JPS59186187A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
- Publication number
- JPS59186187A JPS59186187A JP58060770A JP6077083A JPS59186187A JP S59186187 A JPS59186187 A JP S59186187A JP 58060770 A JP58060770 A JP 58060770A JP 6077083 A JP6077083 A JP 6077083A JP S59186187 A JPS59186187 A JP S59186187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- transfer
- pattern
- magnetic
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ素子、特にマイナループを構
成する転送パターンの形状に関するものである。
成する転送パターンの形状に関するものである。
第１図は磁気バブルメモリ素子の一例を示す要部平面構
成図であシ、同図（ａ）は従来より用いられているルー
プ形、同図（ｂ）は近年提案されている折り返し形であ
る。これらの図において、１はマイナルーブ、２はレプ
リケートゲート、３はリードメジャライン、４はスワッ
プゲート、５はライトメシャラインである。なお、Ｈｌ
ｌはこの面に外部から垂直方向に加えられるバイアス磁
界、ＨＲは同様に矢印方向に加えられる回転磁界、Ｐａ
＋Ｐｂは磁気バブルの転送方向である。
成図であシ、同図（ａ）は従来より用いられているルー
プ形、同図（ｂ）は近年提案されている折り返し形であ
る。これらの図において、１はマイナルーブ、２はレプ
リケートゲート、３はリードメジャライン、４はスワッ
プゲート、５はライトメシャラインである。なお、Ｈｌ
ｌはこの面に外部から垂直方向に加えられるバイアス磁
界、ＨＲは同様に矢印方向に加えられる回転磁界、Ｐａ
＋Ｐｂは磁気バブルの転送方向である。
第２図は第１図（ａ） 、 （ｂ）に示したマイナルー
プ１を形成する磁気バブル転送路の一例を示す要部拡大
平面図である。同図において、ループ状に形成されたマ
イナループ１の直線部分の磁気バブル転送路は、磁気バ
ブル転送方向Ｐ ａ ＋ Ｐ ｂに対して相互にパター
ン周期λ６．λｂ（λｂ−λ、）およびパターンの高さ
ｈａ 、ｈｂ （ｈｂ＝ｈ、）の等しい複数のセルパタ
ーン６が配列されて構成されている。
プ１を形成する磁気バブル転送路の一例を示す要部拡大
平面図である。同図において、ループ状に形成されたマ
イナループ１の直線部分の磁気バブル転送路は、磁気バ
ブル転送方向Ｐ ａ ＋ Ｐ ｂに対して相互にパター
ン周期λ６．λｂ（λｂ−λ、）およびパターンの高さ
ｈａ 、ｈｂ （ｈｂ＝ｈ、）の等しい複数のセルパタ
ーン６が配列されて構成されている。
しかしながら、前述した構成によるマイナルーブ１の磁
気バブル転送路において、磁気バブルの転送方向Ｐ、、
Ｐｂが相互に異なる場合、磁気バブルの直線転送特性は
第３図に示すように磁気バブル転送方向ｐ、に比べて逆
方向の磁気バブル転送方向Ｐｂの方が転送マージンを低
下させる問題があった。すなわち、転送方向Ｐａに比べ
て転送方向Ｐｂに磁気バブルが転送される場合、バイア
ス磁界Ｋｎの上限値側で磁気バブルが消失しやすくなる
という欠点があった。この傾向は回転磁界ＨＲの強度が
小さくなるほど、そして磁気バブルをマイナループ内に
多数詰め込むほど大きくなる。さらにこの転送方向Ｐａ
＋Ｐｂによる転送特性の不拘−性ハセルパターン６の微
小化によシ大きく々す、したがって、マイナループの転
送特性を低下させるという欠点があった。
気バブル転送路において、磁気バブルの転送方向Ｐ、、
Ｐｂが相互に異なる場合、磁気バブルの直線転送特性は
第３図に示すように磁気バブル転送方向ｐ、に比べて逆
方向の磁気バブル転送方向Ｐｂの方が転送マージンを低
下させる問題があった。すなわち、転送方向Ｐａに比べ
て転送方向Ｐｂに磁気バブルが転送される場合、バイア
ス磁界Ｋｎの上限値側で磁気バブルが消失しやすくなる
という欠点があった。この傾向は回転磁界ＨＲの強度が
小さくなるほど、そして磁気バブルをマイナループ内に
多数詰め込むほど大きくなる。さらにこの転送方向Ｐａ
＋Ｐｂによる転送特性の不拘−性ハセルパターン６の微
小化によシ大きく々す、したがって、マイナループの転
送特性を低下させるという欠点があった。
このような欠点を改善したものとしては、転送特性が低
下する側の磁気バブル転送方向Ｐｂのセルパターン周期
λｂを大きくする方法が提案されているが、このような
構成によると、素子寸法が大きくなり、素子の高密度化
が不可能となる欠点があった。
下する側の磁気バブル転送方向Ｐｂのセルパターン周期
λｂを大きくする方法が提案されているが、このような
構成によると、素子寸法が大きくなり、素子の高密度化
が不可能となる欠点があった。
したがって本発明は、前述した欠点に鑑みてなされたも
のであシ、その目的とするところは、素子寸法を大きく
することなく、異なる磁気バブル転送方向でほぼ同等に
良好な転送特性が得られる磁気バブルメモリ素子を提供
することにある。
のであシ、その目的とするところは、素子寸法を大きく
することなく、異なる磁気バブル転送方向でほぼ同等に
良好な転送特性が得られる磁気バブルメモリ素子を提供
することにある。
このような目的を達成するために本発明は、磁気バブル
転送特性が低下する側のみの転送路セルパターンの形状
を変形させたものである。
転送特性が低下する側のみの転送路セルパターンの形状
を変形させたものである。
次に、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。
第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一笑施例
を示すマイナループの磁気バブル転送路の要部拡大平面
図であわ、前述の図と同一部分は同一要素となるのでそ
の説明は省略する。同図において、磁気バブル転送特性
が低下する磁気バブル転送方向Ｐｂ側のセルパターン６
人の高さｈｂが磁気バブル転送方向Ｐａのセルパターン
６の高さｈ＆に対してｈｂ＞ｈａの関係を有して形成さ
れている。この場合、このセルパターン６人のパターン
周期λｂは転送方向Ｐａ側のセルパターン６のパターン
周期λ８と同一である。磁界シュミレーションの計算に
よると、背を高くしたセルパタ３− 一ンは回転磁界ＨＲにより生じるポテンシャルウェルｔ
ＯＷ、すなわち磁気バブルを駆動する力が大きくなる。
を示すマイナループの磁気バブル転送路の要部拡大平面
図であわ、前述の図と同一部分は同一要素となるのでそ
の説明は省略する。同図において、磁気バブル転送特性
が低下する磁気バブル転送方向Ｐｂ側のセルパターン６
人の高さｈｂが磁気バブル転送方向Ｐａのセルパターン
６の高さｈ＆に対してｈｂ＞ｈａの関係を有して形成さ
れている。この場合、このセルパターン６人のパターン
周期λｂは転送方向Ｐａ側のセルパターン６のパターン
周期λ８と同一である。磁界シュミレーションの計算に
よると、背を高くしたセルパタ３− 一ンは回転磁界ＨＲにより生じるポテンシャルウェルｔ
ＯＷ、すなわち磁気バブルを駆動する力が大きくなる。
また、Ｈｗは磁気バブルが転送セルパターン下に安定に
存在するバイアス磁界範囲と係わりがあシ、大きなＴ（
Ｗは磁気バブル消失磁界Ｈｃｏｌｌａｐｓｅ を高バイ
アス磁界側に移行させる。
存在するバイアス磁界範囲と係わりがあシ、大きなＴ（
Ｗは磁気バブル消失磁界Ｈｃｏｌｌａｐｓｅ を高バイ
アス磁界側に移行させる。
したがって、このような構成によれば、バイアス磁界Ｈ
Ｂの上限値側で磁気バブルの消失がなくなり、第５図に
示すように転送方向Ｐ８側とほぼ同等の磁気バブル転送
特性Ｐｂが得られる。
Ｂの上限値側で磁気バブルの消失がなくなり、第５図に
示すように転送方向Ｐ８側とほぼ同等の磁気バブル転送
特性Ｐｂが得られる。
第６図および第７図は本発明による磁気バブルメモリ素
子の他の実施例を示すマイナループの磁気バブル転送路
の要部拡大平面図であシ、前述の図と同記号は同一要素
となるのでその説明は省略する。まず、第６図において
は、磁気バブル転送方向Ｐｂ側のセルパター７６Ｂの面
積ｖｂが転送方向Ｐａ側のセルパターン６の面積ｖａに
対してＶｂ ＞ Ｖａの関係を有し、セルパターン６Ｂ
がパターンボリウムを大きくして形成されている。また
、第７図においては、磁気バブル転送方向Ｐｂ側の＝４
− セルパターン６゜のパターン間キャップＧｂが転送方向
ｐ ａ側のセルパターン６のギャップＧ１に対してＧｂ
＜ Ｇａの関係を有し、セルパターン６ｃがチーバー
ドギャップパターンにより形成されている。この場合、
いずれも各パターン周期λ１＝λｂである。このような
構成においても、前述と同様に第５図に示すようにほぼ
同等の磁気バブル転送特性が得られる。
子の他の実施例を示すマイナループの磁気バブル転送路
の要部拡大平面図であシ、前述の図と同記号は同一要素
となるのでその説明は省略する。まず、第６図において
は、磁気バブル転送方向Ｐｂ側のセルパター７６Ｂの面
積ｖｂが転送方向Ｐａ側のセルパターン６の面積ｖａに
対してＶｂ ＞ Ｖａの関係を有し、セルパターン６Ｂ
がパターンボリウムを大きくして形成されている。また
、第７図においては、磁気バブル転送方向Ｐｂ側の＝４
− セルパターン６゜のパターン間キャップＧｂが転送方向
ｐ ａ側のセルパターン６のギャップＧ１に対してＧｂ
＜ Ｇａの関係を有し、セルパターン６ｃがチーバー
ドギャップパターンにより形成されている。この場合、
いずれも各パターン周期λ１＝λｂである。このような
構成においても、前述と同様に第５図に示すようにほぼ
同等の磁気バブル転送特性が得られる。
なお、前述した各実施例で示すように本発明の特徴は、
磁気バブル転送方向Ｐ ＠ ＋ Ｐ ｂの異なる転送路
間の磁気バブル転送特性を、パターン周期λ３．λｂ（
λｂ＝λｍ）を変えないで、パターン形状のみを変え、
一定に揃えることによって、磁気バブル転送特性を向上
させたことにある。すなわち、パターン周期λ８．λｂ
（λｂ−λ＆）は一定であるので、現在の素子寸法を変
更する必要は全くなく、高密度化を維持することができ
る。
磁気バブル転送方向Ｐ ＠ ＋ Ｐ ｂの異なる転送路
間の磁気バブル転送特性を、パターン周期λ３．λｂ（
λｂ＝λｍ）を変えないで、パターン形状のみを変え、
一定に揃えることによって、磁気バブル転送特性を向上
させたことにある。すなわち、パターン周期λ８．λｂ
（λｂ−λ＆）は一定であるので、現在の素子寸法を変
更する必要は全くなく、高密度化を維持することができ
る。
以上説明したように本発明によれば、素子寸法音大きく
することなく、マイナループ転送マージンを向上させる
ことができるので、磁気バブルメモリ素子の高密度化が
可能となる極めて優れた効果が得られる。
することなく、マイナループ転送マージンを向上させる
ことができるので、磁気バブルメモリ素子の高密度化が
可能となる極めて優れた効果が得られる。
第１図（ａ） 、 （ｂ）は磁気バブルメモリ素子の一
例を示す要部平面構成図、第２図はマイナループの磁気
バブル転送路の一例を示す要部拡大平面図、第３図は磁
気バブル転送方向での転送バイアスマージンを示す特性
図、第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一実
施例を示すマイナルーブの磁気バブル転送路の要部拡大
平面図、第５図は第４図の磁気バブル転送方向での転送
バイアスマージンを示す特性図、第６図、第７図は本発
明による磁気バブルメモリ素子の他の実施例を示すマイ
ナループの磁気バブル転送路の要部拡大平面図である。 １１１・・・マイナループ、２・拳・拳レプリケートゲ
ート、３・・争・リードメジャライン、４・・・・スワ
ップゲート、５・・・・ライトメシャライン、６ ＋
６Ａ ｒ ６Ｂ ＋ ６ｃ・・・−セルパターン。 ７一 第６図 第７図
例を示す要部平面構成図、第２図はマイナループの磁気
バブル転送路の一例を示す要部拡大平面図、第３図は磁
気バブル転送方向での転送バイアスマージンを示す特性
図、第４図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一実
施例を示すマイナルーブの磁気バブル転送路の要部拡大
平面図、第５図は第４図の磁気バブル転送方向での転送
バイアスマージンを示す特性図、第６図、第７図は本発
明による磁気バブルメモリ素子の他の実施例を示すマイ
ナループの磁気バブル転送路の要部拡大平面図である。 １１１・・・マイナループ、２・拳・拳レプリケートゲ
ート、３・・争・リードメジャライン、４・・・・スワ
ップゲート、５・・・・ライトメシャライン、６ ＋
６Ａ ｒ ６Ｂ ＋ ６ｃ・・・−セルパターン。 ７一 第６図 第７図
Claims (1)
- 同一ループ内で磁気バブル転送方向が相互に異なる磁気
バブル転送路を具備してなる磁気バブルメモリ素子にお
いて、前記磁気バブル転送路の磁気バブル転送特性を低
下させる側のみの転送路セルパターンの形状を変形させ
たことを特徴とする磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58060770A JPS59186187A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 磁気バブルメモリ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58060770A JPS59186187A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59186187A true JPS59186187A (ja) | 1984-10-22 |
Family
ID=13151846
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58060770A Pending JPS59186187A (ja) | 1983-04-08 | 1983-04-08 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59186187A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50152799A (ja) * | 1974-03-28 | 1975-12-09 |
-
1983
- 1983-04-08 JP JP58060770A patent/JPS59186187A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50152799A (ja) * | 1974-03-28 | 1975-12-09 |
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