JPS59211273A - 半導体選別方法 - Google Patents
半導体選別方法Info
- Publication number
- JPS59211273A JPS59211273A JP8616283A JP8616283A JPS59211273A JP S59211273 A JPS59211273 A JP S59211273A JP 8616283 A JP8616283 A JP 8616283A JP 8616283 A JP8616283 A JP 8616283A JP S59211273 A JPS59211273 A JP S59211273A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- time
- thyristor
- reverse recovery
- charge
- turn
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 7
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000010187 selection method Methods 0.000 claims description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 abstract description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、異なるターンオフ時間を有するサイリスタを
選別する際の外部条件に関するものである。
− 一般に表１に示すように、サイリスタのターンオフ時間
は、外部条件（測定条件）Ｉｃよって大巾に変わる。タ
ーンオフ時間は、オン電流が増加すると長くなる。又、
逆に逆回復電流が大きくなると、ターンオフ時間は短く
なる。また、オン電流減少率ｄｉＶｄｔを上げるとター
ンオフ時間は長くなる。次に電圧に関する条件ｔ？変化
させ几場合であるが、逆電圧を減少させた場合、ターン
オフ時間は、長くなる。また再印加オン電圧ＶＤや、そ
の上昇率ｄＶＤ／ｄｔｔ−上けると、ターンオフ時間は
長くなる０ 通常サイリスタのターンオフ時間は、ｌｏ〜数百μ程度
であるが、特に、ターンオフ時間が短く設計されたいわ
ゆる′〉イツチング用サイリスタ“では、詐ｔＳと短か
い。この工うにサイリスタには、用途に応じた種々のも
のかあり、その種類によってターンオフ時間は異耽る。
選別する際の外部条件に関するものである。
− 一般に表１に示すように、サイリスタのターンオフ時間
は、外部条件（測定条件）Ｉｃよって大巾に変わる。タ
ーンオフ時間は、オン電流が増加すると長くなる。又、
逆に逆回復電流が大きくなると、ターンオフ時間は短く
なる。また、オン電流減少率ｄｉＶｄｔを上げるとター
ンオフ時間は長くなる。次に電圧に関する条件ｔ？変化
させ几場合であるが、逆電圧を減少させた場合、ターン
オフ時間は、長くなる。また再印加オン電圧ＶＤや、そ
の上昇率ｄＶＤ／ｄｔｔ−上けると、ターンオフ時間は
長くなる０ 通常サイリスタのターンオフ時間は、ｌｏ〜数百μ程度
であるが、特に、ターンオフ時間が短く設計されたいわ
ゆる′〉イツチング用サイリスタ“では、詐ｔＳと短か
い。この工うにサイリスタには、用途に応じた種々のも
のかあり、その種類によってターンオフ時間は異耽る。
この異なるターンオン時間（以下ｔ９と略する）を有す
る素子の１９２７２分け（ｔｑ選別）をする方法として
、三電源法回路によって個々の素子のｔ。
る素子の１９２７２分け（ｔｑ選別）をする方法として
、三電源法回路によって個々の素子のｔ。
を測定することが当然考えらねるが、多量の素子のｔｑ
全全ラン外分するという能率の点から見るとむしろ簡便
法に見らねる外部条件ケ変えていく方法がより優わてい
る。この方法では、第１図に示される装置が用いらｈ１
サイリスタ１のζが測定されるが、この装置で転流用の
コンデンサの容１ＣＯを変えることにより、ＩＲｄｌＦ
Ｍｔ等の外部条件を変え、サイリスタｌ（７，） ｔｑ
ｉ相対的九選別することがなされる。ただしこの場合オ
ン電流工Ｔ、再印加オフ電圧ＶＤＭＩ 再印加オフ電圧
上昇率ｄｖＤ／ｄｔ、再印加オフ電圧時間等は一定であ
ることは言うまでもない。しかるに、従来ブイリスタ素
子のｔｑ選別の再現性全確固たらしめるその外部条件は
どの条件であるか、又回路的（も実現しやすい条件でそ
れはあるのか等、十分明らかにされていなかった。
全全ラン外分するという能率の点から見るとむしろ簡便
法に見らねる外部条件ケ変えていく方法がより優わてい
る。この方法では、第１図に示される装置が用いらｈ１
サイリスタ１のζが測定されるが、この装置で転流用の
コンデンサの容１ＣＯを変えることにより、ＩＲｄｌＦ
Ｍｔ等の外部条件を変え、サイリスタｌ（７，） ｔｑ
ｉ相対的九選別することがなされる。ただしこの場合オ
ン電流工Ｔ、再印加オフ電圧ＶＤＭＩ 再印加オフ電圧
上昇率ｄｖＤ／ｄｔ、再印加オフ電圧時間等は一定であ
ることは言うまでもない。しかるに、従来ブイリスタ素
子のｔｑ選別の再現性全確固たらしめるその外部条件は
どの条件であるか、又回路的（も実現しやすい条件でそ
れはあるのか等、十分明らかにされていなかった。
ざわたもので、その目的は実用上ｔ４選別の再現性ｌＣ
優れた選別方法を提供することにある。
優れた選別方法を提供することにある。
このような目的を実現するために、本発明に、簡便法に
よるターンオフ時間実働選別号法において、選別に最適
な外部条件として逆回復電荷Ｑｒ’ｆｚ選定したことを
特徴とするものである。
よるターンオフ時間実働選別号法において、選別に最適
な外部条件として逆回復電荷Ｑｒ’ｆｚ選定したことを
特徴とするものである。
第２図に本発明の選別方法に基づいて設計されたターン
オフ時間実働選別機の逆回復ＩＲを測定することによっ
て得たｔ、とＱｒの相関を示す。ターンメツ時間実働選
別機の縮収回路は第１図のものを用いることができる。
オフ時間実働選別機の逆回復ＩＲを測定することによっ
て得たｔ、とＱｒの相関を示す。ターンメツ時間実働選
別機の縮収回路は第１図のものを用いることができる。
ここで逆回彷ｉｔ流は第１図の矢印の箇所を流れる電流
３であり一般的１’ｌ（第３図に示す様相を呈する０ま
た、逆回復電荷Ｑｒは、逆回復電流ＩＲ及び逆回復時間
ｔｒｒよりＱｒ＝ Ｊ ”ｒＩＢｄｔ ％８ ＩＲＭｔ
ｒｒと近似して算出した値である。この第２図のグラフ
から、ｔ９ｔｚ転流用コンデンｔｅｏ’ｌ変えることに
よって逆回復電荷Ｑｒと一対一に対応づけられているこ
とがわかる。さらに、１１選別の最適な外部条件ｔ＝Ｑ
ｒとし、回路上に工夫全こらすことＩＣよってＱ、、−
ｔｑの相関グラフの傾＠を大きくすることで、より優り
た選別が可能となる。
３であり一般的１’ｌ（第３図に示す様相を呈する０ま
た、逆回復電荷Ｑｒは、逆回復電流ＩＲ及び逆回復時間
ｔｒｒよりＱｒ＝ Ｊ ”ｒＩＢｄｔ ％８ ＩＲＭｔ
ｒｒと近似して算出した値である。この第２図のグラフ
から、ｔ９ｔｚ転流用コンデンｔｅｏ’ｌ変えることに
よって逆回復電荷Ｑｒと一対一に対応づけられているこ
とがわかる。さらに、１１選別の最適な外部条件ｔ＝Ｑ
ｒとし、回路上に工夫全こらすことＩＣよってＱ、、−
ｔｑの相関グラフの傾＠を大きくすることで、より優り
た選別が可能となる。
このように本発明はサイリスタのｔ１選選別Ｃ最適な外
部条件としてＱ、ｒを選定することによって、実用上、
再現性に優れた選別方法全提供するものである。
部条件としてＱ、ｒを選定することによって、実用上、
再現性に優れた選別方法全提供するものである。
８１図はターンオフ実働選別機の回路図、第２図は本発
明を説明するためのｔｑ Ｑｒ相関肉で。 第３図はサイリスタを流れる逆回ゆ゛電流の対時間波形
である。■・・・選別の対象となるサイリスタ（Ｄ、Ｌ
ｌ、Ｔ）、２・・・転流用コンデンサＧｏ 、 ３−
Ｄ、 ＩＪ、Ｔの逆回復′電流、４・・・Ｄ、 ｔＪ、
’ｌ’の逆回復電荷、５・・・オン゛α流工Ｔ
明を説明するためのｔｑ Ｑｒ相関肉で。 第３図はサイリスタを流れる逆回ゆ゛電流の対時間波形
である。■・・・選別の対象となるサイリスタ（Ｄ、Ｌ
ｌ、Ｔ）、２・・・転流用コンデンサＧｏ 、 ３−
Ｄ、 ＩＪ、Ｔの逆回復′電流、４・・・Ｄ、 ｔＪ、
’ｌ’の逆回復電荷、５・・・オン゛α流工Ｔ
Claims (1)
- サイリスタのターンオフ時間によるランク分けをＴるに
際して選別ｖｃ最適な外部条件として逆回復電荷Ｑｒを
遠足したことｖｆ−特徴とする半導体選別方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8616283A JPS59211273A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 半導体選別方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8616283A JPS59211273A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 半導体選別方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211273A true JPS59211273A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13879046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8616283A Pending JPS59211273A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 半導体選別方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211273A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11147322A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-06-02 | Seiko Epson Corp | プリンタ |
| JP2004284367A (ja) * | 1997-08-29 | 2004-10-14 | Seiko Epson Corp | プリンタ |
-
1983
- 1983-05-17 JP JP8616283A patent/JPS59211273A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11147322A (ja) * | 1997-08-29 | 1999-06-02 | Seiko Epson Corp | プリンタ |
| JP2004284367A (ja) * | 1997-08-29 | 2004-10-14 | Seiko Epson Corp | プリンタ |
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