JPS59188929A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents

Semiconductor integrated circuit device

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JPS59188929A
JPS59188929A JP58062191A JP6219183A JPS59188929A JP S59188929 A JPS59188929 A JP S59188929A JP 58062191 A JP58062191 A JP 58062191A JP 6219183 A JP6219183 A JP 6219183A JP S59188929 A JPS59188929 A JP S59188929A
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test
semiconductor integrated
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circuit
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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Abstract

PURPOSE:To make a semiconductor integrated circuit device to be provided with the necessary test function simply and moreover only by allotting small area by a method wherein function testing signal generating parts are formed of photoelectric converting elements provided toegether with the inside circuit of the IC device. CONSTITUTION:Photoelectric converting elements PS are provided together with the inside circuit 12 of an IC device 10 to be connected to electric source terminals Vcc, Vbb through resistors R to construct test signal generating parts T. A signal is sent from a node between the element PS and the resistor R to make the holding condition of a circuit F/F consisting of CMOS transistors of two groups to be set forcibly to any one side. Such test signal generating parts T are provided at the respective parts of the inside circuit 12, testing points T1,...Tn of a large number are arranged, a beam of light L is irradiated to an arbitrary point Tx monitoring by making probes 24 to come in contact with terminal pads 14, and a test of function can be executed. At this construction, the necessary test function can be provided simply and moreover only by allotting small area without depending upon terminal pads having large occupying area and a complicated time-division system.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は半導体集積回路装置、特にテスト機能を有す
るものに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device, particularly one having a test function.

〔背景技術〕[Background technology]

一般に半導体集積回路装置は1、その内部回路が高集積
化するほど、また大規模化あるいは複雑化するほど、そ
の内部回路の機能テストの必要性が強くなってくる。例
えば大規模論理LSIなどでは、その内部論理の全であ
るいは主要な機能をテストするための機能が要求される
。また、内部回路にフリップ70ツブのごとき保持回路
が含まれる場合は、その保持回路を強制的にセットある
いはリセットしてテストを行なう機能が必要になること
が多い。
In general, as a semiconductor integrated circuit device becomes more highly integrated, larger in scale, or more complex, the need for functional testing of the internal circuit becomes stronger. For example, large-scale logic LSIs require a function to test all or major functions of their internal logic. Further, when the internal circuit includes a holding circuit such as a flip 70 tube, a function for forcibly setting or resetting the holding circuit to perform a test is often required.

このために、従来のこの種の半導体集積回路装置では1
通常の機能端子のほかに、テストを行なうためだけの端
子を設けたものがあった。しかし。
For this reason, in conventional semiconductor integrated circuit devices of this type,
In addition to the normal functional terminals, some had terminals specifically for testing. but.

通常の機能端子のほかにテストのためだけの端子をさら
に設けることは、端子パッドの占める面積がやたらに大
きくなって、半導体集積回路装置の効率的な構成を著し
く妨げる。しかも、テスト機能の必要性は、半導体集積
回路装置が大規模化あるいは複雑化するほど高くなるが
、このような大規模あるいは高度に複雑化された半導体
集積回路装置はどたくさんの機能端子を必要とする場合
が多い。この場合、その機能端子以外にさらにテスト用
の端子を設ける余裕はほとんどなく、結局、テスト機能
の必要性が高くなるほど、そのテスト機能を設けること
が難しくなるというジレンマに陥っ℃いた。
Providing additional terminals for testing purposes in addition to normal functional terminals increases the area occupied by the terminal pads, which significantly impedes the efficient construction of semiconductor integrated circuit devices. Moreover, the need for test functions increases as semiconductor integrated circuit devices become larger or more complex, and such large-scale or highly complex semiconductor integrated circuit devices require a large number of functional terminals. In many cases. In this case, there is almost no room to provide additional test terminals in addition to the functional terminals, and as a result, the higher the need for the test function, the more difficult it becomes to provide the test function.

テスト機能のための端子を通常の機能端子と時分割で共
用するという手段も考えられるが、これとても、その時
分割の管理が複雑かつ面倒になりやすいという欠点を伴
う。
Although it is conceivable to share the test function terminal with the normal function terminal in a time-sharing manner, this method has the drawback that the time-sharing management becomes complicated and troublesome.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明は以上のような背景を@みてなされたもので、
その目的とするところは、大きな面積を占めるテスト用
の端子パッドや面倒かつ複雑な時分割によらずに、簡単
かつ小さな面積を割当てるだけでもっ℃、必要なテスト
機能を備えることができるようにした半導体集積回路装
置を提供することにある。
This invention was made against the above background.
The objective is to provide the necessary test functions by simply allocating a small area, without requiring test terminal pads that occupy a large area or complicated time sharing. An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit device.

この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴に
ついては1本明細書の記述および添附図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、半導体集積回路装置の内部回路が形成される
領域に、該内部回路とともに、外部から与えられる光に
感応する光電変換素子を形成し。
That is, in a region where an internal circuit of a semiconductor integrated circuit device is formed, a photoelectric conversion element that is sensitive to light applied from the outside is formed together with the internal circuit.

さらに上記光電変換素子によって上記内部回路の機能テ
ストを行なうためのテスト信号発生部を構成し、これに
より大きな面積を占めるテスト用の端子パッドや面倒か
つ複雑な時分割によらずに、簡単かつ小さな面積を割当
てるだけでもって、必要なテスト機能を備えることがで
きるようにするという目的を達成するものである。
Furthermore, the photoelectric conversion element constitutes a test signal generation section for performing a functional test of the internal circuit. The objective is to be able to provide the necessary test functions simply by allocating area.

〔実施例〕〔Example〕

以下、この発明の代表的な実施例を図面を参照しながら
説明する。
Hereinafter, typical embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

なお1図面におい℃同一あるいは相当する部分は同一符
号で示す。
In one drawing, parts that are the same or correspond to each other are indicated by the same reference numerals.

第1図、第2図、第3図は、この発明による半導体集積
回路装置の一実施例を示す。
FIG. 1, FIG. 2, and FIG. 3 show an embodiment of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention.

先ず、第1図および第3図において、この実施例による
半導体集積回路装置10は、フリソブフロンブなどの保
持回路F/Fを含む比較的大規模な論理回路が内部回路
12として形成されている。
First, in FIG. 1 and FIG. 3, a semiconductor integrated circuit device 10 according to this embodiment has a relatively large-scale logic circuit including a holding circuit F/F such as a FRISOB FROMB formed as an internal circuit 12.

この内部回路12は、入出力バッファ16を介して、外
部接続のための端子パッド14と接続し又いる。この端
子パッド14は、内部回路12を通常の実使用にて動作
させるための機能端子を構成するものであって、テスト
用の端子としての機能は持たされていない。
This internal circuit 12 is also connected to a terminal pad 14 for external connection via an input/output buffer 16. This terminal pad 14 constitutes a functional terminal for operating the internal circuit 12 in normal actual use, and does not have a function as a test terminal.

上記内部回路12が形成されている領域には、第2図に
示すように、外部から与えられる光に感応する光電変換
素子PSが形成されている。この光電変換素子PSは、
例えば半導体集積回路装置100半導体基体上にPN接
合を形成することにより、簡単に構成することができる
。この光電変換素子PSは、例えば抵抗Rを介してVc
c、Vbbに接続されることにより、該光電変換素子P
Sの光感応状態に応じた論理信号を発生する回路を構成
する。この回路はテスト信号発生部Tとして機能させら
れるようになっている。すなわち、このテスト信号発生
部Tから発生される信号は、第1図あるいは第2図に示
すように、上記内部回路120機能テストを行なうため
のテスト信号として。
As shown in FIG. 2, in the region where the internal circuit 12 is formed, a photoelectric conversion element PS that is sensitive to light applied from the outside is formed. This photoelectric conversion element PS is
For example, it can be easily constructed by forming a PN junction on the semiconductor substrate of the semiconductor integrated circuit device 100. This photoelectric conversion element PS is connected to Vc through a resistor R, for example.
c, by connecting to Vbb, the photoelectric conversion element P
A circuit that generates a logic signal according to the photosensitive state of S is constructed. This circuit is designed to function as a test signal generating section T. That is, the signal generated from the test signal generating section T is used as a test signal for performing a functional test on the internal circuit 120, as shown in FIG. 1 or FIG.

該内部回路12の各部に与えられるようになっている。The signal is applied to each part of the internal circuit 12.

例えば、第2図に示す部分では、光電変換素子PSと抵
抗Rの接続点から、2組のC−MOSトランジスタQl
−Q2 、Q3−Q4からなる保持回路F/Fの保持状
態をいずれか一方に強制的にセット(あるいはりセント
)させるテスト信号を与える。
For example, in the part shown in FIG. 2, two sets of C-MOS transistors Ql are connected from the connection point of the photoelectric conversion element PS and the resistor R.
A test signal is applied to forcibly set (or set) the holding state of the holding circuit F/F consisting of -Q2, Q3 and Q4 to either one.

さらに、上記テスト信号発生部Tは、ここから発生され
るテスト信号の注入を受ける被テスト回路部毎に該回路
部に近接して形成されてりる。また、そのテスト信号発
生部Tは、必ずしも独立し又構成される必要はなく、こ
のテスト信号発生部Tからのテスト信号の注入を受ける
被テスト回路部に組込まれた状態で構成されてもよい。
Further, the test signal generating section T is formed close to each circuit section to be tested which receives the test signal generated therefrom. Further, the test signal generating section T does not necessarily have to be independent or configured, but may be configured in a state where it is incorporated in a circuit section under test that receives the injection of the test signal from the test signal generating section T. .

具体的には被テスト回路部の一部を上記光電変換素子p
sで構成してもよい。
Specifically, a part of the circuit under test is connected to the photoelectric conversion element p.
It may be composed of s.

以上のようなテスト信号発生部Tを半導体集積回路装置
10の内部回路12の各部にそれぞれ設けることにより
、半導体集積回路装置10には、第3図に示すような多
数のテストポイン)Tl 。
By providing the test signal generating section T as described above in each section of the internal circuit 12 of the semiconductor integrated circuit device 10, the semiconductor integrated circuit device 10 has a large number of test points Tl as shown in FIG.

T2.T3・・Tnが各テスト信号発生部T毎に配置さ
れるようになる。
T2. T3...Tn are arranged for each test signal generating section T.

そこで、第4図に示すように、例えばレーザー発振器2
0と光偏向器22とによって上記テストポイン)Tl〜
Tnを標的として選択的に光ビームLを照射する装置を
使用し、上記半導体集積回路装置10の端子パッド14
に端子グローブ24を当て℃モニターを行ないながら、
荏意のテストポイントTxに光ビームLを照射すること
により、テスト用の端子パッドを使用せずに、機能テス
ト必要なテスト信号を各テストポイン)Tl〜Tn毎に
与えて内部回路12の全体あるいは主要部分の機能テス
トを行なうことができる。
Therefore, as shown in FIG. 4, for example, a laser oscillator 2
0 and the optical deflector 22 at the above test point) Tl~
Using a device that selectively irradiates the light beam L targeting Tn, the terminal pad 14 of the semiconductor integrated circuit device 10 is
While monitoring the temperature by applying the terminal glove 24 to the
By irradiating the light beam L to the test points Tx, the entire internal circuit 12 can be tested by applying test signals necessary for functional testing to each test point (Tl to Tn) without using terminal pads for testing. Or you can test the functionality of the main parts.

ここで、上記テスト信号発生部Tの主要部分である光電
変換素子PSは僅かの面積でも形成することができ、ま
たこの光電変換素子PSを被テスト回路部に近接して設
けるか、あるいはその一部に組込むことにより、テスト
信号を外部から与えるための端子パッドを不要にできる
ことはもちろんのこと、そのテスト信号を送るための配
線さえもほとんど不要にすることができる。これにより
、端子バンドに余裕のない大規模あるいは複雑な内部回
路を有する半導体集積回路装置でも、半導体基体の面積
サイズを太き(したりすることなく。
Here, the photoelectric conversion element PS, which is the main part of the test signal generating section T, can be formed with a small area, and the photoelectric conversion element PS can be provided close to the circuit under test, or as a part of it. By incorporating the test signal into the circuit, it is possible to not only eliminate the need for a terminal pad for externally applying a test signal, but also almost eliminate the need for wiring for transmitting the test signal. As a result, even in a semiconductor integrated circuit device having a large-scale or complicated internal circuit for which there is no margin in the terminal band, the area size of the semiconductor substrate can be avoided.

あるいは面倒かつ複雑な時分割によらずとも、簡単に必
要なテスト機能を備えることができるようになる。そし
て、実使用時には、例えばパッケージなどに納められる
ことにより、外部からの光による影響は全く心配しない
ですむようになる。
Alternatively, the necessary test functions can be easily provided without the need for troublesome and complicated time sharing. During actual use, for example, by being housed in a package, there is no need to worry about the effects of external light.

〔効果〕〔effect〕

以上のように、この発明による半導体集積回路装置では
、大きな面積を占めるテスト用の端子パッドや面倒かつ
複雑な時分割によらずに、簡単かつ小さな面積を割当て
るだけでもって、必要なテスト機能を備えることができ
る。
As described above, in the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, necessary test functions can be achieved by simply allocating a small area, without using test terminal pads that occupy a large area or using troublesome and complicated time division. You can prepare.

以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であることはいうまでもない。例えば、上記光電変
換素子PSによるテスト信号発生部Tは分散して設けて
もよいが、半導体基体の空いている部分に集中的に配列
させるようにしてもよい。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on examples, it goes without saying that this invention is not limited to the above-mentioned examples, and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, the test signal generating sections T using the photoelectric conversion elements PS may be provided in a dispersed manner, but they may also be arranged in a concentrated manner in a vacant portion of the semiconductor substrate.

〔利用分野〕[Application field]

以上の説明では主として本発明者によっ又なされた発明
をその背景となった利用分野である犬規−模論理LSI
について説明したが、それに限定されるものではなく、
例えば、メモリLSIなどにも適用できる。
The above explanation will mainly focus on the invention made by the present inventor, which is the field of application in which it is applied, which is the dog-scale logic LSI.
Although explained, it is not limited to
For example, it can be applied to memory LSI.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明による半導体集積回路装置の一実施例
を示す回路図である。 82図は第1図の一部分を示す回路図である。 第3図は上記半導体集積回路装置を表面から見た状態を
示す図である。 第4図はこの発明の実施例による半導体集積回路装置の
機能テストを行なっている状態の一例を示す側面図であ
る。 10・・半導体集積回路装置、12・・・内部回路、1
4・・端子パッド、14・・・入出力バノファ、20・
・レーザー発振器、22・・・光偏向器、24・・・端
子プローブ、F/F・・・保持回路(被テスト回路部)
、T・・・テスト信号発生部、PS・・・光電変換素子
、R・抵抗、Tl〜Tn、Tx・・・テストポイント、
L・・・光ビーム。 第  1  図 第  3 図
FIG. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of a semiconductor integrated circuit device according to the present invention. FIG. 82 is a circuit diagram showing a part of FIG. 1. FIG. 3 is a diagram showing the semiconductor integrated circuit device as seen from the surface. FIG. 4 is a side view showing an example of a state in which a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention is subjected to a functional test. 10...Semiconductor integrated circuit device, 12...Internal circuit, 1
4...Terminal pad, 14...I/O vanofa, 20...
・Laser oscillator, 22... Optical deflector, 24... Terminal probe, F/F... Holding circuit (circuit under test)
, T...test signal generation section, PS...photoelectric conversion element, R/resistance, Tl~Tn, Tx...test point,
L...Light beam. Figure 1 Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、半導体集積回路装置の内部回路が形成される領域に
、該内部回路ととも釦、外部から与えられる光忙感応す
る光電変換素子を形成し、さらに上記光電変換素子によ
って上記内部回路の機能テストを行なうためのテスト信
号発生部を構成したことを特徴とする半導体集積回路装
置。 2、特許請求の範囲lの装置において、上記テスト信号
発生部は、ここから発生されるテスト信号の注入を受け
る被テスト回路部毎に該回路部に近接して形成されてい
ることを特徴とする半導体集積回路装置。 3、特許請求の範囲1または2の装置において、上記テ
スト信号発生部は、ここから発生されるテスト信号の注
入を受ける被テスト回路部の一部に組込まれた状態で構
成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
[Claims] 1. In a region where an internal circuit of a semiconductor integrated circuit device is formed, a photoelectric conversion element that is sensitive to light activity applied from the outside is formed along with the internal circuit, and further, a photoelectric conversion element that is sensitive to light activity applied from the outside is formed. A semiconductor integrated circuit device comprising a test signal generating section for performing a functional test of the internal circuit. 2. The device according to claim 1, characterized in that the test signal generating section is formed close to each circuit section to be tested that receives the injection of the test signal generated therefrom. Semiconductor integrated circuit device. 3. In the apparatus according to claim 1 or 2, the test signal generating section is configured to be incorporated in a part of the circuit under test that receives the test signal generated therefrom. Features of semiconductor integrated circuit devices.
JP58062191A 1983-04-11 1983-04-11 Method for testing semiconductor integrated circuit device Expired - Lifetime JPH0652751B2 (en)

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JPS59188929A true JPS59188929A (en) 1984-10-26
JPH0652751B2 JPH0652751B2 (en) 1994-07-06

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JPH0521739A (en) * 1991-07-11 1993-01-29 Nec Corp Semiconductor integrated circuit

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