JPS5919825A - 温度計 - Google Patents
温度計Info
- Publication number
- JPS5919825A JPS5919825A JP12966882A JP12966882A JPS5919825A JP S5919825 A JPS5919825 A JP S5919825A JP 12966882 A JP12966882 A JP 12966882A JP 12966882 A JP12966882 A JP 12966882A JP S5919825 A JPS5919825 A JP S5919825A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- diodes
- output
- diode
- potential
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
- G01K7/01—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using semiconducting elements having PN junctions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はダイオード電圧の温度変化を利用して絶対温度
に比例した出力を出す温度計に関し、極低温用温度計に
適する他、モノリシック及びディスクリート双方の宵、
見回路用の温度補償素子として使用できる等、広範な用
途に適するものである。
に比例した出力を出す温度計に関し、極低温用温度計に
適する他、モノリシック及びディスクリート双方の宵、
見回路用の温度補償素子として使用できる等、広範な用
途に適するものである。
半導体素子の温度依存性を利用して絶対温度を測る温度
計は従来からあるが、出力と絶対温度の関係がノンリニ
アであったり、出力インピーダンスが高かったシ、所要
電源電圧が高すぎたり、あるいは半導体素子の特性ばら
つきの影響を受は易いという問題がある。以下、第１図
〜第３図により従来技術を簡単に説明しておく。
計は従来からあるが、出力と絶対温度の関係がノンリニ
アであったり、出力インピーダンスが高かったシ、所要
電源電圧が高すぎたり、あるいは半導体素子の特性ばら
つきの影響を受は易いという問題がある。以下、第１図
〜第３図により従来技術を簡単に説明しておく。
第１図はトランジスタのＶＢＥを用いた電圧出力の温度
計の原理を示し、この回路の出力電圧Ｖｏは−ＶＢＨに
等しいからトランジスタのコレクタ電流Ｉｃ と絶対
温度Ｔの関数として式（１）で与えられる。
計の原理を示し、この回路の出力電圧Ｖｏは−ＶＢＨに
等しいからトランジスタのコレクタ電流Ｉｃ と絶対
温度Ｔの関数として式（１）で与えられる。
プ
に：ボルツマン定数
ｑ：電子の電荷
Ａ：エミッタ・ペースの接合面積に比例した定数
ｎ：１〜２間の値をとる定数
ところが− コレクタ電流は演算増幅器の作用によって
と一定であるだめ、式（１）のままでは出力電圧■。
は絶対温度Ｔと直線関係にならない。原理上はＩｃ Ｌ
ｘＴ” とすれば良いが、これは棲めて複雑な回路を必
要とするため、実用上は、図示はしないが次の■や■の
直線近似化がとられている。
ｘＴ” とすれば良いが、これは棲めて複雑な回路を必
要とするため、実用上は、図示はしないが次の■や■の
直線近似化がとられている。
■ 出力であるＶＢＥの一部を演算後にＥに帰還してＩ
ｃｅＴの２次式とすることによシ近似する。
ｃｅＴの２次式とすることによシ近似する。
■ 式（１１は変数Ｔの多次式に展開できるが、一般に
多次式は定数Ｖｓとａを適当に決めて項が消えるので、
この演算により近似する。
多次式は定数Ｖｓとａを適当に決めて項が消えるので、
この演算により近似する。
いずれにしろ第１図の従来例では本質的に出力ＶＯが絶
対温度Ｔとノンリニアであシ、近似の域を出ない。
対温度Ｔとノンリニアであシ、近似の域を出ない。
第２図はトランジスタをダイオードとして使つだ電流出
力の温度計の原理を示す。Ｑ＋ ＊Ｑｔ ＋Ｑ３のトラ
ンジスタのベース・エミッタ接合の面積比を例えば２：
１：１にして第２図の回路を組むと、谷トランジスタの
エミッタ電流ＩＩ ｅＩ２．Ｉｌとペース・エミッタ間
電圧ＶＩ３Ｆｉ＋ ＊ＶＢＰｉ２＋ＶＢＥ３との関係は
、 となる。−ガ、第２図においてＲ，＝鳥とすればＩ、＝
Ｉ、、しかも ＶＢＢｚ ＝ ＶＢＥｇ 一式
（６）であるからＩｔ ＝Ｉｚ＝Ｉｓとなり出力電流Ｉ
ＴはＩ Ｔ ＝ Ｉｔ 十Ｉ２ ＋ Ｉｌ ”” ３
Ｉｔ ・・・式（７）となる。また第
２図では であるから、これらの式（３）〜式（８）よシが導かれ
、ＩＴは完全にＴに比例することになる。
力の温度計の原理を示す。Ｑ＋ ＊Ｑｔ ＋Ｑ３のトラ
ンジスタのベース・エミッタ接合の面積比を例えば２：
１：１にして第２図の回路を組むと、谷トランジスタの
エミッタ電流ＩＩ ｅＩ２．Ｉｌとペース・エミッタ間
電圧ＶＩ３Ｆｉ＋ ＊ＶＢＰｉ２＋ＶＢＥ３との関係は
、 となる。−ガ、第２図においてＲ，＝鳥とすればＩ、＝
Ｉ、、しかも ＶＢＢｚ ＝ ＶＢＥｇ 一式
（６）であるからＩｔ ＝Ｉｚ＝Ｉｓとなり出力電流Ｉ
ＴはＩ Ｔ ＝ Ｉｔ 十Ｉ２ ＋ Ｉｌ ”” ３
Ｉｔ ・・・式（７）となる。また第
２図では であるから、これらの式（３）〜式（８）よシが導かれ
、ＩＴは完全にＴに比例することになる。
第２図の従来例は出力と絶体温度の直線関係に極めて優
れるが、電流出力型であるだめ低出力インピーダンスの
電圧出力を得難いこと、並びにトランジスタＱ３と演算
増幅器とが電源に対して直列に入るため回路全体の電圧
降下が大きく高い電源電圧を必要とするという問題があ
る。
れるが、電流出力型であるだめ低出力インピーダンスの
電圧出力を得難いこと、並びにトランジスタＱ３と演算
増幅器とが電源に対して直列に入るため回路全体の電圧
降下が大きく高い電源電圧を必要とするという問題があ
る。
第３ 図１ｄ Ｍｉｓ−ＦＥＴのスレッシホールド電圧
を利用した温度計の原理を示し、第３図（ロ））はｎチ
ャンネル・デフレツション形のＭＯＳ−ＦＥＴ ヲ使用
した場合、同図（ｂ３はｎチャンネル・エンハンスメン
ト形のＭＯＳ −ＦＥＴを使用した場合の例を示す。
を利用した温度計の原理を示し、第３図（ロ））はｎチ
ャンネル・デフレツション形のＭＯＳ−ＦＥＴ ヲ使用
した場合、同図（ｂ３はｎチャンネル・エンハンスメン
ト形のＭＯＳ −ＦＥＴを使用した場合の例を示す。
ＭＯＳ−ＦＥＴのスレッシホールド電圧ｖｔｈ （ヒン
チオフ電圧）の温度依存性は φＦ゛フェルミポテンシャル ｃｏ＝酸化膜を誘電体とする容量 ＱＢ：空乏層領域での表面電荷 で与えられ、ＶｔｂはＴとｔｌはリニアな関係にある。
チオフ電圧）の温度依存性は φＦ゛フェルミポテンシャル ｃｏ＝酸化膜を誘電体とする容量 ＱＢ：空乏層領域での表面電荷 で与えられ、ＶｔｂはＴとｔｌはリニアな関係にある。
そこで第３図（ａｌ 、 （ｂ）の回路を組むと、出力
電圧鳩は絶対温度Ｔに対し躯）で正、（ｂ）では負の温
度係数をもって変化する。
電圧鳩は絶対温度Ｔに対し躯）で正、（ｂ）では負の温
度係数をもって変化する。
第３図の従来例は簡単ではあるが、ＭＯＳ−ＦＥＴのス
レッシホールド電圧ｖｔｈ自体がＦＥＴ個々によってば
らつき、不安定であるという問題がある。
レッシホールド電圧ｖｔｈ自体がＦＥＴ個々によってば
らつき、不安定であるという問題がある。
本発明は上記従来技術の問題点に鑑み、（イ）絶対温度
に極めて良く比例する電圧出力が得られ、 （ロ） 藺単な回路で低出力インピーダンスの電圧出力
が得られ、 ←う 所要電源電圧が低くて済み、且つに） 半導体素
子の特性ばらつきの影響を受は難い温度側を提供するこ
とを目的とする。
に極めて良く比例する電圧出力が得られ、 （ロ） 藺単な回路で低出力インピーダンスの電圧出力
が得られ、 ←う 所要電源電圧が低くて済み、且つに） 半導体素
子の特性ばらつきの影響を受は難い温度側を提供するこ
とを目的とする。
斯かる本発明の目的は、同一構造・同一寸法のＰＮ接合
を有する２個のダイオードに一定比率で異なる大きさの
電流を流し、両ダイオードの電圧降下の差に比例しだ電
圧を得ることにより達成できる。以下、図面により本発
明を説明するー 第４図は本発明の温度計の一実施例を示す。
を有する２個のダイオードに一定比率で異なる大きさの
電流を流し、両ダイオードの電圧降下の差に比例しだ電
圧を得ることにより達成できる。以下、図面により本発
明を説明するー 第４図は本発明の温度計の一実施例を示す。
同図において、Ｄｌとり、は同一構造・同一寸法のＰＮ
接合をもつダイオード、Ｒ１とＲ２は抵抗比かの［有］
電位、ＣＭはコモン電位である。一方のダイオードＤ１
は抵抗Ｒ，を介して順方向に（ト）電位とコモン電位間
に接続され、その電圧降下■１が演算増幅器Ｑの非反転
入力端子に与えられている。
接合をもつダイオード、Ｒ１とＲ２は抵抗比かの［有］
電位、ＣＭはコモン電位である。一方のダイオードＤ１
は抵抗Ｒ，を介して順方向に（ト）電位とコモン電位間
に接続され、その電圧降下■１が演算増幅器Ｑの非反転
入力端子に与えられている。
他方のダイオードＤ２は抵抗島を介して順方向に■電位
と演算増幅器Ｑの出力端子との同に接続され、そのアノ
ードが反転入力端子に接続されている。
と演算増幅器Ｑの出力端子との同に接続され、そのアノ
ードが反転入力端子に接続されている。
仲、他方のダイオードＤ、の電圧降下をＶ、とすると、
演算増幅器Ｑの出力電圧ｖ０がこのダイオード込を介し
て反転入力端子に帰還されているため、 Ｖ、 ＝ Ｖ、 十Ｖ。 ・・・
式θ１）となり、また各ダイオードｌ）、、Ｄ、にυＩ
Ｌれる電流Ｌ 、 Ｉ２ ｈ： ＲＨ・Ｉ、＝Ｒ，，・
Ｉ２ 及び鳥−＝天 の関係４１− よシ ↓Ｌ＝ｒ ・−・式ａ２工２ となる。ダイオ・−ドｉ）、、Ｌ）２の電流と電圧との
関係は前式（３）〜（５）と同じであるから、を得る。
演算増幅器Ｑの出力電圧ｖ０がこのダイオード込を介し
て反転入力端子に帰還されているため、 Ｖ、 ＝ Ｖ、 十Ｖ。 ・・・
式θ１）となり、また各ダイオードｌ）、、Ｄ、にυＩ
Ｌれる電流Ｌ 、 Ｉ２ ｈ： ＲＨ・Ｉ、＝Ｒ，，・
Ｉ２ 及び鳥−＝天 の関係４１− よシ ↓Ｌ＝ｒ ・−・式ａ２工２ となる。ダイオ・−ドｉ）、、Ｌ）２の電流と電圧との
関係は前式（３）〜（５）と同じであるから、を得る。
式（印、弐〇３）１式ａ４よりＶＯ二Ｖ、 −Ｖ。
＝初明巳×Ｔ ・−・式ａｓとなり、出力
′電圧Ｖ。は絶苅温度Ｔに完全に比例する。壕だ、演算
増幅器Ｑには負帰還がががっているのでその出力インピ
ーダンスは十分低い。
′電圧Ｖ。は絶苅温度Ｔに完全に比例する。壕だ、演算
増幅器Ｑには負帰還がががっているのでその出力インピ
ーダンスは十分低い。
上記第４図の実施例の具体的数値例を第５図により示す
。第５図に示すＶ−Ｉ特性のダイオードを用い、且つｒ
＝２０と定めて第４図の回路を組んだ、第５図のダイオ
ードはｎ ＝ １．２５であるから理論的をヒは弐θ９
より １．６ Ｘ １０−１９ ＝ ０．３２３ Ｔ （ｍＶ） ”・弐
〇〇となる。そこで式０６）にＴ−２５℃＝２９８Ｋ、
Ｔ＝１００℃＝３７３Ｋを夫々入れると、Ｖ、 ’（２
５℃） ＝ ９６．３ ｍＶＶｏ（１００℃） ＝
１２０．５ ｍＶとなり、当然ながら第５図からＶ、、
Ｖ２を読み取って得た値と一致する。
。第５図に示すＶ−Ｉ特性のダイオードを用い、且つｒ
＝２０と定めて第４図の回路を組んだ、第５図のダイオ
ードはｎ ＝ １．２５であるから理論的をヒは弐θ９
より １．６ Ｘ １０−１９ ＝ ０．３２３ Ｔ （ｍＶ） ”・弐
〇〇となる。そこで式０６）にＴ−２５℃＝２９８Ｋ、
Ｔ＝１００℃＝３７３Ｋを夫々入れると、Ｖ、 ’（２
５℃） ＝ ９６．３ ｍＶＶｏ（１００℃） ＝
１２０．５ ｍＶとなり、当然ながら第５図からＶ、、
Ｖ２を読み取って得た値と一致する。
ところで、一般に温度センサとして多用されている熱電
対の熱電能はせいぜい鱈０７ ｍＶ／にであるが、本発
明による場合は弐〇９１式（１６１より判かるようにそ
の４〜５倍の感度を持ち、且つ（夕低温でも感度が低下
しない。
対の熱電能はせいぜい鱈０７ ｍＶ／にであるが、本発
明による場合は弐〇９１式（１６１より判かるようにそ
の４〜５倍の感度を持ち、且つ（夕低温でも感度が低下
しない。
第６図に本発明の他の実施例を示す。この実■。
流側は各ダイオードＤ、、Ｄ２にＩ＋、Ｉｚ＝−なる電
流を流す手段及びこれに伴う帰還手段が先の実施例と異
なる。即ちこの実施例では同一構造・同一寸法のｒ＋１
個のダイオードＤＩ、Ｄ、−，。
流を流す手段及びこれに伴う帰還手段が先の実施例と異
なる。即ちこの実施例では同一構造・同一寸法のｒ＋１
個のダイオードＤＩ、Ｄ、−，。
Ｄ２． 、・・・、Ｄ、−ｒを、第６図の如＜ ＤＩの
みは単独でその他はｒ個を並列にし更にこれらを直列に
る。また演算増幅器Ｑの非反転入力端子にはＶｌを与え
、反転入力端子にはＶ、 ＋ Ｖ、をＲ１とＲ４で分割
して与えると共に出力■。をルを介して帰還させている
ことによυ、ｖｌとＶ、の演算を行っている。ここで、 を満たすようにＲ３−Ｒ３を選定すればとなり、先の実
施例より高感度の温度用が得られる、 なお、同−構造且つ同一寸法のＰＮ接合をもつダイオー
ドということはＶ−■特性及びその温度特性が互いに等
しいダイオードを意味し、まだ本発明では通常のダイオ
ード素子だけでなく、第７図（ロ））〜（ｃ）に各々示
す如く接合型トランジスタＱ４をダイオードとして使用
したものを含メチタイオードと称している。これらのダ
イオードはＭＯＳ−ＦＥＴに比べ、現在の半導体技術で
は特性の揃ったものがイセられるが、特性のばらつきを
統計的に減らすにはり、、Ｄ２の名ダイオードを夫々複
数個のダイオードの直列あるいは並列接続で構成すると
良く、特に直列接続の場合は電圧降下が大きくなって感
度が一層高才る。
みは単独でその他はｒ個を並列にし更にこれらを直列に
る。また演算増幅器Ｑの非反転入力端子にはＶｌを与え
、反転入力端子にはＶ、 ＋ Ｖ、をＲ１とＲ４で分割
して与えると共に出力■。をルを介して帰還させている
ことによυ、ｖｌとＶ、の演算を行っている。ここで、 を満たすようにＲ３−Ｒ３を選定すればとなり、先の実
施例より高感度の温度用が得られる、 なお、同−構造且つ同一寸法のＰＮ接合をもつダイオー
ドということはＶ−■特性及びその温度特性が互いに等
しいダイオードを意味し、まだ本発明では通常のダイオ
ード素子だけでなく、第７図（ロ））〜（ｃ）に各々示
す如く接合型トランジスタＱ４をダイオードとして使用
したものを含メチタイオードと称している。これらのダ
イオードはＭＯＳ−ＦＥＴに比べ、現在の半導体技術で
は特性の揃ったものがイセられるが、特性のばらつきを
統計的に減らすにはり、、Ｄ２の名ダイオードを夫々複
数個のダイオードの直列あるいは並列接続で構成すると
良く、特に直列接続の場合は電圧降下が大きくなって感
度が一層高才る。
ところで、同一構造・同一寸法のダイオードに異なる大
きさの電流を流す場合は、自己発熱により温度に差異が
生じ得る。そこで各ダイオードにはなるべく小さな電流
を流すと共に、例えば第８図の如く半導体チップ上の小
電流のダイオードＤ２にその付近に配ｌｉｔ Ｌだダミ
ーのダイオードＤ、で熱を与えるとか、チソグ上のＡｔ
の電極を工夫するなどして大電流のダイオードＤ１の熱
放散を良くするとかして、両ダイオードハ。
きさの電流を流す場合は、自己発熱により温度に差異が
生じ得る。そこで各ダイオードにはなるべく小さな電流
を流すと共に、例えば第８図の如く半導体チップ上の小
電流のダイオードＤ２にその付近に配ｌｉｔ Ｌだダミ
ーのダイオードＤ、で熱を与えるとか、チソグ上のＡｔ
の電極を工夫するなどして大電流のダイオードＤ１の熱
放散を良くするとかして、両ダイオードハ。
Ｄ、の温度差をなくす工夫をすることにょ９測定精度が
高くなる。
高くなる。
以上詳細に説明したように、本発明によれば次のような
効果を奏する。
効果を奏する。
０）絶対温度に極めて良く比例する電圧出力が（４７ら
れる。熱電対では極低温領域で感度が殆んどゼロになる
が、本発明の温度計は常温と等しい感度をもつ。
れる。熱電対では極低温領域で感度が殆んどゼロになる
が、本発明の温度計は常温と等しい感度をもつ。
（ロ） 極めて簡単な回路で低出力インピーダンスの電
圧出力が得られる。
圧出力が得られる。
（ハ） ＰＮ接合のダイオードが温度センサなので、素
子のばらつきが極めて小さく、温度側の特性が安定であ
る。
子のばらつきが極めて小さく、温度側の特性が安定であ
る。
に） ダイオードは電源に対して演算増幅器と直列にな
る必要がないので、所要電源電圧が低くて泗む。
る必要がないので、所要電源電圧が低くて泗む。
第１図〜第３図は従来の温度計の各側を示す回路図、第
４図は本発明の一実施例を示す回路図、第５図１はダイ
オードのＶ−Ｉ特性図、第６図は他の実施例を示す回路
図、第７図（ａ）〜（ｃ）はトランジスタをダイオード
として使用する例を示す説明図、第８図は自己発熱の差
異を補償する工夫の一例を示す説明図である。 図面中 り、とＤ２ （Ｄ２−１、−Ｄ２−ｒ）はダイオード、
Ｑは演算増幅器、 Ｖｌと■２はダイオードの電圧降下、 Ｖｏは出力電圧、 鳥、■ζ及び鳥は演算用の抵抗である。 特許出願人 株式会社 北辰電機製作所 代理人 弁理士 光 石 士 部（他１名） 第１図 Ｓ Ｖｓ 第２図 ？
４図は本発明の一実施例を示す回路図、第５図１はダイ
オードのＶ−Ｉ特性図、第６図は他の実施例を示す回路
図、第７図（ａ）〜（ｃ）はトランジスタをダイオード
として使用する例を示す説明図、第８図は自己発熱の差
異を補償する工夫の一例を示す説明図である。 図面中 り、とＤ２ （Ｄ２−１、−Ｄ２−ｒ）はダイオード、
Ｑは演算増幅器、 Ｖｌと■２はダイオードの電圧降下、 Ｖｏは出力電圧、 鳥、■ζ及び鳥は演算用の抵抗である。 特許出願人 株式会社 北辰電機製作所 代理人 弁理士 光 石 士 部（他１名） 第１図 Ｓ Ｖｓ 第２図 ？
Claims (1)
- 同−構造且つ同一寸法のＰＮ接合を有する測温用の２個
のダイオードと、両ダイオードに一定比率で異なる大き
さの電流を流して夫々に電圧降下を生ぜしめる手段と、
両ダイオードの電圧降下を入力し両軍圧降下の差に比例
した低出力インピーダンスの電圧を測温値として出力す
る手段とからなる温度計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12966882A JPS5919825A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 温度計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12966882A JPS5919825A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 温度計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919825A true JPS5919825A (ja) | 1984-02-01 |
Family
ID=15015193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12966882A Pending JPS5919825A (ja) | 1982-07-27 | 1982-07-27 | 温度計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919825A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5230564A (en) * | 1992-03-20 | 1993-07-27 | Cray Research, Inc. | Temperature monitoring system for air-cooled electric components |
| US5419637A (en) * | 1993-11-03 | 1995-05-30 | Santa Barbara Research Center | Method and apparatus for measuring temperature using an inherently calibrated p-n junction-type temperature sensor |
| US5639163A (en) * | 1994-11-14 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | On-chip temperature sensing system |
| US6116595A (en) * | 1998-04-13 | 2000-09-12 | Quad/Graphics, Inc. | Sheet diverter wedge including air discharge ports |
| CN110996467A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-10 | 深圳市英可瑞直流技术有限公司 | 一种照明调光控制方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52153787A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Generating circuit of temperature perceiving signal |
-
1982
- 1982-07-27 JP JP12966882A patent/JPS5919825A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52153787A (en) * | 1976-06-16 | 1977-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Generating circuit of temperature perceiving signal |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5230564A (en) * | 1992-03-20 | 1993-07-27 | Cray Research, Inc. | Temperature monitoring system for air-cooled electric components |
| US5281026A (en) * | 1992-03-20 | 1994-01-25 | Cray Research, Inc. | Printed circuit board with cooling monitoring system |
| US5419637A (en) * | 1993-11-03 | 1995-05-30 | Santa Barbara Research Center | Method and apparatus for measuring temperature using an inherently calibrated p-n junction-type temperature sensor |
| US5639163A (en) * | 1994-11-14 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | On-chip temperature sensing system |
| US6116595A (en) * | 1998-04-13 | 2000-09-12 | Quad/Graphics, Inc. | Sheet diverter wedge including air discharge ports |
| CN110996467A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-10 | 深圳市英可瑞直流技术有限公司 | 一种照明调光控制方法 |
| CN110996467B (zh) * | 2019-12-31 | 2022-01-04 | 深圳市英可瑞直流技术有限公司 | 一种照明调光控制方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4123698A (en) | Integrated circuit two terminal temperature transducer | |
| US2871376A (en) | Temperature sensitive transistor control circuit | |
| CA1065966A (en) | Temperature dependent voltage reference circuit | |
| US7592854B2 (en) | Temperature sensing circuit | |
| US3308271A (en) | Constant temperature environment for semiconductor circuit elements | |
| TW503617B (en) | Circuit for compensating curvature and temperature function of a bipolar transistor | |
| US3092998A (en) | Thermometers | |
| US3102425A (en) | Method and apparatus for temperature integrating | |
| JP2000330658A (ja) | 電流源および電流の発生方法 | |
| CN110967128B (zh) | 热传感器和温度测量的方法 | |
| JPH0153807B2 (ja) | ||
| JPH09504373A (ja) | 温度に線形に比例するように全動作電流を制御する回路をもつ二端子型感温素子 | |
| JPS6323568B2 (ja) | ||
| JP2001510609A (ja) | 温度補償された出力基準電圧を有する基準電圧源 | |
| US4507572A (en) | Voltage sensing circuit | |
| CN114705325A (zh) | 热传感器和温度测量的方法 | |
| JPS5919825A (ja) | 温度計 | |
| US3495182A (en) | Temperature compensated transistor amplifiers | |
| JPH0160922B2 (ja) | ||
| US3914624A (en) | Circuit to raise a quantity to a predetermined power | |
| JP2008251055A (ja) | 基準電圧発生回路及びその製造方法、並びにそれを用いた電源装置 | |
| JP2000284845A (ja) | バンドギャップリファレンス回路 | |
| JP2825396B2 (ja) | 電流源回路 | |
| JPH03139873A (ja) | 温度検出回路 | |
| RU2115099C1 (ru) | Источник электрического сигнала, пропорционального абсолютной температуре |