JPS59191330A - Holographic exposure apparatus - Google Patents

Holographic exposure apparatus

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Publication number
JPS59191330A
JPS59191330A JP58065445A JP6544583A JPS59191330A JP S59191330 A JPS59191330 A JP S59191330A JP 58065445 A JP58065445 A JP 58065445A JP 6544583 A JP6544583 A JP 6544583A JP S59191330 A JPS59191330 A JP S59191330A
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JP
Japan
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hologram
light
defect
original
holographic exposure
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Pending
Application number
JP58065445A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyotake Naraoka
楢岡 清威
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS59191330A publication Critical patent/JPS59191330A/en
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70375Multiphoton lithography or multiphoton photopolymerization; Imaging systems comprising means for converting one type of radiation into another type of radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To deteriorate the rate of coherence and avoid the speckle noise and realize the photoresist printing without defect by introducing an excimer laser which emits ultraviolet rays as a light source for reproduction of a hologram. CONSTITUTION:A hologram 13 formed from an original pattern is illuminated by a coherent light and a reproduced image is printed on a photoresist film 17. At that time, an excimer laser, such as XeF, XeCl, KrF, KrCl and ArF, which emits ultraviolet rays, is introduced as a light source 10 of the coherent light. With this constitution, even if a part of the hologram is missing, the defect in the reproduced image can be neglected. Therefore, the pattern printing without defect can be realized even if there is the adhesion of a foreign substance or the damage on the hologram.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はフォトリソグラフィにおいてホログラムマスク
から原図形を再生してVシスト膜に焼付けるホログラフ
ィック露光装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a holographic exposure apparatus that reproduces an original pattern from a hologram mask in photolithography and prints it onto a V cyst film.

〔背景技術〕[Background technology]

一般に半導体装置のフォトvソゲラフイエ程では所定パ
ターンのフォトマスクを用いてフォトレジスト膜上に焼
付けを行なってレジスト被覆を形成し、このレジスト被
覆に基づいて半導体基板への加工を行なっている。この
ため、フォトマスクに埃等の異物が付着し或は傷等が存
在しているときにはこれがレジスト膜上に焼付けられ、
半導体基板上にパターン欠陥を生ずることになる。
Generally, in the photo-visualization process of semiconductor devices, a photomask with a predetermined pattern is used to bake a photoresist film to form a resist coating, and a semiconductor substrate is processed based on this resist coating. Therefore, if foreign matter such as dust adheres to the photomask or there are scratches, this will be baked onto the resist film.
This will result in pattern defects on the semiconductor substrate.

ところで、近年ホログラフィを用いてパターン焼付を行
なうことにより焼付時の欠陥が生じないようにした露光
装置が提案されている。即ちこの装置はコヒーレントな
光でホログラム(マスク)を照明し、その回折光が干渉
してつくる共役像(実像)で7オトレジストを露光する
ものである。
Incidentally, in recent years, exposure apparatuses have been proposed that perform pattern printing using holography to prevent defects from occurring during printing. That is, this device illuminates a hologram (mask) with coherent light, and exposes the photoresist with a conjugate image (real image) created by interference of the diffracted light.

ここで、ホログラフィはホログラムの一部分からでも全
体の再生像が得られるため、ホログラムの一部が欠けて
も或はホログラムの一部に欠陥が生じていてもこの欠陥
が焼付けられることはなく、無欠陥での露光が可能にな
るのである。しかしながら、これまでの装置ではレーザ
光源の強度が小ざくしかも取扱いが不便で、しかもその
コヒーレントイに係わるスペックルに雑音の発生が大轡
くてこのスペックル雑音がパターン図形に市なるという
不具合が生じている。このため、スペックル雑音による
図形線幅変動あるいは新たな欠陥が生じると−とになり
、この種装置の実用化は困難であった。
Here, in holography, a reconstructed image of the entire hologram can be obtained even from a part of the hologram, so even if a part of the hologram is missing or a part of the hologram has a defect, this defect will not be burned in and it will be completely removed. This makes it possible to expose defects. However, in conventional devices, the intensity of the laser light source is low and it is inconvenient to handle.Furthermore, the speckles associated with the coherent toy generate a lot of noise, and this speckle noise is reflected in the pattern. It is occurring. Therefore, if a figure line width changes due to speckle noise or a new defect occurs, a negative result occurs, making it difficult to put this type of device into practical use.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、一旦無欠陥のホログラムを形成してお
けば、その後に付着した異物や発生した傷によってもフ
ォトレジスト而に無欠陥の再生像を形成でき、しかもス
ペックル雑音による欠陥も生ずることのないホログラフ
ィック露光装置を提供することにある。
The object of the present invention is that once a defect-free hologram is formed, a defect-free reproduced image can be formed on the photoresist even if foreign matter adheres or scratches occur afterward, and defects caused by speckle noise can also occur. The purpose of the present invention is to provide a holographic exposure device that is completely free of defects.

iた、本発明の目的は露光強度がヒ分満足できると共に
取扱いの容易なホログラフィック露光装置を提供するこ
とにある。
Another object of the present invention is to provide a holographic exposure device that has a satisfactory exposure intensity and is easy to handle.

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は本
明細書の記述および添付図面からあきらかになるであろ
う、 〔発明の概要〕 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のと2りである。
The above and other objects and novel features of the present invention will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings. The explanation is as follows:

すなわち、ホログラムの再生に使用する光源に紫外線を
発振するエキシマレーザを用いることにより、コヒーレ
ントの程度を劣化させてスペックル雑音を防止し、これ
により欠陥のないフォトレジスト焼付を行なうことがで
きるものである。
In other words, by using an excimer laser that emits ultraviolet light as the light source used to reproduce the hologram, the degree of coherence is degraded and speckle noise is prevented, thereby making it possible to print photoresist without defects. be.

〔実施例〕〔Example〕

第1圀に原図形が点からなるホログラムとその原理を示
す。図示のように、衝壁1の一部には図形(パターン)
としての小孔2を形成しておシ、その背後から平行なコ
ヒーレント光3を当てれば前方に透過光4と回折光5を
生じる。そして、この前方に設置したホログラム6の面
上では、この回折光5と、同じ光源から分けてホログラ
ム6而に当る平行な参照光7とが干渉してフレネル円環
8を形成する。この明暗を感光材料に焼付けたものがホ
ログラムである。この内域は同心円の明暗の繰返しであ
り、レンズと同じ作用をもつ。そして第1図でこのホロ
グラム6の向う側から逆方向にこのホログラム6を製作
したのと同じ波長の平行コヒーレント光で照明すれば、
原図形としての小孔2に点状の焦点を結ぶことになる。
The first section shows a hologram whose original shape is made of points and its principle. As shown in the figure, a part of the wall 1 has a figure (pattern).
When a small hole 2 is formed as a small hole 2 and parallel coherent light 3 is applied from behind, transmitted light 4 and diffracted light 5 are generated in front. Then, on the surface of the hologram 6 placed in front, this diffracted light 5 interferes with a parallel reference light 7 that is separated from the same light source and hits the hologram 6, forming a Fresnel ring 8. A hologram is a photosensitive material printed with this brightness and darkness. This inner region is a concentric circle of repeated brightness and darkness, and has the same effect as a lens. If the hologram 6 is illuminated in the opposite direction from the other side in Fig. 1 with parallel coherent light of the same wavelength as that used to produce the hologram 6, then
A point-like focal point is formed on the small hole 2 as the original figure.

さらに、このフレネル円環の大きさが再生像の解像限界
を決定するため、この関係は通常の光学レンズの開口径
と解像限界の関係に等しくなる。そして、原図形(−再
生像)の小孔(=点、直径a)に対応するホログラム上
の図形WJ債が広いので、数マイクロメートルの異物等
による欠陥が生じていても再生像上ではこれによる解像
の劣化は問題にならないし、これに対応する欠陥は発生
しない。原図形に対応するフレネル円環の直径りはホロ
グラム6を製作する際に使用する照明光のコヒーレント
の程度に依存する。このコヒーレンH,は一般に′はレ
ーザ光が使用され、このスペクトル幅が狭ければフレネ
ル円環の直径が増大する。一般には、その波長に4・a
/Dを剰じた値よシ狭いスペクトル幅を有する光が照明
に必要である。例えばaを3μB、Dを20薗、照明光
の波長を350OAとすれば、3500X3/2000
0X4=2、IAとなり2.1λ以下のスペクトル幅が
必要となる。これは水銀灯の緑の輝度のスペクトル幅の
1〜2人と同程度である。またホログラフィの分解能は
Dの増加により向上する。したがってこれらの関係から
微細図形のホログラムを製作するにはスペクトル幅の狭
いコヒーレントの良い単色光を使用しなければならない
。しかし、コヒーレントにはスペクトル幅以外に時間的
な長さがあり(時間的コヒーレントイ)、水銀灯はこの
時間的なコヒーレントが悪いので行路差のある光は干渉
しない。したがって、ホログラムの製作ではこの行路差
のためコヒーレントが不足する。また二次元図形の再生
では行路差がよシ短かいため再主像は形成できるが分解
能は劣る。
Furthermore, since the size of this Fresnel ring determines the resolution limit of the reconstructed image, this relationship is equal to the relationship between the aperture diameter and resolution limit of a normal optical lens. Since the figure WJ bond on the hologram corresponding to the small hole (= point, diameter a) of the original figure (-reproduced image) is wide, even if there is a defect caused by a foreign object of several micrometers, this will not appear on the reproduced image. Deterioration in resolution caused by this is not a problem, and no corresponding defects occur. The diameter of the Fresnel ring corresponding to the original figure depends on the degree of coherence of the illumination light used when producing the hologram 6. Laser light is generally used for this coheren H, and the narrower the spectral width, the larger the diameter of the Fresnel ring. Generally, the wavelength is 4・a
Light with a spectral width narrower than /D is required for illumination. For example, if a is 3μB, D is 20μB, and the wavelength of illumination light is 350OA, then 3500X3/2000
0X4=2, IA, and a spectral width of 2.1λ or less is required. This is about the same as the spectral width of the green luminance of a mercury lamp by one or two people. Also, the resolution of holography improves as D increases. Therefore, due to these relationships, it is necessary to use highly coherent monochromatic light with a narrow spectral width in order to fabricate a hologram with a fine pattern. However, in addition to the spectral width, coherence has a temporal length (temporal coherence), and mercury lamps have poor temporal coherence, so light with a path difference does not interfere. Therefore, in the fabrication of holograms, there is a lack of coherence due to this path difference. Furthermore, in the reproduction of two-dimensional figures, the path difference is very short, so a re-main image can be formed, but the resolution is poor.

(11ホログラムの製作 ホログラムは原図形マスクとホログラム撮映装置を用い
、軸外し型のフレネル変換ホログラムを1棟作する。こ
こで照明光は再生に使用する波長の光を用いる必要があ
る。また、このとき原図形マスクは無欠陥であることが
必要で、遮光部および透明部の欠陥は完全に補修してお
く。更に、ホログラムは原図形マスクを製作することな
く計算機シミュレートすることができる。そこで、原図
形データから計算機を用いて二値化ホログラムデータに
変換し、これから直接にホログラムt−製作できる。な
おホログラムは原図形に比較してデータが冗長であるか
ら描画すべき矩形数は大幅に増加する。このため製作に
は電子線描画が適している。
(11) Production of holograms A hologram is created using an original figure mask and a hologram imaging device to create one off-axis Fresnel transformation hologram. Here, it is necessary to use light with the wavelength used for reproduction as the illumination light. At this time, the original shape mask must be defect-free, and defects in the light-blocking and transparent parts must be completely repaired.Furthermore, holograms can be simulated by computer without producing the original shape mask. Therefore, the original figure data is converted to binarized hologram data using a computer, and from this it is possible to directly produce a hologram.Since the data of a hologram is redundant compared to the original figure, the number of rectangles to be drawn is This increases significantly.For this reason, electron beam lithography is suitable for manufacturing.

なお、ラスター走査型の電子線描画装置では、描画すべ
き矩形数に関係なく45分程度の一定時間でマスクが描
画できる。
Note that with a raster scanning type electron beam lithography apparatus, a mask can be drawn in a fixed time of about 45 minutes, regardless of the number of rectangles to be drawn.

ホログラムにはガラス板にクロムを70〜120nm厚
さに堆積したクラツド板をフォトエブチングして図形を
形成する。したがって中間調はなく2値化ホログラムに
なる。前記クラツド板にホトレジストを0.5μm程度
の厚さに塗布し、乾燥する。ここでフォトレジ7トには
ノボラプク樹脂(〕、ノール樹MFりに溶解阻止剤を加
えた高解像ポジ型全使用する。このフォトレジスト表面
に、第1♂に原理構成で示す9光装置を用いて原図形マ
スクのホログラフィ図形全露光する。その上で、アルカ
リ現像液で現像し、水洗、乾燥すればレジストd形が現
出する。このレジストを熱処理後クロムエッチ液でレジ
ストに被覆されていないクロム膜を溶解し、最後に剥離
液で不要になったレジストを溶解すればクロムパターン
が得られ、史ロクラムマスクが完成する。なお、ホログ
ラムは白黒を反転させても再生像の明暗は反転せず、全
く同じ原図形が再生できる。
For the hologram, a figure is formed by photo-etching a cladding plate in which chromium is deposited to a thickness of 70 to 120 nm on a glass plate. Therefore, there is no intermediate tone and the result is a binarized hologram. A photoresist is applied to the clad plate to a thickness of about 0.5 μm and dried. Here, the photoresist uses a high-resolution positive type made of Novolapk resin (), Knoll tree MF resin, and a dissolution inhibitor added.On the surface of this photoresist, a 9-light device shown in The entire holographic pattern of the original pattern mask is exposed to light using a chromium etchant.Then, it is developed with an alkaline developer, washed with water, and dried to reveal a d-type resist.After heat-treating this resist, the resist is coated with a chrome etchant. By dissolving the unused chromium film and finally dissolving the unnecessary resist with a stripping solution, a chrome pattern is obtained and the Shirokram mask is completed.In addition, even if the black and white of the hologram is reversed, the brightness and darkness of the reproduced image will be reversed. The exact same original shape can be reproduced without

(2) ホログラムの再生 第2図に露光装置の概念構成図を示す。図において、1
0はレーザ光源、11および12はビームエクスパンダ
としてのレンズである。これらの光学系で平行光線をつ
くり、ホログラム13を照射する。14は透過光である
。このとき、レーザ光はホログラム13の製作に使用し
たのと同じものを使用する。これにより、ホログラム1
3の遮光膜の周辺から回折波が生じ、その干渉により虚
像15および共役像16が再生できる。ここでホログラ
ムは7レネルレンズと同様に働き、軸外し位置に結像す
る。
(2) Reproduction of hologram Figure 2 shows a conceptual diagram of the exposure apparatus. In the figure, 1
0 is a laser light source, and 11 and 12 are lenses serving as beam expanders. These optical systems create parallel light beams and irradiate the hologram 13 with them. 14 is transmitted light. At this time, the same laser beam as used for manufacturing the hologram 13 is used. As a result, hologram 1
Diffraction waves are generated from the periphery of the light-shielding film 3, and a virtual image 15 and a conjugate image 16 can be reproduced by their interference. Here, the hologram works like a 7-Renel lens and is imaged at an off-axis position.

次に7オトレジスト17を塗布したウェーハ18を前述
の共役像が形成される面に置けば、レジストに原図形が
露光される。このとき、ウエーノ・18の前方に元シャ
ッタ19を配し、レジスト露光時にこれを開けるように
すればよい。また、ウェーハ180周辺部にはウェーノ
・に既に存在する図形と位置合せのための合わせ図形を
設ける。そして、ホログラムの原図形にも対応する位置
妊位置合せマークを設け、この再生像とウェーノ・上の
合わせマークの位置が合致するようにする。このため。
Next, a wafer 18 coated with a 7-photoresist 17 is placed on the surface on which the aforementioned conjugate image is to be formed, and the original pattern is exposed to the resist. At this time, an original shutter 19 may be arranged in front of the Ueno shutter 18 and opened during resist exposure. Furthermore, a matching pattern is provided around the wafer 180 for alignment with a pattern already existing on the wafer. Then, a position alignment mark corresponding to the original figure of the hologram is provided so that the position of this reconstructed image and the position of the alignment mark on the hologram match. For this reason.

ウェーハ18は回転移動、X、Y移動の可能なステージ
20上に載置しており、またこのステージ20は再生像
の焦魚合せのためにホログラム方向に距離と傾きを変化
できるようにしている。
The wafer 18 is placed on a stage 20 that can rotate and move in the X and Y directions, and the stage 20 can change the distance and tilt in the hologram direction in order to focus the reconstructed image. .

再生図形の解像限界Rは、原図形の一点(絵素)を7レ
ネルゾーン上に拡大した直径によって決まり、ホログラ
ム13から再生像(ウェーハ)18までの距離をbとす
れば、R=2bλ/Dで表わされる。例えば、Dを60
fil、λを0135μrrL%bを300amとすれ
ば解像限界Rは3.5μmとなる。解像限界を小さくす
るには距離を短かくし、1点が対応するフレネル円環の
径を大きくする。
The resolution limit R of the reproduced figure is determined by the diameter of one point (picture element) of the original figure expanded over 7 Renel zones, and if the distance from the hologram 13 to the reproduced image (wafer) 18 is b, then R=2bλ/ It is represented by D. For example, D is 60
If fil and λ are 0135 μrrL%b is 300 am, the resolution limit R is 3.5 μm. To reduce the resolution limit, shorten the distance and increase the diameter of the Fresnel ring to which one point corresponds.

ここで光源10としては、紫外および500 nm以短
の可視光レーザを用いる必要がある。XeFエキシマレ
ーザ(353nm)、窒素レーザ(337nm)。
Here, as the light source 10, it is necessary to use an ultraviolet laser and a visible light laser with a wavelength of 500 nm or less. XeF excimer laser (353 nm), nitrogen laser (337 nm).

He−Cdレーザ(442nm)、アルゴンレーザ(4
88nm)等が適用できる。この中、エキシマレーザは
強い紫外線を発振するので波長的にはフォトレジストの
露光には最適である。しかしこのレーザはコヒーレジシ
イが劣るのでその改善のためr不安定共振器を使用しな
ければならない。
He-Cd laser (442 nm), argon laser (4
88 nm) etc. can be applied. Among these, the excimer laser emits strong ultraviolet rays, so it is optimal for exposing photoresist in terms of wavelength. However, since this laser has poor coherency, an r-unstable resonator must be used to improve it.

このようにコヒーレントイを改善したエキシマレーザは
、惨い紫外線を発振すること、またなおコヒーレントの
程度が劣るためスペック雑音が無視できることにより、
ホログラフィック露光に最適な光源となる。つまり、通
常、安定発振器を使用したものはホログラムの製作には
使用できないが、再生には解像限界が劣化するも一応再
生像は形成できる。そしてこのコヒーレントが良くない
ことは再生像に生じるスペックル雑音の低減に有効であ
る。この場合、アルゴン・ネオンレーザのようにコヒー
レントの良いレーザ光でホログラムを再生し、これでレ
ジスト膜を露光してもレジスト図形にスペクトル図形が
畦なり分解能が著しく劣化する。しかし、エキシマレー
ザを光源にすれば、不安定共橡器を用いてもアルゴン・
ネオンレーザに比較してコヒーレントが劣るので、スペ
ックル雑音は無視できる。またりソグラフィ焼付は用の
ホログラムマスクは再生像の解像力を増加させるため、
原図形の1点に対応するホログラムの大きさくフレネル
円環の直径)を数十間程度にしている。このような広い
面積のホログラムからの再生像は、スペックル雑音は、
広面積で平均化されるため、本質的に減少する。
Excimer lasers with improved coherent toy emit terrible ultraviolet rays, and because the degree of coherence is poor, spec noise can be ignored.
It is the perfect light source for holographic exposure. In other words, although a device using a stable oscillator cannot normally be used to produce a hologram, it can still form a reproduced image, although the resolution limit deteriorates during reproduction. This poor coherence is effective in reducing speckle noise occurring in reproduced images. In this case, even if the hologram is reproduced with a well-coherent laser beam such as an argon-neon laser and the resist film is exposed with the hologram, the resist pattern will have a ridged spectrum pattern and the resolution will be significantly degraded. However, if an excimer laser is used as the light source, even if an unstable resonator is used, argon
Speckle noise can be ignored since it is less coherent than neon lasers. In addition, hologram masks for lithography printing increase the resolution of reproduced images,
The size of the hologram corresponding to one point on the original figure (the diameter of a Fresnel ring) is about several tens of meters. The reconstructed image from such a wide area hologram has speckle noise,
It is essentially reduced because it is averaged over a wide area.

〔効果〕 +11  ホログラムをマスクとしたホログラフィ露光
IK:、ヨリハIZ−ン焼付を行なうので、ホログラム
の数平方センチメートル以上の面積の図形が再生像の1
点に対応し冗長度の高い記録となっているので、ホログ
ラムの一部が欠けても再生像における欠陥は無視でき、
ホログラムにおける異物の付着や傷の存在によっても欠
陥のないパターン焼付を行なうことができる。
[Effect] +11 Holographic exposure IK using a hologram as a mask: Since Yorihan IZ-n printing is performed, the figure with an area of several square centimeters or more of the hologram is one part of the reproduced image.
Since the recording corresponds to the points and has a high degree of redundancy, even if a part of the hologram is missing, the defects in the reconstructed image can be ignored.
Defect-free pattern printing can be performed even when foreign matter adheres to the hologram or there are scratches.

(2) 計算機シミュレートにより直接にホログラムマ
スクを形成することもでき、この場合には製作中のプロ
セスで欠陥が発生しても再生像では欠陥とならない。
(2) A hologram mask can also be directly formed by computer simulation, and in this case, even if a defect occurs during the manufacturing process, it will not be a defect in the reconstructed image.

(3)光源にエキシマレーザを使用しているので、紫外
2よび遠紫外に強い単色光を発振でき、回折光を用いて
も数分で露光を完了することができる。
(3) Since an excimer laser is used as a light source, it is possible to oscillate monochromatic light that is strong in the ultraviolet 2 and deep ultraviolet rays, and even if diffracted light is used, exposure can be completed in a few minutes.

(4)エキシマレーザを使用することによ、す、コヒー
レントの程度を調節してスペックル雑音を無視すること
ができ、スペックルによる線幅変動などのない露光を行
ない得る。    ゛ (6)  エキシマレーザを使用しているので、取扱い
を極めて容易なものにできる。
(4) By using an excimer laser, speckle noise can be ignored by adjusting the degree of coherence, and exposure can be performed without line width variations due to speckle. (6) Since an excimer laser is used, handling is extremely easy.

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that the present invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor.

たとえば、エキシマレーザには前述の外にXeCA(3
08nm )、KrF(249nm)、KrC−e(2
22nm)およびArF(193nm )を使用しても
よい。
For example, in addition to the above-mentioned excimer laser, XeCA (3
08 nm), KrF (249 nm), KrC-e (2
22 nm) and ArF (193 nm) may be used.

〔利用分野〕[Application field]

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装置のフォト
リソグラフィ技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、写真技術を利用するも
の全般に適用するととができる。
The above explanation has mainly been about the case where the invention made by the present inventor is applied to the photolithography technology of semiconductor devices, which is the background field of application.
The invention is not limited to this, and can be applied to all things that utilize photographic technology.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はホログラフィの原理図、 第2図はホログラフィック露光装置の概念構成図である
。 10・・レーf光源(エキシマレーザ)、11.12・
・レンズ、13・・ホログラム、16・・共役像、17
・・フォトレジスト、18・・ウェーノー、20・・ス
テージ。
FIG. 1 is a diagram of the principle of holography, and FIG. 2 is a conceptual diagram of a holographic exposure apparatus. 10... Ray f light source (excimer laser), 11.12.
・Lens, 13... Hologram, 16... Conjugate image, 17
...Photoresist, 18...Wayno, 20...Stage.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 原図形から形成したホログラムをコヒーレント光で
照明し、再生された像をフォトレジスト膜上に焼付ける
ように構成してなり、前記コヒーレント光の光源に紫外
線を発振するエキシマレーザを用いたことを特徴とする
ホログラフィック露光装置。 2、エキシマレーザはXeF、  XeCJ%KrF。 KrC1:、  ArF等のエキシマレーザである特許
請求の範囲第1項記載のホログラフィック露光装置。 3、 ホログラムの製造用原図形には半導体装置の回路
パターンを使用し、共役像位置にはこの回路を構成する
半導体ウェーハを設置し得るよう構成してなる特許請求
の範囲第1項又は第2項記載のホログラフィック露光装
置。
[Scope of Claims] 1. A hologram formed from an original figure is illuminated with coherent light, and the reproduced image is printed on a photoresist film, and the coherent light source is an excimer that oscillates ultraviolet rays. A holographic exposure device characterized by using a laser. 2. Excimer laser is XeF, XeCJ%KrF. The holographic exposure apparatus according to claim 1, wherein the holographic exposure apparatus is an excimer laser such as KrC1:, ArF, or the like. 3. A circuit pattern of a semiconductor device is used as the original figure for manufacturing the hologram, and a semiconductor wafer constituting the circuit can be placed at the conjugate image position. The holographic exposure apparatus described in 2.
JP58065445A 1983-04-15 1983-04-15 Holographic exposure apparatus Pending JPS59191330A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0499961U (en) * 1991-02-05 1992-08-28

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