JPS59197594A - Anode aluminum oxide surface sealing treatment - Google Patents

Anode aluminum oxide surface sealing treatment

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JPS59197594A
JPS59197594A JP59069284A JP6928484A JPS59197594A JP S59197594 A JPS59197594 A JP S59197594A JP 59069284 A JP59069284 A JP 59069284A JP 6928484 A JP6928484 A JP 6928484A JP S59197594 A JPS59197594 A JP S59197594A
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JP
Japan
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acid
sealing
sealing treatment
smut
bath
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JP59069284A
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Japanese (ja)
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スタンリ−・レントン
ジヨン・リチヤ−ド・コリア−
ケネス・ア−ムストン・ホルカ−
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Solvay Solutions UK Ltd
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Albright and Wilson Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation
    • C25D11/04Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18After-treatment, e.g. pore-sealing
    • C25D11/24Chemical after-treatment
    • C25D11/246Chemical after-treatment for sealing layers

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  • Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
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  • Shaping Metal By Deep-Drawing, Or The Like (AREA)
  • Sealing Material Composition (AREA)
  • Road Signs Or Road Markings (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Casings For Electric Apparatus (AREA)
  • Gasket Seals (AREA)
  • Electrochemical Coating By Surface Reaction (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Processes for sealing anodised aluminium carried out in a bath having a pH of at least 7 and in the presence of a smut,inhibiting additive have been discovered to give rapid, efficient sealing without the formation of bloom. Examples of smut-inhibiting additives are phosphonates, benzene hexacarboxylic acid, and the reaction products of an aldehyde or dimethylol urea with sulphonated aromatic compounds. The reduction in time required for sealing reduces energy consumption in the anodising operation.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は陽極酸化したアルミニウムを水溶液に含浸する
ことてより前記アルミニウム表面を処理するための新規
な方法、前記水溶液へ添加する新規な組成物及び前記ア
ルミニウムを含浸する新規な水浴液に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a novel method for treating aluminum surfaces by impregnating anodized aluminum in an aqueous solution, a novel composition for adding to said aqueous solution, and a novel method for impregnating said aluminum. Concerning water bath liquid.

従来技術 アルミニウム及びアルミニウム合金の表面の耐蝕性及び
耐磨耗性はそれらを陽極酸化することによって通常付着
した酸化アルミニウムの実質的に無水層を形成させるこ
とてよって改善されろ。[)右記処理を受けた表面を[
@極酸化(anodisedJされた表面」と呼称する
。陽極酸化処理は4明々の方法例えば硫酸、またはシュ
ウ酸のような有機酸または硫酸と有機酸の混合物の希釈
水溶液中に直流を適用することによって行われろ。これ
らの被膜は適当な染料の溶液中に含浸するかあるいは金
属塩含有′電解液中において交流で処理することによっ
て着色できる。別法として陽極酸化はスルホ7タル酸ま
たはスルホサリチル酸のような有機酸の溶液中で、或は
スルホフタル酸またはスルホサリチル酸と硫酸との混合
物のような溶液中で行うことができる。
Prior Art The corrosion and abrasion resistance of surfaces of aluminum and aluminum alloys is improved by anodizing them to form a substantially anhydrous layer of deposited aluminum oxide. [) The surface that has undergone the treatment shown on the right [
anodized surface. Anodizing is carried out in four distinct ways, for example by applying a direct current in a dilute aqueous solution of sulfuric acid, or an organic acid such as oxalic acid, or a mixture of sulfuric acid and an organic acid. These coatings can be colored by impregnation in a solution of a suitable dye or by treatment with alternating current in an electrolyte containing a metal salt. or in a solution such as a mixture of sulfophthalic acid or sulfosalicylic acid and sulfuric acid.

上述の陽極酸化によって形成された酸化物層は多孔質構
造を持ち、また金属表面を完全に保(Sealing)
として知られる処理が行われる。封止処理は通常熱水あ
るいは熱湯に陽極酸化金属ラムを水和させ、それによっ
て該酸化物層が膨張して前記酸化物構造中の気孔を封止
するものと思われる。たとえどのような封止機構であろ
うとも陽極酸化表面の耐久性は該陽極酸化表面を封止処
理することてよってかなり増大する。
The oxide layer formed by the above-mentioned anodic oxidation has a porous structure and completely seals the metal surface.
A process known as The sealing process typically involves hydration of the anodized metal lamb in hot or boiling water, which causes the oxide layer to expand and seal the pores in the oxide structure. Whatever the sealing mechanism, the durability of an anodized surface is significantly increased by sealing the anodized surface.

封止処理に付随する1つの欠点は前記処理が酸化層中の
気孔ばかりでな(該酸化層の表面にもまた影響を及ぼす
からである。封止表面は該表面に形成されたゆる(付着
した物質の層を持つ傾向があり、該層は視覚的に美しい
ものではな(、また金属の有用な特性を損う。一般に田
マソトCsmut月と呼ばれろこの表面層は機械的処理
あるいは化学的処理によって販売前に通常除去されろ。
One drawback associated with sealing treatments is that they affect not only the pores in the oxide layer (but also the surface of the oxide layer). This surface layer tends to have a layer of material that is visually unappealing (and detracts from the metal's useful properties). Usually removed by processing before sale.

アルカリ性封止処理浴の使用は封止処理を著しく促進す
るために既知であるが、に酸性の浴例えば封止処理浴の
J)H がS.Sm乙。Sの範囲内に通常維持された浴
中で行われ、また陽極酸化層の厚さlミクロン当り2〜
9分の封止時間が十分な封止を得るために必要である。
Although the use of alkaline sealing baths is known to significantly accelerate the sealing process, the use of acidic baths, such as J)H in the sealing bath, is known to significantly accelerate the sealing process. Sm B. It is carried out in a bath which is usually maintained within the range of
A sealing time of 9 minutes is required to obtain a sufficient seal.

近年スマット形成の問題を克服する試みにおいてスマッ
トの形成を抑制することが要求されている封止処理浴へ
の添加剤が記述されており、該添加剤を以下に[スマッ
ト防止添加剤(anti−Smutting addi
tives月と呼ぶこととする。
In recent years, in an attempt to overcome the problem of smut formation, additives to sealing baths have been described that are required to inhibit smut formation, and these additives are referred to below as anti-smut additives (anti-smut additives). Smutting addi
We will call it the tives month.

スマット防止添加剤の例は英国特許第t2乙g,’I 
2弘号、同第1.30ツユgg号、同第13乙に33A
号、同第1.391.1g9号、同第1:’%/L59
?号、同第1S7り747号及び英国特許願第シ10各
デ2/号明細書に開示された化合物である。
Examples of anti-smut additives include British Patent No. t2 Og, 'I
2 Hiro issue, 1.30 Tsuyu gg issue, 33A on the 13th Otsu
No. 1.391.1g No. 9, No. 1:'%/L59
? No. 1S7747 and British Patent Application Ser.

発明の構成 今般我々は陽極酸化被膜の封止処理が選択された少な(
とも1種のスマット抑制添加剤を含有し、少な(ともp
H 7。O を持つ水性媒体中に陽極酸化表面を含浸す
ることによってすみやかに、効果的に且つ大量のスマッ
トの形成なしに行うことができることを見い出した。し
たがって本発明の一面によれば少なくともpH 7.’
0  をもち且つ少な(とも7種のスマット抑制添加剤
の有効量を含有する水性媒体中へ陽極酸化アルミニウム
の表面を含浸することからなる陽極酸化アルミニウムの
表面処理方法が提供される。
Structure of the Invention Recently, we have selected a sealing treatment for the anodic oxide film (
Both contain one type of smut-inhibiting additive and have a low
H7. It has been found that this can be done quickly, effectively and without the formation of large amounts of smut by impregnating the anodized surface in an aqueous medium with O2. Thus, according to one aspect of the invention, the pH is at least 7. '
A method for treating an anodized aluminum surface is provided which comprises impregnating the surface of anodized aluminum into an aqueous medium having an effective amount of seven smut-inhibiting additives.

本発明の処理に有用な添加剤は新規なアルカリ性封止処
理中におけるスマットの形成を回避するために選択され
ろスマット抑制添加剤である。本発明のスマット抑制添
加剤は周知の全ての添加剤が新規なアルカリ性封止浴と
して有効なものではなく、またスマット抑制添加剤は先
行技術による酸性封止処理のスマット防止添加剤として
有効であることを要しない点で周知のスマット封止添加
剤から区別される。明確圀するために、以下に未配「ス
マット抑制添加剤」とは本発明の新規な封止処理に有効
な添加剤に関して使用される。
Additives useful in the process of the present invention are smut-inhibiting additives selected to avoid the formation of smut during the novel alkaline sealing process. The smut-inhibiting additives of the present invention are not effective as all known additives in new alkaline sealing baths, and the smut-inhibiting additives are effective as anti-smut additives in acidic sealing processes according to the prior art. It is distinguished from known smut sealing additives in that it does not require a smut-sealing additive. For clarity, the term "smut-inhibiting additive" is used hereinafter in reference to the additives effective in the novel sealing process of the present invention.

本発明の封止処理は前記条件下で行われスマットの既知
の同等の封止処理を使用する場合に封止が達成される時
間より短時間でスマットがない許容できる封止された被
膜が得られる点で有利である。封止済は高めた温度下に
維持すべきであるためて本発明方法のエネルギー必要量
(はスマットの化学的除去あるいは機械的除去を必要と
せずかなり減少できろ。本発明は申し分のない封止が浴
温度9!’Cあるいはそれ以上で陽極酸化層のjワさ7
ミクロン当り/、5分以下、好適には/、、! 5分以
下、最適V?−はハθ0分以下で達成できる。封止速度
は該処理が9 s ℃より低い温度で行われた場合9S
℃あるいはそれ以上の温度で行われた場合より遅(なる
。一般て封止済の温度は少な(ともgooCであるべき
で、これはgooCより低い温度で封止速度が許容でき
ない程低下するためである。封止温度は好適には93℃
と浴の沸点の闇である。加圧系における温度は700℃
以上、例えば710℃であってもよく、また//!r℃
でさえも使用できる。
The sealing process of the present invention is performed under the conditions described above and results in an acceptable smut-free sealed coating in less time than the time that sealing would be achieved using known equivalent sealing processes for smut. It is advantageous in that it can be The energy requirements of the method of the present invention can be significantly reduced since the sealed material must be maintained at elevated temperatures without the need for chemical or mechanical removal of the smut. When the bath temperature is 9!C or higher, the anodic oxidation layer becomes weaker than 7.
per micron/5 minutes or less, preferably/! 5 minutes or less, optimal V? - can be achieved in θ0 minutes or less. The sealing speed is 9S if the process is carried out at a temperature lower than 9S °C.
℃ or higher. In general, the sealed temperature should be less than or equal to gooC, since the rate of sealing decreases unacceptably at temperatures below gooC. The sealing temperature is preferably 93°C.
It is the darkness of the boiling point of the bath. The temperature in the pressurized system is 700℃
For example, the temperature may be 710°C, and//! r℃
Even can be used.

本発明方法は上述の条件下封止工程中スマットの形成な
しに行うことができる。スマットのない生成物とは生成
物上に視覚的にスマットが発見できない生成物である。
The method of the invention can be carried out under the conditions described above without the formation of smut during the sealing process. A smut-free product is one in which no smut is visually detectable on the product.

スマットがないと見なされる生成物とは注意深(検査す
ることによって発見できるスマットの微粒子を伴うもの
であってもよいが、しかし全体として封止した成品の外
観を損うものではないものを云う。
A product that is considered smut-free may contain fine particles of smut that can be detected by careful inspection, but does not detract from the overall appearance of the encapsulated product. .

本発明方法は上述の条件下生成物を所望の程度へ封止す
るように行うことができる。
The process according to the invention can be carried out under the conditions described above so as to seal the product to the desired degree.

建造物に使用され、風化条件下露出した陽極酸化アルミ
ニウムは通常陽極酸化アルミニウムの耐蝕性を最大にす
るために使用できる限り効率的に封止される。封止の品
質は酸性試験の重量損失、ダイスポット(染料吸着)試
験及び導電性試験の3クラスの標準試験の7種あるいは
、2s以上を使用して評価できろ。これらの試験は次の
技法を使用して行うことができろ。
Anodized aluminum used in construction and exposed under weathering conditions is usually sealed as efficiently as possible to maximize the corrosion resistance of the anodized aluminum. The quality of sealing can be evaluated using 7 types of standard tests in 3 classes: acid test weight loss, die spot (dye adsorption) test and conductivity test or 2s or more. These tests can be performed using the following techniques.

これらの標準測定方法は関連する英国標準規格(Bri
tish 5tandards)に設定されている。本
発明て使用する方法は (1)リン酸/クロム酸中での重量損失試験−英国標準
規格ろ11.1:パー) 3 : /qg/(ISO3
210−/97り)。該試験条件下被膜の全体の最大許
容損失は一般にθ、 3m&Am2(30rn9/dm
 2)である; (11)  ダイスポット(染料吸M)試験(酸A及び
染料Bを使用)−英国標準規格+/、g/:ノ(−ト 
5  :   /  q g 、2(ISO2lI 1
3−/9g/) −、,2あるいはそれ以下のじみの強
度(英国標準規格乙/乙/:パートq;/9g−による
じみの強さの等級〕が申し分外い; (11D  陽極酸化被膜の厚さの変化を決定するため
の導電性試験−英国標準規格tt/s; /97.2付
録G−得られた結果は導電性マイクロシーメンスμS 
と被膜の厚さミクロンμm の積として表わされ、SO
O以下の値が英国標準規格/A15を満たす。
These standard measurement methods are based on the relevant British Standards (Bri
5 standards). The method used in the present invention is (1) Weight loss test in phosphoric acid/chromic acid - British Standard Filter 11.1: Par) 3: /qg/(ISO3
210-/97ri). The overall maximum allowable loss of the coating under the test conditions is generally θ, 3m & Am2 (30rn9/dm
2); (11) Die spot (dye absorption M) test (using acid A and dye B) - British Standard +/, g/:not (-t);
5: / q g, 2 (ISO2lI 1
(11D Anodic oxide coating) Conductivity test for determining the change in thickness of - British Standard TT/s;
It is expressed as the product of the film thickness in microns μm, and SO
A value of O or less satisfies British Standard/A15.

次に上述の試験の適当値、好適値及び最適値を示す。Next, appropriate values, preferred values, and optimal values for the above-mentioned tests are shown.

適当値 0.3   (30)       2   
 、  A;00好適値 θ、2   (,20)  
     /      りo。
Appropriate value 0.3 (30) 2
, A; 00 suitable value θ, 2 (,20)
/ Rio.

最適値 θ、/   (10)       0   
 300本発明の目的て対して封止の品質を評価するた
めに使用される基準は酸試験の重量損失の少なくとも適
当値である。
Optimal value θ, / (10) 0
300 The criterion used to evaluate the quality of the seal for the purposes of the present invention is at least a suitable value of weight loss in the acid test.

封止済のpHは少なくとも?、oで、より好ましくは少
なくとも7.5あるいはg、oである。より高いpHは
陽極酸化被膜のすみやかρな封止を促進するが@極酸化
被膜の品質に有害な影響を有することがあり、またスマ
ットの形成を促進することがある。前記浴の最高pHは
浴の組成及び操作温度で変化するが、しかし一般に70
.0以下、好ましくは7.5以下、最も好ましくは9.
θ以下である。したがって封止浴のpHは7.0〜9゜
0例えばq、s、g、3の範囲内の値に維持することが
好ましい。
Is the sealed pH at least? , o, more preferably at least 7.5 or g, o. Although higher pH promotes rapid sealing of the anodized coating, it can have a detrimental effect on the quality of the anodized coating and may also promote the formation of smut. The maximum pH of the bath varies with bath composition and operating temperature, but is generally 70.
.. 0 or less, preferably 7.5 or less, most preferably 9.
It is less than or equal to θ. Therefore, the pH of the sealing bath is preferably maintained at a value within the range of 7.0 to 9°0, for example q, s, g, 3.

本発明の封圧処理に有効なスマット抑制剤の化合物は水
浴性でなければならずまた封止の品質に悪影響のあるも
のであって(はならない。限界値量例えば/〜/ 00
0 ppmの量で存在する時にアルカリ性水性媒体中で
結晶の成長を抑制する化合物がスマット抑制添加剤とし
て潜在的に価値があるが、全部の既知の限界値処理剤が
スマット形成を抑制するわけではないか、あるいは封止
処理を遅延するために本発明方法のスマット抑制添加剤
として有用であるわけではない。
The smut-inhibiting compound effective in the confining pressure treatment of the present invention must be water-bathable and must not have an adverse effect on the quality of the seal.
Although compounds that inhibit crystal growth in alkaline aqueous media when present in amounts of 0 ppm are potentially valuable as smut-inhibiting additives, not all known threshold treatments inhibit smut formation. or are not useful as smut-inhibiting additives in the process of the present invention to retard the sealing process.

全ての化合物がスマット抑制添加剤として同様の効果的
ではない。スマットの形成を助長する既知の条件下、例
えば高アルカリ性及び高温下で若干の化合物は大量ニ存
在する時でさえスマットの形成を十分に抑制できない。
Not all compounds are equally effective as anti-smut additives. Under conditions known to favor smut formation, such as high alkalinity and elevated temperatures, some compounds do not sufficiently inhibit smut formation even when present in large amounts.

しかしこのような化合物はよりスマットの形成が少ない
条件下では十分に作用でき、また特定の条件下でより有
効な他のスマット抑制添加剤と組み合わせろことにより
有用である。本発明処理に有用とがりうろスマット抑制
添加剤はデキストリン類(市販のデキストリン類を含み
、特に英国特許第130ユ、2gg号明細書に記述され
ているようKB型回転式粘度計(Brookfielc
l rotaryviscometer)で、20°G
でのSO重Mk % 溶液の粘度がS0〜グ00センチ
ボイズ(CP)のデキストリン類);アクリル酸、メタ
クリル酸及びそれらから誘導された水溶性ポリマー類、
待て例えば英国特許第731.に33乙号明細書に記述
されているようニコ規定水酸化ナトリウム中、20℃で
且つ濃度0.7%で測定してo、q s cp  まで
の粘度を持つ前記ポリヨー類及びリグニンスルホン酸塩
(英国特許第13Aに336号に記述されているりゲニ
ンスルホン酸塩の全てを含む);ベンゼンペンタカルボ
ン酸、ベンゼンテトラカルボン酸、ヘンゼンヘキサカル
ボン酸、シクロヘキサンテトラカルボン酸及びシクロヘ
キサンヘキサカルボン酸(棟々の異性体のいずれか)の
よりな1分子当りq個〜A個のカルボキシル基を持つ環
状脂肪族あるいは芳香族ポリカルボン酸のような酸ある
いはそれらの水溶性塩例えばアルカリ金属塩、アルカリ
土類金属塩、アンモニウム塩及びアルカノールアミン塩
、特yr(英国特許第1jt’/り767号明細書に記
述された水溶性塩、ある種のヒドロキシルカルボン酸例
えば没食子酸及び糖酸;1種または一種以上のスルホン
化芳香族化合物とアルデヒド及び/またはジメチロール
尿素、またはホルムアルデヒドと尿素の混合物との反応
生成物(英国特許、願第シ/θ%927号明細書:(記
述あるいは開示されている全ての反応生成物をaむ〕よ
りなる群から選択できろ。
However, such compounds can work well under less smut-forming conditions and are more useful in combination with other smut-inhibiting additives that are more effective under certain conditions. Spiky smut-inhibiting additives useful in the process of the present invention include dextrins (commercially available dextrins, particularly the KB rotational viscometer (Brookfield) as described in British Patent No. 130U, 2gg).
l rotary viscometer), 20°G
Dextrins with a solution viscosity of SO to 00 centiboise (CP); acrylic acid, methacrylic acid and water-soluble polymers derived therefrom;
For example, British Patent No. 731. The polyyos and lignin sulfonates having a viscosity of up to o,q s cp when measured in nico-normal sodium hydroxide at 20° C. and a concentration of 0.7% as described in Specification No. 33 O. (includes all of the geninsulphonates described in British Patent No. 13A 336); benzenepentacarboxylic acid, benzenetetracarboxylic acid, hexacarboxylic acid, cyclohexanetetracarboxylic acid and cyclohexanehexacarboxylic acid Acids such as cycloaliphatic or aromatic polycarboxylic acids having q to A carboxyl groups per molecule, or their water-soluble salts such as alkali metal salts, alkaline earth metal salts, ammonium salts and alkanolamine salts, especially the water-soluble salts described in British Patent No. 1JT'/767, certain hydroxyl carboxylic acids such as gallic acid and sugar acids; one or more Reaction products of the above-mentioned sulfonated aromatic compounds with aldehydes and/or dimethylol ureas or mixtures of formaldehyde and urea (UK Patent Application No. S/θ% 927: Select the reaction product from the group consisting of a.

の7種あろいIY′i、2種以上の水溶性塩である。こ
れらの酸あるいは塩の各々はコ価金属と7種または一種
以上の錯体を造る。比較的多数のホスホン酸類がa価金
属と錯体を形成することが知られている。次に挙げる一
般式に対応する化合物を使用することが好適である: HOP−C−PO,R2(I) 5 H (式中Rはフェニル基あるいは炭素原子l′個〜S個を
持つアルキル基を表わす〕あるいはR2PO,R2 (式中R1及びR2はそれぞれ水素原子あるいは炭素原
子/個〜弘個を持つアルキル、基を表わし、またR3 
 は水素原子あるいは炭素原子1個〜グ個を持つアルキ
ル基あるいはフェニル基を表わす)あるいは Ri  CXY \ N−CxY−Po H(III) / HPO−CXY 〔式中X及びYはそれぞれ水素原子あるいは炭素原子/
個〜グ個を持つアルキル基を表わし、R4はP○、R5
基あるいは炭素原子1個〜7g個を持つアルキル基ある
いは次に挙げる基CXY−PO,H2 (式中nはOあるいはl−3の整数、またX及びYは前
述に規定されたものである)または CXYPOH (式中X及びYは前述に規定したものである)〕あるい
は 5 R20,P−C−COOH”” H,−C−COOH (式中R5は水素原子、メチル基あるいは−CH2CH
2C0OH基を表わす〕。
There are seven kinds of IY′i, two or more kinds of water-soluble salts. Each of these acids or salts forms seven or more complexes with the covalent metal. It is known that a relatively large number of phosphonic acids form complexes with a-valent metals. It is preferable to use compounds corresponding to the following general formula: HOP-C-PO, R2(I) 5 H (wherein R is a phenyl group or an alkyl group having l' to S carbon atoms. ] or R2PO,R2 (in the formula, R1 and R2 each represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 2 carbon atoms, and R3
represents a hydrogen atom, an alkyl group or a phenyl group having 1 to 5 carbon atoms) or Ri CXY \ N-CxY-Po H(III) / HPO-CXY [wherein X and Y are each a hydrogen atom or a carbon atom/
Represents an alkyl group having from 1 to 5 pieces, R4 is P○, R5
or an alkyl group having 1 to 7 g carbon atoms or the following groups CXY-PO,H2 (wherein n is an integer of O or 1-3, and X and Y are as defined above) or CXYPOH (wherein X and Y are as defined above)] or 5 R20, P-C-COOH"" H, -C-COOH (wherein R5 is a hydrogen atom, a methyl group or -CH2CH
2C0OH group].

本発明処理に使用できる一般式(I)のヒドロキシアル
カンジホスホン酸類の例は/−ヒドロギシプロパンー/
、/−ジホスホン酸、l−ヒドロキシブタン−/、/−
ジホスホン酸、l−ヒドロキシペンタン−/、/−ジホ
スホン酸及ヒ/−ヒドロキシヘキサン−/、/−ジホス
ホン酸力らびに/−ヒドロキシ−1−フェニルメタン−
/、/−ジホスホン酸及び好ましくは/−ヒドロキシエ
タン−/、/−ジホスホン酸である。一般式(川のホス
ホン酸の例はl−アミノエタン−/、/−ジホスホン酸
、l−アミノ−7−フェニルメタン−7、/−ジホスホ
ン酸、ジメチルアミノエタン−/、/−ジホスホン酸、
プロピル−アミノエタン−/、/−ジホスホン酸及びブ
チルアミノエタン−/、/−ジホスホン酸である。一般
式(ホ)のホスホン酸の例はアミノトリメチレンホスホ
ン酸、ヘキサメチレンジアミンテトラキス(メチレンホ
スホン)酸、エチレンジアミノテトラメチレンホスホン
酸、ジエチレントリアミノペンタメチレンホスホン酸、
n−プロピルイミノビス(メチレンホスホン)酸及びア
ミノトリー(コープロピレンー2−ホスホン酸)でアル
。一般式(IV)のホスホン酸の例はホスホノコハク酸
、/−ホスホノ−/−メチルコハク酸及び−一ボスホノ
ブタン−/、J、4()リヵルボン酸である。
Examples of hydroxyalkanediphosphonic acids of the general formula (I) that can be used in the treatment of the present invention are /-hydroxypropane-/
, /-diphosphonic acid, l-hydroxybutane-/, /-
Diphosphonic acid, l-hydroxypentane-/, /-diphosphonic acid and h/-hydroxyhexane-/, /-diphosphonic acid and /-hydroxy-1-phenylmethane-
/,/-diphosphonic acid and preferably /-hydroxyethane-/,/-diphosphonic acid. General formula (Examples of phosphonic acids are l-aminoethane-/, /-diphosphonic acid, l-amino-7-phenylmethane-7, /-diphosphonic acid, dimethylaminoethane-/, /-diphosphonic acid,
They are propyl-aminoethane-/,/-diphosphonic acid and butylaminoethane-/,/-diphosphonic acid. Examples of the phosphonic acid of general formula (e) are aminotrimethylenephosphonic acid, hexamethylenediaminetetrakis(methylenephosphonic) acid, ethylenediaminotetramethylenephosphonic acid, diethylenetriaminopentamethylenephosphonic acid,
Al with n-propyliminobis(methylenephosphonic) acid and aminotri(copropylene-2-phosphonic acid). Examples of phosphonic acids of general formula (IV) are phosphonosuccinic acid, /-phosphono-/-methylsuccinic acid and -bosphonobutane-/,J,4()licarboxylic acid.

本発明に使用するために特に価値あるスマット抑制添加
剤はホスホン酸、特にエチレンジアミノテトラメチレン
ホスホン酸、ヘキサメチレンジアミンテトラキス(メチ
レンホスホン)酸、n−プロピルイミノビス(メチレン
ボスボン〕酸及びベンゼンヘキサカルボン酸及びそれら
の塩及びスルホン化芳香族化合物とアルデヒドまたはジ
メチロール尿素またはそれら両者あるい(はホルムアル
デヒドと尿素の混合物との反応生mAh、’Mtニジフ
ェニル、フェニルトルエン、ジメチルジフェニル、ジフ
ェニルエーテル、社命ジフェニルサルファイド、シフェ
ニルスルホキント、シヒドロギシジフェニルスルホン、
酸化ジフェニレン、ジフェニレンスルフィト及ヒビスフ
エノールとアルデヒドまたはジメチロール尿素またはそ
れら両者あるいはホルムアルデヒドと尿素の混合物との
スルホン化反応により形成された反応生成物あるいはス
ルホン化芳香族化合物がフェノール、クレゾールあるい
はナフトールのスルホン化誘導体の場合にはそれらとジ
メチロール尿素あるいはホルムアルデヒドと尿素の混合
物との反応により形成された反応生成物である。
Particularly valuable smut-inhibiting additives for use in the present invention are phosphonic acids, particularly ethylenediaminotetramethylenephosphonic acid, hexamethylenediaminetetrakis(methylenephosphonic) acid, n-propyliminobis(methylenebosbon)ic acid, and benzenehexacrylic acid. Reaction products of carboxylic acids and their salts and sulfonated aromatic compounds with aldehydes or dimethylol urea or both (or mixtures of formaldehyde and urea) mAh, 'Mtnidiphenyl, phenyltoluene, dimethyldiphenyl, diphenyl ether, company name diphenyl sulfide, cyphenylsulfoquinto, cyhydroxydiphenyl sulfone,
The reaction products or sulfonated aromatic compounds formed by the sulfonation reaction of diphenylene oxide, diphenylene sulfite and hibisphenol with aldehydes or dimethylol urea or both or mixtures of formaldehyde and urea are In the case of sulfonated derivatives, it is the reaction product formed by reacting them with dimethylol urea or a mixture of formaldehyde and urea.

好適なスルホン化芳香族化合物はスルホン化ジフェニル
、スルホン化ジメチルシフ2ル、スルホン化ジフェニル
エーテルに加えてジメチロ ・−ル尿素(あるいはホル
ムアルデヒドと尿素の混合物)と未置換フェノール及び
クレゾールのスルホン化反応生成物である。
Suitable sulfonated aromatic compounds include sulfonated diphenyls, sulfonated dimethyl sulfates, sulfonated diphenyl ethers, as well as sulfonation reaction products of dimethyloleurea (or mixtures of formaldehyde and urea), unsubstituted phenols, and cresols. be.

反応生成物の製造に使用される好適なアルデヒドはアセ
トアルデヒド及びホルムアルデヒドであり、さらに好適
にはホルムアルデヒドである。
Preferred aldehydes used to prepare the reaction product are acetaldehyde and formaldehyde, more preferably formaldehyde.

好ましくは反応生成物がホルムアルデヒドと尿素の混合
物との反応:ICより形成された場合、ホルムアルデヒ
ド/尿素のモル比は少なくトモ、2//である。
Preferably, when the reaction product is formed from the reaction: IC with a mixture of formaldehyde and urea, the formaldehyde/urea molar ratio is less than 2//.

好適な反応生成物はホルムアルデヒドとハロゲンあるい
はヒドロキシル基を含有しない化合物との反応あるいは
スルホン化したフェノール類とジメチロール尿素の反応
によって形成されるものである。さらに好ましくはホル
ムアルデヒドと次式■)の化合物との反応生成物である
:R1u。
Preferred reaction products are those formed by the reaction of formaldehyde with compounds that do not contain halogens or hydroxyl groups or by the reaction of sulfonated phenols with dimethylol urea. More preferred is a reaction product of formaldehyde and a compound of the following formula (2): R1u.

(式中R4は水素原子、炭素原子7個〜り個を持つアル
キル基、ヒドロキシル基あるいはハロゲン原子を表わし
、Xは直接結合しているかCH。
(In the formula, R4 represents a hydrogen atom, an alkyl group having 7 to 3 carbon atoms, a hydroxyl group, or a halogen atom, and X is directly bonded or CH.

あるいは−802−であり、nは/〜グの範囲の平均値
である)。
or -802-, where n is the average value in the range /~g).

反応生成物を形成するための混合物がスルホン化フェノ
ール、スルホン化クレゾールあるいはスルホン化ナフト
ールとジメチロール尿素(あるいはホルムアルデヒドと
尿素の混合物)との混合物である時、さらに7エノール
類及びナフトール類のような化合物をホルムアルデヒド
との重合により生成物中へ含ませてもよい。
When the mixture for forming the reaction product is a mixture of sulfonated phenol, sulfonated cresol or sulfonated naphthol and dimethylol urea (or a mixture of formaldehyde and urea), further compounds such as heptenols and naphthols may be incorporated into the product by polymerization with formaldehyde.

スルホン化芳香族化合物は既知であり、既知の方法に従
って製造できる。式(ト)の化合物のスルホン化反応の
ためてスルホン化媒体の存在下gO〜/gO℃の温度で
スルホン化される芳香族化合物1モル当り好ましくば/
−2モル(より好ましくは/、Sモル)の硫酸を使用す
る。
Sulfonated aromatic compounds are known and can be prepared according to known methods. For the sulfonation reaction of the compound of formula (g), preferably /
-2 mol (more preferably /S mol) of sulfuric acid is used.

弐Mの化合物とホルムアルデヒドあるいはジメチロール
尿素との反応は既知であり、既知の方法に従って行うこ
とができる。
The reaction of compound No. 2 with formaldehyde or dimethylol urea is known and can be carried out according to known methods.

ホスホン酸スマット抑制添加剤は効果を上げるために一
価金属M2+と組み合わせて使用するべきであり、M2
+/ホスホン酸塩族のモル比は少な(とも、2//で−
あり、例えば一価金属イオンのモル比は存在するホスホ
ン酸塩のすべてと錯体を形成するための理論的必要量V
C少な(とも十分でなげればならない。一価金属イオン
の必要量が封止浴中に例えば水道水中に溶解しているカ
ルシウム塩及びマグネシウム塩の形態で存在しない場合
、2価金属イオン/ホスホン酸基のモル比を少な(とも
allに上昇するために充分な鼠の一価金属の可溶性塩
を添加する必要がある。好適には二価金属/ホスホン酸
基のモル比は少なくともグ//である。
Phosphonic acid smut-inhibiting additives should be used in combination with monovalent metals M2+ for effectiveness;
The molar ratio of the +/phosphonate group is small (both 2// and -
For example, the molar ratio of monovalent metal ions is the theoretically required amount V to form a complex with all of the phosphonate present.
If the required amount of monovalent metal ions is not present in the sealing bath in the form of calcium and magnesium salts dissolved in tap water, for example, divalent metal ions/phosphones must be present. It is necessary to add sufficient soluble salts of monovalent metals to raise the molar ratio of acid groups to at least all It is.

場合により、ある種の一価金属イオンがホスボン酸塩を
脱活性化することがあるように思われる。このような作
用が観察された場合には脱活性化金属イオンと錯体を形
成するXへ糞のに充分な欺のホスホン酸塩を添加し、そ
の後でさらにポスホン酸塩と共に適量の許容できる一価
金属塩を添加すればスマット形成を抑制するために効果
がある。一般に一価金属塩としてはカルシウム塩、マグ
ネシウム塩、ニッケル塩あるいはコバルト塩を使用する
ことが好ましい。ホスホン酸化合物を脱活性化し、従っ
てそれらの存在は好ましくないイオンの例は第コ鉄イオ
ン及び第、2銅イオンである。一般にホスホン酸塩と強
い錯体を造るイオンはスマット抑制剤としト抑制剤とし
てエチレンジアミノテトラメチレンホスホン酸あるいは
その水溶性塩、特にそのマグネシウム塩の使用が特に好
ましい。
In some cases, it appears that certain monovalent metal ions can deactivate phosponate salts. If such an effect is observed, add sufficient phosphonate to X to form a complex with the deactivated metal ion, and then add an appropriate amount of an acceptable monovalent phosphonate along with an additional phosphonate. Addition of metal salts is effective in suppressing smut formation. Generally, it is preferable to use calcium salt, magnesium salt, nickel salt or cobalt salt as the monovalent metal salt. Examples of ions that deactivate phosphonic acid compounds and whose presence is therefore undesirable are ferric and cupric ions. In general, ions that form strong complexes with phosphonates are smut inhibitors, and it is particularly preferred to use ethylenediaminotetramethylene phosphonic acid or a water-soluble salt thereof, especially its magnesium salt, as a smut inhibitor.

封止浴中に存在するスマット抑制剤の量は該抑制剤の性
質により変化する。封止処理中のスマット形成を抑制す
るに十分な量であり且つ最少有効量は通常実験的に決定
される。満足のい(品質をもつ封止した@極酸化表面の
形成ガスマットの形成を伴う場合、封止浴の効率に影響
のある1種または、2棟以上のパラメーターを調節する
こと、例えば封止浴中のスマ、ツオ抑制添加剤の量を増
加するかあるいはより効果的なスマット抑制添加剤を選
択することが必要である。
The amount of smut inhibitor present in the sealing bath will vary depending on the nature of the inhibitor. The minimum effective amount sufficient to inhibit smut formation during the sealing process is usually determined experimentally. Formation of a sealed oxide surface with satisfactory quality (e.g. adjustment of one or more parameters affecting the efficiency of the sealing bath, if accompanied by the formation of a gas mat), e.g. It may be necessary to increase the amount of smut control additive in the bath or to select a more effective smut control additive.

例として、好適なスマット抑制添加剤例えばベンゼンヘ
キサカルボン酸、/−ヒドロキシエタン−/ 、 / 
−ジホスホン酸及びエチレンジアミノテトラメチレンホ
スボン酸の扉は封止済の/〜汐θo ppmの範囲例え
ばΩ〜300 ppm、より好適YCは封止済の!;−
200ppmである。有効量は選択されたスマット抑制
剤により変化し、また通常封止処理に使用される条件下
で実験的て決定される。好適なスマット抑制剤のための
量はベンゼンヘキサカルボン酸の場合j〜SθOppm
であり、エチレンジアミノテトラメチレンホスホン酸の
場合S〜/ 00 ppmである。スマット抑制剤の過
盆の使用は陽極酸化被膜の品質だ有害な影響を与え、ま
たそのためて抑制剤の過U?にの使用を回避することが
好ましい。封止済のpHが比較的高い場合、陽極酸化被
膜への損傷のない許容できるスマット抑制剤の最大限風
が増加する。
By way of example, suitable smut-inhibiting additives such as benzenehexacarboxylic acid, /-hydroxyethane-/, /
-Diphosphonic acid and ethylene diamino tetramethylene phosphonic acid doors are sealed/~shio θo ppm range, e.g. Ω~300 ppm, more preferably YC is sealed! ;-
It is 200 ppm. The effective amount will vary depending on the smut inhibitor selected and will be determined experimentally under the conditions normally used in the sealing process. The amount for a suitable smut inhibitor is j~SθOppm for benzenehexacarboxylic acid.
and in the case of ethylenediaminotetramethylenephosphonic acid, it is S~/00 ppm. The use of too much smut inhibitor can have a detrimental effect on the quality of the anodized coating, and therefore too much of the inhibitor can have a detrimental effect on the quality of the anodized coating. It is preferable to avoid the use of If the encapsulated pH is relatively high, the maximum flow of smut suppressant that can be tolerated without damage to the anodized coating is increased.

封止済のpHff:t、o以上、好適には上述の好適範
囲内に維持するために通常封止済への水溶性塩基の添加
が必要である。本発明て使用するためて好適な塩基はル
イス塩基である。使用できる適当な塩基の例はトリエタ
ノールアミン、硼酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸
水素ナトリウム、モノエタノールアミン、ジェタノール
アミン、ヘキサアミン及びそれらの混合物である。本発
明に使用するために最も好適な塩基はトリエタノールア
ミンである。所望であればジェl/−ルアξン及びモノ
エタノールアミンを少割合量含有する工業用トリエタノ
ールアミンが使用できろ。封止処理を抑制できる塩基の
添加は回避することが好ましい。したがって水中疋沈解
するとリン酸イオン、ケイ酸イオン及びフッ化物イオン
を遊離する塩基の使用は好ましくない。
Addition of a water-soluble base to the sealed product is usually necessary to maintain the pH of the sealed product above t, o, preferably within the above-mentioned preferred range. Preferred bases for use in the present invention are Lewis bases. Examples of suitable bases that can be used are triethanolamine, sodium borate, sodium carbonate, sodium bicarbonate, monoethanolamine, jetanolamine, hexamine and mixtures thereof. The most preferred base for use in this invention is triethanolamine. If desired, technical grade triethanolamine containing gel/-luene and minor amounts of monoethanolamine can be used. It is preferable to avoid adding a base that can inhibit the sealing process. Therefore, it is not preferable to use bases which liberate phosphate ions, silicate ions and fluoride ions when precipitated in water.

本発明封止処理は脱イオン水あるいは水道水で行うこと
ができろ。脱イオン水の使用は封止処理が複雑化するこ
となしにより好ましく進行するために有利である。しか
し工業的規模の繰作処理において封止済は前の処理工程
例えば陽極酸化浴及び次のすすぎ工程からの物質の持越
しによって必ず汚染されて来る。この汚染物のある量ま
では許容できるものであったと口ても封止処理の効率は
減少し、結局封止済は廃棄しなければならない。
The sealing process of the present invention can be performed with deionized water or tap water. The use of deionized water is advantageous because the sealing process proceeds better without complications. However, in industrial-scale processing, the encapsulation inevitably becomes contaminated by carryover of material from previous processing steps, such as anodizing baths and subsequent rinsing steps. Although a certain amount of this contaminant may be tolerated, the efficiency of the sealing process is reduced and the sealant must eventually be discarded.

封止済を構成するための水道水の使用は水道乃く中に溶
解している無機物質が封止処理の効率に悪影響を及ばず
ために不利となる。溶解した無機物質の存在はまた封止
浴中に同体の沈殿物を形成させ、この固体の沈殿物は@
極歯化表面上に見苦しいがさぷた状被膜を形成する。ス
マット抑制剤が前述のホスホン酸あるいはボスボン酸塩
からなる場合、この傾向は最も一般的である。付着した
固体類は通常水ですすぎ洗うことによって除去できるが
、前記すすぎ工程の必要全回避する条件下で封止処理浴
を操作することか好ましい。固体物質を形成するこP傾
向は封止済へ界1fj7活性剤を添加゛することによっ
て減少できること全我々は見い出した。界面活性剤の量
は例えば/ pl)III〜1017/71の幅広い範
囲で変化できる。好ましい添加剤はカルボキシメチルセ
ルロース(以下CMCと記載する〕である。
The use of tap water to construct the sealant is disadvantageous because the inorganic substances dissolved in the tap water do not adversely affect the efficiency of the sealing process. The presence of dissolved inorganic substances also causes the formation of homogeneous precipitates in the sealing bath, and this solid precipitate is
Forms an unsightly, gaping film on the polarized surface. This tendency is most common when the smut inhibitor consists of the aforementioned phosphonic acids or bosvonic acid salts. Adhering solids can usually be removed by rinsing with water, but it is preferable to operate the sealing bath under conditions that completely avoid the need for the rinsing step. We have found that the tendency to form solid materials can be reduced by adding a field 1fj7 activator to the encapsulation. The amount of surfactant can vary over a wide range, for example from /pl)III to 1017/71. A preferred additive is carboxymethyl cellulose (hereinafter referred to as CMC).

CMo 3 ppm 〜/ 00 ppmの添加はしば
しば封止浴中の固体物質の形成を防止するに十分である
Additions of CMo 3 ppm ~/00 ppm are often sufficient to prevent the formation of solid materials in the sealing bath.

また封止処理浴は慣用の添加剤、例え(ば酢酸ニッケル
のような染料の滲出を抑制することが知られている添加
剤を含有することができる。
The sealing bath may also contain conventional additives, such as additives known to inhibit dye leaching, such as nickel acetate.

また封止処理浴は湿潤剤を含有することが有利であり、
湿潤剤の存在は封止処理の効率を高める。湿潤剤の比較
的少量例えば封止済の例えば2.0−.2000ppm
が使用できる。封止処理の効率を損なう重金属イオンが
例えば水道水の添加あるいは陽極酸化装置の他の部分か
らの汚染によって封止処理浴中に存在する場合には、封
止処理浴の有効な操作は該金属イオンと錯体を形成する
ことができる試薬を添加することによって延長できろ。
It is also advantageous for the sealing treatment bath to contain a wetting agent,
The presence of a wetting agent increases the efficiency of the sealing process. A relatively small amount of wetting agent, eg sealed, eg 2.0-. 2000ppm
can be used. If heavy metal ions that impair the efficiency of the sealing process are present in the sealing bath, for example due to the addition of tap water or contamination from other parts of the anodizing equipment, effective operation of the sealing bath will require that the metal This can be extended by adding reagents that can form complexes with the ions.

該試薬の適当な例はクエン酸である。該試薬は封止処理
浴中に存在する該金属イオンと錯体を形成するために必
要な量よりも相当少ない量存在する時有効である。また
封止処理浴t/ipHの制御を助けろ緩衝剤を含有する
ことが有利である。適宜な緩衝剤には酢酸及びギ酸の塩
が含まれる。
A suitable example of such a reagent is citric acid. The reagent is effective when present in an amount significantly less than that required to form a complex with the metal ion present in the sealing bath. It is also advantageous to include a buffer to help control the t/ipH of the sealing bath. Suitable buffers include acetic acid and formic acid salts.

封止処理浴の棟々の成分は所望により別々に物を添加す
ることが便利であり好ましい。濃縮えられ、本発明のも
う7つ他の面を形成するものである。
It is convenient and preferable to add the various components of the sealing treatment bath separately as desired. and form a further aspect of the present invention.

濃縮物は前述の少な(とも7種のスマット抑制剤、IJ
υ述の少な(とも/8の塩基よりなる。
Concentrates include the aforementioned small amount (both 7 types of smut inhibitors, IJ
υContains less description (also consists of /8 bases).

適宜該濃縮物は該濃縮物のpHを調節するために酢酸の
ような有機酸の塩、酢酸ニッケルのような他の添加剤及
び封止処理浴の他の適合する成分を含有する。酢酸ニッ
ケルのような添加剤は例えば水溶性時化合物を形成する
ためにトリエタノ−ルアξ〕の添加することによって前
記濃縮物中て溶解することが好ましい。
Optionally, the concentrate contains salts of organic acids such as acetic acid, other additives such as nickel acetate, and other compatible components of the sealing bath to adjust the pH of the concentrate. Additives such as nickel acetate are preferably dissolved in the concentrate, for example by addition of triethanol [xi] to form a water-soluble compound.

本発明処理の好適な実施態様において封止処理浴のpH
は水へ前記濃縮物を添加することによって確立され、ま
た封止処理が進行するにつれてさらに試薬を添加するこ
とによって所望の範囲内に維持される。
In a preferred embodiment of the treatment of the present invention, the pH of the sealing treatment bath is
is established by adding the concentrate to water and maintained within the desired range by adding further reagents as the sealing process progresses.

発明の実施例 以下に実施例を挙げて本発明を説明する。Examples of the invention The present invention will be explained below with reference to Examples.

以下実施例において封止処理浴は前述の方法を使用し、
さらに封止した生成物を視覚で検査することにより評価
し、肉眼で見られるビロード状のブルームは不満足と見
なした。
In the following examples, the sealing treatment bath uses the above-mentioned method,
The encapsulated product was further evaluated by visual inspection and any velvety bloom visible to the naked eye was considered unsatisfactory.

以下の実施例において使用した試験片はアルカリ腐蝕(
S%NaOH+添加剤)し、硫酸中で陽極酸化〔硫酸/
7s/l/l、温度/g−,,20℃、0.0 / 5
A/cm2(/、、tA/dm2) )] L、20ミ
クロンの厚さの陽極酸化被膜を有するタイプAOA3ア
ルミニウム合金である。
The test pieces used in the following examples were subjected to alkaline corrosion (
S%NaOH + additives) and anodized in sulfuric acid [sulfuric acid/
7s/l/l, temperature/g-, 20℃, 0.0/5
A/cm2 (/, tA/dm2)] L, type AOA3 aluminum alloy with a 20 micron thick anodized coating.

各々の試験を封止処理品質を測定するための未着色試験
片上及び表面被膜のブルームを検出しやす(するために
封止処理前に黒色に染色(標準陽極酸化処理用染料を使
用)した反復試験片について行った。
Each test was repeated on an uncolored specimen to measure the sealing process quality and dyed black (using a standard anodizing dye) before the sealing process to facilitate detecting the bloom of the surface coating. This was carried out on the test piece.

実施例/ (4)標準脱イオン水封止処理(比較例)封止処理浴の
pH: A O封止処理浴の温度=9g℃ 0、S        9ユ6       4t  
 ムコ   大量のフ)レーム/、θ     3.2
0/−23ダ  大量のブルームコ、0      3
33      /   、23   大量のブルーム
ダ、0      コtg      /   7g 
  大量のブルームスマットは0.5分/ミクロン後観
察された。
Example/ (4) Standard deionized water sealing treatment (comparative example) pH of sealing treatment bath: Temperature of A O sealing treatment bath = 9g°C 0, S 9U6 4t
Muco Large amount of frame/, θ 3.2
0/-23 Da Lots of Bloomco, 0 3
33 / , 23 large amount of Bloomda, 0 kotg / 7g
A large amount of bloom smut was observed after 0.5 min/micron.

CB)  脱イオン水+、2 ml/l/エリエタノー
ルアミン酸でpHをg。θに調節(比較例) 封止処理浴のpH: g、o  封止処理浴の温度=9
g0C O,!i      900     /−一   3
S    ブルーム/、0     グ00     
 /     、2,1     ブル−ム、2.0 
   300     /      /A     
ブル−ムスマットは0.!f分/ミクロン以内に形成さ
ねた。
CB) pH with deionized water + 2 ml/l/g of eryethanolamic acid. Adjusted to θ (comparative example) pH of sealing bath: g, o Temperature of sealing bath = 9
g0C O,! i 900/-1 3
S Bloom/, 0 g00
/ , 2,1 Bloom, 2.0
300//A
Bloomsmat is 0. ! Formation occurred within f minutes/micron.

(C)  (B)の封止処理浴へエチレンジアミン−テ
トラ〔メチレンホスホン〕酸のアンモニウム塩Ωθpp
m 及び硫酸ニッケルの形態でニッケルを/ Oppm
添加した(実施例〕。
(C) Ammonium salt of ethylenediamine-tetra[methylenephosphonic] acid Ωθpp to the sealing bath of (B)
m and nickel in the form of nickel sulfate/Oppm
(Example).

封止処理時間 アドミタンスタイスポット酸重量損失 
 生成物(分/尖クロン) 0、!;     goo    0−/    j/
    ブルームなし/、θ    弘oo    o
      詳   ブルームなしコ、0    .2
g0   0      /7    ブルームなしス
マットは観察されなかった。
Sealing processing time Admittance stain spot acid weight loss
Product (min/cuspid chron) 0,! ; goo 0-/j/
No bloom/, θ Hirooo o
Details No bloom, 0. 2
g0 0 /7 No bloom No smut was observed.

実施例− (A)  CaC0,/ !; Oppmと表示された
全硬度cvvウス嗜スタッフードジャー(South 
5tafford−shire)水道水(比較例〕。
Example - (A) CaC0,/! ; Total hardness cvv stuffed jar labeled Oppm (South
5tafford-shire) tap water (comparative example).

封止処理浴のpH: b、o  封止処理浴の温度: 
goC /、0     コooo    グ    Ag  
  大量のブルームλ、θ    9θ0  .2  
  4t/    大量のフシトム(B)  (A)l
/C使用した封止処理浴へ−2m171のトリエタノー
ルアミン及びエチレンジアミンテトラ(メチレンホスホ
ン)酸ダOppmを添加した(実施例) 封止処理浴のpH@ g 、 、2  封止処理浴の温
度:9  g’C 0,3+20oo     lI    xグ    
ブルームなし/、o     11g0    /−,
2−297−ルームfHシ2.0’    、too 
    /     、2コ    ブルームなしメス
マットは観察され′なかった。
pH of sealing treatment bath: b, o Temperature of sealing treatment bath:
goC /, 0 coooo gu Ag
A large amount of bloom λ, θ 9θ0 . 2
4t/ large amount of Fushitomu (B) (A)l
/C -2ml171 of triethanolamine and Oppm of ethylenediaminetetra(methylenephosphonic) acid were added to the sealing bath used (Example) pH of the sealing bath @ g, , 2 Temperature of the sealing bath: 9 g'C 0,3+20oo lI xg
No bloom /, o 11g0 /-,
2-297-Room fHshi2.0', too
/, 2 No bloom-free female mats were observed.

実施例3 脱イオン水へ次表に示す量のメリット酸〔ベンゼンへキ
サカルボン酸〕全添加した。封止処理浴のpHをトリエ
タノールアミンを添加することにより上昇させた。
Example 3 Mellitic acid [benzene hexacarboxylic acid] in the amount shown in the following table was completely added to deionized water. The pH of the sealing bath was increased by adding triethanolamine.

の  100  S、g    /、Ogoo    
、2−3   11g  ブルームなし、l)   1
00  5.g    コ、0   300    /
−コ    3乙  フンレームなし■  100  
 gA;    /、0    !fOθ    / 
    30 フ)←ムなし■及び■の結果は比較例で
ある。使用した封止処理時間中に得られた封止は満足で
きる品質・・のものでは力かった。■の結果は実施例で
あり、満足のいく封止が非常に短時間で得られろもので
ある。
of 100 S, g/, Ogoo
, 2-3 11g No bloom, l) 1
00 5. g ko, 0 300 /
-Ko 3 Otsu No Funrem ■ 100
gA; /, 0! fOθ /
30 F) ← Without M The results of ■ and ■ are comparative examples. The sealing obtained during the sealing treatment time used was not of satisfactory quality. The result (2) is an example, and a satisfactory sealing can be obtained in a very short time.

実施例グ 脱イオン水へスマット抑制剤とシテエチレンジアミンテ
トラキス(メチレンホスホン)藪ヲ次表に示す濃度で添
加した。
EXAMPLE A smut inhibitor and ethylene diamine tetrakis (methylene phosphone) were added to deionized water at the concentrations shown in the table below.

封止処理浴のpH:g、3  封止時間:1分/ミクロ
ン 10    弘600−//乙    大鉱のブルーム
グOダI、0  θ−7ム  0 大型のブルーム10
0     !;00 0−/   23     大
臘のブルームこれらの結果は2価金属イオンの不存在下
ホスホン酸塩がスマット抑制剤として効果がないことを
示すものである。
pH of sealing treatment bath: g, 3 Sealing time: 1 minute/micron 10 Hiro 600-//Otsu Oko's bloom Oda I, 0 θ-7mu 0 Large bloom 10
0! ;00 0-/23 Large Bloom These results demonstrate that phosphonates are ineffective as smut inhibitors in the absence of divalent metal ions.

エチレンジアミンテトラキス(メチレンホスホン)酸/
Mg2+のモル比が//りとなるような爪のマグネシウ
ム塩を添加した。
Ethylenediaminetetrakis(methylenephosphonic) acid/
Nail magnesium salt was added such that the molar ratio of Mg2+ was //.

+2o  g、b   グg9    0   7g 
   ブルームなしtl、o  g、s   ダ+2ユ
   02μ   ブルームなし乙o   g、ツ  
1I00     /    5グ   フ゛ル−ムな
しAOg、7  .29.3    0   .2グ 
  ブルームなしこれらの結果(はホスホン酸塩は2価
金属イオンの存在下スマット抑制剤として有効であるこ
とを示すものである。
+2o g,b g9 0 7g
No bloom tl, o g, s da + 2 u 02 μ No bloom o o g, tsu
1I00/5g without film AOg, 7. 29.3 0. 2g
These results (no bloom) indicate that the phosphonates are effective as smut inhibitors in the presence of divalent metal ions.

ホうホン酸塩の濃度b OmlA  での結果は過量の
スマット抑制剤の存在により製造された封止の品質が低
下すること、及び該条件てよろ影響が封止処理浴のpH
を上昇することによって克服できることを説明するもの
である。
The results at a concentration of borophonate b OmlA indicate that the presence of an excessive amount of smut inhibitor reduces the quality of the seals produced, and that this condition has an additional effect on the pH of the sealing bath.
It explains that it can be overcome by rising.

実施例S ホスホン酸塩A、B及びCの1種の所定量を脱イオン水
とホスホン酸塩/42+のモル比/汐を得るために十分
なマグネシウムイオンとからなる封止処理浴へ添加した
。封止時間は1分/ミクロンであった。
Example S A predetermined amount of one of phosphonates A, B, and C was added to a sealing bath consisting of deionized water and sufficient magnesium ions to obtain a molar ratio of phosphonate/42+/S. . The sealing time was 1 minute/micron.

A:へキサメチレンジアミンテトラキス(メチレンホス
ホン)酸 Bニジエチレントリアミンペンタキス(メチレンホスホ
ン)酸 C:n−プロピルイミノビス(メチレンホスホン)酸 A    20  、g、!   1100  0−/
   2.3  \ブルームなしB    20   
gJ   弘oo   θ−/+2q   ブルームな
しCユo   g、s   弘00  0−/   J
Oブル−ムなしA、B及びCの全ての添加剤ガスマント
抑制剤として有効である。
A: hexamethylenediaminetetrakis(methylenephosphonic) acid B diethylenetriaminepentakis(methylenephosphonic) acid C: n-propyliminobis(methylenephosphonic) acid A 20, g,! 1100 0-/
2.3 \No bloom B 20
gJ Hirooo θ-/+2q No bloom Cyuo g,s Hiro00 0-/J
All additives A, B and C without O bloom are effective as gas mant suppressants.

実施例6 サンドズーカンパニー(Sandos Corn’pa
ny)より商標名ANODAL SHI+として販売さ
れている市販の製品を脱イオン水へ種々の漱添加し、封
止処理浴を形成した。該封止処理浴を結果を要約した次
表に示すように種々のpH及び封止時間で試験した。
Example 6 Sandos Corn'pa
Various strains of commercially available products sold under the trade name ANODAL SHI+ by A.N.Y.) were added to deionized water to form encapsulation baths. The sealing baths were tested at various pHs and sealing times as shown in the following table summarizing the results.

” ANODAJ、 SH工  はスルホン化芳香族化
合物とアルデヒドあるいはジメチロール尿素(あるいは
ホルムアルデヒドと尿素の混合物〕との反応生成物より
なる水溶液である。
” ANODAJ, SH Engineering is an aqueous solution consisting of the reaction product of a sulfonated aromatic compound and an aldehyde or dimethylol urea (or a mixture of formaldehyde and urea).

Claims (1)

【特許請求の範囲】 / 少な(ともgo℃の温度で水性媒体中に陽極酸化ア
ルミニウム表面を含浸することからなる実質的にスマツ
トの形成がない@極配化アルミニウム表面の封止処理方
法定おいて、前記水性媒体のpHを少な(とも7.0に
維持力9ゝ し、且つ前記水性媒体Iスマット抑制添加剤の有効量を
含有することを特徴とする陽極酸化アルミニウム表面の
封止処理方法。 二 十分な封止処理が陽極酸化層の厚さ1ミクロン当り
/、5分以下の時間で行れる特許請求の範囲第7項記載
の方法。 3 水性媒体、すなわち封止処理浴がデキストリン類;
アクリル酸、5メタクリル酸、アクリル酸あるいはメタ
クリル酸あるいはリグニンスルボン酸塩から誘導された
水溶性ポリマー類;環状J信肪族ポリカルボン酸、芳香
族ポリカルボン酸、シクロヘキサンヘキサカルボン酸:
、2価金属と錯化合物形成可能な水溶性ボスホン酸類;
及び7種あるいは、2種以上のスルホン化芳香族化合物
とアルデヒド及び/またはジメチロール尿素あるいはホ
ルムアルデヒドと尿素の混合物との反応生成物からなる
群から選択された7種あるいは一種以上を含有する特許
請求の範囲第1項またけ第2項記載の方法。 ク 封止処理浴が水溶性ホスホン酸と共にユ価金属を含
有する特許請求の範囲第3項記載の方法。 S ホスホン酸mが/−ヒドロキシプロパン−7、/−
ジホスホン酸、l−ヒドロキシブタン−/、/−ジホス
ホン酸、/−ヒドロキシ−/−フェニルメタン−/、/
 −、)ボスボン酸、/−ヒドロキシエタン−1,l−
ジホスホン酸、l−アミノエタン−/、/−ジホスホン
酸、/−アミノ−/−7エニルンタンーl、/−ジホス
ホン酸、ジメチルアミノエタン−/、/−ジボスホン酸
、プロピルアミノエタン−/、/−ジホスホン酸、ブチ
ルアミノエタン−/、/−ジホスホン酸、アミノトリメ
チレンホスホン酸、エチレンジアミノテトラメチレンホ
スボン酸、ジエチレントリアミノペンタメチレンホスホ
ン酸、ヘキサメチレンジアミンテトラキス(メチレンホ
スホン)酸、n−プロピルイミノビス(メチレンホスホ
ン〕酸、アミノトリー(2−プロピレンーコーホスホン
)酸、ホスボッコハク酸、/−ホスホノ−/−メチルコ
ハク酸及びl−ホスホノブタン−/、、2.Fトリカル
ボン酸を含む群から選択されろ特許請求の範囲第ダ項記
載の方法。 乙 ホスホン酸塩がエチレンジアミノテトラメチレンホ
スホン酸、ヘキサメチレンジアミンテトラキス(メチレ
ンホスホン)酸及びn −プロピルイミノビス(メチレ
ンホスボン)酸からなる群から選択される特許請求の範
囲第S項記載の方法。 7 封止処理浴がベンゼンヘキサカルボン酸を含有する
特許請求の範囲第3項記載の方法。 g 封止処理浴が5〜s o o ppmのベンゼンヘ
キサカルボン酸を含有する特許請求の範囲第7項記載の
方法。 9 封止処理浴がpH7,0−10,0に維持される特
許請求の範囲第7項または巣g項記載の方法。 lO封止処理浴が二価金属イオン/ホスホン酸塩のモル
比が少な(とも2/1で少なくとも1種の2価金属イオ
ン及びホスホン酸塩を含有する特許請求の範囲第1項斤
いし第6項のいずれかに記載の方法。 712価金属イオン/ホスホン酸塩のモル比が少なくと
もり//である特許請求の範囲第70項記載の方法。 /2 コ価金属イオンがカルシウム、マグネシウム、ニ
ッケルあるいはコバルトからなる群から選択される特許
請求の範囲第1O項または第11項記載の方法。 /32価金属イオンがマグネシウムである特許請求の範
囲第72項記載の方法。 /4L  封止処理浴のpHが7.O〜10.0である
特許請求の範囲第1項ないし第6項のいずれかまたは第
9項ないし第73項のいずれかに記載の方法。 13  封止処理浴のpHが7.0〜9.0  である
特許請求の範囲第14’項記載の方法。 /6.スマット抑制添加剤が/〜300 ppmの斌存
在する特許請求の範囲第/項記載の方法。 /り スマット抑制添加剤がS〜10θppm0値存在
する特許請求の範囲第76項記載の方法。 71  M 正妃fM 浴カシフェニル、フェニルトル
エン、ジメチルジフェニル、ジフェニルエーテル、ジフ
ェニルサイファイド、ジフェニルスルホキシド、ジヒド
ロキシジフェニルスルホ/、酸化シフエニレ/、ジフェ
ニレンスルフィド及びビスフェノールとアルデヒド及び
/またはジメチロール尿素あるいはホルムアルデヒドと
尿素の混合物とのスルホン化度1!5によって生成され
た生成物あるいはスルホン化芳香族化合物がフェノール
、クレゾールあるいはナフトールのスルホン化誘導体で
ある場合には該スルホン化芳香族化合物とジメチロール
尿素との反応生成物の1種あるいは2種以上を含有する
特許請求の範囲第3項記載の方法。 〃 封止処理浴がO0θ/〜s、ol17Jの反応生成
物を含有する特許請求の範囲第tgJA記載の方法。 λθ 封止処理浴が界面活性剤を含有する特許請求の範
囲第1項ないし第1′?項のいずれかに記載の方法。 −21界面活性剤がカルボキシメチルセルロースである
特許請求の範囲第、20項記載や方法。 、2ユ  封止処理浴がS〜/ 00 ppmのカルボ
キシメチルセルロースを含有する特許請求の範囲第1g
項記載の方法。 23  封止処理浴への添加用濃縮物において、該濃縮
物が少な(ともスマント′抑制剤及び水溶性塩基を含有
することを特徴とする封止処理浴への添加用濃縮物。
[Claims] / A method for sealing an anodized aluminum surface with substantially no formation of smuts, comprising impregnating the anodized aluminum surface in an aqueous medium at a temperature of less than A method for sealing an anodized aluminum surface, characterized in that the pH of the aqueous medium is kept low (to 7.0 with a maintenance power of 9), and the aqueous medium I contains an effective amount of a smut-inhibiting additive. 2. The method according to claim 7, in which sufficient sealing treatment can be carried out in 5 minutes or less per micron of thickness of the anodic oxidation layer. 3. The aqueous medium, that is, the sealing treatment bath contains dextrins. ;
Acrylic acid, 5-methacrylic acid, water-soluble polymers derived from acrylic acid or methacrylic acid or lignin sulfonate; cyclic J aliphatic polycarboxylic acid, aromatic polycarboxylic acid, cyclohexanehexacarboxylic acid:
, water-soluble bosphonic acids capable of forming complex compounds with divalent metals;
and a reaction product of seven or more sulfonated aromatic compounds with an aldehyde and/or dimethylol urea or a mixture of formaldehyde and urea. The method described in the range 1st term and 2nd term. H) The method according to claim 3, wherein the sealing treatment bath contains a euvalent metal together with a water-soluble phosphonic acid. S phosphonic acid m is /-hydroxypropane-7, /-
Diphosphonic acid, l-hydroxybutane-/, /-diphosphonic acid, /-hydroxy-/-phenylmethane-/, /
-,) bosonic acid, /-hydroxyethane-1,l-
Diphosphonic acid, l-aminoethane-/, /-diphosphonic acid, /-amino-/-7enylntane-l, /-diphosphonic acid, dimethylaminoethane-/, /-dibosphonic acid, propylaminoethane-/, /-diphosphonic acid , butylaminoethane-/,/-diphosphonic acid, aminotrimethylenephosphonic acid, ethylenediaminotetramethylenephosphonic acid, diethylenetriaminopentamethylenephosphonic acid, hexamethylenediaminetetrakis(methylenephosphonic) acid, n-propyliminobis(methylene phosphonic] acid, aminotri(2-propylene-cophosphonic) acid, phosphosuccinic acid, /-phosphono-/-methylsuccinic acid and l-phosphonobutane-/, 2.F tricarboxylic acid. The method described in Scope No. D. B. A patent claim in which the phosphonate is selected from the group consisting of ethylenediaminotetramethylenephosphonic acid, hexamethylenediaminetetrakis(methylenephosphonic) acid, and n-propyliminobis(methylenephosphonic) acid. 7. The method according to claim 3, wherein the sealing bath contains benzene hexacarboxylic acid. g. The sealing bath contains 5 to soo ppm of benzene hexacarboxylic acid. 9. The method according to claim 7 or claim g, wherein the sealing treatment bath is maintained at pH 7.0 to 10.0. IO sealing treatment. Any one of claims 1 to 6, wherein the bath contains at least one divalent metal ion and a phosphonate with a low divalent metal ion/phosphonate molar ratio (both 2/1). 71. The method according to claim 70, wherein the molar ratio of divalent metal ion/phosphonate is at least /2. The method according to claim 10 or 11, wherein the method according to claim 10 or 11 is selected from the group consisting of: /3 The method according to claim 72, wherein the divalent metal ion is magnesium. /4L The pH of the sealing treatment bath is 7.0 to 10.0. The method according to any one of claims 1 to 6 or claims 9 to 73. 13. The pH of the sealing treatment bath is 7.0. The method of claim 14', wherein the smut-inhibiting additive is present in an amount of 9.0 to 300 ppm. 77. The method of claim 76, wherein the agent is present at a value of S to 10 theta ppm0. 71 M Masahi fM Bath casiphenyl, phenyltoluene, dimethyldiphenyl, diphenyl ether, diphenyl cyphenyl, diphenyl sulfoxide, dihydroxydiphenyl sulfo/, oxidized cyphenylene/, diphenylene sulfide and mixtures of bisphenol and aldehyde and/or dimethylol urea or formaldehyde and urea. If the sulfonated aromatic compound is a sulfonated derivative of phenol, cresol or naphthol, the reaction product of the sulfonated aromatic compound with dimethylol urea. The method according to claim 3, which contains one or more kinds. 〃 The method according to claim tgJA, wherein the sealing treatment bath contains a reaction product of O0θ/~s, ol17J. λθ Claims 1 to 1' in which the sealing treatment bath contains a surfactant? The method described in any of the paragraphs. -21 The method and method described in claim 20, wherein the surfactant is carboxymethylcellulose. , 2 U.Claim 1g in which the sealing treatment bath contains carboxymethyl cellulose at S~/00 ppm
The method described in section. 23. A concentrate for addition to a sealing treatment bath, characterized in that the concentrate contains a small amount (both of a sumant' inhibitor and a water-soluble base).
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