an appropriate current to flow through the transistor TR4.1. Between the base of the transistor TI't4 and the connection point A of the resonant circuit, the transistor T R5s T Rb
A series circuit includes a Darlington connection and a resistor R7, and an AC bypass capacitor C1 is connected in parallel to this series circuit.

次に9以上のように接続構成される発振回路4の動作に
ついて、先ず、電流ミラー回路に温度補償抵抗を接続し
ない場合の一般動作について説明する。
Next, regarding the operation of the oscillation circuit 4 configured to be connected as described above, first, the general operation when no temperature compensation resistor is connected to the current mirror circuit will be described.

トランジスタTR1に流れる出力電流IFは。The output current IF flowing through the transistor TR1 is.

先ずエミッタに接続される感度調整抵抗R1+■1で定
まるが、この出力電流IFに対応して電流ミラー回路の
トランジスタTR2にも電流IAが流れ、また電流ミラ
ー回路のトランジスタTR2゜TR3の各々のベースと
電源7間に印加される電圧は等しく抵抗R2=R3とし
ているので、トランジスタTR2に流れる電流IAに対
応して1:1の電流IBがトランジスタTR3を流れ、
この電流が共振回路に供給される。すなわち出力電流I
Fが共振回路に帰還されることになる。
First, it is determined by the sensitivity adjustment resistor R1+■1 connected to the emitter. Corresponding to this output current IF, a current IA also flows through the transistor TR2 of the current mirror circuit, and the base of each of the transistors TR2 and TR3 of the current mirror circuit also flows. Since the voltages applied between and the power supply 7 are equal and the resistor R2 = R3, a current IB of 1:1 flows through the transistor TR3 in response to the current IA flowing through the transistor TR2.
This current is supplied to the resonant circuit. That is, the output current I
F will be fed back to the resonant circuit.

一方、  )ランジスタTR4のベースには、抵抗R6
と、トランジスタTR5,TR6のベース・エミッタ間
の順方向電圧及び抵抗R7によって定まるバイアス電圧
が印加され、これにより、トランジスタTR4にバイア
ス電流が流れる。そのため抵抗R4,R5及びボリュー
ムVR2にも電流が流れ、トランジスタTR4のエミッ
タ電圧が抵抗R4とR5及びボリュームVR2で分布さ
れて。
On the other hand, the base of transistor TR4 is connected to resistor R6.
A bias voltage determined by the forward voltage between the bases and emitters of the transistors TR5 and TR6 and the resistor R7 is applied, so that a bias current flows through the transistor TR4. Therefore, current also flows through the resistors R4 and R5 and the volume VR2, and the emitter voltage of the transistor TR4 is distributed between the resistors R4 and R5 and the volume VR2.

トランジスタTR1のベースにバイアス電圧が印加され
る。このバイアス電圧によっても、トランジスタTR1
の出力電流が影響を受ける。
A bias voltage is applied to the base of transistor TR1. Even with this bias voltage, the transistor TR1
output current is affected.

今、たとえば電源をオンして検出コ□旬しLの両端電圧
、すなわち共振回路の接続点Aの電圧が上昇したとする
と、これにより、トランジスタTR4のベース電位も交
流的に上昇する。これに対応してトランジスタTR4の
エミッタ側も電位が若干上昇する。そしてこの上昇によ
り、トランジスタTRiのベースに印加される電圧も上
昇し、したがってトランジスタTR1のエミッタの電位
も上昇し、抵抗R1とボリュームVR1に流れる電流I
Fが大となる。そのためトランジスタTR2のエミッタ
・コレクタ間を流れる電流IAが増大し。
For example, if the power is turned on and the voltage across the detection capacitor L, that is, the voltage at the connection point A of the resonant circuit increases, this causes the base potential of the transistor TR4 to also increase in an alternating current manner. Correspondingly, the potential on the emitter side of the transistor TR4 also increases slightly. Due to this rise, the voltage applied to the base of the transistor TRi also rises, and therefore the potential of the emitter of the transistor TR1 also rises, and the current I flowing through the resistor R1 and the volume VR1 increases.
F becomes large. Therefore, the current IA flowing between the emitter and collector of the transistor TR2 increases.

したがってとの電流IAに1:1で対応するトランジス
タTRろのエミッタ・コレクタ間を流れる電流IBも増
大する。そして、この電流IRが共振回路に帰還される
。このように、共振回路の端子電圧が増大すると、増大
した電流IBとして正帰還がかかる。したがって以後発
振が成長維持される。
Therefore, the current IB flowing between the emitter and collector of the transistor TR, which corresponds 1:1 to the current IA, also increases. This current IR is then fed back to the resonant circuit. In this way, when the terminal voltage of the resonant circuit increases, positive feedback is applied as an increased current IB. Therefore, the oscillation continues to grow from then on.

第1図に示すように、電流ミラー回路のトランジスタT
R3のエミッタに接続される抵抗R3に温度補償抵抗R
T1を接続すると、電流ミラー回路のトランジスタTR
2とTR3のベースと電源7間の電圧は両者等しく9次
式で表わすことができる。
As shown in Figure 1, the transistor T of the current mirror circuit
A temperature compensation resistor R is connected to the resistor R3 connected to the emitter of R3.
When T1 is connected, the transistor TR of the current mirror circuit
The voltages between the bases of TR2 and TR3 and the power supply 7 are both equal and can be expressed by a 9th order equation.

R2,IA−4−VF’2=(R3+RT1)IB+V
F3−(1)ただし、VF2:トランジスタTR2のベ
ース・エミッタ間電圧。
R2, IA-4-VF'2=(R3+RT1)IB+V
F3-(1) However, VF2: Base-emitter voltage of transistor TR2.

vF’3:)ランジスタTR3のベース・エミッタ間電
圧。
vF'3:) Base-emitter voltage of transistor TR3.

ここでVF 2=VF3のものが使用されるので上式%
式%(2) 一般に、温度が上昇するとトランジスタのゲインは上昇
方向に変化する。トランジスタのゲインが」−昇すると
発振回路4の発振振幅は通常よりも大となる。発振回路
4の発振振幅が大、すなわち発振強度が大となるという
ことは、それだけ物体が通常時よりも近接しないと、検
出出力が得られないことを意味し、したがって検出距離
が小となる。それゆえ、温度」二昇する場合には、これ
を補償するために通常時よりも電流ミラー回路よりの帰
還を小さくするとよい。上記(2)式において、帰還電
流IBを小さくするためには、R2・IAを一定とする
と、抵抗(R3+RT1)が大となるようにすればよい
。抵抗(R3+RT1)を大にするだめに。
Here, VF 2 = VF3 is used, so the above formula %
Formula % (2) Generally, as the temperature rises, the gain of the transistor changes in an upward direction. When the gain of the transistor increases, the oscillation amplitude of the oscillation circuit 4 becomes larger than normal. The fact that the oscillation amplitude of the oscillation circuit 4 is large, that is, the oscillation intensity is large, means that a detection output cannot be obtained unless the object comes closer than usual, and therefore the detection distance becomes small. Therefore, when the temperature rises, it is preferable to make the feedback from the current mirror circuit smaller than in normal times in order to compensate for this. In the above equation (2), in order to reduce the feedback current IB, if R2·IA is constant, the resistance (R3+RT1) may be made large. Do not increase the resistance (R3+RT1).

温度補償抵抗RT1として正の温度係数を持つものを使
用すればよい。このように正の温度係数を持つ温度補償
抵抗RT1をトランジスタTR3のエミッタに接続すれ
ば、温度上昇によって、各トランジスタのゲインが増大
しても、抵抗値RTIも増大し帰還電流IBを減少変化
させるので、//!度による検出距離の貧化が生じ々い
ように、補償することができる。
A resistor having a positive temperature coefficient may be used as the temperature compensating resistor RT1. If the temperature compensation resistor RT1 with a positive temperature coefficient is connected to the emitter of the transistor TR3 in this way, even if the gain of each transistor increases due to temperature rise, the resistance value RTI will also increase and the feedback current IB will decrease. So, //! It is possible to compensate for the deterioration of the detection distance due to the degree of deterioration.

なお、温度変化に対するトランジスタのゲイン変化の影
響を抑えるためには、共振回路への帰還電流の比率を変
えてやれば良いから、第1図に示す実施例の電流ミラー
回路に代えて、第2図に示すようにトランジスタTR2
のエミッタ側に温度補償抵抗RT2を接続してもよい。
Note that in order to suppress the influence of transistor gain changes due to temperature changes, it is sufficient to change the ratio of the feedback current to the resonant circuit, so instead of the current mirror circuit of the embodiment shown in FIG. Transistor TR2 as shown in the figure
A temperature compensation resistor RT2 may be connected to the emitter side of the resistor RT2.

この場合には。In this case.

(R2+RT2)IA=R3拳IB の式が成立するので、IB/IAを小さくするには。(R2+RT2) IA=R3 fist IB Since the formula holds true, how to reduce IB/IA.

R2+ RT 2を小にすればよい。したがって温度補
償抵抗RT2としては、温度上昇で抵抗値の小さくなる
もの、すなわち負の温度係数を持つものを使用すればよ
い。負の温度係数を持つものとしてサーミスタ等がある
が、負の温度係数を持つ温度補償抵抗を用いる場合には
、直線性を確保するため負の/l!変係数を持つ抵抗R
Tnに2通常の抵抗i ’m”Rを第3図に示すように
並列接続し、この並列門続回路を、上記・電流ミラー回
路のトラ・ジスタTR2のエミッタと抵抗R2間に接続
してもよい。
R2+RT2 can be made small. Therefore, as the temperature compensating resistor RT2, a resistor whose resistance value decreases as the temperature rises, that is, a resistor having a negative temperature coefficient may be used. There are thermistors and the like that have a negative temperature coefficient, but when using a temperature compensation resistor that has a negative temperature coefficient, the negative /l! Resistance R with variable coefficient
Two ordinary resistors i'm''R are connected in parallel to Tn as shown in Fig. 3, and this parallel gate circuit is connected between the emitter of the transistor TR2 of the above current mirror circuit and the resistor R2. Good too.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はこの発明が実施される近接スイッチを示す回路
図、第2図は上記近接スイッチに適用される他の電流ミ
ラー回路を示す接続図、第3図は負の温度係数を持つ温
度補償抵抗の直線性を確保するだめの接続図である。 4:発振回路。 TR1:第1のトランジスタ。 TR2:第2のトランジスタ。 TR3:第3のトランジスタ。 L:検出コイル、 C:共振コンデンサ。 RTl:正の温度係数を持つ温度補償抵抗。 RT2:負の温度係数を持つ温度補償抵抗。 特許出願人     立石電機株式会社代理人  弁理
士  中 村 茂 信 (14)
Fig. 1 is a circuit diagram showing a proximity switch in which the present invention is implemented, Fig. 2 is a connection diagram showing another current mirror circuit applied to the above-mentioned proximity switch, and Fig. 3 is a temperature compensation having a negative temperature coefficient. It is a connection diagram for ensuring linearity of resistance. 4: Oscillation circuit. TR1: first transistor. TR2: second transistor. TR3: third transistor. L: detection coil, C: resonance capacitor. RTl: Temperature compensated resistor with positive temperature coefficient. RT2: Temperature compensated resistor with negative temperature coefficient. Patent applicant: Tateishi Electric Co., Ltd. Representative Patent attorney: Shigeru Nakamura (14)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)  エミッタホロワ接続された第1のトランジス
タと、第2と第6のトランジスタを含み、第2のトラン
ジスタが前記第1のトランジスタニ直列接続され、第6
のトランジスタが前記第1のトランジスタの出力電流を
帰還する電流ミラー回路と、前記第3のトランジスタに
よる帰還電流が与えられる検出コイルとコンデンサから
なる並列共振回路と、前記第1のトランジスタのベース
電流を供給するだめの回路とを含む近接スイッチの発振
回路において。 前記電流ミラー回路に前記第2と第3のトランジスタに
流れる電流比率を温度によって変化させる温度補償抵抗
を設けてなることを特徴とする近接スイッチの発振回路
(1) A first transistor connected as an emitter follower, and second and sixth transistors, the second transistor being connected in series with the first transistor, and the sixth transistor being connected in series with the first transistor;
a current mirror circuit in which the transistor feeds back the output current of the first transistor; a parallel resonant circuit consisting of a detection coil and a capacitor to which the feedback current from the third transistor is applied; and a base current of the first transistor. In a proximity switch oscillator circuit including a supply reservoir circuit. An oscillation circuit for a proximity switch, characterized in that the current mirror circuit is provided with a temperature compensation resistor that changes the ratio of current flowing through the second and third transistors depending on the temperature.
(2)前記温度補償抵抗は正の温度係数を持ち、前記第
3のトランジスタに直列接続されるものであることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の近接スイッチの発
振回路。
(2) The oscillation circuit for a proximity switch according to claim 1, wherein the temperature compensation resistor has a positive temperature coefficient and is connected in series with the third transistor.
(3)前記温度補償抵抗は負の温度係数を持ち、前記第
2のトランジスタに直列接続されるものであることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載の近接スイッチの発
tSa。
(3) The proximity switch according to claim 1, wherein the temperature compensation resistor has a negative temperature coefficient and is connected in series with the second transistor.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS62140514A (en) * 1985-12-13 1987-06-24 Omron Tateisi Electronics Co Temperature compensating circuit for proximity switch
JPS62114540U (en) * 1986-01-10 1987-07-21
JPS63198414A (en) * 1987-02-13 1988-08-17 Yamatake Honeywell Co Ltd Proximity switch
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