JPS59191676U - 素子劣化検出装置 - Google Patents

素子劣化検出装置

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JPS59191676U
JPS59191676U JP8610483U JP8610483U JPS59191676U JP S59191676 U JPS59191676 U JP S59191676U JP 8610483 U JP8610483 U JP 8610483U JP 8610483 U JP8610483 U JP 8610483U JP S59191676 U JPS59191676 U JP S59191676U
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JP
Japan
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power supply
deterioration detection
side terminals
detection device
element deterioration
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Pending
Application number
JP8610483U
Other languages
English (en)
Inventor
実 土田
Original Assignee
株式会社明電舎
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Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社明電舎 filed Critical 株式会社明電舎
Priority to JP8610483U priority Critical patent/JPS59191676U/ja
Publication of JPS59191676U publication Critical patent/JPS59191676U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
一第１図は従来のブリッジ整流回路における不良素子検
出手段を示す接続図、第２図は本考案の一実施例を示す
接続図である。 １・・・ブリッジ回路、ＩＡ・・・整流素子、３・・・
電圧計、４・・・変圧器、５・・・測定用電源。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 整流機能を有する半導体素子でブリッジ回路が構成され
    、その交流側端子に低インピーダンスの変圧器などが接
    続された電力変換装置の直流側端子間に測定用電源を接
    続し、直流側端子の一方と交流側端子の間の電圧を測定
    しそ不良半導体素子の有無を検出する素子劣化検出装置
    において、前記測定用電源として高周波分を含む電圧を
    発生する電源を用いたことを特徴とする素子劣化検出装
    置。
JP8610483U 1983-06-06 1983-06-06 素子劣化検出装置 Pending JPS59191676U (ja)

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JP8610483U JPS59191676U (ja) 1983-06-06 1983-06-06 素子劣化検出装置

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JPS59191676U true JPS59191676U (ja) 1984-12-19

Family

ID=30216047

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009162501A (ja) * 2007-12-28 2009-07-23 Nhv Corporation 高電圧整流器スタックの健全性試験法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS514833A (ja) * 1974-06-29 1976-01-16 Sanko Kinzoku Kogyo Kk Entokawaraboyane

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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